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文檔簡介
大功率半導(dǎo)體科學(xué)與工程基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析1.大功率半導(dǎo)體器件中,哪種器件的開關(guān)速度最快?()A.晶閘管B.IGBTC.MOSFETD.GTO答案:C解析:MOSFET的開關(guān)速度通常比其他幾種器件更快。2.以下哪種材料常用于大功率半導(dǎo)體器件的制造?()A.硅B.鍺C.砷化鎵D.磷化銦答案:A解析:硅是目前在大功率半導(dǎo)體器件制造中應(yīng)用最廣泛的材料。3.大功率半導(dǎo)體器件的主要參數(shù)不包括()A.導(dǎo)通電阻B.反向擊穿電壓C.電容D.電感答案:D解析:電感一般不是大功率半導(dǎo)體器件的主要參數(shù)。4.對(duì)于大功率半導(dǎo)體器件,提高其工作溫度會(huì)導(dǎo)致()A.導(dǎo)通電阻減小B.反向擊穿電壓增大C.可靠性降低D.開關(guān)速度加快答案:C解析:工作溫度提高通常會(huì)使器件的可靠性降低。5.在大功率半導(dǎo)體器件中,IGBT是一種()A.雙極型晶體管B.場(chǎng)效應(yīng)晶體管C.復(fù)合型器件D.以上都不是答案:C解析:IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合型器件。6.大功率半導(dǎo)體器件的散熱方式不包括()A.風(fēng)冷B.水冷C.自然冷卻D.電磁冷卻答案:D解析:電磁冷卻一般不是大功率半導(dǎo)體器件的常見散熱方式。7.以下哪種因素會(huì)限制大功率半導(dǎo)體器件的電流容量?()A.芯片面積B.封裝技術(shù)C.散熱能力D.以上都是答案:D解析:芯片面積、封裝技術(shù)和散熱能力都會(huì)對(duì)器件的電流容量產(chǎn)生限制。8.大功率半導(dǎo)體器件的正向壓降主要取決于()A.載流子濃度B.遷移率C.導(dǎo)通電阻D.以上都是答案:D解析:載流子濃度、遷移率和導(dǎo)通電阻都會(huì)影響正向壓降。9.與傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件相比,寬禁帶半導(dǎo)體器件的優(yōu)點(diǎn)不包括()A.更高的工作溫度B.更低的導(dǎo)通電阻C.更低的開關(guān)損耗D.更低的成本答案:D解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件目前成本相對(duì)較高。10.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的封裝形式?()A.TO-220B.DIPC.SMDD.SOT答案:D解析:SOT一般用于小功率器件封裝,不是大功率半導(dǎo)體器件常見的封裝形式。11.大功率半導(dǎo)體器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的損耗主要包括()A.導(dǎo)通損耗B.開關(guān)損耗C.截止損耗D.以上都是答案:D解析:在開關(guān)過程中,導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗和截止損耗都會(huì)存在。12.提高大功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)頻率可以()A.減小濾波器體積B.增加系統(tǒng)效率C.降低成本D.以上都是答案:A解析:開關(guān)頻率提高,濾波器的電感、電容值可以減小,從而減小濾波器體積。13.以下哪種測(cè)試方法常用于測(cè)量大功率半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻?()A.伏安法B.電橋法C.脈沖法D.以上都是答案:D解析:伏安法、電橋法和脈沖法都可用于測(cè)量導(dǎo)通電阻。14.大功率半導(dǎo)體器件的可靠性評(píng)估指標(biāo)不包括()A.平均故障間隔時(shí)間B.失效率C.帶寬D.壽命答案:C解析:帶寬不是可靠性評(píng)估的指標(biāo)。15.以下哪種因素會(huì)影響大功率半導(dǎo)體器件的反向恢復(fù)特性?()A.摻雜濃度B.結(jié)電容C.存儲(chǔ)電荷D.以上都是答案:D解析:摻雜濃度、結(jié)電容和存儲(chǔ)電荷都會(huì)對(duì)反向恢復(fù)特性產(chǎn)生影響。16.寬禁帶半導(dǎo)體材料中,應(yīng)用較為廣泛的是()A.碳化硅B.氮化鎵C.氧化鋅D.以上都是答案:A解析:在寬禁帶半導(dǎo)體材料中,碳化硅應(yīng)用相對(duì)更廣泛。17.大功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路的主要功能不包括()A.提供合適的驅(qū)動(dòng)電壓B.控制開關(guān)速度C.實(shí)現(xiàn)電氣隔離D.放大電流答案:D解析:驅(qū)動(dòng)電路一般不進(jìn)行電流放大。18.以下哪種技術(shù)可以提高大功率半導(dǎo)體器件的耐壓能力?()A.場(chǎng)限環(huán)技術(shù)B.緩沖層技術(shù)C.漂移區(qū)擴(kuò)展技術(shù)D.以上都是答案:D解析:場(chǎng)限環(huán)技術(shù)、緩沖層技術(shù)和漂移區(qū)擴(kuò)展技術(shù)都有助于提高器件的耐壓能力。19.大功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)中的主要作用是()A.整流B.逆變C.調(diào)壓D.以上都是答案:D解析:在電力電子系統(tǒng)中,大功率半導(dǎo)體器件可實(shí)現(xiàn)整流、逆變、調(diào)壓等功能。20.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的保護(hù)措施?()A.過流保護(hù)B.過壓保護(hù)C.過熱保護(hù)D.過頻保護(hù)答案:D解析:通常沒有過頻保護(hù)這種說法。21.對(duì)于大功率半導(dǎo)體器件,熱阻的大小主要取決于()A.封裝材料B.芯片結(jié)構(gòu)C.散熱方式D.以上都是答案:D解析:封裝材料、芯片結(jié)構(gòu)和散熱方式都會(huì)影響熱阻的大小。22.寬禁帶半導(dǎo)體器件相比傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件,在相同耐壓下具有()A.更小的導(dǎo)通電阻B.更大的導(dǎo)通電阻C.相同的導(dǎo)通電阻D.不確定答案:A解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件在相同耐壓下導(dǎo)通電阻更小。23.以下哪種不是影響大功率半導(dǎo)體器件開關(guān)速度的因素?()A.柵極電阻B.寄生電容C.驅(qū)動(dòng)電流D.工作溫度答案:D解析:工作溫度主要影響器件的性能和可靠性,對(duì)開關(guān)速度影響較小。24.大功率半導(dǎo)體器件的并聯(lián)使用需要考慮()A.電流均衡B.電壓均衡C.熱平衡D.以上都是答案:D解析:并聯(lián)使用時(shí),電流均衡、電壓均衡和熱平衡都需要考慮。25.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的串聯(lián)使用需要解決的問題?()A.靜態(tài)均壓B.動(dòng)態(tài)均壓C.電流分配D.熱平衡答案:C解析:串聯(lián)使用時(shí)主要解決均壓和熱平衡問題,電流分配不是主要問題。26.碳化硅大功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)在于()A.高導(dǎo)熱性B.高擊穿電場(chǎng)C.高飽和電子漂移速度D.以上都是答案:D解析:碳化硅具有高導(dǎo)熱性、高擊穿電場(chǎng)和高飽和電子漂移速度等優(yōu)勢(shì)。27.氮化鎵大功率半導(dǎo)體器件適用于()A.高頻應(yīng)用B.高壓應(yīng)用C.大電流應(yīng)用D.以上都是答案:A解析:氮化鎵器件適用于高頻應(yīng)用。28.大功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢(shì)不包括()A.更高的集成度B.更低的成本C.更小的尺寸D.更低的工作頻率答案:D解析:發(fā)展趨勢(shì)是更高的工作頻率,而不是更低。29.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用領(lǐng)域?()A.通信B.照明C.航空航天D.食品加工答案:D解析:食品加工一般不涉及大功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用。30.大功率半導(dǎo)體器件在新能源汽車中的應(yīng)用主要是()A.電機(jī)驅(qū)動(dòng)B.電池管理C.車載充電D.以上都是答案:D解析:在新能源汽車中,大功率半導(dǎo)體器件可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理和車載充電等。31.以下哪種不是衡量大功率半導(dǎo)體器件性能的指標(biāo)?()A.導(dǎo)通損耗B.關(guān)斷損耗C.噪聲系數(shù)D.開關(guān)時(shí)間答案:C解析:噪聲系數(shù)一般不是衡量大功率半導(dǎo)體器件性能的主要指標(biāo)。32.寬禁帶半導(dǎo)體器件的制造工藝相比傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件()A.更簡單B.更復(fù)雜C.相同D.不確定答案:B解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件的制造工藝通常更復(fù)雜。33.大功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試不包括()A.高溫老化測(cè)試B.低溫啟動(dòng)測(cè)試C.振動(dòng)測(cè)試D.電磁兼容測(cè)試答案:D解析:電磁兼容測(cè)試主要針對(duì)電子設(shè)備整體,不是針對(duì)器件可靠性的測(cè)試。34.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的失效模式?()A.熱失控B.靜電擊穿C.電磁干擾D.短路答案:C解析:電磁干擾不是器件的失效模式。35.提高大功率半導(dǎo)體器件的散熱能力可以采用()A.增加散熱片面積B.提高冷卻介質(zhì)流速C.優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)D.以上都是答案:D解析:以上方法都可以提高散熱能力。36.大功率半導(dǎo)體器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓通常為()A.5VB.10VC.15VD.以上都有可能答案:D解析:不同類型的大功率半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)電壓不同,以上選項(xiàng)都有可能。37.以下哪種不是影響大功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通電阻的因素?()A.溝道長度B.柵極電壓C.環(huán)境溫度D.封裝形式答案:D解析:封裝形式主要影響散熱和安裝,對(duì)導(dǎo)通電阻影響較小。38.寬禁帶半導(dǎo)體器件在高溫環(huán)境下的性能()A.更好B.更差C.不變D.不確定答案:A解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件在高溫環(huán)境下性能相對(duì)更好。39.大功率半導(dǎo)體器件的電流密度主要取決于()A.芯片面積B.摻雜濃度C.工作電壓D.以上都是答案:D解析:芯片面積、摻雜濃度和工作電壓都會(huì)影響電流密度。40.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的類型?()A.JFETB.BJTC.MESFETD.CMOS答案:D解析:CMOS一般用于集成電路,不是大功率半導(dǎo)體器件類型。41.大功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性主要由()決定A.載流子遷移率B.寄生參數(shù)C.柵極電容D.以上都是答案:D解析:載流子遷移率、寄生參數(shù)和柵極電容都會(huì)影響開關(guān)特性。42.寬禁帶半導(dǎo)體材料的禁帶寬度()傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料A.大于B.小于C.等于D.不確定答案:A解析:寬禁帶半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料。43.以下哪種不是提高大功率半導(dǎo)體器件工作頻率的方法?()A.減小寄生電容B.降低導(dǎo)通電阻C.優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路D.增加芯片面積答案:D解析:增加芯片面積通常不會(huì)提高工作頻率,反而可能增加寄生參數(shù),降低工作頻率。44.大功率半導(dǎo)體器件的耐壓能力主要取決于()A.漂移區(qū)長度B.摻雜濃度C.結(jié)面積D.以上都是答案:D解析:漂移區(qū)長度、摻雜濃度和結(jié)面積都會(huì)影響耐壓能力。45.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展障礙?()A.材料成本B.制造工藝C.市場(chǎng)需求D.可靠性答案:C解析:市場(chǎng)需求通常不是發(fā)展的障礙,而是發(fā)展的動(dòng)力。46.寬禁帶半導(dǎo)體器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)在于()A.提高系統(tǒng)效率B.減小系統(tǒng)體積C.增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性D.以上都是答案:D解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件的應(yīng)用具有以上多種優(yōu)勢(shì)。47.大功率半導(dǎo)體器件的熱管理技術(shù)不包括()A.熱管散熱B.噴霧冷卻C.液氮冷卻D.油浸冷卻答案:C解析:液氮冷卻在大功率半導(dǎo)體器件的熱管理中不常見。48.以下哪種不是影響大功率半導(dǎo)體器件反向擊穿電壓的因素?()A.結(jié)曲率半徑B.表面電荷C.封裝材料D.摻雜濃度答案:C解析:封裝材料主要影響散熱和防護(hù),對(duì)反向擊穿電壓影響較小。49.大功率半導(dǎo)體器件的并聯(lián)均流技術(shù)主要基于()A.電阻均流B.電感均流C.電容均流D.以上都是答案:D解析:電阻均流、電感均流和電容均流都可用于并聯(lián)均流。50.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的串聯(lián)均壓技術(shù)?()A.無源均壓B.有源均壓C.混合均壓D.電容均壓答案:D解析:電容均壓一般不是常見的串聯(lián)均壓技術(shù)。51.寬禁帶半導(dǎo)體器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用可以()A.提高電能質(zhì)量B.降低損耗C.增強(qiáng)穩(wěn)定性D.以上都是答案:D解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用具有以上多種優(yōu)點(diǎn)。52.大功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)需要考慮()A.驅(qū)動(dòng)能力B.隔離要求C.保護(hù)功能D.以上都是答案:D解析:驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)需要綜合考慮以上因素。53.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的測(cè)試設(shè)備?()A.示波器B.頻譜分析儀C.邏輯分析儀D.功率分析儀答案:C解析:邏輯分析儀一般用于數(shù)字電路的測(cè)試,不是大功率半導(dǎo)體器件的常見測(cè)試設(shè)備。54.大功率半導(dǎo)體器件的可靠性研究主要關(guān)注()A.失效機(jī)理B.壽命預(yù)測(cè)C.可靠性設(shè)計(jì)D.以上都是答案:D解析:可靠性研究包括失效機(jī)理、壽命預(yù)測(cè)和可靠性設(shè)計(jì)等方面。55.寬禁帶半導(dǎo)體器件相比傳統(tǒng)器件,在相同電流下具有()A.更低的導(dǎo)通壓降B.更高的導(dǎo)通壓降C.相同的導(dǎo)通壓降D.不確定答案:A解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件在相同電流下導(dǎo)通壓降更低。56.以下哪種不是影響大功率半導(dǎo)體器件開關(guān)損耗的因素?()A.開關(guān)時(shí)間B.電流變化率C.電壓變化率D.導(dǎo)通電阻答案:D解析:導(dǎo)通電阻主要影響導(dǎo)通損耗,對(duì)開關(guān)損耗影響較小。57.大功率半導(dǎo)體器件的散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要考慮()A.熱阻B.風(fēng)道設(shè)計(jì)C.風(fēng)扇選型D.以上都是答案:D解析:散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)需要綜合考慮熱阻、風(fēng)道設(shè)計(jì)和風(fēng)扇選型等。58.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件的封裝材料?()A.陶瓷B.塑料C.玻璃D.金屬答案:C解析:玻璃一般不用于大功率半導(dǎo)體器件的封裝。59.寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)不包括()A.襯底材料B.工藝成熟度C.市場(chǎng)接受度D.理論研究答案:D解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展主要面臨實(shí)際應(yīng)用中的挑戰(zhàn),如襯底材料、工藝成熟度和市場(chǎng)接受度等,理論研究相對(duì)較為成熟。60.大功率半導(dǎo)體器件的并聯(lián)不均流會(huì)導(dǎo)致()A.部分器件過熱B.系統(tǒng)效率降低C.可靠性下降D.以上都是答案:D解析:并聯(lián)不均流會(huì)帶來以上多種不良影響。61.以下哪種不是提高大功率半導(dǎo)體器件串聯(lián)均壓效果的方法?()A.選擇參數(shù)一致的器件B.增加均壓電阻C.優(yōu)化電路布局D.降低工作電壓答案:D解析:降低工作電壓不是提高串聯(lián)均壓效果的方法。62.大功率半導(dǎo)體器件在高頻工作時(shí),需要重點(diǎn)考慮的參數(shù)是()A.導(dǎo)通電阻B.寄生電容C.反向擊穿電壓D.熱阻答案:B解析:在高頻工作時(shí),寄生電容對(duì)器件性能的影響較大。63.大功率半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻隨溫度的升高通常會(huì)()A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案:A解析:溫度升高,載流子散射加劇,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增大。64.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件在軌道交通中的應(yīng)用?()A.牽引變流器B.輔助電源C.信號(hào)傳輸D.制動(dòng)能量回收答案:C解析:信號(hào)傳輸一般不直接使用大功率半導(dǎo)體器件。65.寬禁帶半導(dǎo)體器件的柵極電荷特性()傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件。A.優(yōu)于B.劣于C.等于D.不確定答案:A解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件的柵極電荷通常較小,特性優(yōu)于傳統(tǒng)器件。66.大功率半導(dǎo)體器件的短路保護(hù)通常依靠()A.快速熔斷器B.過流繼電器C.驅(qū)動(dòng)電路檢測(cè)D.以上都是答案:D解析:以上方法都可用于短路保護(hù)。67.以下哪種不是影響大功率半導(dǎo)體器件可靠性的外部因素?()A.電磁干擾B.機(jī)械振動(dòng)C.濕度D.導(dǎo)通電阻答案:D解析:導(dǎo)通電阻是器件的內(nèi)部參數(shù),不是外部因素。68.寬禁帶半導(dǎo)體器件在高頻電源中的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在()A.效率提升B.體積減小C.成本降低D.以上都是答案:D解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件在高頻電源中具有效率提升、體積減小和成本降低等優(yōu)勢(shì)。69.大功率半導(dǎo)體器件的熱疲勞主要是由于()A.溫度變化B.電流變化C.電壓變化D.以上都是答案:A解析:溫度的周期性變化導(dǎo)致熱疲勞。70.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)控制中的應(yīng)用?()A.變頻器B.電焊機(jī)C.機(jī)器人控制器D.計(jì)算機(jī)主板答案:D解析:計(jì)算機(jī)主板通常不使用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行主要控制。71.寬禁帶半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)份額目前()傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件。A.高于B.低于C.等于D.不確定答案:B解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件還在發(fā)展中,市場(chǎng)份額低于傳統(tǒng)器件。72.大功率半導(dǎo)體器件的柵極驅(qū)動(dòng)功率取決于()A.柵極電容B.工作頻率C.驅(qū)動(dòng)電壓D.以上都是答案:D解析:柵極電容、工作頻率和驅(qū)動(dòng)電壓都會(huì)影響柵極驅(qū)動(dòng)功率。73.以下哪種不是影響大功率半導(dǎo)體器件散熱效果的環(huán)境因素?()A.海拔高度B.空氣流速C.大氣壓D.柵極電阻答案:D解析:柵極電阻與散熱效果無關(guān)。74.寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展有望推動(dòng)()A.新能源產(chǎn)業(yè)B.5G通信C.電動(dòng)汽車D.以上都是答案:D解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展對(duì)以上產(chǎn)業(yè)都有推動(dòng)作用。75.大功率半導(dǎo)體器件的可靠性預(yù)計(jì)方法不包括()A.物理模型B.統(tǒng)計(jì)模型C.經(jīng)驗(yàn)?zāi)P虳.模糊模型答案:D解析:模糊模型一般不用于可靠性預(yù)計(jì)。76.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件在智能電網(wǎng)中的應(yīng)用?()A.無功補(bǔ)償B.電能質(zhì)量治理C.數(shù)據(jù)傳輸D.輸電線路保護(hù)答案:C解析:數(shù)據(jù)傳輸不是通過大功率半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的。77.寬禁帶半導(dǎo)體器件的成本降低主要依賴于()A.工藝改進(jìn)B.產(chǎn)量增加C.材料創(chuàng)新D.以上都是答案:D解析:工藝改進(jìn)、產(chǎn)量增加和材料創(chuàng)新都有助于降低成本。78.大功率半導(dǎo)體器件的反向漏電流主要受()影響。A.溫度B.電壓C.摻雜濃度D.以上都是答案:D解析:溫度、電壓和摻雜濃度都會(huì)對(duì)反向漏電流產(chǎn)生影響。79.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件在光伏發(fā)電中的作用?()A.最大功率點(diǎn)跟蹤B.逆變并網(wǎng)C.電池充電D.電池制造答案:D解析:電池制造不是大功率半導(dǎo)體器件的作用。80.寬禁帶半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)勢(shì)在()條件下更為明顯。A.高溫高壓B.低溫低壓C.常溫常壓D.以上都不是答案:A解析:在高溫高壓條件下,寬禁帶半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)勢(shì)更突出。81.大功率半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通時(shí)間主要取決于()A.柵極驅(qū)動(dòng)電流B.器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)C.負(fù)載電流D.以上都是答案:D解析:柵極驅(qū)動(dòng)電流、器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)和負(fù)載電流都會(huì)影響導(dǎo)通時(shí)間。82.以下哪種不是影響大功率半導(dǎo)體器件開關(guān)速度的內(nèi)部因素?()A.芯片面積B.寄生電感C.載流子壽命D.環(huán)境溫度答案:D解析:環(huán)境溫度是外部因素,不是內(nèi)部因素。83.寬禁帶半導(dǎo)體器件的應(yīng)用有助于提高系統(tǒng)的()A.功率密度B.能量密度C.信息密度D.以上都不是答案:A解析:寬禁帶半導(dǎo)體器件能提高系統(tǒng)的功率密度。84.大功率半導(dǎo)體器件的關(guān)斷時(shí)間與()有關(guān)。A.存儲(chǔ)電荷B.反向恢復(fù)電流C.柵極電阻D.以上都是答案:D解析:存儲(chǔ)電荷、反向恢復(fù)電流和柵極電阻都會(huì)影響關(guān)斷時(shí)間。85.以下哪種不是大功率半導(dǎo)體器件在電動(dòng)汽車充電樁中的應(yīng)用?()A.整流B.功率因數(shù)校正C.電池管理D.車輛定位答案:D解析:車輛定位不是通過大功率半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的。86.寬禁帶半導(dǎo)體器件在雷達(dá)系統(tǒng)中的應(yīng)用可以()A.提高分辨率B.增大作用距離C.降低功耗D.以上都是答案:D解析:在雷達(dá)系統(tǒng)中,寬禁帶半導(dǎo)體器件具有以上優(yōu)點(diǎn)。87.大功率半導(dǎo)體器件的正向恢復(fù)特性主要取決于()A.結(jié)電容B.導(dǎo)通電阻C.存儲(chǔ)電荷D.以上都是答案:D解析:結(jié)電容、導(dǎo)通電阻和存儲(chǔ)電荷都會(huì)影響正向恢復(fù)特性。88.以下哪種不是影響大功率半導(dǎo)體器件可靠性的制造工藝因素?()A.光刻精度B.封裝質(zhì)量C.測(cè)試方法D.工作電壓答案:D解析:工作電壓是使用條件,不是制造工藝因素。89.寬禁帶半導(dǎo)體器件的發(fā)展需要解決的問題包括()A.可靠性B.成本C.產(chǎn)業(yè)化D.以上都是答案:D解析:可靠性、成本和產(chǎn)業(yè)化都是寬禁帶半導(dǎo)體器件發(fā)展需要解決的問題。90.大功率半導(dǎo)體器件的熱阻測(cè)試方法不包括()A.瞬態(tài)熱測(cè)試B.穩(wěn)態(tài)熱測(cè)
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