晶體硅雜質(zhì)吸除工藝介紹

晶體硅中過渡族金屬雜質(zhì)的吸除2007年5月28日第一章:硅中雜質(zhì)的吸除工藝金屬雜質(zhì)對(duì)器件的影響金屬雜質(zhì)的存在會(huì)極大地影響半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量,即便在金屬雜質(zhì)的濃度降低到1012cm-3時(shí)，這種影響仍然十分明顯。硅片中的雜質(zhì)主要會(huì)帶來以下幾個(gè)負(fù)面作用：過渡族金屬雜質(zhì)形成深能級(jí)，增大p-n結(jié)的漏導(dǎo)電流，產(chǎn)生更大的漏導(dǎo)損耗；p-n結(jié)中的金屬雜質(zhì)降低結(jié)的反向擊穿電壓；金屬雜質(zhì)形成深能級(jí)帶隙極大地增加結(jié)的漏導(dǎo)損耗,甚至直接導(dǎo)致p-n結(jié)變窄；金屬雜質(zhì)降低氧化誘導(dǎo)生成層錯(cuò)和位錯(cuò)的形成勢(shì)壘。MOS器件對(duì)金屬雜質(zhì)很敏感，金屬雜質(zhì)易于在Si/SiO2界面沉積或被氧化層束縛。2.過渡族金屬在硅片中的擴(kuò)散和溶解

硅中金屬雜質(zhì)的引入可以在晶體生長(zhǎng)過程中，或者在硅片的拋光、化學(xué)處理、離子注入、氧化或其他處理過程中首先在表面附著，隨后后續(xù)的高溫?zé)崽幚磉^程中擴(kuò)散進(jìn)入硅基體。

a.金屬雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散在高溫（>800℃）下，過渡族金屬一般都有很快的擴(kuò)散速度而溶解度則相對(duì)較小。

Cu、Ni為快速擴(kuò)散雜質(zhì)，在高溫下，Cu、Ni的擴(kuò)散速率甚至可以接近于液相時(shí)的擴(kuò)散速率，達(dá)到10-4cm2/s。而其他的金屬雜質(zhì)，如Fe、Cr等為慢擴(kuò)散雜質(zhì)，一般比Cu、Ni的擴(kuò)散速率慢一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)，但在高溫下仍可以達(dá)到幾十到幾百微米每秒。b.金屬雜質(zhì)在硅中的溶解度硅中金屬雜質(zhì)的溶解度可用下面的熱力學(xué)動(dòng)力學(xué)表達(dá)式表示：

H，S，G分別為焓（enthalpy），熵（entropy）和自由能（freeenergy）。

Eb為金屬雜質(zhì)與臨界相間的束縛能；

Ec為金屬雜質(zhì)與硅形成化合物時(shí)，金屬外層電子與硅外層電子的結(jié)合能；

Es為金屬原子在硅晶胞中的彈性應(yīng)變能。吸雜：金屬雜質(zhì)從器件內(nèi)的吸除

不需高額費(fèi)用操作而對(duì)器件區(qū)的金屬雜質(zhì)進(jìn)行有效吸除，對(duì)IC產(chǎn)業(yè)而言，一直是個(gè)很大的挑戰(zhàn)。盡管對(duì)于IC產(chǎn)業(yè)，在加工生產(chǎn)過程中金屬雜質(zhì)的引入不可避免，但針對(duì)如何將不期望的金屬雜質(zhì)從器件區(qū)去除，人們已發(fā)展了一些工藝，這些工藝一般統(tǒng)稱為吸雜工藝。

金屬雜質(zhì)的吸除一般可以分為如下三個(gè)步驟：

a.雜質(zhì)在其最初沉積位置或人們不希望其沉積的位置釋放；

b.雜質(zhì)通過（沿）晶體內(nèi)部，從器件區(qū)擴(kuò)散到吸雜區(qū)；

c.雜質(zhì)在吸雜區(qū)被捕獲，沉積下來。由于在IC產(chǎn)業(yè)中傾向于使用低的熱處理，因此，一般都將吸雜區(qū)盡可能地靠近器件區(qū)。當(dāng)吸雜區(qū)距器件區(qū)十微米以內(nèi)時(shí),即便在很低的處理溫度下，吸雜也將得到很好的發(fā)揮。

根據(jù)對(duì)雜質(zhì)的捕獲方式，可以將吸雜分為兩大類，即分凝（segregation）和釋放（relaxation）。也有一些學(xué)者將自間隙原子注入產(chǎn)生吸雜歸為第三種吸雜機(jī)制，但是一般地，人們將這種注入產(chǎn)生吸雜歸為分凝吸雜。而在上述兩種機(jī)制下衍生的吸雜工藝則有許多，主要包括：內(nèi)吸雜，P擴(kuò)散吸雜，襯底吸雜，Si表面及Si/SiO2界面吸雜，離子注入吸雜，背表面損傷吸雜，化學(xué)吸雜，鋁背場(chǎng)吸雜等。第二章吸雜機(jī)制釋放機(jī)制（relaxation）對(duì)于釋放機(jī)制的吸雜，在離開器件區(qū)/表面區(qū)形成利于雜質(zhì)沉積的異相區(qū)是必須的。釋放機(jī)制形式的吸雜需要雜質(zhì)在由高溫向下降溫的過程中產(chǎn)生過飽和，游離或過飽和的金屬雜質(zhì)將極易在擁有許多雜質(zhì)沉積位置的區(qū)域沉積。在降溫過程中，有著許多雜質(zhì)沉積位置的吸雜區(qū)，其中的雜質(zhì)將快速地在雜質(zhì)易沉積位置得到沉積，從而繼續(xù)保持熱平衡；相反，由于在硅片表面或器件區(qū)，其中并不存在利于雜質(zhì)沉積的區(qū)域，因此在降溫過程中，雜質(zhì)濃度很快超過熱平衡濃度而產(chǎn)生過飽和。于是，在硅片表面/器件區(qū)和硅片內(nèi)部將形成雜質(zhì)的濃度梯度，在該濃度梯度作用下，雜質(zhì)將由硅片表面/器件區(qū)擴(kuò)散進(jìn)入吸雜區(qū)，并在吸雜區(qū)得到沉積，因此也就達(dá)到吸雜的目的。

在IC產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用最多的吸雜工藝為內(nèi)吸雜，通過在硅片內(nèi)部形成氧沉淀或其他結(jié)構(gòu)缺陷（位錯(cuò)環(huán)或者層錯(cuò)），以這些本身就存在于CZ硅片內(nèi)的形核區(qū)，使得過飽和雜質(zhì)在這些區(qū)域得到得到沉積。背表面損傷吸雜通過對(duì)硅片背表面進(jìn)行損傷、在硅片背面沉積一層多晶硅層（多晶硅層中含有異相形核區(qū)，如晶界、位錯(cuò)等）。背表面損傷吸雜對(duì)快擴(kuò)散金屬雜質(zhì)如鎳、銅等具有較好的吸雜效果。近鄰吸雜（Proximity）則在器件附近產(chǎn)生形核（雜質(zhì)沉積區(qū)）區(qū)，而對(duì)硅片進(jìn)行吸雜處理，近鄰吸雜對(duì)慢擴(kuò)散雜質(zhì)作用顯著。2.分凝機(jī)制

分凝吸雜由雜質(zhì)的溶解度梯度或硅片不同區(qū)域?qū)﹄s質(zhì)的溶解能力不同產(chǎn)生。與釋放機(jī)制不同，分凝吸雜，吸雜區(qū)一般都在器件區(qū)的外邊。相比于釋放機(jī)制，分凝吸雜的優(yōu)點(diǎn)是不需要形成雜質(zhì)的過飽和。因此，理論上，通過提高溫度加快金屬雜質(zhì)的擴(kuò)散速率，通過分凝吸雜可以快速獲得雜質(zhì)濃度很低的器件區(qū)。

a.影響分凝吸雜作用的因素

分凝系數(shù)是判斷雜質(zhì)能否通過分凝進(jìn)行吸雜處理的一個(gè)指標(biāo)，分凝系數(shù)S可以表示如下：其中，Cgett表示熱平衡條件下吸雜區(qū)雜質(zhì)的溶解度；Cdev表示熱平衡條件下器件區(qū)雜質(zhì)的溶解度。

除分凝系數(shù)外，器件區(qū)與吸雜區(qū)的相對(duì)厚度也會(huì)影響最終的吸雜效果。在假設(shè)后續(xù)的熱處理過程不會(huì)增加硅片中的金屬雜質(zhì)時(shí)，經(jīng)分凝吸雜處理后，在熱力學(xué)、動(dòng)力學(xué)平衡下，器件區(qū)的雜質(zhì)濃度可以表示如下：其中N0為硅片中初始雜質(zhì)濃度，Wgett和Wdev分別為吸雜區(qū)和器件區(qū)的雜質(zhì)濃度，S為分凝系數(shù)。從上式可以得到影響分凝吸雜最終效果的因素包括：硅片中雜質(zhì)的初始濃度，雜質(zhì)的分凝系數(shù)，吸雜區(qū)與器件區(qū)的相對(duì)厚度。

b.影響分凝效應(yīng)的方式（1）不同的相，如在晶體生長(zhǎng)過程中，在晶體硅中及液相熔體中；（2）不同元素的影響，如相比于硅，鋁對(duì)金屬雜質(zhì)具有更高的溶解能力；（3）費(fèi)米能級(jí)對(duì)金屬雜質(zhì)溶解度的影響，如P摻雜硅片中Au的影響；（4）離子對(duì)的影響，如Fe-B對(duì)；（5）硅中應(yīng)力的影響，增加或減少金屬雜質(zhì)的溶解度。

c.基于分凝機(jī)制的吸雜工藝及注意事項(xiàng)對(duì)于光伏產(chǎn)業(yè)，最常用的吸雜工藝包括P擴(kuò)散吸雜和Al背場(chǎng)吸雜。上述兩種工藝可對(duì)整個(gè)硅片厚度范圍進(jìn)行良好的吸雜。在IC產(chǎn)業(yè)中，在重?fù)交蚋哔|(zhì)量的表面外延生長(zhǎng)（epitaxygrowth）一層薄膜變得越來越受到重視，應(yīng)用也越來越普遍。另外，對(duì)于IC器件，分凝對(duì)離子注入?yún)^(qū)同樣可以產(chǎn)生作用，而這主要是緣于分凝的緊鄰（近鄰）特性。對(duì)于分凝吸雜，一方面降低溫度可以使得雜質(zhì)的分凝系數(shù)變大，但溫度的降低勢(shì)必導(dǎo)致金屬雜質(zhì)的擴(kuò)散速率降低，導(dǎo)致需要更長(zhǎng)的吸雜時(shí)間，因此，吸雜最優(yōu)溫度的確定需要大量的實(shí)驗(yàn)、研究。第三章吸雜工藝簡(jiǎn)介

1.內(nèi)吸雜（internalgettering）早在1957年，Kaiser和Mets就報(bào)道，氧沉淀對(duì)金屬雜質(zhì)可以起到吸附作用。而Tan等人則在1977年首次建立了以氧沉淀作為雜質(zhì)沉積區(qū)的吸雜模型。

CZ晶體硅中的氧是在晶體生長(zhǎng)過程中，由石英坩堝壁擴(kuò)散進(jìn)入晶體中，氧的含量可以達(dá)到1017到1018cm-3。而這樣的一個(gè)氧濃度，大大超過了器件制作溫度下的氧的熱平衡濃度，因此過飽和的氧將會(huì)沉積下來。正如前面講到的那樣，氧沉淀會(huì)降低器件的產(chǎn)量，因此在早期，人們對(duì)如何降低氧沉淀進(jìn)行了大量的研究工作。

前人的研究表明，在緊挨硅片表面/器件制作區(qū)形成一個(gè)沒有氧沉淀的區(qū)域（DenudedZoneDZ），而讓氧沉淀在硅片體內(nèi)得到沉積是可行的。

DZ區(qū)的形成可以通過對(duì)硅片加熱，從而讓靠近硅片表面的氧擴(kuò)散出硅片，經(jīng)過這種擴(kuò)散處理后，硅片表面區(qū)的氧濃度將小于硅片內(nèi)部的氧濃度。于是，在后續(xù)的一個(gè)較低的退火過程中，氧濃度超過熱平衡濃度將只會(huì)在硅片內(nèi)部產(chǎn)生，過飽和的氧將會(huì)在硅片內(nèi)部沉積，在后續(xù)的較高的退火溫度處理下，沉積的氧所產(chǎn)生的核將繼續(xù)長(zhǎng)大。氧沉淀的產(chǎn)生使得金屬雜質(zhì)易于在氧沉淀區(qū)沉積，從而對(duì)硅片表面/器件區(qū)產(chǎn)生有效的吸雜。

眾多學(xué)者的研究表明，內(nèi)吸雜屬于釋放吸雜機(jī)制，而這也表明內(nèi)吸雜處理需要金屬雜質(zhì)（仍處在擴(kuò)散狀態(tài)下）產(chǎn)生過飽和，而這種過飽和往往發(fā)生在器件制作過程中的冷卻（降溫）過程。雖然內(nèi)吸雜工藝應(yīng)用于IC器件已有較長(zhǎng)的歷史，并且對(duì)內(nèi)吸雜的機(jī)理也有一個(gè)比較深入的理解，但是仍有許多方面不能很好地得到解釋，如氧沉積位置的特點(diǎn)，金屬雜質(zhì)在氧沉積位置、熱氧誘導(dǎo)層錯(cuò)、位錯(cuò)內(nèi)的選擇性沉積等。

內(nèi)吸雜的最大優(yōu)點(diǎn)是不需要額外的吸雜步驟，內(nèi)吸雜發(fā)生于IC器件制造中由高溫向低溫下降的過程。同時(shí)學(xué)者的研究表明，內(nèi)吸雜可以對(duì)硅片表面/器件區(qū)內(nèi)的主要金屬雜質(zhì)進(jìn)行有效吸除。內(nèi)吸雜作為一種釋放吸雜機(jī)制，它要求通過溫度改變，在金屬雜質(zhì)擴(kuò)散過程中產(chǎn)生一個(gè)過飽和，因此，內(nèi)吸雜對(duì)于一些擴(kuò)散速率相對(duì)較慢的金屬雜質(zhì)并不適用。另外，為了進(jìn)一步降低雜質(zhì)的含量，更低的處理溫度，更長(zhǎng)的退火時(shí)間以及可重復(fù)加工的硅片表面及氧沉淀濃度都是必需的。

2.外吸雜（ExternalGettering）2.1P擴(kuò)散吸雜

Goetzberger和Shokley最先發(fā)現(xiàn)P擴(kuò)散吸雜作用。在他們之后，學(xué)者便對(duì)P擴(kuò)散吸雜對(duì)半導(dǎo)體器件的影響進(jìn)行了大量研究，得到的成果包括：（1）雜質(zhì)分布與P在硅片內(nèi)的擴(kuò)散一致；（2）P重?fù)降那闆r下將形成位錯(cuò)；（3）用于P擴(kuò)散的玻璃上很少或沒有吸雜產(chǎn)生；（4）P擴(kuò)散吸雜與擴(kuò)散氣態(tài)源有關(guān)（POCl3，PBr3，P2O5）；（5）雜質(zhì)在P摻雜的區(qū)域內(nèi)沉積；（6）SiP沉淀會(huì)在有P摻雜的表面附近產(chǎn)生；（7）重?fù)絇區(qū)域，Co和Mn的含量會(huì)增加。

P吸雜對(duì)單晶硅和多晶硅都很有效果。對(duì)于IC產(chǎn)業(yè)，P吸雜可以有效提高二極管的性能，提高襯底的少子擴(kuò)散長(zhǎng)度。對(duì)于光伏（PV）產(chǎn)業(yè)，P擴(kuò)散吸雜對(duì)電池效率的提高也很明顯，P擴(kuò)散可對(duì)太陽電池內(nèi)的幾乎所有過渡族金屬雜質(zhì)進(jìn)行有效吸除。研究表明，在PV產(chǎn)業(yè)中，P擴(kuò)散的作用受硅片中結(jié)構(gòu)缺陷濃度、氧及碳的濃度的影響。在PV產(chǎn)業(yè)中，常用POCl3作為P源，其他的P源還有PBr3，P2O5或旋轉(zhuǎn)涂積（spin-on）源等。

研究表明：通過在硅片表面進(jìn)行P擴(kuò)散，可以在硅片表面產(chǎn)生一個(gè)P重?fù)降膮^(qū)域，而這一重?fù)絽^(qū)對(duì)金屬雜質(zhì)有著更大的溶解度，從而可以對(duì)硅片進(jìn)行有效吸雜處理。重?fù)降腜區(qū)域之所以對(duì)金屬有著更大的溶解度，原因可能如下：費(fèi)米能級(jí)影響、金屬雜質(zhì)與P形成金屬對(duì)、金屬雜質(zhì)在位錯(cuò)處沉積、自間隙離子注入增強(qiáng)吸雜。與砷、硼擴(kuò)散吸雜，化學(xué)吸雜，背表面多晶硅沉積，背表面損傷，離子注入誘導(dǎo)吸雜及內(nèi)吸雜相比，P擴(kuò)散吸雜可與其他吸雜方式相媲美，有時(shí)甚至可以超過其他方式。研究同時(shí)也表明，當(dāng)將P擴(kuò)散與Al擴(kuò)散結(jié)合使用時(shí)，P、Al的吸雜作用都將得到增強(qiáng)，吸雜作用明顯優(yōu)于P或Al的單獨(dú)吸雜作用。2.2Al吸雜

鋁吸雜作用早在1970年就已發(fā)現(xiàn)。在太陽電池硅片背表面沉積一層鋁，經(jīng)退火處理后，發(fā)現(xiàn)電池的效率得到了較大的提高，后來又發(fā)現(xiàn)鋁層中的銅含量大于硅片中的銅含量。隨后，鋁吸雜被廣泛用于多晶硅太陽電池片、硅薄膜以及IC產(chǎn)業(yè)中單晶硅片的吸雜處理中。經(jīng)鋁吸雜處理后，硅材料的少子擴(kuò)散長(zhǎng)度可以增加100～200μm，太陽電池的轉(zhuǎn)換效率可以提高0.5%到1%。

鋁吸雜通過在硅片背表面沉積一層薄的鋁層或2%的Si-Al薄膜獲得。許多金屬雜質(zhì)，如Fe、Cu、Ni等在鋁中，在很寬的范圍內(nèi)都有1%～10%的溶解度，遠(yuǎn)大于它們?cè)诠柚械娜芙舛?。并且，鋁層對(duì)金屬雜質(zhì)的溶解能力受鋁硅合金中硅組分變化的影響很小。盡管鋁吸雜由于鋁結(jié)的分流以及鋁的蒸發(fā)，而在IC器件的吸雜中應(yīng)用并不廣泛，但是鋁吸雜在光伏產(chǎn)業(yè)中則極具優(yōu)勢(shì)。Al背場(chǎng)在對(duì)電池硅片有效吸雜的同時(shí)，由于在硅片背面形成一個(gè)p+/p結(jié)，可以進(jìn)一步降低電池的背場(chǎng)復(fù)合速率，鋁背場(chǎng)制作還可以有效改善硅片與電極間的歐姆接觸，增加電池的長(zhǎng)波光譜響應(yīng)。另外，在硅太陽電池制作過程中，P、Al互擴(kuò)散進(jìn)一步增強(qiáng)對(duì)電池硅片的吸雜。

鋁吸雜作為一種外吸雜方式，它的吸雜與雜質(zhì)的分凝系數(shù)密切相關(guān)。為了獲得良好的吸雜效果103～109的分凝系數(shù)是必需的。在750℃～950℃時(shí)，F(xiàn)e在鋁中的分凝系數(shù)為105～106。一般在硅太陽電池中，鋁背場(chǎng)形式的鋁吸雜采用常規(guī)熱處理時(shí)，燒結(jié)溫度為900～1050℃；采用RTP燒結(jié)時(shí)，燒結(jié)溫度一般為850℃。溫度的確定需同時(shí)兼顧雜質(zhì)的分凝系數(shù)以及雜質(zhì)在硅片中的擴(kuò)散速率。2.3背損傷（Backsidedamage）吸雜和多晶背場(chǎng)吸雜（Poly-Backsideseal）

背損傷吸雜通過在硅片背面利用機(jī)械加工（金剛砂或硅漿噴射，研磨）或激光照射形成損傷層，利用損傷層與硅片基體對(duì)雜質(zhì)吸收能力的不同達(dá)到吸雜目的。多晶背場(chǎng)吸雜則通過在硅背表面沉積一層多晶硅或Si3N4薄膜。在硅片表面形成一層多孔硅、沉積鍺層、或通過超聲應(yīng)力形成缺陷區(qū)等進(jìn)行吸雜的方式在文獻(xiàn)中也有報(bào)導(dǎo)。

由于硅片背面損傷層的結(jié)構(gòu)與損傷強(qiáng)度密切相關(guān)，并且損傷結(jié)構(gòu)在高溫退火作用下極易發(fā)生改變,因此對(duì)硅片背表面吸雜機(jī)制的確定非常困難。當(dāng)前主要有以下三種背場(chǎng)吸雜模型：

a）背場(chǎng)損傷吸雜是一種釋放機(jī)制的吸雜，背場(chǎng)損傷提供大量的非均勻形核區(qū)，用來沉積過飽和的金屬雜質(zhì)；

b）認(rèn)為背場(chǎng)損傷吸雜是一種分凝機(jī)制的吸雜，金屬雜質(zhì)會(huì)由于應(yīng)力作用而在缺陷區(qū)沉積，而這種沉積并不需雜質(zhì)過飽和；

c）背損傷層可以吸雜是由于損傷層對(duì)硅中自間隙離子的吸收，加速氧沉淀的生長(zhǎng)，伴隨氧沉淀的沉積達(dá)到吸雜的目的。目前，這一模型還處在爭(zhēng)議階段。背損傷吸雜的使用將會(huì)減少，因?yàn)楸硴p傷在制備損傷層過程中可能會(huì)引入更多的雜質(zhì)。多晶背場(chǎng)的吸雜如沉積多晶硅層等，在將來依然很具發(fā)展前景。2.4化學(xué)吸雜

化學(xué)吸雜在含有少量（通常少于1%）含氯氣體（Cl2，HCl，CH2Cl2，或CHCl3）的干氧氣氛下，通過高溫氧化退火而產(chǎn)生吸雜作用。這種退火處理之所以能夠產(chǎn)生吸雜作用，是由于氧氣中的氯原子與帶正電的堿金屬離子結(jié)合形成易揮發(fā)化合物，通過揮發(fā)作用降低硅片表面/器件區(qū)雜質(zhì)濃度?；瘜W(xué)吸雜只能是硅片的雜質(zhì)濃度稍有下降，并且化學(xué)吸雜對(duì)金屬離子的吸除具有選擇性。對(duì)HCl吸雜研究表明，HCl吸雜對(duì)Cu有較好的吸除作用，而對(duì)Au，F(xiàn)e，Cr等效果并不明顯。3.近鄰吸雜

近鄰吸雜即在距硅片表面/器件區(qū)很近的區(qū)域形成一個(gè)吸雜區(qū)，近鄰吸雜一般存在以下三種方式：離子注入誘導(dǎo)吸雜，重?fù)揭r底吸雜，硅片表面Si/SiO2界面及硅表面懸掛鍵界面吸雜。3.1注入誘導(dǎo)吸雜注入誘導(dǎo)吸雜可以通過注入原子本身或因注入而產(chǎn)生的損傷產(chǎn)生。注入吸雜的一個(gè)好處是注入吸雜為近鄰吸雜，吸雜區(qū)域離器件區(qū)很近，因此吸雜并不需要高溫處理，另外，注入吸雜與內(nèi)吸雜不同，注入吸雜因注入原子濃度分布的不同，吸雜區(qū)也呈現(xiàn)出分散的形態(tài)。注入吸雜可以通過注入Si、P、C、O、He、Ne、Ar、H、B、Ge、Cr、Al等其他一些元素獲得。注入吸雜可對(duì)硅片中的金屬雜質(zhì)如Cu、Fe、Au、Ni及Pt等有很好的吸除作用。3.2重?fù)揭r底吸雜對(duì)襯底進(jìn)行重?fù)教幚?，可以獲得對(duì)金屬雜質(zhì)很好的吸雜。一般在重?fù)降囊r底上外延生長(zhǎng)一層厚度為10μm的薄膜以作為IC器件的制作區(qū)。根據(jù)器件的不同應(yīng)用，重?fù)揭r底通過摻P、B、As來獲得。重?fù)诫s襯底吸雜主要是通過費(fèi)米能級(jí)作用及離子對(duì)作用來增加襯底對(duì)金屬雜質(zhì)的溶解度，對(duì)外延層內(nèi)的金屬雜質(zhì)進(jìn)行吸除，從而降低外延層內(nèi)的雜質(zhì)濃度。與其他吸雜方式相比，重?fù)轿s是一種非常有效的吸雜方法。p/p++及n/n++硅片吸雜比內(nèi)吸雜更加有效，這從側(cè)面表明，分凝機(jī)制的吸雜比釋放機(jī)制的吸雜更為有效。3.3硅片表面，Si/SiO2界面，硅鍵界面吸雜

硅片表面及Si/SiO2界面在硅片內(nèi)沒有更優(yōu)的吸雜位置時(shí)，將會(huì)對(duì)硅片內(nèi)的過渡族金屬