tft三次作業(yè)及施展同學筆記二次宜

TFT-LCDPROCESS微電子鐘映宜12341084概述1、TFTprocessGate電極形成溝道形成SD電極形成Contacthole像素電極形成1濺射/PECVD2光刻3刻蝕部分涉及到的技術（1）PVD薄膜制備技術：濺射濺射（sputtering）是pvd（PhysicalVaporDeposition）薄膜制備技術的一種用帶電粒子轟擊靶材，加速的離子轟擊固體表面時，發(fā)生表面原子碰撞并發(fā)生動量和能量的轉移。使靶材原子從表面逸出并淀積在襯底材料上的過程。濺射出的粒子是有方向性的。采用濺射工藝具有基體溫度低，薄膜質純，組織均勻密實，牢固性和重現性好等優(yōu)點。(glowdischarge)ground-V(DC)VacuumCathodeshieldPECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).（2）光刻光刻過程去除沾污去除微粒減少針孔和其他缺陷提高光刻膠黏附性前烘去水烘干去除硅片表面的水份提高光刻膠與表面的黏附性通常在100°C與前處理同時進行前處理防止顯影時光刻膠脫離硅片表面通常和前烘一起進行勻膠前硅片要冷卻勻膠前硅片需冷卻硅片在冷卻平板上冷卻溫度會影響光刻膠的黏度

–影響光刻膠的厚度勻膠硅片吸附在真空卡盤上液態(tài)的光刻膠滴在硅片的中心卡盤旋轉，離心力的作用下光刻膠擴散開高速旋轉，光刻膠均勻地覆蓋硅片表面先低速旋轉~500rpm再上升到~3000-7000rpm勻膠后烘使光刻膠中的大部分溶劑蒸發(fā)。溶劑幫助得到薄的光刻膠膜但是吸收光且影響?zhàn)じ叫云毓夂蠛鏁r間和溫度取決于工藝條件過烘:聚合,光敏性降低后烘不足:影響?zhàn)じ叫院推毓夤杵鋮s對準和曝光曝光后烘玻璃轉化溫度Tg烘烤溫度大于Tg光刻膠分子熱遷移過曝光和曝光不足的光刻膠分子重排平衡駐波效應,平滑光刻膠側壁提高分辨率硅片冷卻顯影顯影液溶解部分光刻膠正膠顯影液通常使用弱堿性的溶劑最常用的是四甲基氫銨將掩膜上的圖形轉移到光刻膠上三個基本步驟:顯影－清洗－干燥顯影后烘使光刻膠中的溶劑蒸發(fā)提高抗刻蝕和抗離子注入性提高光刻膠和硅片表面的黏附性聚合化并穩(wěn)定光刻膠光刻膠流動填平針孔（3）刻蝕從晶圓表面去除一定材料化學、物理過程或兩者結合選擇性或覆蓋刻蝕選擇性刻蝕轉移光刻膠上的IC設計圖形到晶圓表面其它應用:制造掩膜,印制電路板,藝術品,等等柵掩膜對準

GateMaskAlignment柵掩膜曝光

GateMaskExposureDevelopment/Hard

Bake/Inspection刻蝕多晶硅EtchPolysiliconEtchPolysilicon繼續(xù)光刻膠剝離StripPhotoresist離子注入IonImplantation快速熱退火RapidThermalAnnealing刻蝕過程濕法刻蝕純化學腐蝕過程特點：各向同性剖面優(yōu)點：工藝簡單，腐蝕選擇性好；缺點：鉆蝕嚴重（各向異性差），難于獲得精細圖形在尺寸大于3um的IC制造中廣泛使用在現代IC制造仍然使用

–硅片清洗

–薄膜覆蓋剝離

–測試晶圓薄膜剝離和清洗濕法刻蝕剖面WetEtchProfiles不能用于特征尺寸小于3mm，由等離子體刻蝕替代危險性HFH3PO3HNO4腐蝕性Corrosive氧化劑Oxidizer特殊危險Specialhazard優(yōu)點高選擇性設備成本較低批處理,高產量缺點各向同性不能刻蝕3mm以下圖形化學品使用量高化學品危險

–液體腐蝕

–煙熏

–爆炸危險優(yōu)點：各向異性腐蝕強；分辨率高；刻蝕3μm以下線條。類型：①等離子體刻蝕：化學性刻蝕；②濺射刻蝕：純物理刻蝕；③反應離子刻蝕（RIE）：結合①、②；PlasmaEtch等離子體刻蝕干法刻蝕干法刻蝕和濕法刻蝕的比較2、CFprocessBMpatterningprocess（1）BMpatterningprocess（2）RGBprocessMulti-domainVerticalprocessFinalinspectionPI前清洗CFTFTPI涂布預烤固烤配向PILineRubbingLineRubbing后清洗UV照射框膠點膠SealOven液晶滴下CFTFTODFLine襯墊料貼合一次切割（自動）二次切割（手動）CleanerPOLAttachCELLCFTFTTrimmer3、Cellproce