硅材料生產(chǎn)技術(shù)學習通超星期末考試答案章節(jié)答案2024年

硅材料生產(chǎn)技術(shù)學習通超星期末考試章節(jié)答案2024年氧在硅中的分凝系數(shù)大于1，因此其分布為（

）。

答案:底部低上部高/star3/origin/7c9cbe4ef5bbd3c0195afd103d5a679b.png

答案:1=2<4=5<3界面穩(wěn)定性理論認為界面上出現(xiàn)任何周期性的干擾都可以考慮為正弦干擾，界面的穩(wěn)定性取決于正弦波的（

）。

答案:振幅隨時間的變化率沿界面的（

）效應(yīng)會使界面趨于穩(wěn)定，（

）效應(yīng)造成界面不穩(wěn)定，這兩者時對界面穩(wěn)定性產(chǎn)生影響的互為矛盾的兩個因素。

答案:擴散;界面能在柱狀晶生長過程中，對其形狀應(yīng)先過的主要因素是（

）。

答案:熱量的傳輸；熱流；熱流的情況鑄錠多晶硅的縱截面組織一般由細柱狀晶區(qū)、（

）和細小的樹枝晶區(qū)。

答案:粗大柱狀晶區(qū)；柱狀晶區(qū)；大柱狀晶晶粒互相接觸后發(fā)生核心互相吞并，吞并機制主要有（

）。

答案:表面擴散機制;熱運動機制;氣相轉(zhuǎn)移機制可以通過（

）粗略判斷鑄錠多晶硅固液界面的形狀。

答案:縱截面電阻率等值線;晶體生長趨勢多晶硅鑄錠定向凝固生長技術(shù)包括（

）。

答案:澆鑄法;布里奇曼法;熱交換法;電磁鑄錠法全自動硅片清洗機利用超聲波產(chǎn)生的高頻機械振動，即（

）沖擊工件表面，同時結(jié)合清洗劑的去污作用使工件快速潔凈。

答案:空化效應(yīng)電鍍金剛線利用電鍍金屬作為金剛石顆粒與鋼線的結(jié)合劑，鍍層與鋼線表面產(chǎn)生（

）結(jié)合。

答案:冶金凡是有兩個或兩個以上含有獨對電子的分子或離子與具有空的價電子軌道的中心原子或離子結(jié)合而成的結(jié)構(gòu)單元稱為（

）；占據(jù)在中心位置的離子稱為（

）；周圍配位著一定數(shù)量的帶相反電荷的離子或呈電中性的分子，稱為（

）；不在內(nèi)層里面的其他離子在距離中心離子較遠的地方組成（

）；內(nèi)配位層中離子或中性分子的總數(shù)叫做絡(luò)合離子形成體的（

）。

答案:絡(luò)合單元;絡(luò)合離子;配位體；內(nèi)配位層;外配位層;配位數(shù)化學試劑通常按其純度分為優(yōu)級純、（

）和化學純?nèi)齻€級別。通常硅切割片和研磨片的清洗可以使用（

）試劑。

答案:分析純;分析純金剛線切割多晶硅片的表面反射率相比傳統(tǒng)的砂漿線切割高，常規(guī)的酸制絨難以在其表面刻蝕出有效的減反射絨面，（

）技術(shù)的出現(xiàn)，這一難題得到了成功的解決。

答案:濕法黑硅制絨；黑硅；黑硅制絨；濕法黑硅金剛線根據(jù)固定金剛石的方法主要分為樹脂金剛線和（

）兩種。

答案:電鍍金剛線金剛線切割機的主輥設(shè)計更緊湊，縮小中心距和減小主輥直徑以縮短金剛線跨距。主輥直徑變小會導致（

）。

答案:主輥變形大;主輥應(yīng)力大;?轉(zhuǎn)速過高水溶性線切割液綜合技術(shù)性能質(zhì)量不包括（

）。

答案:抗PID性能根據(jù)相似相溶原理，一般在使用甲苯、丙酮清洗后，再使用（

）進行處理才能用水沖洗。

答案:乙醇機械拋光的加工對象為滾磨后的平面和圓面，通常采用（

）和（

）兩種方法進行拋光。

答案:組合毛刷;精細磨石利用連續(xù)移動的細金屬絲作電極，對工件進行脈沖火花放電蝕除金屬、切割成型的技術(shù)稱為（

）。

答案:電火花線切割技術(shù)；電火花線切割加工（

）工序是將大塊的硅錠切割成所需要的長方體或者棱柱體。

答案:開方鋼線運動系統(tǒng)對硅片質(zhì)量的影響因素主要有線速和（

）。

答案:線張力多晶硅片切片由硅錠開方、硅塊切磨、硅塊粘膠、（

）、硅片清洗和（

）等幾道工序構(gòu)成

答案:硅塊切片；切片;硅片分選包裝；分選包裝一個連續(xù)系列批被提交驗收抽樣時，可允許的最差過程平均質(zhì)量水平為（

）。

答案:接收質(zhì)量限潔凈室的維護管理首先就是對人的管理，具體的措施有（

）。

答案:潔凈服專人保管，定期清洗處理;進行空氣吹淋處理;按規(guī)定穿戴潔凈服;人員數(shù)量應(yīng)是維持室內(nèi)生產(chǎn)作業(yè)的最少人員硅片表面沾污大致可分為（

）。

答案:有機雜質(zhì)沾污;金屬雜質(zhì)沾污;顆粒類雜質(zhì)沾污位錯既可以接收電子也可以提供電子。

答案:對鐵硼復合體是電活性的,能引入深能級。在200℃以上熱處理或在太陽光長時間照射時,鐵硼復合體會重新分解。

答案:對金屬雜質(zhì)的濃度分別為上部和底部區(qū)域高,在中部的濃度較低。

答案:錯碳在硅中主要處于替位位置,屬于非電活性雜質(zhì),因此多晶硅中的碳不影響其電學性能。

答案:錯多晶鑄錠爐的爐室為夾層架構(gòu),中間通冷卻水冷卻爐室表面溫度。

答案:對鑄造多晶硅不能使用微電子工業(yè)單晶硅生產(chǎn)的剩余料。

答案:錯拉速曲線一般為勻速下降的線性曲線。

答案:錯判斷收尾的時間很重要,收尾太早,容易斷苞,合格率降低;收尾太晚,造成浪費。

答案:錯放肩角度必須適當,如果角度太小,則晶體實收率低;角度過大,容易造成熔體過冷,甚至產(chǎn)生位錯和位錯增殖。

答案:對直拉單晶硅裝料時應(yīng)該首先在底部鋪平板料,然后鋪大塊料,最后用邊角或小塊料填縫。

答案:錯母合金晶體使用時切成0.5-1.0mm的薄片,是為了使用時容易碎成小塊,稱重時方便微量調(diào)節(jié)。

答案:對切割籽晶用的單晶電阻率應(yīng)高一些,這樣無論拉制低阻單晶、高阻單晶,N型的、P型的都可以用。但是已經(jīng)拉制過單晶的舊籽晶不能隨便使用,拉制過不同型號的舊籽晶也不能混用。

答案:對除了吸引力的大小之外,被接納的原子首先必須考慮的是和晶體的結(jié)構(gòu)相吻合。

答案:對為了使晶體不斷長大,一方面要求液相必須能連續(xù)不斷地向結(jié)晶界面供應(yīng)原子,另一方面結(jié)晶界面不斷地牢靠地接納原子,晶體生長主要由后者控制。

答案:對晶體生長過程中引入的缺陷稱為____。

答案:原生缺陷硅中的金屬雜質(zhì)一般以間隙態(tài)、____、復合體或____的形式存在

答案:替位態(tài);沉淀在低溫熱處理時,過飽和的氧一般形成____;在相對高溫熱處理或多步熱處理循環(huán)時,過飽和的氧形成____。

答案:氧施主;氧沉淀氧在硅中的分凝系數(shù)為1.25左右,因此氧濃度一般從先凝固的晶錠底部到最后凝固的晶錠上部逐漸____。

答案:降低;減小;減少多晶硅鑄錠主要分為噴涂、備料及____三部分工序。

答案:鑄錠多晶鑄錠爐的控制系統(tǒng)中____完成控制工藝的設(shè)置、控制過程的監(jiān)控及各種反饋信息,記錄整個硅結(jié)晶過程的各種參量的變化情況,生成相應(yīng)的圖表。____以智能控制系統(tǒng)為主體,完成對溫度的控制、真空度及氬氣的壓力控制、隔離籠的提升控制、多晶硅結(jié)晶的速度及冷卻水流量等的檢測。

答案:上位機;下位機多晶硅鑄錠爐中保持工藝要求的關(guān)鍵是____系統(tǒng)。

答案:加熱多晶硅鑄錠爐通常由鋼結(jié)構(gòu)平臺及爐體、真空供氣系統(tǒng)、____與控制系統(tǒng)、____系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)等組成。

答案:電源供應(yīng);加熱隔熱鑄錠采用的管式長晶爐分為____、梯度區(qū)和冷卻區(qū)。

答案:加熱區(qū)進行熱場設(shè)計,使得硅熔體在凝固時自底部開始到上部結(jié)束,其固液界面始終保持與水平面平行,稱為____。

答案:平固液界面凝固技術(shù)根據(jù)界面穩(wěn)定性理論,當溫度梯度超過一臨界值時,其穩(wěn)定化效應(yīng)會完全克服溶質(zhì)擴散的不穩(wěn)定化效應(yīng),這時無論凝固速度如何,界面總是穩(wěn)定的,這種絕對穩(wěn)定性稱為____。

答案:高梯度絕對穩(wěn)定性將界面上出現(xiàn)的周期性干擾考慮為正弦干擾,根據(jù)界面穩(wěn)定性理論,界面的穩(wěn)定性取決于正弦波的____。

答案:振幅隨時間的變化率單位時間內(nèi),某雜質(zhì)從熔體單位面積上蒸發(fā)出來的原子數(shù)與熔體中雜質(zhì)濃度之比稱為雜質(zhì)的____。蒸發(fā)效應(yīng)常以該常數(shù)和____來描述。

答案:蒸發(fā)速度常數(shù);時間常數(shù);蒸發(fā)時間常數(shù)電子器件在不同的溫度下性能有差異,采用一些措施抑制這種差異的影響稱為____。

答案:溫度補償拉制低電阻率單晶(小于10-2Ω·cm),一般選用____作摻雜劑;拉制較高電阻率的單晶(大于10-1Ω·cm),一般選用____做摻雜劑。

答案:純元素;母合金目前大直徑的石英坩堝均采用____法生產(chǎn)。

答案:電弧區(qū)熔單晶過程中,多晶硅棒受到____、電磁托力、____和離心力幾個方面的作用力。熔體之所以可以被支撐在單晶與棒料之間,主要是由于硅熔體____的作用。

答案:表面張力;重力;表面張力晶核的臨界半徑rC的大小與溶體的過冷度有直接關(guān)系,過冷度越大,臨界半徑就越____。

答案:小單晶硅生長時,熱場中溫度梯度有多種,對結(jié)晶狀態(tài)影響最大的是____,它在一定程度上決定著單晶的質(zhì)量。

答案:生長界面處的溫度梯度;(dT/dr單位距離內(nèi)溫度的變化率為____。

答案:溫度梯度____也稱為溫度場,指的是熱系統(tǒng)內(nèi)的溫度分布狀態(tài)。

答案:熱場過冷的溫度于熔點的溫度差稱為____,該值越大,結(jié)晶速度越____。

答案:過冷度;快位錯對多晶硅的影響主要有()。

答案:雜質(zhì)偏聚、沉淀,造成新的電活性中心;產(chǎn)生補償作用;擴散增強金屬在硅中沉淀的密度和形態(tài)與()有關(guān)。

答案:形核方式;冷卻速率;擴散速率如果高溫熱處理后冷卻速率很快,金屬的擴散速率相對較慢,晶體硅中金屬為()。

答案:間隙態(tài);替位態(tài)氫對于晶體硅中的主要雜質(zhì)氧作用主要表現(xiàn)為()。

答案:增強氧施主生成;促進氧的擴散;增強氧沉淀生成;形成復合體氮在鑄造多晶硅中的存在形式有()。

答案:氮氧復合體;沉淀態(tài);氮對鑄造多晶硅中的碳雜質(zhì)對氧雜質(zhì)的影響有()。

答案:形成大量的C-O復合體;吸附在氧沉淀和基體的界面上,降低氧沉淀的界面能;引起晶格形變,吸引氧原子聚集,形成氧沉淀核心氧沉淀的影響因素很多,其中哪些是氧沉淀的主要影響因素?()

答案:熱處理的時間;熱處理的溫度;初始氧濃度鑄造多晶硅中坩堝涂層的作用為()。

答案:降低多晶硅中的氧、碳雜質(zhì)濃度;坩堝可能重復使用,降低生產(chǎn)成本;解決坩堝和硅料的黏滯問題直熔法生產(chǎn)鑄錠多晶硅的優(yōu)點有()。

答案:生長的硅錠質(zhì)量較好;晶體生長過程易控制、易自動化;“原位”熱處理降低硅錠內(nèi)的熱應(yīng)力直拉單晶硅化料過程中,溫度控制不當會造成()。

答案:溫度太低,影響生產(chǎn)效率;溫度過高,影響單晶質(zhì)量,反應(yīng)過于劇烈甚至會發(fā)生噴硅現(xiàn)象;溫度過高,導致坩堝、爐壁、爐底產(chǎn)生變形;溫度過高,硅蒸氣大量聚集容易拉弧造成過流直拉單晶硅過程中使用的氬氣要進行檢測,檢測項目主要有()。

答案:露點;純度;氧含量區(qū)熔硅單晶的摻雜方法主要有()。

答案:填裝法;中子嬗變摻雜;氣相摻雜法;液體摻雜有效分凝系數(shù)Keff是和熔體性質(zhì)、結(jié)晶速度、雜質(zhì)的擴散系數(shù)及熔體的攪拌情況有關(guān)的一個物理量,通過()方式可以增大有Keff。

答案:增大熔體粘滯系數(shù);增大結(jié)晶速度;增加雜質(zhì)富集層或貧乏層厚度;減小擴散系數(shù)通常晶體生長速度受()過程的限制。

答案:硅原子在結(jié)晶界面上按晶格位置排列的速度;熔硅熱量的傳遞速度;結(jié)晶界面處結(jié)晶潛熱的釋放速度下面哪種鑄錠方法可以實現(xiàn)連續(xù)化生產(chǎn)?()

答案:電磁鑄錠法通常硅錠的晶粒尺寸分布為()。

答案:上大下小、中間大邊緣小根據(jù)成分過冷理論和MS理論,固液界面形態(tài)有(a)平面狀、(b)絕對穩(wěn)定性平面、(c)枝狀、(d)胞狀。隨著凝固參數(shù)G/v的減小,固液界面形態(tài)變化順序為()

答案:adcb磁控直拉生長技術(shù)產(chǎn)生的磁致()控制了流體的運動,也減少了熔體的溫度波動,可以達到控制()的目的。

答案:粘滯性、氧含量從晶體的外觀可以判斷晶體是否為無位錯,<111>單晶會有()條軸對稱的“棱線”。

答案:3氧在硅中的分凝系數(shù)大于1,因此其分布為(

)。

答案:底部低上部高在結(jié)晶前沿處,只有很薄的一層熔體是低于熔化溫度的(過冷度為1℃左右),其余部分的熔體都是處于過熱狀態(tài),這樣可以抑制自發(fā)形核,該理論為()。

答案:科塞耳理論太陽能電池串聯(lián)電阻對開路電壓無明顯影響,但填充因子和短路電流會隨串聯(lián)電阻的增加而減小;并聯(lián)電阻對短路電流無明顯影響,但隨著并聯(lián)電阻的減小開路電壓和填充因子都會減小。

答案:對太陽能電池的短路電流等于光生電流,是能夠輸出的最大電流。

答案:對同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)載流子轉(zhuǎn)移機制不同。對于同質(zhì)結(jié),主要是濃度梯度所引起的擴散;對于異質(zhì)結(jié),主要是功函數(shù)不同所引起的熱發(fā)射。

答案:對半導體材料的能帶是連續(xù)分布的,光吸收表現(xiàn)為連續(xù)的吸收帶。

答案:對IBC(交叉背接觸電池)正面無金屬接觸,背面的正負電極接觸區(qū)域呈叉指狀排列,p-n結(jié)位于電池背面。

答案:對PERT指的是鈍化發(fā)射極背表面全擴散電池,為典型的雙面受光、雙面發(fā)電電池。

答案:對根據(jù)國家標準,太陽能電池只能以轉(zhuǎn)換效率做為分選的依據(jù)。

答案:錯電化學腐蝕法形成的黑硅由于多孔硅的孔徑太小,與后續(xù)鈍化和合金化工藝不兼容,不適用于太陽電池的制備。

答案:對為了提高減反射效果,通常要求制絨深度要深一些。

答案:錯光固化樹脂金剛線指的是利用紫外光固化樹脂作為結(jié)合劑,通過紫外光照射固化使金剛石固定在線芯上而形成的金剛線。

答案:對硅片表面或邊緣非穿通性的缺損稱為缺口。

答案:錯WARP與硅片可能存在的任何厚度變化無關(guān),更能全面反映硅片的形變狀態(tài)。

答案:對在硅片生產(chǎn)中通常采用全檢的方式進行檢驗。

答案:錯強制性標準必須執(zhí)行,不符合強制性標準的產(chǎn)品禁止生產(chǎn)、銷售和進口。

答案:對企業(yè)標準通常比國家標準或行業(yè)標準略松。

答案:錯硅片在經(jīng)過每一道工序加工后都要進行清洗,且硅片清洗的環(huán)境潔凈度也要逐級提高。

答案:對單晶切方滾磨設(shè)置好磨削進給量、旋轉(zhuǎn)速度與進給速度后,一次性滾磨成功。

答案:錯太陽能電池標準測試條件(STC)為溫度25℃,光強1000W/m2,大氣質(zhì)量____。

答案:AM1.5以光照射側(cè)的p-i型a-Si:H膜和背面?zhèn)鹊膇-n型a-Si:H膜夾住晶體硅片,在兩側(cè)的頂層形成透明的電極和集電極,構(gòu)成____電池。

答案:本征薄膜異質(zhì)結(jié);HIT減反射膜的光學參數(shù)主要有厚度的均勻性和____。

答案:折射率POCl3分解產(chǎn)生的P2O5與Si反應(yīng)生成SiO2和磷原子,在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2,稱之為____。

答案:磷硅玻璃;PSG擴散制結(jié)時首先通入三氯乙烷TCA,高溫氧化分解后,產(chǎn)生的氯分子與重金屬原子化合后被氣體帶走,達到____的目的。

答案:清洗石英管道電池片外觀呈黑色或近于黑色的微納米絨面結(jié)構(gòu)電池稱為____電池,主要是由____大量減少造成的。

答案:黑硅;表面反射；反射全自動硅片清洗機利用超聲波產(chǎn)生的高頻機械振動,即____沖擊工件表面,同時結(jié)合清洗劑的去污作用使工件快速潔凈。

答案:空化效應(yīng)電鍍金剛線利用電鍍金屬作為金剛石顆粒與鋼線的結(jié)合劑,鍍層與鋼線表面產(chǎn)生____結(jié)合。

答案:冶金金剛線根據(jù)固定金剛石的方法主要分為樹脂金剛線和____兩種。

答案:電鍍金剛線硅片總厚度變化(TTV)檢驗可以采用____測量和掃描式測量兩種方式進行。

答案:分立點式;五點法硅片中線面與一基準平面之間的最大距離與最小距離的差值稱為____。

答案:翹曲度;WARP線切割過程中由于鋼線運動形成的凹凸痕跡稱為____。

答案:線痕實際生產(chǎn)中各硅片的厚度不可能完全一致,需要有一個范圍來約束,這個范圍稱為____。

答案:厚度公差硅片的線牽引技術(shù)主要利用____,將兩條具有熱抗性的石墨纖維線穿過熔硅,用于穩(wěn)定帶硅的邊緣,提升石墨纖維線直接將一定厚度的帶硅從熔硅中拉出。

答案:表面張力利用連續(xù)移動的細金屬絲作電極,對工件進行脈沖火花放電蝕除金屬、切割成型的技術(shù)稱為____。

答案:電火花線切割技術(shù);電火花線切割加工當樣本中不合格數(shù)≤接收數(shù)Ac時,該樣本所代表的檢驗批被判為____。（合格或不合格）

答案:合格一個連續(xù)系列批被提交驗收抽樣時,可允許的最差過程平均質(zhì)量水平為____。

答案:接收質(zhì)量限超聲波清洗工藝的主要影響因素有超聲波頻率、超聲波____、超聲波清洗____、超聲波清洗溫度和工件放置方式。超聲波頻率越____,在液體中產(chǎn)生空化越容易,作用也越強,但是方向性差。

答案:功率密度;介質(zhì);低脫膠主要使用全自動硅片脫膠機,其流程為沖洗、超聲和____脫膠。

答案:加熱線切割機的線輪分放線輪和收線輪,____通常是固定的型號,____線軸具各種型號。

答案:收線輪;放線輪由于復合、吸收等作用,量子效率曲線低于理想曲線,其中紅光響應(yīng)部分降低是由于()。

答案:短擴散長度;長波長的吸收減少;背表面反射通過()途徑可以提高太陽能電池開路電壓。

答案:增加各區(qū)摻雜濃度;減小暗電流;減少載流子復合太陽能電池等效電路中,串聯(lián)電阻包括()。

答案:材料本身的電阻率;金屬電極與半導體的歐姆接觸與PERC電池相比,N-PERT電池具有()優(yōu)點。

答案:弱光響應(yīng)好;沒有用到激光工藝,不對硅片造成額外損傷;無光致衰減;印刷后不產(chǎn)生翹曲分選測試機試系統(tǒng)單元能夠獲得()數(shù)據(jù)。

答案:待測電池片的性能指標;光