電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)指南

電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)指南1適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)提出了電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)可作為電子工業(yè)企業(yè)或生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)項(xiàng)目及電子工污水集中處理設(shè)施的環(huán)境影響評價、國2規(guī)范性引用文件本標(biāo)準(zhǔn)引用了下列文件或基中的條款。凡是注明日期的司用文件，儀主日期的版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。市民經(jīng)濟(jì)行業(yè)分類電子工業(yè)水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)電子工程環(huán)境保護(hù)設(shè)什規(guī)范厭氧-缺氧-好氧活性污泥法污水處理工程技術(shù)規(guī)范序批式活性污泥法污水處理工程技術(shù)軀范分離法污水處理工程技術(shù)規(guī)范豐污許可證申請與核發(fā)技術(shù)規(guī)范電子工業(yè)預(yù)氧化法廢水處理工租技術(shù)規(guī)范電廢水治理工程技術(shù)規(guī)范膜生物法小是理于性技術(shù)規(guī)范升流低氧污泥床反應(yīng)器污水處理工程技術(shù)規(guī)范生物濾池法污水處直工種技術(shù)規(guī)范水解酸化反應(yīng)器污水處理工程技術(shù)現(xiàn)范印制電路板廢水治理工程技術(shù)規(guī)范3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。包括電子專用材料、電子元件、印制電路板、半導(dǎo)體器件、顯示器件及光電子器件、電子終端產(chǎn)品、其他電子設(shè)備等電子產(chǎn)品制造業(yè)，分別對應(yīng)GB/T4754—2017中的計(jì)算機(jī)制造(C391)、電子器件制造(C397)、電子元件及電子專用材料制造(C398)和其他電子設(shè)備制造(C399)。水污染防治可行技術(shù)availabletechniquesofwaterpollutionpreventionandcontrol根據(jù)我國一定時期內(nèi)環(huán)境需求和經(jīng)濟(jì)水平，在水污染防治過程中綜合采用污染預(yù)防技術(shù)、污染治理技術(shù)和環(huán)境管理措施，使水污染物排放穩(wěn)定達(dá)到國家污染物排放標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)模應(yīng)用的技術(shù)4行業(yè)生產(chǎn)與水污染物的產(chǎn)生4.1電子專用材料4.1.1生產(chǎn)工藝電子專用材料包括電子習(xí)能林，互聯(lián)與封裝材料和工本與輔助材料。生產(chǎn)工藝包括前處理、刻蝕、電蝕、拋光、清洗、8面處理、涂覆、粉碎、研磨等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示4.1.2水污染物水污染物主要來源前、刻蝕、電蝕、拋光、清洗、溶銅，表面處理、涂覆、粉碎、研磨等生產(chǎn)單元的工藝廢水種油學(xué)產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水，主要污染物項(xiàng)目有pH值，懸浮物、石油類、化學(xué)需氧量(CODc)、總有機(jī)碳《TOC)、氨氮、總氮、總、陰離子裝面活氟化物、總銅、總鋅、總錦0總鎘、總鉻、六價鉻、總碎表1電子專用材料制造主要廢水產(chǎn)污計(jì)酸性廢水，含重金屬廢水(合銅度水)4.2電子元件4.2.1生產(chǎn)工藝3電子元件包括電容器、電阻器、電感器、電子變壓器和敏感元器件等。生產(chǎn)工藝包括混合、研磨、清洗、端面處理、圖形制作和涂覆等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.3和圖A.4,主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表2所示。水污染物主要來源于混合、研磨和清洗、端面處理、圖形制作和涂覆等生產(chǎn)單元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水，主要水污染物項(xiàng)目有pH值、懸浮物、石油類、COD、TOC、氨氮、總氮、總磷、LAS、總氰化物、氟化物、總銅、總鋅、總鉛、總鎘、總鉻、六價鉻、總砷、總鎳、總銀。表2電子元件制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)含重金屬廢水(含鎳廢水)重金屬廢水(含銀皮水)4.3印制電路板4.3.1生產(chǎn)工藝印制電路板包括剛性板址性板，單面印制電路板、雙面印制電路板、多層印制電路板，以及剛撓結(jié)合印制電路板、高離度石連制電路板和集成電路封裝載板等生產(chǎn)藝包括線路制作、化學(xué)沉銅、電鍍、阻焊制作、表面處理和成型等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.5,4.3.2水污染物元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水，生要污集物項(xiàng)目有pH值、懸浮物、石油類、CODo,TOC、氨氮、總氮、總磷、LAS、總氰化物、化物、氟化物、總、總鉛、總鎳、總銀。表3印制電路板制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)內(nèi)層線路制作廢水(含銅廢水、絡(luò)合銅廢水)含重金屬廢水(絡(luò)合銅廢水)含重金屬廢水(含銅廢水)含重金屬皮水(含銅廢水)含重金屬皮水(含銅度水、絡(luò)合銅廢水)含重金屬廢水(銅氨廢水)含重金屬廢水(含銅廢水)命金屬廢水(絡(luò)合銅廢水)4.4半導(dǎo)體器件4.4.1生產(chǎn)工藝外延、光刻、刻蝕、井膠、沉積、研磨、封裝和電鍍等，其典型生產(chǎn)工老流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖4.4.2水污染物水污染物主要來源前處。清澆、外延、光刻、刻蝕、去膜、金屬流積、研磨、封裝和電鍍等生產(chǎn)單元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)產(chǎn)生的廢水，主要污染物項(xiàng)圓有pH、懸浮物、石油類、CODc,TOC、氨氤、總氮、總磚S化物、硫化物、氟化物，總銅、鋅、總鉛、總鎘、總鉻、六價鉻、總砷、總鎳、總銀。表4依器件制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)含最皮水、酸誠廢水、含氨廢水、有機(jī)廢水含重金屬廢水(含銅度水、合鎳廢水)54.5顯示器件及光電子器件顯示器件包括薄膜晶體管液晶顯示器件、低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件、真空熒光顯示器件、場發(fā)射顯示器件、等離子顯示器件、曲面顯示器件以及柔性顯示器件等。光電子器件包括電子束光電器件、電真空光電子器件、激光器件、紅外器件、通信有源光器件與子系統(tǒng)和光無源器件等。顯示器件生產(chǎn)工藝包括陣列、彩膜、成盒和模組等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.7~圖A10.主要度水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表5所示。光電子器件生產(chǎn)工藝包括基片處理、外延、光刻、刻蝕、減薄等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.11,主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表5所示。水污染物主要來源于標(biāo)四陣列、彩膜、成盒和模組等生產(chǎn)單，光電子器件的基片處理外延、光刻、刻蝕、減薄辭生之元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系產(chǎn)生的度水，主要污染物項(xiàng)目有pH節(jié)含磷皮水含重金屬廢水(含銅廢水)彩有機(jī)廢水(彩膜廢水) 4.6電子終端產(chǎn)品4.6.1生產(chǎn)工藝電子終端產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)整機(jī)、計(jì)算機(jī)零部件、計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備、工業(yè)控制計(jì)算機(jī)及系統(tǒng)、信息安全設(shè)備和其他計(jì)算機(jī)應(yīng)用電子設(shè)備等。生產(chǎn)工藝包括電鍍、清洗、機(jī)械拋光等，其典型生產(chǎn)工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖見附錄A的圖A.12,主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表6所示。水污染物主要來源于電鍍、清洗、機(jī)械拋光等生產(chǎn)單元的工藝廢水和輔助生產(chǎn)系統(tǒng)產(chǎn)生的廢水主要污染物項(xiàng)目有pH值、懸浮物、石油類、CODc、TOC、氨氮、總氮、總磷、LAS、總氰化物、總銅、總鋅、總鉛、總鎘、總鉻、六價鉻、總鎳、總銀。表6電子終端產(chǎn)品制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)4.7其他電子設(shè)備制道其他電子設(shè)備包括電事本、電子詞典、電子白板等，生產(chǎn)工藝以組表為主，部分產(chǎn)品含有電鍍、清洗等工藝，其典型牦土藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)示意圖、主要廢水產(chǎn)污環(huán)市與電子終端產(chǎn)品相似。4.7.2水污染物氨氮、總氮、總磷、LAS.總部化物、總銅、總鋅、總鉛、總鎘、總鉻、米價鉻、總鎳、總銀。5污染預(yù)防技術(shù)5.1一般原則鼓勵電子工業(yè)企業(yè)推行清潔生入來取本標(biāo)準(zhǔn)提出的污染所防措施，提高物料利用率、清洗效率，減少水污染物和廢水產(chǎn)生量5.2原輔材料替代技術(shù)5.2.1環(huán)保型退鍍液替代技術(shù)適用于印制電路板生產(chǎn)的電鍍工序。用硫酸、雙氧水體系的環(huán)保型退鍍液替代電鍍工序常規(guī)的硝酸退鍍液，可減少廢水中總氮的產(chǎn)生量，從而減少總氮的排放量。該技術(shù)需同時使用硫酸亞鐵或亞硫酸氫鈉作為還原劑，前者易增加污泥產(chǎn)生量，后者成本較高。5.2.2非金屬樹脂材料替代技術(shù)適用于顯示器件及光電子器件生產(chǎn)的彩色濾光片制備。在彩色濾光片的制備過程中，BM(黑色矩陣)膜采用環(huán)保性能相對較好的非金屬黑色樹脂替代金屬5.3設(shè)備或工藝革新技術(shù)5.3.1逆流清洗廢水回用技術(shù)由末級槽進(jìn)水、第一級槽排出清洗廢水，其水流方向與工件清洗移動方向相反，生產(chǎn)線配套在線回用水裝置，對多級逆流水洗的最后一道水洗廢水進(jìn)行在線間收，回用至上一級清洗環(huán)節(jié)，進(jìn)而提高水重復(fù)利用率，節(jié)約廠區(qū)新鮮水使用量。與全部采用新鮮水清洗比，可減少廢水產(chǎn)生量約30%以上。5.3.2噴射水洗技術(shù)適用于印制電路板水平產(chǎn)的清洗工序。噴射水洗技術(shù)分為噴清水洗和噴霧水洗，工件可集中到2~3處水洗槽中進(jìn)行清法，洗承一般為上一級水洗的排出。由噴嘴可調(diào)到任意需要的角度，可有效清除工件表面的臟為，雷數(shù)率得到提高，清洗廢水經(jīng)收集和針對性處理后循環(huán)利用。與全部采用新鮮水清洗相比，可減少水產(chǎn)生量約50%以上。6污染治理技術(shù)適用于電子工業(yè)廢水中9、懸浮物等水污染物處理。該技術(shù)通過對懸顆?；蚝呻娔z粒的脫穩(wěn)、聚集和凝聚，實(shí)現(xiàn)污染物與水的分離.混凝處理過程常用的混凝劑有鐵鹽、鋁鹽和聚合鹽類，絮凝劑常用聚丙烯酰胺(PAM術(shù)對懸浮顆粒、膠體顆粒、疏水性污染物齊具有良好的去除效果。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ200適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的比物濃度為5000mgL~y0o0mgL的懸浮顆粒處理。氣浮工藝主要有電解氣浮法、葉層氣洋法等。電子工業(yè)常用電解氣浮法處理含六價鉻廢水、含氰廢水。該技術(shù)合鹽量大、電導(dǎo)率高、名有毒有害污染物廢水的處理具有優(yōu)勢。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2007。6.1.3化學(xué)沉淀法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的含重金屬廢水、含氟廢水、高濃度含磷廢水、顯示器件產(chǎn)生的彩膜廢水處理。該技術(shù)向廢水中投加堿性藥劑調(diào)節(jié)pH值至堿性，投加石灰、硫化物、鈣鹽等沉淀劑后充分?jǐn)嚢?，使金屬離子、氟離子、磷等與沉淀劑反應(yīng)生成沉混凝劑或絮凝劑，提高處理效果。處理含重金屬絡(luò)合廢水時，需在投加沉淀劑之前，加入芬頓試劑、次氯酸鈉、硫化物、鐵鹽、重捕劑等破絡(luò)劑先進(jìn)行破絡(luò)反應(yīng)。廢水中磷的去除率為95%以上，上清液但污泥產(chǎn)生量大。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2058、HJ2006。適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的含重金屬非絡(luò)合廢水處理。利用吸附材料具有比表面積大、吸附能力強(qiáng)、活性基團(tuán)多等特性，使液相中的物質(zhì)傳遞至固相表面。常用的吸附劑有活性炭、硅藻土、沸石、殼聚糖、納米材料等。吸附劑的選擇、預(yù)處理和用量、廢水pH值、停留時間、運(yùn)行條件等可通過試驗(yàn)確定。廢水中重金屬的去除率為90%以上。該技術(shù)操作簡便、工藝簡單，但存在吸附劑的再生和金屬的回收問題。6.1.5堿性氯化法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的總氰化物深度小于100mg/L(絡(luò)合氣離子除外)的含氰廢水處理。利用次氯酸根的氧化性，將氰化物氧化為低毒的酸盤，酸鹽繼續(xù)被氧化成無毒的碳酸鹽和氮?dú)?。反?yīng)時間與廢水中的氰化物含量有關(guān)，一~1.5h,有效高與氰化物的質(zhì)量比為6~10。處理后廢水中的總氰化物濃度不大于0.5mgL.玻術(shù)操作簡便、反應(yīng)完上，但破屬處理后，廢水需進(jìn)入含重金屬廢水處理系統(tǒng)進(jìn)一步處理.工計(jì)和管理參見HJ2058.6.1.6離子交換法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的中位糧度含黑廢水、們氮皮水、含重金屬廢水或要求回收金屬離子的廢水處理。通過離子交換樹脂馬g小中的相應(yīng)離子進(jìn)行選擇性交換，離子可被樹脂吸附，達(dá)到去除廢水中相應(yīng)污染物的目的。處理水中的總氰化物濃度小于0.1mg/L,伸廢水中的鐵、亞鐵氰化物等雜質(zhì)對樹脂的洗脫再生有是向，該技術(shù)設(shè)備簡單、樹脂無毒且可反復(fù)再生使用，成本較高。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2058。適用于印制電路板產(chǎn)生doDc濃度為5000mgL~15000mgL的有相廢水處理。該技術(shù)加入酸性藥劑將pH值調(diào)為2.廢水中的高液度有機(jī)物在酸性條件下會析出固體，通過固液分離可去除大部分有機(jī)物和部分重金加入混凝劑聚合氧化鋁和算濕劑PAM善混凝沉淀，去除沉淀物。廢水中CODc的去除率為10%讒技術(shù)操作簡便、工藝運(yùn)行穩(wěn)定、反應(yīng)博速，但藥劑用量較大。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2058.適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的氨氮流度大Ts0tmg4的含氨廢水。該技術(shù)通過加堿性藥劑調(diào)節(jié)pH值至堿性，經(jīng)脫氣塔吹脫走廢水中的氣，使氨氯濃度降至50mg/L以下，排入含氟廢水處理系統(tǒng)進(jìn)一步除氟：未達(dá)到要求的出水將回流再處吹膠出的在吸收塔中加酸吸收成硫酸銨，處理后的氣體循環(huán)回脫氣塔，硫酸銨收集后委托外運(yùn)處理。該技術(shù)工藝簡、處理效果穩(wěn)定，但能耗高，吹脫塔易結(jié)垢。6.1.9折點(diǎn)加氯法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的氨氮濃度不大于50mg/L的銅氨廢水處理。當(dāng)廢水水量、氨氮濃度隨時間變化不大時可采用此技術(shù)。該技術(shù)通過加入次氧酸鈉氧化破壞銅氨絡(luò)合物，同時沉淀出銅。pH值為9.5左右，投加次氯酸鈉中的有效氧與氨氮摩爾比為1.6:1時，廢水中氨氮的去除率為80%以上，銅的去除率為99.8%。該技術(shù)反應(yīng)快速、脫氮效果穩(wěn)定，但處理后的廢水中含有殘留氧，易與水中有機(jī)物生成可吸附有機(jī)鹵化物(AOX),可采用活性炭吸附去除。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2058。6.1.10磷酸銨鎂脫氨氮法(MAP)適用于印制電路板產(chǎn)生的銅氨廢水處理。該技術(shù)通過加入磷酸鹽(Na?HPO?12H?O)和鎂鹽 (MgNH?PO:6H?O)沉淀進(jìn)而去除氨氮，再加入堿性藥劑和混凝劑去除廢水中的銅，廢水中氨氮的去除率為80%以上。該技術(shù)工藝簡單、能充分回收氨實(shí)現(xiàn)廢水資源化，但藥劑用量較大，管道易結(jié)垢堵塞。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2058。6.1.11酸堿中和法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的酸堿廢水處理，處理酸性廢水可來用堿性藥劑中和。中和反應(yīng)產(chǎn)生大量沉~渣可通過沉淀予以去除，中和處版術(shù)0采取pH自動控制儀自動控制加藥，經(jīng)處理后pH值為69。~6.1.12電解法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的總t物濃度為500mg/L~40000mg/L的含氰廢水處理。該技術(shù)利用電化學(xué)反應(yīng)破壞廢水中的氰化為.山電壓下，廢水中的氰高子在舊極上先去電子被氧化成二氧化碳、氮?dú)饣虬薄ｋ娊獠蹆魳O時立采20cm~30cm,陽極電流密度宜控制在0dm2~0.5A/dm2,槽電壓宜為6V~8.5Y.該技術(shù)操向便、處理高濃度含氧廢水較經(jīng)濟(jì)，但處電后廢水中的氰化物濃度小于50mg,還需采用其他為法處理至達(dá)標(biāo)排放。工藝議計(jì)和管理率見HJ2002。適用于印制電路根產(chǎn)的coDc滾度為200mgL-600me/L的抽墨廢水處理。該技術(shù)將含碳鐵屑浸于電解質(zhì)溶液中，形成微的Fe-C原電池，與污染物發(fā)生氧化、還原、吸附、絮凝等作用，去除廢水中的有機(jī)物。pH值重為①-5.空氣指拌氣量不小干3mhm2-h-pm%m2h,填料接觸時間不小于但電極表面極易污染失去活性工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2058.6.1.14芬頓氧化適用于提高電子工業(yè)水的可生化性，CODc,濃度為200mgL-600mg/L的有機(jī)廢水、含重金屬絡(luò)合廢水處理。該技術(shù)利用或法為催化劑，在酸性條洋下利用嘉基自由基的氧化作用，將難生物降解有機(jī)物分解成小分子有機(jī)物化反應(yīng)時間為h~2h.p值為2~4。該技術(shù)氧化能力強(qiáng)、反應(yīng)快速，但成本較高，污泥產(chǎn)生較s設(shè)和管理參見1095。6.1.15臭氧氧化適用于提高電子工業(yè)廢水的可生化性和含氰廢水處理》利用真氧及其中間產(chǎn)物羥基自由基的強(qiáng)氧化性，使難降解有機(jī)物開環(huán)破鏈，降解大分子，從而降低廢水中的COD。。宜在pH值為8~9的弱堿條件下進(jìn)行，反應(yīng)時間為0.5h~2h,廢水中CODo的去除率為40%~90%。處理后廢水中的總氰化物濃度小于0.3mg/L。該技術(shù)氧化能力強(qiáng)、反應(yīng)快速、無二次污染問題，但成本較高，接觸的容器和管路需采用耐腐蝕材料。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2002。6.1.16雙氧水氧化適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的含氰廢水處理。在pH值為9~11的反應(yīng)條件下，以雙氧水為氧化劑將廢水中的氰化物氧化為氰酸鹽，氰酸鹽再水解為碳酸鹽和氨。雙氧水與氰化物的質(zhì)量比為5:1,接觸時間不少于15min時，廢水中總氰化物的去除率為97%以上，接觸時間不少于20min時，廢水中總氰化物的去除率為99%以上。處理后廢水中的總氰化物濃度不大于0.5mgL。該技術(shù)工藝簡單、無二次污染問題，但成本較高，原料運(yùn)輸存在一定危險性。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2058。6.1.17膜分離適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的綜合廢水、低濃度含離子態(tài)金屬廢水處理或要求回收金屬離子的廢水再生回用。利用選擇性膜的半透性，通過外界提供能量使選擇性膜兩側(cè)出現(xiàn)壓差，以此為動力對金屬離子進(jìn)行分離，通常包括電滲析、反滲透等。廢水進(jìn)入膜系統(tǒng)前一般需進(jìn)行砂濾和精密過濾等預(yù)處理，該適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的coD濃度不大于1500mg/L的有機(jī)度水、綜合廢水處理。在厭氧條件下，使結(jié)構(gòu)復(fù)雜的高分子有機(jī)物經(jīng)過水解和產(chǎn)酸，轉(zhuǎn)化為簡單小分子有機(jī)物。包括升流式水解酸化反應(yīng)合式水解酸化反應(yīng)器及完全混合式水解酸化反應(yīng)器，可根據(jù)廢水水質(zhì)、水量等情況選用.pH值煙9,廢水可生化性較差的情況下，水解酸化的水力停留時間宜大于24h,廢水中CODc的去除率為10%+20%,廢水的可生化性可是高20%40%.卡技術(shù)處理水量大、出水無臭味，但反應(yīng)器啟動時間長，需設(shè)置后續(xù)好氧工藝處理設(shè)施。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2047。6.2.1.2厭氧生物反應(yīng)器法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的eopo濃度大于1500mgL、氨氮濃度小于2000mgL、懸浮物濃度小于1500mg/L、硫酸鹽濃度小fT000mg/L的有相廢水、綜合廢水處理常用的厭氧反應(yīng)器形式有升流式厭氧污泥床反應(yīng)器(UASB)氧折流板反應(yīng)器(ABR)和內(nèi)循環(huán)厭氧反應(yīng)器(IC)。電子工業(yè)廢水厭氧生物反應(yīng)器的水力留時間宜大于12h,度水中CODg的去除率40%-60%,該技術(shù)污泥產(chǎn)生量少、能耗小、可產(chǎn)生清吉的氣，但對有毒物質(zhì)較坡感有硫化二次污染問題。UASB工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2013。適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的氨氮濃度為200mgL-800mg/,的含氨廢水處理。該技術(shù)在厭氧條件下。以氨為電子供體，以硝酸鹽或亞硝酸鹽為電子受體，將化成氮?dú)?，該技術(shù)包含的前置短程硝化可比全程硝化節(jié)省63%的供氧量和50%的耗堿量，與常規(guī)AO脫屬工藝相比可節(jié)約100%的碳源，但工藝控制及管理要求比較高。6.2.2.1序批式活性污泥法(SBR)適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的BODsCODc值大于0.3的有機(jī)廢水、綜合廢水處理。主要工藝包括循環(huán)式活性污泥工藝、連續(xù)和間歇曝氣工藝、交替式內(nèi)循沉淀、排水和待機(jī)五部分組成。廢水中CODo、懸浮物、氨氮的去除率分別為80%、80%、90%以上。該技術(shù)成本較低、占地少、耐沖擊負(fù)荷能力強(qiáng)，但自動化控制要求高，不設(shè)初沉池易產(chǎn)生浮渣。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ577。6.2.2.2生物接觸氧化法適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的CODc濃度不大于2000mg/L的有機(jī)廢水、綜合廢水處理。進(jìn)水CODe濃度超過2000mgL時，需增加厭氧法預(yù)處理。該技術(shù)由接觸氧化池和沉淀池兩部分組成，可根據(jù)進(jìn)水水質(zhì)和處理效果選用一級或多級接觸氧化池。優(yōu)先選用高效填料，種類包括懸掛式、懸浮式和固定式等。進(jìn)水水溫宜控制在12℃~37℃.pH值宜為6～9,營養(yǎng)組合比(BOD:氨氮：磷)宜為100:5:1,氣水比參數(shù)宜通過試驗(yàn)確定。廢水中CODe的去除率為60%～90%。該技術(shù)耐沖擊負(fù)荷能力強(qiáng)、污泥產(chǎn)生量少，但濾料更換和維修困難工2設(shè)計(jì)和管理參見HD2009.6.2.2.3膜生物法(MBR)適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的Conoi度小于500mg/L,懸度物濃度小于150mg/L,氨氮濃度小于50mg/L的有機(jī)廢水、綜合膜生物處理系統(tǒng)宜設(shè)置通細(xì)格柵，按照污水的性質(zhì)和污染物濃度選擇膜生物法的工藝類，盒用的有浸沒式和外(分)置式。廢水中CoDc、懸浮物、氨氮的去除率分別為90%、99%、9%以，該技術(shù)操作簡便、處理效率高，但成本后，能耗高，易出現(xiàn)膜污染問題，工藝設(shè)計(jì)和管理事見Wzb1o.適用于電子工業(yè)好氣生物處理系統(tǒng)出水的深度處理。酶氣生物注地的容積負(fù)荷和水力負(fù)荷宜根據(jù)~試驗(yàn)資料確定，進(jìn)物的[不大于60mgL。宜采用氣水聯(lián)合反沖洗，反沖洗空氣強(qiáng)度0L2s~15L/m2s,反沖洗水4Φs~6L/m要求較高，反沖洗會出規(guī)結(jié)團(tuán)現(xiàn)象。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ2014.6.2.3.1缺氧-好氧法(A0)乙好氧池實(shí)現(xiàn)硝化。在缺氧池實(shí)現(xiàn)反8水力停留時間為10~16h。廢水中氨氮的去除率為但對高氨氮高磷廢水處理不徹底。工藝設(shè)計(jì)和管理參見HJ5766.2.3.2厭氧-缺氧-好氧法(A/0)適用于電子工業(yè)產(chǎn)生的經(jīng)預(yù)處理后的有機(jī)廢水、綜合廢水處理，該技術(shù)可用于二級或三級污水處理以及中水回用，具有良好的脫氮除磷效果。廢水中CODo、懸浮物的去除率為70%-90%,氨氮、總磷的去除率為90%,總氮的去除率為80%。污泥中磷含量較高，一般在2.5%以上。該技術(shù)工藝運(yùn)行穩(wěn)定、耐沖擊負(fù)荷能力強(qiáng)、污泥肥效高，但難以同時取得好的脫氮除磷效果。工藝設(shè)計(jì)和管理參見7環(huán)境與安全管理措施7.1環(huán)境與安全管理制度電子工業(yè)企業(yè)需按以下要求建立相應(yīng)環(huán)境與安全管理制度：a)根據(jù)HJ1031和HJ1253的要求嚴(yán)格執(zhí)行環(huán)境管理臺賬制度和自行監(jiān)b)開展環(huán)境與安全風(fēng)險分析，制定突發(fā)環(huán)境事件和生產(chǎn)安全事故應(yīng)急預(yù)定期開展應(yīng)急預(yù)案演習(xí)，完善風(fēng)險防控措施c)按要求安裝在線監(jiān)控設(shè)備，與生態(tài)環(huán)境主管部門的監(jiān)控設(shè)備聯(lián)網(wǎng)，并對在線監(jiān)控設(shè)備定期進(jìn)行保養(yǎng)、維護(hù)和校正，保證設(shè)備正常運(yùn)行d)建立健全安全風(fēng)險分級管控和隱山種查治理制度，制定安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程，如實(shí)記錄并形成檔案，檔案至少留存五年。定期7.2污染治理設(shè)施管理措施作業(yè)在濕區(qū)進(jìn)行濕區(qū)y定顏斜角度，確保度水廢液不停留，有效收集。b)廢水宜按不同水質(zhì)分收集、專管專送和分質(zhì)集中預(yù)處理，分質(zhì)分流管道設(shè)置需滿足c)電鍍廢水處理段施積廢水pH值、氧化還原電位(ORP)自動證節(jié)控制加藥：設(shè)施的運(yùn)行通過功能完善的中要掉制平臺控制，以全面記錄并實(shí)時反映運(yùn)行狀起.d)廠區(qū)清污分江分流，化學(xué)品儲罐區(qū)來取防泄漏措施，印制電路板企業(yè)廠區(qū)內(nèi)需設(shè)置容積滿足要求的水池。共他電子王業(yè)企業(yè)效勵設(shè)置初期雨水池0各污水處理池品嚴(yán)也接照防原、防海、防沉降的要求進(jìn)行設(shè)計(jì)、施上g)鼓勵園區(qū)外的電子業(yè)企業(yè)有序入園，廢水實(shí)施集中處理促進(jìn)應(yīng)水循環(huán)利用和污泥綜合利電子工業(yè)污水集中處理設(shè)來取以下管理措施a)園區(qū)入駐企業(yè)廢水高人正業(yè)污水集中處理設(shè)施的廢水證理工藝設(shè)計(jì)要求進(jìn)行分質(zhì)分流。屬廢水等宜單獨(dú)收集b)電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運(yùn)營單位宜對入臟企業(yè)分類收集的廢水設(shè)置廢水緩存罐，并采取pH計(jì)、電導(dǎo)率儀、流量計(jì)、液位計(jì)等監(jiān)控設(shè)施及時發(fā)現(xiàn)和杜絕園區(qū)入駐企業(yè)超進(jìn)水要求排放廢水c)鼓勵電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運(yùn)營單位建設(shè)污水再生利用設(shè)施和中水回用管網(wǎng)，鼓勵園區(qū)入駐企業(yè)開展中水回用。d)電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運(yùn)營單位需建設(shè)應(yīng)急事故池。應(yīng)急事故池的容積需綜合考慮發(fā)生事故時車間當(dāng)班設(shè)備的最大排水量、事故時消防用水量及可能進(jìn)入應(yīng)急事故池的降雨量。事故水需檢測分類后，進(jìn)入相應(yīng)處理單元。e)電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運(yùn)營單位宜建設(shè)集中的化工原材料供應(yīng)體系，并做好分類存儲、安全管理及供應(yīng)、銷售記錄。0電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施運(yùn)營單位需根據(jù)相關(guān)政策、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，通過簽訂具備法律效力的合同等形式，基于確保水污染物穩(wěn)定達(dá)標(biāo)排放的需要，明確與園區(qū)入駐企業(yè)的污染治理責(zé)任g)鼓勵園區(qū)入駐企業(yè)實(shí)施“一企一管”改造，并針對污染排放、污染治理設(shè)施運(yùn)行等情況建立一企一檔”8.1一般原則電子工業(yè)企業(yè)和電子工業(yè)污水年中處理設(shè)施可根據(jù)廢水養(yǎng)類、污染物類型、水質(zhì)特點(diǎn)，綜合考慮選用各類技術(shù)組合，達(dá)到GB397)的求。具體水污染防治可行技術(shù)分別見表7和表8。電子工業(yè)各子行業(yè)生產(chǎn)工莊水污染物種類和濃度差異明顯，宜采下列方法對不同類型的廢水進(jìn)行單獨(dú)收集，經(jīng)分質(zhì)預(yù)處理虛再溫合處理。電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施接納的電子工業(yè)企業(yè)廢水類型較多，分質(zhì)預(yù)處理技才為各類表水治理技術(shù)的組合。a)電鍍工序產(chǎn)生通含水宜單獨(dú)分流后采用或性氯化法、雙氧水氧化法、臭氧氧化法、電解法、離子交換去等積處理，并避免含鐵廢水、含鎳廢水混入。含能廢水含有鎳等重金屬污染物時，需通過被部理、使游離氰達(dá)到后端工藝進(jìn)水控制要求后，事進(jìn)入含重金屬廢水處理系統(tǒng)。b)電鍍、化學(xué)鍵銅平產(chǎn)生的含重金屬廢水、絡(luò)合銅廢水可分別采用化學(xué)沉淀法、芬頓氧化法預(yù)處理。c)堿性刻蝕工片產(chǎn)生南氨廢水官單獨(dú)分流后采用折點(diǎn)加氯法、MAP法預(yù)處理。d)濕法刻蝕工序產(chǎn)生合氧廢水、含磷廢水宜單獨(dú)分流，采用化學(xué)污定法預(yù)處理。e)顯影、剝離、清洗等產(chǎn)生的含氨廢水、有機(jī)廢水宜單獨(dú)分流，含氨廢水采用吹脫法預(yù)處f顯示器件產(chǎn)生的膜度本官年獨(dú)分流后采用化學(xué)沉淀法處理。g)清洗工序產(chǎn)生的的大來用酸堿中和法處理電子工業(yè)廢水經(jīng)分質(zhì)預(yù)處理店，與幸功全系統(tǒng)度水和日常維護(hù)工序廢水混合為綜合廢水，綜合廢水采用物化處理技術(shù)和生化處理技術(shù)的組合技術(shù)進(jìn)行處理根據(jù)廢水組分情況采取相應(yīng)的處理技術(shù)，并確保處理過程安全。a)在確保出水達(dá)標(biāo)排放和經(jīng)濟(jì)技術(shù)可行的