數(shù)字集成電路后端設(shè)計(jì)

IC后端版圖設(shè)計(jì)行者無(wú)畏2009-10-2911/8/20241front-endVSback-end11/8/20242布局與布線（AutoPlacement&Route，AP&R）傳統(tǒng)上將布局與布線前的工作稱之為前端（FrontEnd），而布局與布線之后的工作稱為后端（BackEnd）。布局的目的在于產(chǎn)生制作掩膜所需的GDSII文件。同時(shí)也產(chǎn)生布局后的網(wǎng)表文件（Netlist）及標(biāo)準(zhǔn)延遲文件（SDF）。11/8/2024311/8/20244后端設(shè)計(jì)所用到的工具仿真工具：Mentormodelsim/Questasim綜合工具（帶DFT）：SynopsysDC時(shí)序分析：SynopsysPT形式驗(yàn)證：CadenceLEC后端APR（AutoPlacement&Route）：CadenceSoCEncounter后端參數(shù)提?。篗entorCalibre11/8/20245IC設(shè)計(jì)全流程

1.設(shè)計(jì)輸入（Ultraedit，Vi等）2.仿真（前、后，Modelsim）3.綜合（DC，withDFT）4.形式驗(yàn)證（Confrml，LEC）5.時(shí)序分析（PT，STA）6.后端APR（Encounter）7.參數(shù)提取、驗(yàn)證（Calibre）11/8/20246理解流程，明確概念主要流程：

RTL

仿真綜合自動(dòng)布局布線參數(shù)提取穿插時(shí)序分析，形式驗(yàn)證等步驟11/8/20247列舉一例，演示一下流程！所選實(shí)例為：MY_CHIP.v

；功能前面已經(jīng)講過(guò)，不在重復(fù)！RTL

仿真綜合由姜講解！11/8/20248所使用的工藝為TSMC018關(guān)于庫(kù)的一些說(shuō)明11/8/202491、數(shù)據(jù)準(zhǔn)備1、新建一個(gè)文件夾（如：soce_pad)將所用到的庫(kù)copy進(jìn)來(lái)：lib+addbonding.pl+addIoFiller.cmd+ioPad.list2、將要用到的源文件添加進(jìn)來(lái)：MY_CHIP.vg+MY_CHIP_PAD.v+pad_locs.io+MY_CHIP_PAD.sdc3、實(shí)驗(yàn)時(shí)使用TSMC0.18工藝，11/8/2024102、關(guān)于1中源文件的說(shuō)明MY_CHIP.vg是DC綜合之后生成的門級(jí)網(wǎng)表文件。MY_CHIP_PAD.v是chip-levelNetlist

（自己編寫），就是輸入輸出端口，用以IC系統(tǒng)與外部環(huán)境的接口。與組成集成電路核心電路的單元不同，I/OPAD是直接與外部世界相連接的特殊單元。請(qǐng)參看文檔DTS-041028-00-000.pdf，列出了TSMC0.18所使用的P/GPad、I/OPad和Corner名稱。參看lib庫(kù)中tpz973g.lef技術(shù)庫(kù)，列出了相關(guān)Pad的宏模塊。結(jié)合所給例子MY_CHIP_PAD.v，編寫自己的chip-levelNetlist

。11/8/202411注意我們使用的是TSMC18工藝，pad名稱的部分截圖：11/8/202412pad_locs.io文檔就是編寫添加進(jìn)來(lái)的pad的擺放位置，如圖示：11/8/202413輸入、輸出、電源和地的擺放位置示例11/8/202414MY_CHIP_PAD.sdc文件是DC綜合之后的時(shí)序約束文件，需要進(jìn)行修改！只需保留clk和輸入輸出的延遲約束信息，其他刪除！修改輸入輸出信號(hào)：輸入信號(hào)前要加i，輸出信號(hào)前加o，clk信號(hào)不變。參考示例文件進(jìn)行修改。11/8/202415本例修改后的時(shí)序約束文件：MY_CHIP_PAD.sdcsetsdc_version1.7set_wire_load_modetopset_wire_load_model-nametsmc18_wl10-libraryslowcreate_clock[get_ports

Clock_In]-namemy_clock-period20-waveform{010}set_input_delay-clockmy_clock-max10[get_ports

iReset]set_input_delay-clockmy_clock-max10[get_ports

iUp_DownF]set_output_delay-clockmy_clock-max10[get_ports{oCounter_Out[2]}]set_output_delay-clockmy_clock-max10[get_ports{oCounter_Out[1]}]set_output_delay-clockmy_clock-max10[get_ports{oCounter_Out[0]}]11/8/2024163、ImportData在linux終端執(zhí)行：encounter命令，進(jìn)入圖形界面：11/8/202417將相關(guān)文件和庫(kù)導(dǎo)進(jìn)去選擇Design—DesignImport

在Verilog

Netlist

中輸入：hardreg.vg

hardreg_pad.v；TopCell中選擇：ByUser:MY_CHIP_PAD；在時(shí)間庫(kù)中MaxTimingLibraries:slow.libtpz973gwc.libMintimingLibraries:fast.libtpz973gbc.lib；在物理庫(kù)LEFFiles中依次填寫:tsmc18_61m_cic.lef、tpz973g_51m_cic.lef、tsmc18_61m_antenna_cic.lef、antenna_6_cic.lef（注意庫(kù)的順序不能顛倒，否則加載報(bào)錯(cuò)）；TimingConstraintFile:MY_CHIP_PAD.sdc；IOAssignmentFile:pad_locs.io11/8/20241811/8/202419切換到Advanced頁(yè)面中，進(jìn)行相關(guān)設(shè)置IPO/CTS：BufferName/Footprint:buf

DelayName/Footprint:dly1dly2dly3dly4veterName/Footprint:invPower:PowerNets:VDDGroundNets:VSSRC

Extraction:CapacitanceTableFile:tsmc018.capTb1；TechFile:icecaps_51m.tchSIAnalysis:Maxcdbfile:slow.cdbMincdbFile:fast.cdbCommoncdbFile:typical.cdb//說(shuō)明：配置完后選擇save以.conf文件進(jìn)行保存，下次使用時(shí)只需加載.conf文件即可，無(wú)需重新配置11/8/202420配置完后點(diǎn)OK后，就會(huì)看到初始floorplan11/8/2024214、floorplanning（布局規(guī)劃）a、設(shè)定核的長(zhǎng)、寬以及到邊界的距離11/8/202422由DC綜合后，根據(jù)得到的面積的報(bào)表并結(jié)合下面的公式來(lái)設(shè)定核的長(zhǎng)寬，一般設(shè)定為正方形。11/8/202423核到邊界的距離要設(shè)定合適本實(shí)例的配置步驟如下：選擇Floorplan—SpecifyFloorplanDimension:Width:120Height:120CoretoIOBoundary:均填：20；之后點(diǎn)OK，便可以看到core的布局。11/8/20242411/8/202425b、powerplanning(電源規(guī)劃)添加powerring和powerstripes原因及設(shè)定方法：加powerring主要是防止電流過(guò)高導(dǎo)致開路或短路;穩(wěn)定供壓加powerstripes主要防止IRdrop(就是電路中有過(guò)高的壓降會(huì)導(dǎo)致器件運(yùn)行速度很慢)11/8/20242611/8/202427關(guān)于powerring和powerstripes的設(shè)定方法11/8/20242811/8/202429添加powerring(電源環(huán)一般放置在較低層的金屬上，包括電源環(huán)和接地環(huán)）本實(shí)例參考步驟：選擇Power—AddRingsTop和Bottom的Layer均選擇：METAL1H；Left和Right均選擇：METAL2H；Width均選：4（指的是環(huán)的寬度），也可以指定電源環(huán)和接地環(huán)之間的距離spacing；Advanced：WireGroup-Usewiregroup-InterleavingNumberofbits:1(可選項(xiàng)）；之后OK便可以看到core的周圍有電源環(huán)。//注意offset要選擇Centerinchannel否則后面有一組電源連接不上11/8/202430部分截圖11/8/202431添加powerstripes（電源條一般放置在較高的金屬層上，注意添加時(shí)要設(shè)置組數(shù)，接地的和接電源的條）本實(shí)驗(yàn)參考步驟：根據(jù)核的大小，一般把stripes放在中間位置選擇Power—AddStripesDirection:Vertical-Layer：METAL2;Width:2;Numberofsets:1;AbsolutelocationsStart(X):310；Sop（X）：312；（根據(jù)core的坐標(biāo)得到的）Direction:Horizontal-layer:METAL5;Width:2;AbsolutelocationsStart(Y):310；Sop（Y）：312；之后OK便可以看見core的表面有stripes；11/8/20243211/8/202433可以看到電源環(huán)和電源條，地和地，電源和電源分別相連11/8/202434部分截圖11/8/2024355、globalnetconnection11/8/20243611/8/202437注意我們這里的GND應(yīng)該為VSS11/8/202438本實(shí)例參考步驟選擇Floorplan—GlobalNetConnections分別加上：PIN/TieHigh/NetBasename:VDDToGlobalNet:VDDPin/Tielow/NetBasename:VSSToGlobalNet:VSS；注意：這里設(shè)定的VDD和VSS要和前面importdata時(shí)設(shè)定的Power和Gound相對(duì)應(yīng)。11/8/20243911/8/2024406、connectcorepower11/8/20244111/8/202442本實(shí)驗(yàn)參考步驟選擇Route—SpecialRouteRoute選項(xiàng)中選中PadpinsOk之后便可以看見core的電源pads連接到電源的環(huán)上。11/8/202443部分截圖11/8/2024447、StandardCellPlacement

注意：這里我們選M1、M2

11/8/202445本實(shí)驗(yàn)參考步驟選擇Place—SpecifyPlacementBlockageforStripandRoute選擇M1、M2；11/8/2024468、Placestandardcells11/8/20244711/8/202448本實(shí)驗(yàn)參考步驟選擇Place—PlaceAdvanced中選擇：Medium11/8/2024499、Pre-CTS時(shí)序分析及優(yōu)化11/8/20245011/8/202451本實(shí)例參考步驟1、進(jìn)行Pre–CTS時(shí)序分析：在終端中輸入下面命令：>>timeDesign–preCTS

將會(huì)產(chǎn)生一些時(shí)間報(bào)告并且保存到相關(guān)的文件中。2、進(jìn)行Pre–CTS優(yōu)化；將會(huì)修改setupslack,setuptimes,DRVs；在終端中輸入下面命令：>>optDesign–preCTS

進(jìn)一步優(yōu)化：>>optDesign–preCTS–incr11/8/20245210、ClockTreeSynthesis（時(shí)鐘樹綜合）11/8/202453加入時(shí)鐘樹后的效果11/8/202454clocktreesynthesis是asic設(shè)計(jì)中的一步，它的目的是使時(shí)鐘盡量在同一時(shí)刻去驅(qū)動(dòng)所有的觸發(fā)器，這也就是所說(shuō)的同步電路

11/8/202455本實(shí)驗(yàn)參考步驟1、創(chuàng)建時(shí)鐘樹：選擇Clock–CreateClockTreeSpecBufferFootprint:clkbuf

InverterFootprint:clkinv

2、給時(shí)鐘樹分配指定文件：選擇Clock—SpecifyClockTreee

保存ClockTreeFile文件；3、綜合時(shí)鐘樹：選擇Clock–SynthesizeClockTree選擇OK即可；11/8/20245611、Post-CTSOptimization（加過(guò)時(shí)鐘樹后）11/8/202457本實(shí)驗(yàn)參考步驟：1、Post–CTS時(shí)序分析：在終端輸入相關(guān)命令：>>timeDesign–postCTS>>timeDesign–postCTS–hold產(chǎn)生一些時(shí)間報(bào)表會(huì)保存在相關(guān)的文件下；2、Post-CTS優(yōu)化：改正一些違反設(shè)計(jì)規(guī)則；在命令行執(zhí)行下列指令：>>optDesign–postCTS

>>optDesign–postCTS-hold11/8/20245812、SRoute（連接標(biāo)準(zhǔn)單元的電源）11/8/202459本實(shí)驗(yàn)參考步驟：選擇Route—Sroute:只選擇Standardcellpins11/8/20246013、添加IoFiller主要用于連接IOpad之間的金屬物本實(shí)驗(yàn)參考步驟：在終端執(zhí)行下面命令：>>sourceaddIoFiller.cmd命令執(zhí)行完之后，會(huì)看見IOpad

之間的空隙被填充了。11/8/20246114、NanoRoute（真實(shí)布線）11/8/202462形成原因：11/8/202463在現(xiàn)代等離子體蝕刻工藝和離子注入過(guò)程中產(chǎn)生的積累電荷，如果得不到及時(shí)釋放，就會(huì)對(duì)CMOS器件的柵極產(chǎn)生擊穿并造成永久性的損傷，這就是天線工藝效應(yīng)。為了預(yù)防工藝天線效應(yīng)，在最終布線過(guò)程中，是通過(guò)連接天線二極管或跳轉(zhuǎn)到上一層金屬以增強(qiáng)柵極的靜態(tài)電荷承受能力來(lái)實(shí)現(xiàn)的。11/8/202464解決途徑：1、加跳線2、加天線二極管3、加緩沖器11/8/202465本實(shí)驗(yàn)參考步驟：選擇Route—NanoRoute

選擇如下項(xiàng)：

FixAntenna；

InsertDiodes；DiodeCellName：ANTENNA；TimingDriven；SIDriven；11/8/20246615、Celtic（信號(hào)完整性分析）11/8/202467本實(shí)驗(yàn)參考步驟：在終端里輸入如下命令：timeDesign–postRoute–si11/8/20246816、Post-RouteOptimization11/8/202469本實(shí)驗(yàn)參考步驟：Post–Route時(shí)序分析：在終端里輸入如下命令：>>timeDesign–postRoute

>>timeDesign–postRout–holdPost–Route優(yōu)化：在終端里輸入如下命令：>>optDesign–postRoute

>>optDesign–postRoute-hold11/8/20247017、AddFiller（核內(nèi)部的填充物）注意要在參數(shù)提取和GDSII文件輸出之前添加。主要用于單元之間的連接11/8/202471本實(shí)驗(yàn)參考步驟：執(zhí)行Place—Filler—AddFiller在AddFillerfrom里，按Select進(jìn)入SelectFillerCellsfrom，選取右邊CellsList里全部的Filler,按Add加到左邊的SelectableellsList里，之后OK即可。11/8/20247218、AddBondingPad先執(zhí)行Design—Save---DEFFileName:MY_CHIP_PAD.def；另開一個(gè)終端并執(zhí)行命令:perl

addbonging.pl

MY_CHIP_PAD.def接著在原終端執(zhí)行BondPads.cmd；會(huì)將所需的BondingPads加上。//加BondingPad主要是引出引腳，為了焊接方便11/8/202473最后效果圖11/8/20247419、StreamOut11/8/202475本實(shí)驗(yàn)參考步驟：選擇Design—save—GDS：在outputStreamfile:MY_CHIP.gds；MergeStreamFiles：tsmc18.gds2tmc18_core.gdstsmc18_io_final.gds3Units:100011/8/20247620、CalculateTiming11/8/202477本實(shí)驗(yàn)參考步驟：1、ExtractRC：選擇Timing—ExtractRC即可；2、計(jì)算延遲：選擇Timing—CalculateDelay在SDFOutputFile中輸入：MY_CHIP_PAD.sdf；11/8/20247821、SaveNetlist(保存網(wǎng)表)11/8/202479本實(shí)驗(yàn)步驟：保存后端布局仿真的網(wǎng)表：在終端里執(zhí)行下面的命令>>saveNetlist

MY_CHIP_PR.v保存LVS的網(wǎng)表：在終端里執(zhí)行下面的命令>>saveNetlist–includePhysicalInst–excludeLeafCell

MY_CHIP_LVS.v11/8/202480輸出文件的說(shuō)明11/8/202481說(shuō)明以上的運(yùn)行的命令自動(dòng)保存在encounter.cmd中，下次重起的時(shí)候直接sourceencounter.cmd即可。11/8/202482后端驗(yàn)證DRC(DesignRuleCheck)ERC(ElectricalRuleCheck)LVS(LayoutversusSchematic)LPE/PRE(LayoutParasiticExtraction/ParasiticResistanceExtraction)andPost-LayoutSimulation.//我們只做DRC和LVS11/8/202483說(shuō)明數(shù)字自動(dòng)布局布線做好版圖之后，有DRC錯(cuò)誤是很正常的，是需要自己手動(dòng)修改的，主要靠經(jīng)驗(yàn)積累。Metal與VIA的線寬、距離以及面積之類與工藝庫(kù)的規(guī)定不符合，所以會(huì)報(bào)錯(cuò)，可以根據(jù)錯(cuò)誤的描述進(jìn)行相應(yīng)的手動(dòng)修改關(guān)于驗(yàn)證方面本人還不是很熟，共同學(xué)習(xí)！11/8/202484DRC過(guò)程命令行方式編輯Calibre-drc-cur(CBDK中提供，拷貝到本地drc目錄下)執(zhí)行：calibre-drc-hier

Calibre-drc-cur查看DRC.rep報(bào)告

//7種密度相關(guān)錯(cuò)誤可忽略11/8/202485圖形方式查看結(jié)果準(zhǔn)備工作：新建文件夾drc設(shè)置calibre環(huán)境：拷貝IC工具自帶的.cdsinit文件到工作目錄drc下面cp/opt/asic_labs/apps/IC5141/tools.lnx86/dfII/cdsuser/.cdsinit.或者自己建立.cdsinit文件：內(nèi)容如下setSkillPath(".~/opt/calibre/shar