tft三次作業(yè)及施展同學(xué)筆記二次

名詞解釋目錄一.化學(xué)氣相淀積（CVD）二.物理氣相淀積三.光刻四.擴(kuò)散與離子注入五.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）六.透明導(dǎo)電膜八.介電常數(shù)九.靶材化學(xué)氣相淀積（CVD）定義化學(xué)氣相淀積，簡(jiǎn)稱CVD(ChemicalVaporDeposition)是把含有構(gòu)成薄膜元素的一種或者幾種化合物或單質(zhì)氣體供給基片，借助氣相作用或在基片上的化學(xué)反應(yīng)生成所需薄膜?；瘜W(xué)氣相淀積（CVD）CVD低壓CVD（LPCVD）常壓CVD（APCVD）亞常壓CVD(SACVD)超高真空CVD(UHCVD)等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)高密度等離子體CVD(HDPCVD快熱CVD(RTCVD)金屬有機(jī)物CVD(MOCVD分類物理氣相淀積定義

利用某種物理過(guò)程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底表面上，并淀積成薄膜。兩種基本方法1.蒸發(fā)在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)源表面逸出，形成蒸氣流并入射到硅片（襯底）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜。2.濺射利用帶有電荷的離子在電場(chǎng)中加速后具有一定動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向欲被濺射的靶電極，入射離子在與靶表面原子的碰撞過(guò)程中使靶原子濺射出來(lái)。被濺射出來(lái)的原子沿一定方向射向襯底，實(shí)現(xiàn)在襯底上的薄膜淀積。光刻定義利用照相復(fù)制與化學(xué)腐蝕相結(jié)合的技術(shù)，在工件表面制取精密、微細(xì)和復(fù)雜薄層圖形的化學(xué)加工方法。多用于半導(dǎo)體器件與集成電路的制作。原理利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。光刻

——光刻膠光刻膠：也稱為光致抗蝕劑，它是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三部分組成的對(duì)光敏感的混合液體。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩模板上的圖形轉(zhuǎn)移到元件上。擴(kuò)散與離子注入擴(kuò)散：指微觀粒子（離子、原子或分子）熱運(yùn)動(dòng)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果。在較高溫度下，雜質(zhì)原子能夠克服阻力進(jìn)入半導(dǎo)體，并在其中緩慢地運(yùn)動(dòng)。擴(kuò)散總是使雜質(zhì)從濃度高的地方向濃度低的地方運(yùn)動(dòng)，它的快慢、濃度梯度、雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)等因素有關(guān)，其中雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)是描述雜質(zhì)在半導(dǎo)體中運(yùn)動(dòng)快慢的物理量，它與擴(kuò)散溫度、擴(kuò)散氣氛、襯底材料有關(guān)。離子注入：將具有很高能量的帶電雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量、雜質(zhì)離子的質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的劑量（通過(guò)單位面積的雜質(zhì)數(shù)目）決定。離子注入原理

離子注入原理

離子是原子或分子經(jīng)過(guò)離子化后形成的，即等離子體，它帶有一定量的電荷?？赏ㄟ^(guò)電場(chǎng)對(duì)離子進(jìn)行加速，利用磁場(chǎng)使其運(yùn)動(dòng)方向改變，這樣就可以控制離子以一定的能量進(jìn)入wafer內(nèi)部達(dá)到摻雜的目的。

離子注入到wafer中后，會(huì)與硅原子碰撞而損失能量，能量耗盡離子就會(huì)停在wafer中某位置。離子通過(guò)與硅原子的碰撞將能量傳遞給硅原子，使得硅原子成為新的入射粒子，新入射離子又會(huì)與其它硅原子碰撞，形成連鎖反應(yīng)。

雜質(zhì)在wafer中移動(dòng)會(huì)產(chǎn)生一條晶格受損路徑，損傷情況取決于雜質(zhì)離子的輕重，這使硅原子離開(kāi)格點(diǎn)位置，形成點(diǎn)缺陷，甚至導(dǎo)致襯底由晶體結(jié)構(gòu)變?yōu)榉蔷w結(jié)構(gòu)CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）化學(xué)機(jī)械拋光（英語(yǔ)：Chemical-MechanicalPolishing，縮寫CMP），又稱化學(xué)機(jī)械平坦化（英語(yǔ)：Chemical-MechanicalPlanarization），是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一種技術(shù)，用來(lái)對(duì)正在加工中的硅片或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。靶材靶材：就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜...鋁膜等。更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。磁控濺射原理：在被濺射的靶極（陰極）與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為A氣），永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍