硅材料生產(chǎn)技術(shù)學(xué)習(xí)通超星期末考試答案章節(jié)答案2024年

硅材料生產(chǎn)技術(shù)學(xué)習(xí)通超星期末考試章節(jié)答案2024年氧在硅中的分凝系數(shù)大于1，因此其分布為（

）。

答案:底部低上部高/star3/origin/7c9cbe4ef5bbd3c0195afd103d5a679b.png

答案:1=2<4=5<3界面穩(wěn)定性理論認(rèn)為界面上出現(xiàn)任何周期性的干擾都可以考慮為正弦干擾，界面的穩(wěn)定性取決于正弦波的（

）。

答案:振幅隨時(shí)間的變化率沿界面的（

）效應(yīng)會(huì)使界面趨于穩(wěn)定，（

）效應(yīng)造成界面不穩(wěn)定，這兩者時(shí)對(duì)界面穩(wěn)定性產(chǎn)生影響的互為矛盾的兩個(gè)因素。

答案:擴(kuò)散;界面能在柱狀晶生長(zhǎng)過(guò)程中，對(duì)其形狀應(yīng)先過(guò)的主要因素是（

）。

答案:熱量的傳輸；熱流；熱流的情況鑄錠多晶硅的縱截面組織一般由細(xì)柱狀晶區(qū)、（

）和細(xì)小的樹枝晶區(qū)。

答案:粗大柱狀晶區(qū)；柱狀晶區(qū)；大柱狀晶晶粒互相接觸后發(fā)生核心互相吞并，吞并機(jī)制主要有（

）。

答案:表面擴(kuò)散機(jī)制;熱運(yùn)動(dòng)機(jī)制;氣相轉(zhuǎn)移機(jī)制可以通過(guò)（

）粗略判斷鑄錠多晶硅固液界面的形狀。

答案:縱截面電阻率等值線;晶體生長(zhǎng)趨勢(shì)多晶硅鑄錠定向凝固生長(zhǎng)技術(shù)包括（

）。

答案:澆鑄法;布里奇曼法;熱交換法;電磁鑄錠法全自動(dòng)硅片清洗機(jī)利用超聲波產(chǎn)生的高頻機(jī)械振動(dòng)，即（

）沖擊工件表面，同時(shí)結(jié)合清洗劑的去污作用使工件快速潔凈。

答案:空化效應(yīng)電鍍金剛線利用電鍍金屬作為金剛石顆粒與鋼線的結(jié)合劑，鍍層與鋼線表面產(chǎn)生（

）結(jié)合。

答案:冶金凡是有兩個(gè)或兩個(gè)以上含有獨(dú)對(duì)電子的分子或離子與具有空的價(jià)電子軌道的中心原子或離子結(jié)合而成的結(jié)構(gòu)單元稱為（

）；占據(jù)在中心位置的離子稱為（

）；周圍配位著一定數(shù)量的帶相反電荷的離子或呈電中性的分子，稱為（

）；不在內(nèi)層里面的其他離子在距離中心離子較遠(yuǎn)的地方組成（

）；內(nèi)配位層中離子或中性分子的總數(shù)叫做絡(luò)合離子形成體的（

）。

答案:絡(luò)合單元;絡(luò)合離子;配位體；內(nèi)配位層;外配位層;配位數(shù)化學(xué)試劑通常按其純度分為優(yōu)級(jí)純、（

）和化學(xué)純?nèi)齻€(gè)級(jí)別。通常硅切割片和研磨片的清洗可以使用（

）試劑。

答案:分析純;分析純金剛線切割多晶硅片的表面反射率相比傳統(tǒng)的砂漿線切割高，常規(guī)的酸制絨難以在其表面刻蝕出有效的減反射絨面，（

）技術(shù)的出現(xiàn)，這一難題得到了成功的解決。

答案:濕法黑硅制絨；黑硅；黑硅制絨；濕法黑硅金剛線根據(jù)固定金剛石的方法主要分為樹脂金剛線和（

）兩種。

答案:電鍍金剛線金剛線切割機(jī)的主輥設(shè)計(jì)更緊湊，縮小中心距和減小主輥直徑以縮短金剛線跨距。主輥直徑變小會(huì)導(dǎo)致（

）。

答案:主輥?zhàn)冃未?主輥應(yīng)力大;?轉(zhuǎn)速過(guò)高水溶性線切割液綜合技術(shù)性能質(zhì)量不包括（

）。

答案:抗PID性能根據(jù)相似相溶原理，一般在使用甲苯、丙酮清洗后，再使用（

）進(jìn)行處理才能用水沖洗。

答案:乙醇機(jī)械拋光的加工對(duì)象為滾磨后的平面和圓面，通常采用（

）和（

）兩種方法進(jìn)行拋光。

答案:組合毛刷;精細(xì)磨石利用連續(xù)移動(dòng)的細(xì)金屬絲作電極，對(duì)工件進(jìn)行脈沖火花放電蝕除金屬、切割成型的技術(shù)稱為（

）。

答案:電火花線切割技術(shù)；電火花線切割加工（

）工序是將大塊的硅錠切割成所需要的長(zhǎng)方體或者棱柱體。

答案:開方鋼線運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)硅片質(zhì)量的影響因素主要有線速和（

）。

答案:線張力多晶硅片切片由硅錠開方、硅塊切磨、硅塊粘膠、（

）、硅片清洗和（

）等幾道工序構(gòu)成

答案:硅塊切片；切片;硅片分選包裝；分選包裝一個(gè)連續(xù)系列批被提交驗(yàn)收抽樣時(shí)，可允許的最差過(guò)程平均質(zhì)量水平為（

）。

答案:接收質(zhì)量限潔凈室的維護(hù)管理首先就是對(duì)人的管理，具體的措施有（

）。

答案:潔凈服專人保管，定期清洗處理;進(jìn)行空氣吹淋處理;按規(guī)定穿戴潔凈服;人員數(shù)量應(yīng)是維持室內(nèi)生產(chǎn)作業(yè)的最少人員硅片表面沾污大致可分為（

）。

答案:有機(jī)雜質(zhì)沾污;金屬雜質(zhì)沾污;顆粒類雜質(zhì)沾污位錯(cuò)既可以接收電子也可以提供電子。

答案:對(duì)鐵硼復(fù)合體是電活性的,能引入深能級(jí)。在200℃以上熱處理或在太陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間照射時(shí),鐵硼復(fù)合體會(huì)重新分解。

答案:對(duì)金屬雜質(zhì)的濃度分別為上部和底部區(qū)域高,在中部的濃度較低。

答案:錯(cuò)碳在硅中主要處于替位位置,屬于非電活性雜質(zhì),因此多晶硅中的碳不影響其電學(xué)性能。

答案:錯(cuò)多晶鑄錠爐的爐室為夾層架構(gòu),中間通冷卻水冷卻爐室表面溫度。

答案:對(duì)鑄造多晶硅不能使用微電子工業(yè)單晶硅生產(chǎn)的剩余料。

答案:錯(cuò)拉速曲線一般為勻速下降的線性曲線。

答案:錯(cuò)判斷收尾的時(shí)間很重要,收尾太早,容易斷苞,合格率降低;收尾太晚,造成浪費(fèi)。

答案:錯(cuò)放肩角度必須適當(dāng),如果角度太小,則晶體實(shí)收率低;角度過(guò)大,容易造成熔體過(guò)冷,甚至產(chǎn)生位錯(cuò)和位錯(cuò)增殖。

答案:對(duì)直拉單晶硅裝料時(shí)應(yīng)該首先在底部鋪平板料,然后鋪大塊料,最后用邊角或小塊料填縫。

答案:錯(cuò)母合金晶體使用時(shí)切成0.5-1.0mm的薄片,是為了使用時(shí)容易碎成小塊,稱重時(shí)方便微量調(diào)節(jié)。

答案:對(duì)切割籽晶用的單晶電阻率應(yīng)高一些,這樣無(wú)論拉制低阻單晶、高阻單晶,N型的、P型的都可以用。但是已經(jīng)拉制過(guò)單晶的舊籽晶不能隨便使用,拉制過(guò)不同型號(hào)的舊籽晶也不能混用。

答案:對(duì)除了吸引力的大小之外,被接納的原子首先必須考慮的是和晶體的結(jié)構(gòu)相吻合。

答案:對(duì)為了使晶體不斷長(zhǎng)大,一方面要求液相必須能連續(xù)不斷地向結(jié)晶界面供應(yīng)原子,另一方面結(jié)晶界面不斷地牢靠地接納原子,晶體生長(zhǎng)主要由后者控制。

答案:對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中引入的缺陷稱為____。

答案:原生缺陷硅中的金屬雜質(zhì)一般以間隙態(tài)、____、復(fù)合體或____的形式存在

答案:替位態(tài);沉淀在低溫?zé)崽幚頃r(shí),過(guò)飽和的氧一般形成____;在相對(duì)高溫?zé)崽幚砘蚨嗖綗崽幚硌h(huán)時(shí),過(guò)飽和的氧形成____。

答案:氧施主;氧沉淀氧在硅中的分凝系數(shù)為1.25左右,因此氧濃度一般從先凝固的晶錠底部到最后凝固的晶錠上部逐漸____。

答案:降低;減小;減少多晶硅鑄錠主要分為噴涂、備料及____三部分工序。

答案:鑄錠多晶鑄錠爐的控制系統(tǒng)中____完成控制工藝的設(shè)置、控制過(guò)程的監(jiān)控及各種反饋信息,記錄整個(gè)硅結(jié)晶過(guò)程的各種參量的變化情況,生成相應(yīng)的圖表。____以智能控制系統(tǒng)為主體,完成對(duì)溫度的控制、真空度及氬氣的壓力控制、隔離籠的提升控制、多晶硅結(jié)晶的速度及冷卻水流量等的檢測(cè)。

答案:上位機(jī);下位機(jī)多晶硅鑄錠爐中保持工藝要求的關(guān)鍵是____系統(tǒng)。

答案:加熱多晶硅鑄錠爐通常由鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)及爐體、真空供氣系統(tǒng)、____與控制系統(tǒng)、____系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)等組成。

答案:電源供應(yīng);加熱隔熱鑄錠采用的管式長(zhǎng)晶爐分為____、梯度區(qū)和冷卻區(qū)。

答案:加熱區(qū)進(jìn)行熱場(chǎng)設(shè)計(jì),使得硅熔體在凝固時(shí)自底部開始到上部結(jié)束,其固液界面始終保持與水平面平行,稱為____。

答案:平固液界面凝固技術(shù)根據(jù)界面穩(wěn)定性理論,當(dāng)溫度梯度超過(guò)一臨界值時(shí),其穩(wěn)定化效應(yīng)會(huì)完全克服溶質(zhì)擴(kuò)散的不穩(wěn)定化效應(yīng),這時(shí)無(wú)論凝固速度如何,界面總是穩(wěn)定的,這種絕對(duì)穩(wěn)定性稱為____。

答案:高梯度絕對(duì)穩(wěn)定性將界面上出現(xiàn)的周期性干擾考慮為正弦干擾,根據(jù)界面穩(wěn)定性理論,界面的穩(wěn)定性取決于正弦波的____。

答案:振幅隨時(shí)間的變化率單位時(shí)間內(nèi),某雜質(zhì)從熔體單位面積上蒸發(fā)出來(lái)的原子數(shù)與熔體中雜質(zhì)濃度之比稱為雜質(zhì)的____。蒸發(fā)效應(yīng)常以該常數(shù)和____來(lái)描述。

答案:蒸發(fā)速度常數(shù);時(shí)間常數(shù);蒸發(fā)時(shí)間常數(shù)電子器件在不同的溫度下性能有差異,采用一些措施抑制這種差異的影響稱為____。

答案:溫度補(bǔ)償拉制低電阻率單晶(小于10-2Ω·cm),一般選用____作摻雜劑;拉制較高電阻率的單晶(大于10-1Ω·cm),一般選用____做摻雜劑。

答案:純?cè)?母合金目前大直徑的石英坩堝均采用____法生產(chǎn)。

答案:電弧區(qū)熔單晶過(guò)程中,多晶硅棒受到____、電磁托力、____和離心力幾個(gè)方面的作用力。熔體之所以可以被支撐在單晶與棒料之間,主要是由于硅熔體____的作用。

答案:表面張力;重力;表面張力晶核的臨界半徑rC的大小與溶體的過(guò)冷度有直接關(guān)系,過(guò)冷度越大,臨界半徑就越____。

答案:小單晶硅生長(zhǎng)時(shí),熱場(chǎng)中溫度梯度有多種,對(duì)結(jié)晶狀態(tài)影響最大的是____,它在一定程度上決定著單晶的質(zhì)量。

答案:生長(zhǎng)界面處的溫度梯度;(dT/dr單位距離內(nèi)溫度的變化率為____。

答案:溫度梯度____也稱為溫度場(chǎng),指的是熱系統(tǒng)內(nèi)的溫度分布狀態(tài)。

答案:熱場(chǎng)過(guò)冷的溫度于熔點(diǎn)的溫度差稱為____,該值越大,結(jié)晶速度越____。

答案:過(guò)冷度;快位錯(cuò)對(duì)多晶硅的影響主要有()。

答案:雜質(zhì)偏聚、沉淀,造成新的電活性中心;產(chǎn)生補(bǔ)償作用;擴(kuò)散增強(qiáng)金屬在硅中沉淀的密度和形態(tài)與()有關(guān)。

答案:形核方式;冷卻速率;擴(kuò)散速率如果高溫?zé)崽幚砗罄鋮s速率很快,金屬的擴(kuò)散速率相對(duì)較慢,晶體硅中金屬為()。

答案:間隙態(tài);替位態(tài)氫對(duì)于晶體硅中的主要雜質(zhì)氧作用主要表現(xiàn)為()。

答案:增強(qiáng)氧施主生成;促進(jìn)氧的擴(kuò)散;增強(qiáng)氧沉淀生成;形成復(fù)合體氮在鑄造多晶硅中的存在形式有()。

答案:氮氧復(fù)合體;沉淀態(tài);氮對(duì)鑄造多晶硅中的碳雜質(zhì)對(duì)氧雜質(zhì)的影響有()。

答案:形成大量的C-O復(fù)合體;吸附在氧沉淀和基體的界面上,降低氧沉淀的界面能;引起晶格形變,吸引氧原子聚集,形成氧沉淀核心氧沉淀的影響因素很多,其中哪些是氧沉淀的主要影響因素?()

答案:熱處理的時(shí)間;熱處理的溫度;初始氧濃度鑄造多晶硅中坩堝涂層的作用為()。

答案:降低多晶硅中的氧、碳雜質(zhì)濃度;坩堝可能重復(fù)使用,降低生產(chǎn)成本;解決坩堝和硅料的黏滯問(wèn)題直熔法生產(chǎn)鑄錠多晶硅的優(yōu)點(diǎn)有()。

答案:生長(zhǎng)的硅錠質(zhì)量較好;晶體生長(zhǎng)過(guò)程易控制、易自動(dòng)化;“原位”熱處理降低硅錠內(nèi)的熱應(yīng)力直拉單晶硅化料過(guò)程中,溫度控制不當(dāng)會(huì)造成()。

答案:溫度太低,影響生產(chǎn)效率;溫度過(guò)高,影響單晶質(zhì)量,反應(yīng)過(guò)于劇烈甚至?xí)l(fā)生噴硅現(xiàn)象;溫度過(guò)高,導(dǎo)致坩堝、爐壁、爐底產(chǎn)生變形;溫度過(guò)高,硅蒸氣大量聚集容易拉弧造成過(guò)流直拉單晶硅過(guò)程中使用的氬氣要進(jìn)行檢測(cè),檢測(cè)項(xiàng)目主要有()。

答案:露點(diǎn);純度;氧含量區(qū)熔硅單晶的摻雜方法主要有()。

答案:填裝法;中子嬗變摻雜;氣相摻雜法;液體摻雜有效分凝系數(shù)Keff是和熔體性質(zhì)、結(jié)晶速度、雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)及熔體的攪拌情況有關(guān)的一個(gè)物理量,通過(guò)()方式可以增大有Keff。

答案:增大熔體粘滯系數(shù);增大結(jié)晶速度;增加雜質(zhì)富集層或貧乏層厚度;減小擴(kuò)散系數(shù)通常晶體生長(zhǎng)速度受()過(guò)程的限制。

答案:硅原子在結(jié)晶界面上按晶格位置排列的速度;熔硅熱量的傳遞速度;結(jié)晶界面處結(jié)晶潛熱的釋放速度下面哪種鑄錠方法可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化生產(chǎn)?()

答案:電磁鑄錠法通常硅錠的晶粒尺寸分布為()。

答案:上大下小、中間大邊緣小根據(jù)成分過(guò)冷理論和MS理論,固液界面形態(tài)有(a)平面狀、(b)絕對(duì)穩(wěn)定性平面、(c)枝狀、(d)胞狀。隨著凝固參數(shù)G/v的減小,固液界面形態(tài)變化順序?yàn)?)

答案:adcb磁控直拉生長(zhǎng)技術(shù)產(chǎn)生的磁致()控制了流體的運(yùn)動(dòng),也減少了熔體的溫度波動(dòng),可以達(dá)到控制()的目的。

答案:粘滯性、氧含量從晶體的外觀可以判斷晶體是否為無(wú)位錯(cuò),<111>單晶會(huì)有()條軸對(duì)稱的“棱線”。

答案:3氧在硅中的分凝系數(shù)大于1,因此其分布為(

)。

答案:底部低上部高在結(jié)晶前沿處,只有很薄的一層熔體是低于熔化溫度的(過(guò)冷度為1℃左右),其余部分的熔體都是處于過(guò)熱狀態(tài),這樣可以抑制自發(fā)形核,該理論為()。

答案:科塞耳理論太陽(yáng)能電池串聯(lián)電阻對(duì)開路電壓無(wú)明顯影響,但填充因子和短路電流會(huì)隨串聯(lián)電阻的增加而減小;并聯(lián)電阻對(duì)短路電流無(wú)明顯影響,但隨著并聯(lián)電阻的減小開路電壓和填充因子都會(huì)減小。

答案:對(duì)太陽(yáng)能電池的短路電流等于光生電流,是能夠輸出的最大電流。

答案:對(duì)同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)載流子轉(zhuǎn)移機(jī)制不同。對(duì)于同質(zhì)結(jié),主要是濃度梯度所引起的擴(kuò)散;對(duì)于異質(zhì)結(jié),主要是功函數(shù)不同所引起的熱發(fā)射。

答案:對(duì)半導(dǎo)體材料的能帶是連續(xù)分布的,光吸收表現(xiàn)為連續(xù)的吸收帶。

答案:對(duì)IBC(交叉背接觸電池)正面無(wú)金屬接觸,背面的正負(fù)電極接觸區(qū)域呈叉指狀排列,p-n結(jié)位于電池背面。

答案:對(duì)PERT指的是鈍化發(fā)射極背表面全擴(kuò)散電池,為典型的雙面受光、雙面發(fā)電電池。

答案:對(duì)根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),太陽(yáng)能電池只能以轉(zhuǎn)換效率做為分選的依據(jù)。

答案:錯(cuò)電化學(xué)腐蝕法形成的黑硅由于多孔硅的孔徑太小,與后續(xù)鈍化和合金化工藝不兼容,不適用于太陽(yáng)電池的制備。

答案:對(duì)為了提高減反射效果,通常要求制絨深度要深一些。

答案:錯(cuò)光固化樹脂金剛線指的是利用紫外光固化樹脂作為結(jié)合劑,通過(guò)紫外光照射固化使金剛石固定在線芯上而形成的金剛線。

答案:對(duì)硅片表面或邊緣非穿通性的缺損稱為缺口。

答案:錯(cuò)WARP與硅片可能存在的任何厚度變化無(wú)關(guān),更能全面反映硅片的形變狀態(tài)。

答案:對(duì)在硅片生產(chǎn)中通常采用全檢的方式進(jìn)行檢驗(yàn)。

答案:錯(cuò)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)必須執(zhí)行,不符合強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品禁止生產(chǎn)、銷售和進(jìn)口。

答案:對(duì)企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通常比國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)略松。

答案:錯(cuò)硅片在經(jīng)過(guò)每一道工序加工后都要進(jìn)行清洗,且硅片清洗的環(huán)境潔凈度也要逐級(jí)提高。

答案:對(duì)單晶切方滾磨設(shè)置好磨削進(jìn)給量、旋轉(zhuǎn)速度與進(jìn)給速度后,一次性滾磨成功。

答案:錯(cuò)太陽(yáng)能電池標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件(STC)為溫度25℃,光強(qiáng)1000W/m2,大氣質(zhì)量____。

答案:AM1.5以光照射側(cè)的p-i型a-Si:H膜和背面?zhèn)鹊膇-n型a-Si:H膜夾住晶體硅片,在兩側(cè)的頂層形成透明的電極和集電極,構(gòu)成____電池。

答案:本征薄膜異質(zhì)結(jié);HIT減反射膜的光學(xué)參數(shù)主要有厚度的均勻性和____。

答案:折射率POCl3分解產(chǎn)生的P2O5與Si反應(yīng)生成SiO2和磷原子,在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2,稱之為____。

答案:磷硅玻璃;PSG擴(kuò)散制結(jié)時(shí)首先通入三氯乙烷TCA,高溫氧化分解后,產(chǎn)生的氯分子與重金屬原子化合后被氣體帶走,達(dá)到____的目的。

答案:清洗石英管道電池片外觀呈黑色或近于黑色的微納米絨面結(jié)構(gòu)電池稱為____電池,主要是由____大量減少造成的。

答案:黑硅;表面反射；反射全自動(dòng)硅片清洗機(jī)利用超聲波產(chǎn)生的高頻機(jī)械振動(dòng),即____沖擊工件表面,同時(shí)結(jié)合清洗劑的去污作用使工件快速潔凈。

答案:空化效應(yīng)電鍍金剛線利用電鍍金屬作為金剛石顆粒與鋼線的結(jié)合劑,鍍層與鋼線表面產(chǎn)生____結(jié)合。

答案:冶金金剛線根據(jù)固定金剛石的方法主要分為樹脂金剛線和____兩種。

答案:電鍍金剛線硅片總厚度變化(TTV)檢驗(yàn)可以采用____測(cè)量和掃描式測(cè)量?jī)煞N方式進(jìn)行。

答案:分立點(diǎn)式;五點(diǎn)法硅片中線面與一基準(zhǔn)平面之間的最大距離與最小距離的差值稱為____。

答案:翹曲度;WARP線切割過(guò)程中由于鋼線運(yùn)動(dòng)形成的凹凸痕跡稱為____。

答案:線痕實(shí)際生產(chǎn)中各硅片的厚度不可能完全一致,需要有一個(gè)范圍來(lái)約束,這個(gè)范圍稱為____。

答案:厚度公差硅片的線牽引技術(shù)主要利用____,將兩條具有熱抗性的石墨纖維線穿過(guò)熔硅,用于穩(wěn)定帶硅的邊緣,提升石墨纖維線直接將一定厚度的帶硅從熔硅中拉出。

答案:表面張力利用連續(xù)移動(dòng)的細(xì)金屬絲作電極,對(duì)工件進(jìn)行脈沖火花放電蝕除金屬、切割成型的技術(shù)稱為____。

答案:電火花線切割技術(shù);電火花線切割加工當(dāng)樣本中不合格數(shù)≤接收數(shù)Ac時(shí),該樣本所代表的檢驗(yàn)批被判為____。（合格或不合格）

答案:合格一個(gè)連續(xù)系列批被提交驗(yàn)收抽樣時(shí),可允許的最差過(guò)程平均質(zhì)量水平為____。

答案:接收質(zhì)量限超聲波清洗工藝的主要影響因素有超聲波頻率、超聲波____、超聲波清洗____、超聲波清洗溫度和工件放置方式。超聲波頻率越____,在液體中產(chǎn)生空化越容易,作用也越強(qiáng),但是方向性差。

答案:功率密度;介質(zhì);低脫膠主要使用全自動(dòng)硅片脫膠機(jī),其流程為沖洗、超聲和____脫膠。

答案:加熱線切割機(jī)的線輪分放線輪和收線輪,____通常是固定的型號(hào),____線軸具各種型號(hào)。

答案:收線輪;放線輪由于復(fù)合、吸收等作用,量子效率曲線低于理想曲線,其中紅光響應(yīng)部分降低是由于()。

答案:短擴(kuò)散長(zhǎng)度;長(zhǎng)波長(zhǎng)的吸收減少;背表面反射通過(guò)()途徑可以提高太陽(yáng)能電池開路電壓。

答案:增加各區(qū)摻雜濃度;減小暗電流;減少載流子復(fù)合太陽(yáng)能電池等效電路中,串聯(lián)電阻包括()。

答案:材料本身的電阻率;金屬電極與半導(dǎo)體的歐姆接觸與PERC電池相比,N-PERT電池具有()優(yōu)點(diǎn)。

答案:弱光響應(yīng)好;沒(méi)有用到激光工藝,不對(duì)硅片造成額外損傷;無(wú)光致衰減;印刷后不產(chǎn)生翹曲分選測(cè)試機(jī)試系統(tǒng)單元能夠獲得()數(shù)據(jù)。

答案:待測(cè)電池片的性能指標(biāo);光