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PAGEPAGE1(三級)混合集成電路裝調(diào)工(高級)技能鑒定考試題庫(含理論及實操)一、單選題1.下列膠水涂覆方式不屬于接觸式的為()。A、時間壓力式B、螺旋泵式C、壓電式噴射D、活塞式答案:C2.晶體管三個主要參數(shù)()。A、β值、夸脫值、截止頻率B、補償率、跌落率、工作頻率C、體積、質(zhì)量、價格D、功率、電流放大倍數(shù)、電壓放大倍數(shù)答案:A3.微組裝過程中常見的鍵合焊盤有________和封裝金屬盒體焊盤。A、裸芯片焊盤、印制電路基板焊盤、薄膜電路基板焊盤B、印制電路基板焊盤、薄膜電路基板焊盤C、裸芯片焊盤、印制電路基板焊盤、薄膜電路基板焊盤、LTCC電路基板焊盤D、裸芯片焊盤、印制電路基板焊盤、LTCC電路基板焊盤答案:C4.某電阻的色環(huán)排列是“橙白黑金棕”,此電阻的實際阻值和誤差是()。A、3900Ω±5%B、39.0KΩ±1%C、39.0Ω±1%D、390.0Ω±5%答案:C5.密封性能篩選通常采用()儀器。A、顯微鏡B、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀C、示波器D、檢漏儀答案:D6.金屬陶瓷封裝可用于微波分立器件封裝和單片集成電路(MMIC)。用于分立器件的金屬陶瓷封裝主要有同軸型和()兩種。A、翅型B、帶線型C、方形D、金屬化型答案:B7.風(fēng)淋室在運動時,風(fēng)淋噴嘴可以噴出()的潔凈強風(fēng)。A、高溫烘烤B、車間內(nèi)部C、低溫處理D、高效過濾答案:D8.集成電路是由()組成。A、二極管和電阻組成B、三極管和電容組成C、多種電子元件集成在一塊芯片上D、互感器和鉭電容答案:C9.非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時,絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離,稱為間隙,通常為()。A、小于0.1mmB、0.5~2.0mmC、2.0~3.5mmD、大于3.5mm答案:B10.下面方法中不屬于混合集成電路焊接技術(shù)的是()。A、倒裝焊B、波峰焊C、激光再流焊D、免清洗沖氮再流焊答案:B11.經(jīng)過室溫靜置的濕膜,即可進行干燥,干燥的目的是()。A、指使印刷好的漿料膜硬化B、使?jié){料中易揮發(fā)的有機溶劑蒸發(fā)掉C、使圖形固定D、便于移動答案:B12.陶瓷針珊陣列(CPGA)封裝圍繞腔體的金屬化密封環(huán)可以為金屬蓋板提供_______,從而實現(xiàn)對芯片腔體的氣密封裝。A、導(dǎo)電膠粘接B、激光釬焊C、正空熱壓焊D、共晶釬焊答案:D13.玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg是指高分子材料從_____向_____轉(zhuǎn)變的溫度。A、橡膠態(tài),玻璃態(tài)B、玻璃態(tài),橡膠態(tài)C、固態(tài),液態(tài)D、固態(tài)、半固態(tài)答案:B14.平行封焊前需要對器件表面的氧化物、污垢、油和其他雜質(zhì)進行清潔的原因是()。A、殘留物增大了內(nèi)部水汽含量B、殘留物影響夾持操作C、殘留物影響外觀檢查D、殘留物增大了接觸電阻,影響焊點加熱的不均勻性,使焊接質(zhì)量波動答案:D15.紫外線臭氧清潔通過反射_______mm和_______mm波長的輻射線進行清潔。A、183.7;254.9B、189.4;254.9C、189.4;253.7D、184.9;253.7答案:D16.放大管芯工作在線性區(qū),增大輸入信號功率則放大倍數(shù)會()。A、增加B、減小C、不變D、線性增加答案:C17.內(nèi)埋元器件的電路片可以用下列哪種方法清洗?()A、氣相清洗B、超聲清洗C、等離子清洗D、氣相超聲清洗答案:C18.超聲波熱壓鍵合機為金線、金帶鍵合的主要設(shè)備,對該設(shè)備要求不正確的是()。A、可不帶顯微鏡B、鍵合時間、超聲功率、鍵合壓力應(yīng)可調(diào)C、熱臺最高溫度≥150℃,且溫度可調(diào)D、鍵合弧高可調(diào)答案:A19.以下對于金絲焊球的描述哪些是錯誤的()。A、金絲焊球的優(yōu)點有操作簡單、焊接牢固(相對于楔形鍵合)B、金絲焊球的缺點是焊接面積大C、金絲焊球設(shè)備可以如楔形焊接設(shè)備一樣用鋁線進行鍵合D、金絲焊球設(shè)備與楔形焊接設(shè)備一樣使用超聲波進行焊接答案:C20.以下不是精益生產(chǎn)主要特征的是()。A、拉動式生產(chǎn)B、推動式生產(chǎn)C、最大限度減少庫存D、實現(xiàn)準(zhǔn)時化生產(chǎn)答案:B21.對于球形鍵合方式,()參數(shù)不會影響鍵合的質(zhì)量。A、芯片焊盤區(qū)潔凈度B、芯片焊盤區(qū)的金屬化層厚度與質(zhì)量C、壓焊時間D、批次數(shù)量答案:D22.增益和損耗的單位均可以用_____表示。A、HzB、dBC、dBcD、Bm答案:B23.溶劑可以分成親水溶劑和不親水疏溶劑。一般說來,親水溶劑在水中能完全混和,下述為親水溶劑的是()。A、酒精、甲苯、異丙醇、丙酮B、氟利昂、三氯乙烷、二甲苯C、酒精、乙醇、異丙醇、丙酮D、酒精、乙醇、氟利昂、丙酮答案:C24.對焊縫可同時極性致密性與強度檢測的方法是()。A、煤油試驗B、X光探傷C、水壓試驗D、B和C答案:C25.下列選項中,用于支撐和保護芯片的部件是()。A、引線框架B、鍵合線C、掩膜版D、管芯答案:A26.環(huán)氧樹脂類和聚酰胺類粘合劑都屬于()粘合劑。A、熱塑性B、熱固性C、結(jié)構(gòu)性D、光敏性答案:B27.金屬陶瓷封裝一般采用______制造,用90%~95%氧化鋁陶瓷作絕緣,氧化鈹陶瓷作導(dǎo)熱,金屬作底盤和引線。A、多層共燒陶瓷工藝B、釬焊工藝C、氧化鈹金屬化工藝D、以上都是答案:D28.再流焊是在電路板的焊盤上預(yù)涂________經(jīng)過干燥、預(yù)熱、融化、潤濕、冷卻,將元器件焊接在印制板上的工藝。A、助焊膏B、焊錫膏C、焊環(huán)D、焊片答案:B29.清除焊點周圍的碳化助焊劑時應(yīng)使用()。A、洗板水B、純凈水C、丙酮D、助焊劑答案:A30.對于FET場效應(yīng)管,應(yīng)按________的順序進行焊接。A、漏、源、柵B、源、漏、柵C、漏、柵、源D、源、柵、漏答案:D31.釬焊溫度過高容易引起釬焊接頭過熱,故釬焊溫度一般高于釬焊熔點______度為宜。A、小于15B、20-30C、25-60D、50-70答案:C32.釬焊后,釬料是受熱液化后通過_______作用在釬縫內(nèi)流動。A、重力B、毛細(xì)管C、受熱膨脹D、吹風(fēng)答案:B33.大功率混合集成電路需采用高導(dǎo)熱率材料制作封裝,下列哪種材料不適合?()A、銅-鎢B、銅-鉬C、硅-鋁D、可伐答案:D34.職業(yè)道德的特征不包括:()。A、復(fù)雜性B、繼承性C、規(guī)范性D、具體性答案:A35.在器件加電前必須按技術(shù)條件給出的最大電流進行________并監(jiān)測電源的電流或電壓。A、接地B、屏蔽C、限流D、限壓答案:C36.在突緣電阻焊中,模具結(jié)構(gòu)設(shè)計應(yīng)遵循原則之一是保證外殼管帽與底座()。A、平行B、同心C、連接D、緊密接觸答案:B37.下面哪一種器件的信號質(zhì)量(相位噪聲)最好。()A、介質(zhì)振蕩器B、鎖相環(huán)(PLL)C、石英晶體振蕩器D、數(shù)字信號發(fā)生器(DDS)答案:C38.中高粘度膠適合下列哪種點膠閥?()A、撞針式膠閥B、活塞式膠閥C、隔膜式膠閥D、噴霧閥答案:B39.CW7805穩(wěn)壓管芯對地虛焊的情況下,輸入9V,空載輸出電壓為多少()。A、5VB、6VC、8VD、9V答案:D40.絕緣子的中心導(dǎo)體不能被彎曲和旋轉(zhuǎn),以免使其絕緣玻璃產(chǎn)生微裂紋而影響腔體的()。A、氣密性B、可焊性C、均勻性D、保溫性答案:A41.激光焊接按激光器的運轉(zhuǎn)方式來分,可分為()兩類。A、沖激光焊接和深穿入焊接B、續(xù)激光焊接和傳熱融化焊接C、脈沖激光焊接和連續(xù)激光焊接D、傳熱融化焊接和深穿入焊接答案:C42.對于傳統(tǒng)的塑料封裝,如PDIP、PQFP、PSOP等,主要由裝片膠、鍵合絲、引線框架、塑封料組成。引線框架材料一般是()。A、無氧銅B、白銅C、194銅合金D、紫銅答案:C43.為使焊料在基本金屬上有良好的浸潤流散,釬焊密封工藝在實際生產(chǎn)中選擇釬焊溫度要比焊料流點高20~50℃左右。目前焊料一般選用Au80/Sn20共晶焊料,它的熔點為_________,釬焊溫度應(yīng)選_________。A、280℃,300~330℃B、260℃,280~300℃C、280℃,280~300℃D、260℃,300~330℃答案:C44.超大規(guī)模集成電路的集成規(guī)模通常在()。A、10~100個元件B、100~1000個元件C、1000~100000個元件D、10萬元件以上答案:D45.對于散熱要求高的應(yīng)用場景,不宜選擇下述哪種材料作為熱沉載體。()A、氮化鋁B、氧化鈹C、可伐合金D、鎢銅答案:C46.軍用電子元器件篩選試驗項目中屬于非破壞性實驗的是()。A、芯片剪切強度B、電離輻射試驗C、可焊性D、低氣壓答案:D47.超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接,焊接處依靠______封接,因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。A、管帽變形B、底座變形C、鍍金層變形D、鍵合線變形答案:C48.半導(dǎo)體溫差制冷器的作用是()。A、整流B、測試C、抽真空D、制冷答案:D49.PN結(jié)正向連結(jié)時,P區(qū)接____,N區(qū)接____;PN結(jié)反向連結(jié)時,P區(qū)接____,N區(qū)接____。A、負(fù);正;正;負(fù)B、正;負(fù);正;負(fù)C、正;負(fù);負(fù);正D、負(fù);正;負(fù);正答案:C50.在釬焊密封工藝中,常用的焊料是AuSN20焊料,它的熔點和流點是()。A、180℃B、260℃C、300℃D、280℃答案:D51.環(huán)氧模塑料要在-4~4℃溫度下儲存,恢復(fù)常溫時,需在_______溫度下恢復(fù)。A、10~18℃B、22~28℃C、30~48℃D、40~48℃答案:B52.缺陷率是評價集成電路質(zhì)量的一個重要指標(biāo),公式為:()。A、良品數(shù)/總數(shù)B、總數(shù)/良品數(shù)C、(總數(shù)-良品數(shù))/良品數(shù)D、(總數(shù)-良品數(shù))/總數(shù)答案:D53.間隙對釬焊接頭的強度有影響,一般來說間隙_____,抗拉強度高;間隙_____,抗拉強度降低。A、大,增大B、小,增大C、小,減小D、大,減小答案:B54.通常使用的密封保護氣體氮氣的水汽含量應(yīng)小于()。A、50ppmB、100ppmC、150ppmD、200ppm答案:A55.無塵室中,清潔桌面時要求使用()進行擦拭。A、不掉屑餐巾紙B、麻布C、棉D(zhuǎn)、無塵布答案:D56.波長為30cm的射頻信號利用下面那一種長度的天線能使能量輻射最遠(yuǎn)。()A、15cmB、5cmC、10cmD、60cm答案:A57.信號分析方法可以概括為兩種,即時域分析法和頻域分析法。下面屬于時域分析法的是()。A、分析振幅隨頻域變化的規(guī)律B、分析相位隨頻率變化的規(guī)律C、測量諧波分量功率D、測量信號的周期和占空比答案:D58.印刷電路板通過波峰焊接時,其仰角為()。A、15°~20°B、20°~30°C、5°~10°D、5°~7°答案:A59.在塑料封裝中,使用的主要材料有導(dǎo)電膠、鍵合絲、______、______、BT樹脂基板、焊球等,根據(jù)封裝種類不同有所差異。A、引線框架、清潔劑B、引線框架、環(huán)氧樹脂C、環(huán)氧模塑料、傳送盒D、環(huán)氧模塑料、清潔劑答案:B60.釬焊密封工藝的溫度控制包括()。A、升溫速度、保溫時間和降溫速度B、纖焊溫度、升溫速度和降溫速度C、升降溫速度、保溫時間、變溫次數(shù)D、纖焊溫度、保溫時間和升降溫速度答案:D61.陶瓷焊球陣列(CBGA)封裝和陶瓷焊柱陣列(CCGA)封裝提供了在1mm節(jié)距下互聯(lián)端數(shù)超過______的高可靠和高性能封裝。A、200B、500C、1000D、2000答案:D62.多芯片組件(MCM)封裝技術(shù)可概括為多層互連基板的制做和芯片連接技術(shù)兩大部分。MCM封裝分類不包括()。A、MCM-CB、MCM-DC、MCM-LD、MCM-P答案:D63.低溫玻璃密封工藝流程如下:配玻璃料→印刷→烘干→封引線框架→校驗→_____→_____→_____→校驗→清洗→電鍍→測試→打印→包裝。A、芯片裝架;鍵合;熔封B、鍵合;芯片裝架、熔封C、熔封;鍵合;芯片裝架D、芯片裝架;熔封;鍵合答案:A64.在突緣電阻焊工藝中,要獲得良好的焊接質(zhì)量,必須確定的基本規(guī)范包括()。A、焊接電流、焊接電壓和電極壓力B、焊接電流、焊接時間和電極壓力C、焊接電流、焊接電壓和焊接時間D、焊接時間、焊接材料和電極壓力答案:B65.常用電子元器件的檢測方法為:固定電阻器檢測、熔斷電阻器檢測、_______、PTC檢測、NTC檢測、壓敏電阻檢測、光敏電阻檢測等。A、多余物檢測B、AOI檢測C、電位檢測D、PIND檢測答案:C66.“8S”管理方法比“7S”管理方法多出的內(nèi)容是()。A、素養(yǎng)B、學(xué)習(xí)C、清掃D、節(jié)約答案:B67.電阻按照封裝來分,分為()。A、貼片電阻、插件電阻B、水泥電阻、功率電阻C、色環(huán)電阻、標(biāo)碼電阻D、插件電阻、功率電阻答案:A68.雙極晶體管的高頻參數(shù)是()。A、二極管B、三極管C、晶體管D、場效應(yīng)管答案:C69.預(yù)熱溫度越高應(yīng)力()。A、越大B、越小C、大小變化D、不確定答案:B70.對于內(nèi)引線鍵合進行鍵合強度的拉力測試,失效類別不包含()。A、頸縮點處引線斷開B、引線與金屬化層之間的界面剝離開(鍵合失效)C、金屬化層浮起D、芯片脫離底座答案:D71.在粘封工藝中,選用膠粘劑的原則之一是膠粘劑的透氣性和透濕性:器件粘接面部位的漏氣因素取決于粘接面的膠層分布情況、粘接劑的涂層厚度和膠粘劑自身透氣性和透濕性能。因此必須選用________的膠粘劑。A、透氣率大、透濕性小B、透氣性大、透濕性大C、透氣性小、透濕性小D、透氣性小、透氣性大答案:C72.平行縫焊的焊輪椎頂角可影響()的大小。A、焊接壓力和焊點B、焊接速度C、焊接電流D、焊接溫度答案:A73.下列選項中,()屬于超聲鍵合設(shè)備或熱超聲鍵合設(shè)備的結(jié)構(gòu)。A、精密的送絲(金屬絲)系統(tǒng)B、劃片刀C、去離子水噴嘴D、載片臺答案:A74.在阻值調(diào)整后,還應(yīng)進行直流負(fù)荷試驗。即在電阻上加上相當(dāng)于_______額定功率的直流電壓,負(fù)荷時間為5s。但對于阻值低于200Ω,不進行此項實驗。A、1倍以下B、2~5倍C、10~100倍D、1000倍左右答案:B75.下列屬于干法清洗的是()。A、噴淋清洗B、超聲清洗C、等離子清洗D、氣相清洗答案:C76.下列關(guān)于在包裝盒運輸過程中的靜電防護措施不正確的是()。A、MOS器件可以用金屬鋁箔箱將外引線短路B、最好將器件插入導(dǎo)電泡沫塑料中C、器件裝運時使用抗靜電塑料管(袋)D、使用紙質(zhì)包裝袋或塑料袋傳遞答案:D77.陶瓷無引線式載體(LCCC)、陶瓷針珊陣列封裝(CPGA)、有引線陶瓷片式載體(LDCC)、陶瓷四邊引線扁平封裝(CQFP、CQFJ)等一般用于______封裝。A、分立器件B、無源器件C、集成電路D、光電器件答案:C78.環(huán)氧模塑料主要由________、硅微粉和各種添加劑組成。A、環(huán)氧樹脂B、催化劑C、粘附劑D、惰性填充劑答案:A79.下列哪項行為是進入車間時不應(yīng)該做的()。A、暴露頭部或面部的頭發(fā)B、緩慢移動C、不把手機帶入車間D、戴防靜電手套答案:A80.點接觸二極管的觸絲通常使用()。A、鋁絲B、銅絲C、鎢絲D、金絲答案:C81.物體上產(chǎn)生或趨于產(chǎn)生形變的力,由單位面積上所施加力來度量,描述的______力的概念。A、彈力B、應(yīng)力C、拉力D、重力答案:B82.影響集成電路芯片的可靠性因素主要有()。A、靜電、高溫、濕度B、機械損傷、介質(zhì)損傷、老化C、設(shè)計缺陷、材料缺陷、制作工藝缺陷D、上述全部答案:D83.電阻焊利用()通過上焊件和下焊件的緊密接觸形成電阻時,產(chǎn)生劇熱使焊件接觸處局部熔化達到熔接。A、低電壓大電流B、高電壓大電流C、電阻加熱D、高頻摩擦答案:A84.以下不屬于多層片式陶瓷電容基本工藝流程的是?()A、流延B、印刷C、疊層D、電阻層印刷干燥答案:D85.常用的電阻焊有點焊、突緣電阻焊和()。A、平行縫焊B、四邊焊C、直線焊D、合金焊答案:A86.下列屬于剪切力測試儀器的是()。A、推拉力測試儀B、拉力強度測試儀C、剝離強度測試儀D、附著力測試儀答案:A87.金錫合金焊料(80Au/20Sn)的熔點溫度是()。A、183℃B、221℃C、280℃D、350℃答案:C88.密封腔體內(nèi)水分的主要來源不包括()。A、通過封裝缺陷從外部進入的水分B、管殼內(nèi)部材料吸附/釋放的水分C、封蓋時密封材料放出的水分D、腔體外安裝的零部件引入的水分答案:D89.功率混合電路封裝使用到的材料包括Cu、Mo、覆銅材料、_______和BeO等。A、l22O33B、AlNC、AlSiD、SiO22答案:B90.軍用混合集成電路中半導(dǎo)體分立器件和集成電路芯片評價要求,在中間電測試前應(yīng)進行目檢和內(nèi)部目檢、溫度循環(huán)、機械沖擊或_______試驗。A、恒定加速度B、老煉C、穩(wěn)態(tài)壽命D、非破壞引線鍵合強度答案:A91.金屬和半導(dǎo)體接觸分為:()。A、整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸。B、整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸。C、非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸。D、非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸。答案:B92.以下屬于耗能元件的是()?A、電阻器B、電容C、電感D、開關(guān)答案:A93.用膠粘接要經(jīng)過()。A、膠接面涂粘接劑-疊合-固化B、粘接面加工-粘接面清潔處理-涂覆粘接劑-疊合C、涂覆粘接劑-疊合-固化D、粘接面加工-固化-涂覆粘接劑-疊合答案:B94.THT技術(shù)的含義是()。A、通孔插件技術(shù)B、表面貼裝技術(shù)C、徑向插件技術(shù)D、軸向插件技術(shù)答案:A95.薄膜集成電路的特點不包括()。A、電路圖形精度較高(相對于PCB)B、基板尺寸穩(wěn)定C、與芯片熱匹配良好D、無法集成無源元件答案:D96.焊接的烙鐵頭溫度一般在()℃。A、600左右B、350左右C、800左右D、200左右答案:B97.采用環(huán)氧粘接劑對金屬和陶瓷封裝的管殼進行蓋板密封的主要缺點是()。A、成本高B、初期無法通過氦檢漏試驗C、高潮濕環(huán)境中無法長期保證內(nèi)部水汽含量D、周期長答案:C98.關(guān)鍵設(shè)備是大型、精密、重型稀有設(shè)備,并應(yīng)掛()標(biāo)牌。A、緊密設(shè)備B、工程借機C、維修D(zhuǎn)、關(guān)鍵設(shè)備答案:D99.為控制氣密封裝產(chǎn)品的內(nèi)部水汽含量,封裝設(shè)備的控制要素不正確的是()。A、連接通道的雙重門不應(yīng)同時打開B、干燥箱的整體密封性,同時箱體內(nèi)應(yīng)保持正壓C、可向干燥箱內(nèi)直接送入工具或其他材料D、控制干燥箱中氮氣的水汽含量答案:C100.以下防靜電措施不正確的是()。A、人員進入凈化間以前,必須凈化服、凈化鞋、凈化帽、頭發(fā)網(wǎng)罩、口罩、手套(頭發(fā)網(wǎng)罩、口罩、手套具體視情況而定)等穿戴整齊。B、經(jīng)風(fēng)淋室按規(guī)定吹風(fēng)后方可進入凈化間。C、進入工作崗位前,首先用手觸摸靜電釋放球,然后進行人體防靜電測試、防靜電手環(huán)測試等。D、人員在工位前操作時,不需要佩戴防靜電手環(huán)。答案:D101.以下操作過程中,從包裝盒中取出鍵合線的順序正確的是()。A、②③④①B、②④③①C、②①④③D、②④①③答案:B102.下列說法不正確的是:()。A、不能用裸手直接接觸鍍金和鍍銀件B、產(chǎn)品不能疊放C、接觸微電子產(chǎn)品時,必須要有效的防靜電措施D、在凈化間內(nèi)可以使用鉛筆,橡皮但不能使用銼刀和砂紙答案:D103.微組裝過程中,焊接和返修溫度都不能超過導(dǎo)電膠的()。A、分解溫度B、最高工作溫度C、玻璃相轉(zhuǎn)化溫度D、固化溫度答案:B104.在芯片大小相同時,膠層太厚或太薄其熱阻都大,最佳厚度為()微米。A、40B、50C、60D、70答案:B105.真空烘焙常用的參數(shù)不包括()。A、150℃真空10hB、150℃氮氣焙烤72h,接著在150℃真空焙烤16hC、120℃真空焙烤12小時D、85℃真空焙烤48h答案:D106.厚膜集成電路的絲印工藝使用的是()氧化鋁陶瓷基板。A、60%~66%B、70%~76%C、80~86%D、90%~96%答案:D107.系統(tǒng)級封裝(SIP)的特點不包括()。A、成本高B、輕、薄和便攜C、高性能D、多功能化答案:A108.電子束焊是一種新穎、高能量密度的______方法。A、波峰焊B、熔化焊C、手工焊D、浸焊答案:B109.焊接有色金屬,如鉛、黃銅時應(yīng)該()。A、防止高溫爆炸B、高溫中暑C、通風(fēng)排毒D、A和B答案:C110.多層共燒陶瓷封裝技術(shù)對于制造具有信號、地、電源、鍵合區(qū)和_______的復(fù)雜封裝來說是非常有利的。A、密封層B、收縮容差C、熱導(dǎo)率D、低介電常數(shù)答案:A111.導(dǎo)線裁剪是()。A、允許有負(fù)誤差B、允許有5-10%的負(fù)誤差C、允許有20-40%的正誤差D、允許有5-10%的正誤差答案:D112.請從下列設(shè)備中選出固晶機()。A、①B、②C、③D、④E、⑤F、⑥答案:E113.清潔電烙鐵所使用的海綿應(yīng)沾有適量的()。A、酒精B、丙酮C、干凈的水D、助焊劑答案:C114.在塑封工藝中,為完全固化大部分環(huán)氧模塑料,需要在()之間進行4小時的后固化。A、140~150℃B、170~175℃C、200~210℃D、240~250℃答案:B115.剪切力常常用來表征微電子封裝工藝水平,下列工序中不需要檢測剪切力的是()。A、共晶焊接B、手工釬焊C、金絲楔形鍵合D、粘接答案:C116.下列粘接劑屬于熱固化機理的為()。A、環(huán)氧膠,如德邦6607B、UV膠C、厭氧膠,如樂泰222D、硅橡膠答案:A117.對集成電路的檢測目的是判別集成電路的引腳排列及好壞,檢測的方法不包括()。A、電阻檢測法B、壓力檢測法C、電壓檢測法D、波形檢測法答案:B118.塑封模具溫度取決于模塑料的溫度性能、流動性能及物理特性,一般采用()。A、185℃±5℃B、165℃±5℃C、175℃±5℃D、195℃±5℃答案:C119.芯片粘接后,導(dǎo)電膠的高度不應(yīng)超過芯片厚度的()。A、1/4B、1/3C、1/2D、3/4答案:C120.開關(guān)件基本檢測方法,下列說法不正確的是()。A、首先直觀檢查開關(guān)操縱柄是否松動、能否正常裝換到位。B、可用萬用表R錯1檔測量器接觸電阻。開關(guān)處于接通狀態(tài)時,所測量的阻值應(yīng)為0,至少小于0.5Ω。C、在測量接觸電阻基礎(chǔ)上表幫接線不變,將量程轉(zhuǎn)換到R錯100K檔,同時將開關(guān)轉(zhuǎn)換到斷開狀態(tài),測試所測量的電阻應(yīng)為無窮大,至少大于幾百千Ω。D、在測量接觸電阻基礎(chǔ)上表幫接線不變,將量程轉(zhuǎn)換到R錯10K檔,同時將開關(guān)裝換到斷開狀態(tài),此時所測量的電阻應(yīng)為無窮大,至少大于幾百千Ω。答案:C121.可焊性試驗方法中的浸漬試驗作為引線的評價方法廣泛使用,要求焊料所覆蓋的面積占整個面積的()。A、50%B、75%C、85%D、95%答案:D122.鍵合設(shè)備調(diào)試時,首先進行_________,之后是_________,當(dāng)鍵合頭系統(tǒng)調(diào)試完畢后,再進行_________,最后對焊接好的金線進行質(zhì)量分析。A、鍵合力標(biāo)定,掃描超聲波頻率,焊接試驗B、掃描超聲波頻率,鍵合力標(biāo)定,焊接試驗C、鍵合力標(biāo)定,焊接試驗,掃描超聲波頻率D、掃描超聲波頻率,焊接試驗,鍵合力標(biāo)定答案:A123.如圖為()設(shè)備的主界面。A、裝片機(即固晶機)B、高頻預(yù)熱機C、鍵合機D、塑封機答案:D124.引線鍵合強度試驗樣品至少包含5個元件上的最少_______根鍵合引線。A、5B、10C、15D、20答案:B125.________表示電氣裝置,設(shè)備或元件的連接關(guān)系,是進行配線、接線、調(diào)試不可缺少的圖紙。A、電氣系統(tǒng)圖B、電氣接線圖C、電氣原理圖D、電氣布置圖答案:B126.設(shè)備、儀器接近周檢的時期時,()。A、操作人員應(yīng)送檢,不能送的應(yīng)通知相關(guān)管理部門;B、操作人員等待相關(guān)管理部門的通知;C、任務(wù)繁重,為了保計劃節(jié)點,可以短期超期使用;D、操作人員先自檢,不合格得出再送到相關(guān)部門檢定。答案:A127.下列使用雙組份環(huán)氧膠保護正確的是()。A、重量較大的模塊,如帶載板的模塊B、尺寸較大的基板或元器件,如單邊尺寸≥10mm的陶瓷電路片、LTCC及模塊C、跨接在盒體與基板上的軟基材電路片D、ABC答案:D128.在裝片機界面進行添加銀漿操作的時候,需要點擊()將銀漿模組移出,便于添加銀漿。A、ChangeEpoxyB、LongSqueezeC、hangeColletD、Marerial答案:A129.芯片粘接后,導(dǎo)電膠的高度不應(yīng)該超過芯片厚度的()。A、1/4B、1/3C、1/2D、3/4答案:C130.面方法中不屬于混合集成電路焊接技術(shù)的是()。A、倒裝焊B、激光再流焊C、免清洗充氮再流焊D、波峰焊答案:D131.萬用表歐姆擋校零方法,下列說法不正確的是()。A、歐姆擋校零具體方法是:將紅、黑表棒接通,此時表針向右側(cè)偏轉(zhuǎn),調(diào)整有Ω字母的旋鈕(在萬用表的面板上有這個旋鈕),使表針指向0Ω處。B、在更換不同歐姆擋量程時,均要進行一次校零。C、在R×1Ω擋時,因為校零時流過電表的電流為零,所以對表內(nèi)電池?zé)o消耗。D、當(dāng)R×1Ω擋無法校到0Ω時,說明萬用表內(nèi)的一個1.5V電池電壓不足,要更換這節(jié)電池。答案:C132.當(dāng)測試條件為VI=VIH或VI=VIL、IOH=-20μA、Vcc=2V時,測得74HC138為良品的靜態(tài)工作電流最大值是()。A、80μAB、160μAC、-80μAD、-160μA答案:A133.混合電路的多層陶瓷封裝通常由_______層氧化鋁組成。A、2B、3C、4D、5答案:B134.采用平行封焊對鍍金柯伐蓋板和柯伐底座進行熔焊,局部密封溫度大約為()。A、600℃B、800℃C、1500℃D、2500℃答案:C135.第一次加加電前,下列哪種做法是不正確的()。A、在顯微鏡下對照裝配圖檢查所有連線是否正確B、用三用表檢查各饋電端口對地電阻是否正常C、用三用表檢查各控制端口對地電阻是否正常D、直接加電測試答案:D136.為控制氣密性封裝產(chǎn)品的內(nèi)部水汽含量,封裝設(shè)備的控制要素不正確的是()。A、連接通道的雙重門不應(yīng)同時打開B、干燥箱的整體密封性,同時箱體內(nèi)應(yīng)保持正壓C、可向干燥箱內(nèi)直接送入工具或其他材料D、控制干燥箱中氮氣的水汽含量答案:C137.下列四個選項中,哪個不屬于楔形鍵合設(shè)備的工藝參數(shù)。()A、壓力B、超聲功率C、燒球電流D、超聲時間答案:C138.額定功率為10W的三個電阻,R1=10Ω,R2=40Ω,R3=250Ω,串聯(lián)接于電路中,電路中允許通過的最大電流是()。A、200mAB、0.5AC、1AD、250mA答案:A139.錫鉛焊膏再流焊的峰值溫度為()度。A、180B、280C、230D、400答案:C140.一放大管芯額定電壓為3V,電流為50mA,穩(wěn)壓電壓提供5V電壓需要串入多大電阻才能使管芯穩(wěn)定工作()。A、20ΩB、30ΩC、40ΩD、50Ω答案:C141.金線鍵合穿絲時,先打開線夾開關(guān),用鑷子將絲一次穿過________,最后拉動很少長度的金絲,最后關(guān)閉線夾開關(guān)。A、導(dǎo)線器,線夾,給線孔和劈刀垂直孔B、線夾,導(dǎo)線器,給線孔和劈刀垂直孔C、線夾,導(dǎo)線器,劈刀垂直孔和給線孔D、導(dǎo)線器,線夾,劈刀垂直孔和給線孔答案:D142.軍用混合集成電路和多芯片組件的電試驗參數(shù)、數(shù)值、極限值和條件應(yīng)符合________的規(guī)定。A、國軍標(biāo)B、企軍標(biāo)C、適用詳細(xì)規(guī)范D、設(shè)計師要求答案:C143.陶瓷封裝一般采用_________工藝制造,用90%-95%氧化鋁陶瓷做絕緣,有黑色和白色陶瓷之分。信號輸入/輸出端口采用耐熔金屬(鎢或鉬等)支撐金屬化并釬焊引線圍框。A、多層共燒陶瓷B、陶瓷C、金屬化D、復(fù)合基板答案:B144.膠封工藝流程如下:器具、工件清洗→稱量配膠→攪拌→排氣→______→______→______→校驗。A、涂膠;固化;膠粘B、涂膠;粘接;固化C、固化;涂膠;粘接D、固化;粘接;涂膠答案:B145.74HC138為良品的輸入電流最大值是±1μA,其測試條件是()。A、VI=Vccor0、Vcc=4.5VB、VI=Vccor0、Vcc=6.0VC、VI=VIH或VI=VIL、Vcc=6.0VD、VI=VIH或VI=VIL、Vcc=4.5V答案:B146.以下那種情況會造成鋁線斷裂()。A、送線不暢B、焊頭SEIUP不良C、設(shè)備帶走不良D、以上都是答案:D147.元件引腳的剪腳高度為()。A、0.5mm以下B、0.5-2.5mmC、2.5mm以上D、3.0mm以上答案:B148.導(dǎo)線與接線端子的焊接形式不包括()。A、繞焊B、鉤焊C、搭焊D、插焊答案:D149.微組裝過程中,焊接和返修的溫度都不能超過導(dǎo)電膠的:()。A、分解溫度B、最高工作溫度C、玻璃相轉(zhuǎn)化溫度D、固化溫度答案:B150.厚膜基片制造的準(zhǔn)備工作應(yīng)按照工藝文件的規(guī)定,流程為()。A、檢查基片-核對版圖-啟動燒結(jié)設(shè)備并設(shè)置程序-啟動調(diào)阻設(shè)備并設(shè)置程序-準(zhǔn)備漿料等B、檢查基片-核對版圖-準(zhǔn)備漿料-啟動燒結(jié)設(shè)備并設(shè)置程序-啟動調(diào)阻設(shè)備并設(shè)置程序等C、核對版圖-檢查基片-準(zhǔn)備漿料-啟動燒結(jié)設(shè)備并設(shè)置程序-啟動調(diào)阻設(shè)備并設(shè)置程序等D、準(zhǔn)備漿料-檢查基片-核對版圖-啟動燒結(jié)設(shè)備并設(shè)置程序-啟動調(diào)阻設(shè)備并設(shè)置程序等答案:B151.如圖為()設(shè)備的主界面。A、裝片機(即固晶機)B、高頻預(yù)熱機C、鍵合機D、塑封機答案:D152.在CD4511的開短路測試中,向被測引腳施加-100μA電流進行開短路測試時,下面哪一個測試電壓是在芯片為良品的電壓范圍內(nèi)。()A、-0.6VB、-2VC、0.6VD、2V答案:A153.塑封工序中,第二次醒料的塑封料要先使用,且必須在()內(nèi)用完。A、6hB、12hC、24hD、36h答案:C154.芯片粘接過程中,裝片機點銀漿之后進入()步驟。A、框架上料B、芯片拾取C、框架收料D、烘箱銀漿固化答案:B155.集成電路是由()組成。A、二極管和電阻組成B、三極管和電容組成C、多種電子元件集成在一塊芯片上D、互感器和鉭電容答案:C156.DIP封裝形式代表()。A、雙列直插封裝B、環(huán)氧塑料封裝C、小外形封裝D、球柵陣列封裝答案:A157.釬焊密封工藝的溫度控制包括()。A、升溫速度、保溫時間和降溫速度B、纖焊溫度、升溫速度和降溫速度C、升降溫速度、保溫時間、變溫次數(shù)D、纖焊溫度、保溫時間和升降溫速度答案:D158.超大規(guī)模集成電路的集成規(guī)模通常在()。A、10~100個元件B、100~1000個元件C、1000~100000個元件D、10萬元件以上答案:D多選題1.在下列哪些情況下操作人員應(yīng)按緊急停止開關(guān),保護現(xiàn)場后立即通知當(dāng)線技術(shù)員處理。()A、機器運行正常B、回流爐死機C、回流爐突然卡板D、回流爐鏈條脫落答案:CD2.對于芯片互連的金屬和金屬合金來說,它所必備的一些要求是()等。A、平坦化B、可靠性C、外觀精美D、淀積答案:ABD3.以下關(guān)于引線鍵合說法正確的是()。A、拿鍵合線圈時不需要佩戴防靜電手套,但需要用鑷子來取線的一端進行相應(yīng)裝線操作B、料盒在傳送過程中需平拿平放C、鍵合機運行時,手不可靠近打線區(qū),防止?fàn)C傷或壓傷。D、引線框架放入料盒和從料盒中拿取鍵合后的半成品時不能使鍵合線和引線框架發(fā)生變形。答案:BCD4.對半導(dǎo)體集成芯片應(yīng)該進行以下哪些檢查?()A、鋁層B、數(shù)量C、鍵壓區(qū)D、表面氧化層答案:ACD5.下列選項中,屬于半導(dǎo)體分立元件和集成電路裝調(diào)工作通常使用的設(shè)備儀器的有()。A、電鍍設(shè)備B、X射線檢查儀C、燒結(jié)臺D、鍵合臺答案:ACD6.再流焊工藝方式有()。A、通風(fēng)再流焊B、光學(xué)再流焊C、紅外再流焊D、氣相再流焊答案:CD7.下列有關(guān)開短路測試描述正確的是()。A、開短路測試是一種檢驗芯片管腳內(nèi)部對地或?qū)CC是否出現(xiàn)開路或短路的測試方法B、開短路測試本質(zhì)是基于產(chǎn)品本身管腳的ESD防靜電保護二極管的正向?qū)▔航档脑磉M行測試C、管腳開路時測得的電壓都接近0VD、管腳短路時測得的電壓都接近0V答案:ABD8.將鍵合線安裝到自動鍵合機對應(yīng)位置上時,下列選下中正確的操作有()。A、鍵合線尾端一側(cè)朝外B、鍵合線首端一側(cè)朝外C、用鑷子夾持鍵合線進行穿線D、手指允許直接接觸鍵合線答案:AC9.良好的共晶焊接,需要控制好哪些工藝要素?()A、溫度B、焊料量C、浸潤表面D、合金時間答案:ABCD10.影響互連的因素有哪些?()A、界面接觸緊密性B、連接的穩(wěn)定性C、膜層的附著力D、表面污染答案:ABCD11.表面貼裝技術(shù)的裝配過程主要可以分為哪三大部分?()A、錫膏印刷B、元器件貼裝C、再流焊接D、薄膜制備答案:ABC12.電容的主要參數(shù)有()。A、容值B、耐壓值C、耐溫值D、誤差值答案:ABCD13.微組裝工藝宜采用()清洗方式。A、氣相清洗B、等離子清洗C、超聲清洗D、震蕩清洗答案:ABC14.對絲網(wǎng)印刷的質(zhì)量要求是()等。A、印刷膜厚度一致B、尺寸精準(zhǔn)C、輪廓清晰D、再現(xiàn)性好答案:ABCD15.對引線鍵合后的產(chǎn)品進行檢查,以下哪些芯片屬于質(zhì)量不良的情況()。A、圖1B、圖2C、圖3D、圖4答案:ABCD判斷題1.矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀某校準(zhǔn)通道修改了掃描點數(shù)后,不用再重新校準(zhǔn),可以繼續(xù)用于測量。A、正確B、錯誤答案:B2.倒裝芯片鍵合是當(dāng)今PBGA中使用最廣泛的互聯(lián)方式。A、正確B、錯誤答案:B3.測試不含MOS器件的集成電路時,不必采取防靜電措施。A、正確B、錯誤答案:B4.雙極晶體管中只有一種載流子(電子或空穴)傳輸電流。A、正確B、錯誤答案:B5.金絲鍵合的鍵合區(qū)域長寬不宜小于2.5倍金絲直徑。A、正確B、錯誤答案:A6.印好的濕膜應(yīng)先置于室溫下,依靠漿料本身的流動性使?jié)衲け砻嫫秸?、絲網(wǎng)印痕消失,靜置時間越長越好。A、正確B、錯誤答案:B7.導(dǎo)電膠粘接未固化時,發(fā)現(xiàn)有膠溢出至芯片表面,造成短路隱患。可以采用乙醇超聲清洗去除。A、正確B、錯誤答案:B8.五色色環(huán)電阻的前三環(huán)為有效數(shù)字,第四環(huán)為誤差,第五環(huán)為倍系數(shù)。A、正確B、錯誤答案:B9.GaAs場效應(yīng)晶體管的芯片燒結(jié)通常用金錫共晶焊料片,為防止金中錫的氧化,必須在純氮保護氣氛下加熱操作。A、正確B、錯誤答案:A10.微間隙電阻焊是一種擴散工藝,使用分開的電極,電流從一半流到另一半。適合于鍵合大直徑線、帶狀線或銅這種難以鍵合的材料。A、正確B、錯誤答案:A11.熱敏元件焊接時應(yīng)采取必要的散熱措施。A、正確B、錯誤答案:A12.靈敏度越大可以接收到越小的信號,所以接收機的靈敏度越大越好。A、正確B、錯誤答案:B13.設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50%。A、正確B、錯誤答案:B14.氣密封裝中水汽含量不得超過5000ppm的原因是,該數(shù)值低于0℃的露點,從而保證了凝結(jié)任何水都會以冰的形式存在,不會引起液態(tài)水造成的損傷。A、正確B、錯誤答案:A15.金絲鍵合的鍵合區(qū)域長寬不宜小于2.5倍金絲直徑。A、正確B、錯誤答案:A16.晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學(xué)性能都相同。A、正確B、錯誤答案:A17.純凈半導(dǎo)體是一種有用的半導(dǎo)體。A、正確B、錯誤答案:B18.鈀-銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個階段。A、正確B、錯誤答案:A19.在工作中,如果覺得機械真空泵電動機反轉(zhuǎn)了,只要停一下電,然后把三相電源中任意兩根線相互倒一下就變成正轉(zhuǎn)了。A、正確B、錯誤答案:A20.某元件與理想電流源串聯(lián),其等效關(guān)系為該理想電壓源。A、正確B、錯誤答案:B21.射頻信號通過導(dǎo)體傳輸時,金屬導(dǎo)體截面中的電流分布是不均勻的,接近導(dǎo)體表面層電流密度小,而導(dǎo)體中間部分電流密度大,近似地可以認(rèn)為電流在導(dǎo)體表面流動,這種現(xiàn)象稱為趨膚效應(yīng)。A、正確B、錯誤答案:B22.LTCC可采用Au、Ag、Cu等作為導(dǎo)體材料,可在較低溫度(~850℃)下共燒。A、正確B、錯誤答案:A23.扼流線圈又稱為扼流圖、阻流線圈、差模電感器,是用來限制交流電通過的線圖,分高頻阻流圈和低頻阻流圈。A、正確B、錯誤答案:A24.裝片要求芯片和引線架小島的連接機械強度高,導(dǎo)熱和導(dǎo)電性好,裝配定位準(zhǔn)確,能滿足自動鍵合的需要。A、正確B、錯誤答案:A25.絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動速度的增加而減小。A、正確B、錯誤答案:B26.門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種:一種是晶體管陣列,一種是門陣列。A、正確B、錯誤答案:A27.手動絲焊機價格是自動線焊機的1/3,價格便宜,操作靈活,適用于各種電路與芯片的互連,相比全自動絲焊機效率較低。A、正確B、錯誤答案:A28.厚膜印刷制作厚膜電阻,其電阻的精度、電氣穩(wěn)定性和可焊性等技術(shù)指標(biāo),與厚膜絲印質(zhì)量有關(guān)。A、正確B、錯誤答案:A29.封裝的基本功能包括電源供給、信號交流、散熱、芯片保護和機械支撐。A、正確B、錯誤答案:A30.厚膜漿料屬于牛頓流體,因此其粘度屬于正常黏度。A、正確B、錯誤答案:B31.熱壓鍵合:適合在耐高溫的基板上鍵合,通過加熱和加壓,使焊區(qū)金屬發(fā)生塑性變形,破壞壓焊界面上的氧化層,在高溫擴散和塑性流動的作用下,使固體金屬擴散鍵合。A、正確B、錯誤答案:A32.在導(dǎo)電膠粘貼工藝中,銀漿可以實現(xiàn)芯片在引線框架上的固定,使用之前需要回溫,除去氣泡。A、正確B、錯誤答案:A33.感應(yīng)釬焊特別適用于某些大型構(gòu)件,如火箭上需要拆卸的管道接頭的焊接。A、正確B、錯誤答案:A34.某封裝器件內(nèi)使用了錫鉛(63Sn/37Pb)焊料,將該封裝器件焊接至母板上時,應(yīng)優(yōu)選錫銀銅(96.5Sn/3Ag/0.5Cu)焊料及回流曲線。A、正確B、錯誤答案:B35.電路上、焊料上等殘留氧化物、引線鍵合焊盤上氧化物的清除宜采用等離子清洗。A、正確B、錯誤答案:A36.厚膜漿料存在觸變性,流體受到外力作用時黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢復(fù)原狀。A、正確B、錯誤答案:A37.當(dāng)導(dǎo)電膠溢出規(guī)定的粘接區(qū)域,且超出部分的寬度大于相鄰導(dǎo)帶間距的一半判定為不合格。A、正確B、錯誤答案:A38.目前在半自動化和自動化的鍵合機上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售,一般不能再退火,一經(jīng)退火反而壞了性能。A、正確B、錯誤答案:A39.(應(yīng)加電子和空穴)兩種載流子都參加導(dǎo)電的半導(dǎo)體(應(yīng)加器件)稱為“雙極型器件”。A、正確B、錯誤答案:B40.在某些情況下,絕緣體受離子污染、吸附潮氣,或暴露于熱和輻射下時,絕緣性能會很快下降。A、正確B、錯誤答案:A41.二極管的正向電阻比反向電阻大。A、正確B、錯誤答案:B42.邏輯電路只能處理“非0即1”這兩個值。A、正確B、錯誤答案:A43.MOS集成電路的關(guān)鍵尺寸是“源”和“柵”之間的距離。A、正確B、錯誤答案:B44.移相器等有相位和一致性要求的微波器件在絲焊和帶焊時應(yīng)盡可能保證絲和帶的長度一致。A、正確B、錯誤答案:A45.成卷的內(nèi)引線必須嚴(yán)格保存,要求存放的環(huán)境是:潔凈不易污染,相對濕度為20%~50%,以免氧化。長期保存溫度為10~15℃,最好保存在氮氣箱內(nèi)。A、正確B、錯誤答案:A46.利用芯片間藍膜拉伸的繃片方法可同時達到裂片和繃片雙重目的,因此它是裂片的好方法。A、正確B、錯誤答案:B47.導(dǎo)電膠中含銀量越多其導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能越好:銀粉的顆粒越小,導(dǎo)電膠的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能越好,所以導(dǎo)電膠膠液中含銀量越細(xì)越好、越多越好。A、正確B、錯誤答案:B48.斜視圖僅用于表達機件傾斜部分的實形,其它部分在斜視圖中不反映實形,故不必畫出,其斷裂邊界線以波浪線表示。A、正確B、錯誤答案:A49.陣列封裝(BGA)具備更好的電性能主要是因為BGA用焊球代替引線,引出路徑短,減少了引腳延遲、電阻、電容和電感。A、正確B、錯誤答案:A50.微組裝工藝應(yīng)按溫度從低逐步到高進行操作,各工藝應(yīng)按共晶焊、再流焊(表面組裝)、倒裝焊、粘片、引線鍵合、密封的次序降序排列。A、正確B、錯誤答案:B51.淀積前的薄膜基片,若有較大的塵粒沾污,會影響薄膜和基片之間的附著力。A、正確B、錯誤答案:B52.厚膜漿料是膠體與懸浮體的混合體。A、正確B、錯誤答案:A53.利用芯片間藍膜拉伸的繃片方法可同時達到裂片和繃片雙重目的,因此它是裂片的好方法。A、正確B、錯誤答案:B54.熱壓鍵合機含有能調(diào)節(jié)輸出超聲波能量的超聲波發(fā)生器。A、正確B、錯誤答案:B55.薄厚膜集成電路的制造技術(shù)一樣。A、正確B、錯誤答案:B56.氮氣的化學(xué)性質(zhì)活潑,跟大多數(shù)物質(zhì)起反應(yīng)。A、正確B、錯誤答案:B57.印好的濕膜應(yīng)先置于室溫下,依靠漿料本身的流動性使?jié)衲け砻嫫秸⒔z網(wǎng)印痕消失,靜置時間越長越好。
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