半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析

半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)單選題100道及答案解析1.半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力介于（）之間。A.導(dǎo)體和絕緣體B.金屬和非金屬C.正電荷和負(fù)電荷D.電子和空穴答案：A解析：半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。2.常見的半導(dǎo)體材料有（）。A.硅、鍺B.銅、鋁C.鐵、鎳D.金、銀答案：A解析：硅和鍺是常見的半導(dǎo)體材料。3.在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)，其導(dǎo)電能力（）。A.不變B.減弱C.增強(qiáng)D.不確定答案：C解析：摻入雜質(zhì)會(huì)增加載流子濃度，從而增強(qiáng)導(dǎo)電能力。4.半導(dǎo)體中的載流子包括（）。A.電子B.空穴C.電子和空穴D.質(zhì)子和中子答案：C解析：半導(dǎo)體中的載流子有電子和空穴。5.P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）。A.電子B.空穴C.正離子D.負(fù)離子答案：B解析：P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是空穴。6.N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）。A.電子B.空穴C.正離子D.負(fù)離子答案：A解析：N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是電子。7.當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上電壓時(shí)，會(huì)形成（）。A.電流B.電阻C.電容D.電感答案：A解析：電壓作用下，半導(dǎo)體中有電流通過。8.半導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而（）。A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：B解析：溫度升高，載流子濃度增加，電阻率減小。9.二極管的主要特性是（）。A.單向?qū)щ娦訠.放大作用C.濾波作用D.儲(chǔ)能作用答案：A解析：二極管具有單向?qū)щ娦浴?0.三極管的三個(gè)電極分別是（）。A.基極、發(fā)射極、集電極B.正極、負(fù)極、地極C.源極、漏極、柵極D.陽極、陰極、控制極答案：A解析：三極管的三個(gè)電極是基極、發(fā)射極、集電極。11.場效應(yīng)管是（）控制器件。A.電流B.電壓C.電阻D.電容答案：B解析：場效應(yīng)管是電壓控制型器件。12.集成電路的基本制造工藝是（）。A.光刻B.蝕刻C.擴(kuò)散D.以上都是答案：D解析：光刻、蝕刻、擴(kuò)散都是集成電路制造的基本工藝。13.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為（）。A.隨機(jī)存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器B.靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器C.閃存和硬盤D.光盤和軟盤答案：A解析：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）。14.以下哪種不是半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域（）。A.通信B.醫(yī)療C.航空航天D.紡織答案：D解析：紡織行業(yè)一般較少直接應(yīng)用半導(dǎo)體。15.半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)包括（）。A.價(jià)帶和導(dǎo)帶B.滿帶和空帶C.禁帶D.以上都是答案：D解析：半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)包括價(jià)帶、導(dǎo)帶和禁帶。16.半導(dǎo)體中的施主雜質(zhì)提供（）。A.電子B.空穴C.質(zhì)子D.中子答案：A解析：施主雜質(zhì)提供電子。17.半導(dǎo)體中的受主雜質(zhì)提供（）。A.電子B.空穴C.質(zhì)子D.中子答案：B解析：受主雜質(zhì)提供空穴。18.半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)可以用來測(cè)量（）。A.電流B.電壓C.磁場D.電阻答案：C解析：霍爾效應(yīng)可用于測(cè)量磁場。19.半導(dǎo)體的光電效應(yīng)可用于（）。A.太陽能電池B.發(fā)光二極管C.激光二極管D.以上都是答案：D解析：光電效應(yīng)在太陽能電池、發(fā)光二極管、激光二極管等中有應(yīng)用。20.半導(dǎo)體的熱敏特性可用于（）。A.溫度傳感器B.壓力傳感器C.濕度傳感器D.加速度傳感器答案：A解析：熱敏特性常用于溫度傳感器。21.半導(dǎo)體的壓敏特性可用于（）。A.壓力傳感器B.位移傳感器C.速度傳感器D.角度傳感器答案：A解析：壓敏特性可用于壓力傳感器。22.硅的原子序數(shù)是（）。A.14B.28C.6D.32答案：A解析：硅的原子序數(shù)是14。23.鍺的原子序數(shù)是（）。A.32B.28C.14D.36答案：A解析：鍺的原子序數(shù)是32。24.本征半導(dǎo)體在絕對(duì)零度時(shí)（）。A.導(dǎo)電B.不導(dǎo)電C.電阻為零D.電阻無窮大答案：B解析：絕對(duì)零度時(shí)，本征半導(dǎo)體沒有載流子，不導(dǎo)電。25.半導(dǎo)體中的擴(kuò)散電流是由（）引起的。A.濃度差B.電位差C.溫度差D.壓力差答案：A解析：擴(kuò)散電流是由載流子的濃度差引起的。26.半導(dǎo)體中的漂移電流是由（）引起的。A.濃度差B.電位差C.溫度差D.壓力差答案：B解析：漂移電流是由電場作用（電位差）引起的。27.PN結(jié)加正向電壓時(shí)（）。A.導(dǎo)通B.截止C.電阻不變D.不確定答案：A解析：PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通。28.PN結(jié)加反向電壓時(shí)（）。A.導(dǎo)通B.截止C.電阻不變D.不確定答案：B解析：PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止。29.發(fā)光二極管的發(fā)光顏色取決于（）。A.材料B.電流C.電壓D.溫度答案：A解析：發(fā)光二極管的發(fā)光顏色由材料決定。30.太陽能電池是基于（）效應(yīng)工作的。A.光電B.熱電C.壓電D.磁電答案：A解析：太陽能電池基于光電效應(yīng)工作。31.半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)位于（）。A.禁帶中B.導(dǎo)帶中C.價(jià)帶中D.滿帶中答案：A解析：雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中。32.半導(dǎo)體的禁帶寬度一般在（）范圍內(nèi)。A.0-1eVB.1-3eVC.3-5eVD.5-7eV答案：B解析：半導(dǎo)體的禁帶寬度通常在1-3eV之間。33.以下哪種不是常見的半導(dǎo)體制造工藝中的清洗方法（）。A.濕法清洗B.干法清洗C.超聲波清洗D.激光清洗答案：D解析：激光清洗在半導(dǎo)體制造工藝中不常見用于清洗。34.半導(dǎo)體芯片制造中，光刻使用的光源通常是（）。A.可見光B.紫外線C.X射線D.紅外線答案：B解析：光刻通常使用紫外線作為光源。35.金屬-半導(dǎo)體接觸可以形成（）。A.歐姆接觸B.肖特基接觸C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：金屬-半導(dǎo)體接觸可以形成歐姆接觸和肖特基接觸。36.肖特基二極管的特點(diǎn)是（）。A.恢復(fù)時(shí)間短B.導(dǎo)通壓降大C.反向漏電流小D.以上都不是答案：A解析：肖特基二極管恢復(fù)時(shí)間短。37.以下哪種不是半導(dǎo)體封裝的形式（）。A.DIPB.SOPC.BGAD.LGAE.PGA答案：E解析：PGA一般不是常見的半導(dǎo)體封裝形式。38.半導(dǎo)體材料的純度通常要求達(dá)到（）。A.99%B.99.9%C.99.99%D.99.9999%答案：D解析：半導(dǎo)體材料的純度通常要求極高，達(dá)到99.9999%以上。39.在半導(dǎo)體制造中，用于刻蝕的氣體通常包括（）。A.氯氣B.氟氣C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：氯氣和氟氣等常用于半導(dǎo)體的刻蝕。40.半導(dǎo)體中的晶格振動(dòng)會(huì)影響（）。A.載流子遷移率B.禁帶寬度C.雜質(zhì)能級(jí)位置D.以上都是答案：D解析：晶格振動(dòng)會(huì)對(duì)載流子遷移率、禁帶寬度、雜質(zhì)能級(jí)位置等產(chǎn)生影響。41.量子阱是一種（）結(jié)構(gòu)。A.一維B.二維C.三維D.零維答案：B解析：量子阱是二維結(jié)構(gòu)。42.量子點(diǎn)是一種（）結(jié)構(gòu)。A.一維B.二維C.三維D.零維答案：D解析：量子點(diǎn)是零維結(jié)構(gòu)。43.半導(dǎo)體中的隧道效應(yīng)發(fā)生在（）。A.強(qiáng)電場下B.低溫下C.薄勢(shì)壘下D.以上都是答案：D解析：在強(qiáng)電場、低溫、薄勢(shì)壘等條件下會(huì)發(fā)生隧道效應(yīng)。44.半導(dǎo)體中的熱載流子效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致（）。A.器件性能下降B.電流增大C.電壓升高D.電阻減小答案：A解析：熱載流子效應(yīng)通常會(huì)導(dǎo)致器件性能下降。45.半導(dǎo)體中的庫侖阻塞效應(yīng)在（）中較為顯著。A.納米器件B.大規(guī)模集成電路C.分立器件D.傳統(tǒng)電路答案：A解析：庫侖阻塞效應(yīng)在納米器件中較為顯著。46.半導(dǎo)體中的自旋電子學(xué)研究的是（）。A.電子的電荷B.電子的自旋C.電子的軌道D.電子的能態(tài)答案：B解析：自旋電子學(xué)研究的是電子的自旋。47.半導(dǎo)體激光器的工作原理基于（）。A.受激輻射B.自發(fā)輻射C.熱輻射D.光電效應(yīng)答案：A解析：半導(dǎo)體激光器工作基于受激輻射。48.半導(dǎo)體探測(cè)器常用于（）。A.核輻射探測(cè)B.光探測(cè)C.磁探測(cè)D.以上都是答案：D解析：半導(dǎo)體探測(cè)器可用于核輻射探測(cè)、光探測(cè)等。49.半導(dǎo)體的磁阻效應(yīng)可以用于（）。A.磁傳感器B.壓力傳感器C.溫度傳感器D.濕度傳感器答案：A解析：磁阻效應(yīng)可用于磁傳感器。50.半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的特點(diǎn)是（）。A.能帶不連續(xù)B.載流子遷移率高C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)具有能帶不連續(xù)、載流子遷移率高等特點(diǎn)。51.半導(dǎo)體中的深能級(jí)雜質(zhì)對(duì)（）影響較大。A.少數(shù)載流子B.多數(shù)載流子C.電阻D.電容答案：A解析：深能級(jí)雜質(zhì)對(duì)少數(shù)載流子影響較大。52.半導(dǎo)體中的表面態(tài)會(huì)（）。A.影響器件性能B.增加導(dǎo)電能力C.減小電阻D.以上都不是答案：A解析：表面態(tài)會(huì)影響半導(dǎo)體器件的性能。53.半導(dǎo)體中的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)常見于（）。A.三極管B.二極管C.電阻D.電容答案：A解析：電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)常見于三極管。54.半導(dǎo)體中的雪崩擊穿發(fā)生在（）。A.低反向電壓B.高反向電壓C.正向電壓D.零電壓答案：B解析：雪崩擊穿發(fā)生在高反向電壓下。55.半導(dǎo)體中的齊納擊穿發(fā)生在（）。A.低反向電壓B.高反向電壓C.正向電壓D.零電壓答案：A解析：齊納擊穿發(fā)生在低反向電壓下。56.半導(dǎo)體中的擴(kuò)散電容與（）有關(guān)。A.正向電流B.反向電流C.正向電壓D.反向電壓答案：A解析：擴(kuò)散電容與正向電流有關(guān)。57.半導(dǎo)體中的勢(shì)壘電容與（）有關(guān)。A.正向電流B.反向電流C.正向電壓D.反向電壓答案：D解析：勢(shì)壘電容與反向電壓有關(guān)。58.半導(dǎo)體中的少子壽命通常用（）來測(cè)量。A.光電導(dǎo)衰減法B.霍爾效應(yīng)C.電導(dǎo)法D.電容法答案：A解析：少子壽命通常用光電導(dǎo)衰減法測(cè)量。59.半導(dǎo)體中的施主能級(jí)靠近（）。A.導(dǎo)帶底B.價(jià)帶頂C.禁帶中央D.以上都不是答案：A解析：施主能級(jí)靠近導(dǎo)帶底。60.半導(dǎo)體中的受主能級(jí)靠近（）。A.導(dǎo)帶底B.價(jià)帶頂C.禁帶中央D.以上都不是答案：B解析：受主能級(jí)靠近價(jià)帶頂。61.半導(dǎo)體中的電導(dǎo)有效質(zhì)量（）。A.等于慣性質(zhì)量B.大于慣性質(zhì)量C.小于慣性質(zhì)量D.以上都有可能答案：D解析：電導(dǎo)有效質(zhì)量可能等于、大于或小于慣性質(zhì)量。62.半導(dǎo)體中的霍爾系數(shù)的符號(hào)可以判斷（）。A.半導(dǎo)體類型B.載流子濃度C.遷移率D.以上都是答案：A解析：霍爾系數(shù)的符號(hào)可以判斷半導(dǎo)體類型。63.半導(dǎo)體中的電導(dǎo)與（）成正比。A.載流子濃度B.遷移率C.載流子濃度和遷移率的乘積D.以上都不是答案：C解析：電導(dǎo)與載流子濃度和遷移率的乘積成正比。64.半導(dǎo)體中的熱導(dǎo)率與（）有關(guān)。A.晶格振動(dòng)B.載流子濃度C.遷移率D.以上都是答案：A解析：熱導(dǎo)率主要與晶格振動(dòng)有關(guān)。65.半導(dǎo)體中的介電常數(shù)反映了（）。A.對(duì)電場的屏蔽能力B.導(dǎo)電能力C.熱傳導(dǎo)能力D.以上都不是答案：A解析：介電常數(shù)反映了對(duì)電場的屏蔽能力。66.半導(dǎo)體中的費(fèi)米能級(jí)的位置反映了（）。A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型B.載流子濃度C.溫度D.以上都是答案：D解析：費(fèi)米能級(jí)的位置與半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型、載流子濃度和溫度等都有關(guān)。67.半導(dǎo)體中的施主雜質(zhì)電離能（）。A.等于受主雜質(zhì)電離能B.大于受主雜質(zhì)電離能C.小于受主雜質(zhì)電離能D.以上都有可能答案：C解析：施主雜質(zhì)電離能小于受主雜質(zhì)電離能。68.以下哪種測(cè)試方法常用于測(cè)量半導(dǎo)體的電阻率（）。A.四探針法B.三探針法C.兩探針法D.單探針法答案：A解析：四探針法常用于測(cè)量半導(dǎo)體的電阻率。69.半導(dǎo)體中的間接復(fù)合需要通過（）。A.雜質(zhì)能級(jí)B.導(dǎo)帶C.價(jià)帶D.禁帶答案：A解析：間接復(fù)合需要通過雜質(zhì)能級(jí)。70.半導(dǎo)體的電導(dǎo)率隨溫度升高的變化趨勢(shì)取決于（）。A.本征激發(fā)和雜質(zhì)電離B.載流子濃度C.遷移率D.以上都是答案：D解析：半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度升高的變化趨勢(shì)受本征激發(fā)、雜質(zhì)電離、載流子濃度和遷移率等多種因素影響。71.對(duì)于半導(dǎo)體，以下說法正確的是（）。A.導(dǎo)帶中的電子可以導(dǎo)電B.價(jià)帶中的空穴不能導(dǎo)電C.禁帶中的電子可以導(dǎo)電D.以上都不對(duì)答案：A解析：導(dǎo)帶中的電子可以參與導(dǎo)電。72.半導(dǎo)體中的施主雜質(zhì)濃度增加，費(fèi)米能級(jí)（）。A.向禁帶中央靠近B.向?qū)Э拷麮.向價(jià)帶靠近D.位置不變答案：B解析：施主雜質(zhì)濃度增加，費(fèi)米能級(jí)向?qū)Э拷?3.半導(dǎo)體中的受主雜質(zhì)濃度增加，費(fèi)米能級(jí)（）。A.向禁帶中央靠近B.向?qū)Э拷麮.向價(jià)帶靠近D.位置不變答案：C解析：受主雜質(zhì)濃度增加，費(fèi)米能級(jí)向價(jià)帶靠近。74.以下哪種半導(dǎo)體器件具有放大作用（）。A.二極管B.三極管C.電阻D.電容答案：B解析：三極管具有電流放大作用。75.半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)是由（）決定的。A.晶體結(jié)構(gòu)B.原子結(jié)構(gòu)C.電子結(jié)構(gòu)D.以上都是答案：D解析：半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)由晶體結(jié)構(gòu)、原子結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)共同決定。76.在半導(dǎo)體中，電子和空穴的復(fù)合會(huì)（）。A.釋放能量B.吸收能量C.不釋放也不吸收能量D.以上都有可能答案：A解析：電子和空穴復(fù)合時(shí)會(huì)釋放能量。77.半導(dǎo)體的擴(kuò)散長度與（）有關(guān)。A.擴(kuò)散系數(shù)B.壽命C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：半導(dǎo)體的擴(kuò)散長度與擴(kuò)散系數(shù)和壽命都有關(guān)。78.半導(dǎo)體的電阻率與（）成反比。A.載流子濃度B.遷移率C.載流子濃度與遷移率的乘積D.以上都不是答案：C解析：半導(dǎo)體的電阻率與載流子濃度與遷移率的乘積成反比。79.半導(dǎo)體中的雜質(zhì)分布可以是（）。A.均勻分布B.非均勻分布C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：半導(dǎo)體中的雜質(zhì)分布可以是均勻的，也可以是非均勻的。80.以下哪種不是半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)（）。A.吸收B.反射C.折射D.磁性答案：D解析：磁性不是半導(dǎo)體常見的光學(xué)性質(zhì)。81.半導(dǎo)體中的激子是（）。A.電子和空穴的束縛態(tài)B.自由電子C.自由空穴D.以上都不是答案：A解析：激子是電子和空穴的束縛態(tài)。82.半導(dǎo)體中的施主雜質(zhì)在低溫下（）。A.全部電離B.部分電離C.不電離D.以上都有可能答案：B解析：施主雜質(zhì)在低溫下部分電離。83.半導(dǎo)體中的受主雜質(zhì)在低溫下（）。A.全部電離B.部分電離C.不電離D.以上都有可能答案：B解析：受主雜質(zhì)在低溫下部分電離。84.以下哪種材料不是寬禁帶半導(dǎo)體（）。A.硅B.碳化硅C.氮化鎵D.氧化鋅答案：A解析：硅不是寬禁帶半導(dǎo)體，碳化硅、氮化鎵、氧化鋅是寬禁帶半導(dǎo)體。85.寬禁帶半導(dǎo)體的特點(diǎn)是（）。A.耐高溫B.耐高壓C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：寬禁帶半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓等特點(diǎn)。86.半導(dǎo)體中的量子限制效應(yīng)在（）結(jié)構(gòu)中表現(xiàn)明顯。A.超晶格B.量子阱C.以上都是D.以上都不是答案：C解析：在超晶格和量子阱結(jié)構(gòu)中量子限制效應(yīng)表現(xiàn)明顯。87.半導(dǎo)體中的雜質(zhì)散射會(huì)（）。A.降低遷移率B.增加遷移率C.不影響遷移率D.以上都有可能答案：A解析：雜質(zhì)散射會(huì)降低遷移率。88.半導(dǎo)體中的晶格散射會(huì)（）。A.降低遷移率B.增加遷移率C.不影響遷移率D.以上都有可能答案：A解析：晶格散射會(huì)降低遷移率。89.半導(dǎo)體中的電導(dǎo)與溫度的關(guān)系在低溫下主要由（）決定。A.雜質(zhì)電離B.本征激發(fā)C.晶格散射D.雜質(zhì)散射答案：A解析：低溫下電導(dǎo)主要由雜質(zhì)電離決定。90.半導(dǎo)體中的電導(dǎo)與溫度的關(guān)系在高溫下主要由（）決定。A.雜質(zhì)電離B.本征激發(fā)C.晶格散射D.雜質(zhì)散射答案：B解析：高溫下電導(dǎo)主要由本征激發(fā)決定。91.以下哪種不是半導(dǎo)體的制備方法（）。A.化學(xué)氣相沉積B.物理氣相沉積C.液相外延D.鍛造答案：D解析：鍛造不是半導(dǎo)體的制備方法。92.