電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷 編制說(shuō)明

《電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷》征求意見(jiàn)稿編制說(shuō)明2一、工作簡(jiǎn)況2023年國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)下達(dá)了“2023年第四批推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃”號(hào)），《電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷》正式立項(xiàng)，計(jì)劃號(hào)：20232462-T-469，由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。為保證項(xiàng)目順利實(shí)施，全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)組織南大光電半導(dǎo)體材料有限公司、南大光電其它子公司等相關(guān)單位做了大量的前期調(diào)研及草案起草工作。本標(biāo)準(zhǔn)由TC203（全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)）歸口上報(bào)及執(zhí)行，主管部門為國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)。1.2工作過(guò)程的說(shuō)明1.2.1資料收集、初期調(diào)研、標(biāo)準(zhǔn)起草標(biāo)準(zhǔn)編制組成立后立即開(kāi)展了資料收集、初期調(diào)研等工作。編制組進(jìn)行了內(nèi)部討論，經(jīng)編制組內(nèi)部討論，于2024年4月初形成了《電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷》的標(biāo)準(zhǔn)草案及編制說(shuō)明。1.2.3研討會(huì)2024年5月在標(biāo)委會(huì)秘書(shū)處的組織下，電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)起草小組以及電子化學(xué)品領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)專家召開(kāi)標(biāo)準(zhǔn)研討及啟動(dòng)會(huì)，會(huì)上參會(huì)專家對(duì)《電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷》的標(biāo)準(zhǔn)草案及編制說(shuō)明進(jìn)行了研討，提出了修改意見(jiàn)和建議，會(huì)后編制組根據(jù)研討會(huì)專家意見(jiàn)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)草案和編制說(shuō)明進(jìn)行了修改，在2024年7月形成了《電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷》的征求意見(jiàn)稿及編制說(shuō)明。二國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定原則本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1－2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。積極采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)外先進(jìn)技術(shù)指標(biāo)，本著促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步，提高產(chǎn)品質(zhì)量；合理利用資源，提高經(jīng)濟(jì)效益的原則編寫(xiě)。三標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容本標(biāo)準(zhǔn)是在國(guó)內(nèi)高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及集成電路制造業(yè)的前提下，結(jié)合目前行業(yè)缺乏相應(yīng)電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷標(biāo)準(zhǔn)及測(cè)量方法的情況下，開(kāi)展電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷的痕量金屬離子檢測(cè)技術(shù)研究，通過(guò)對(duì)國(guó)外典型產(chǎn)品的指標(biāo)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證，并進(jìn)行整理分析，參照國(guó)內(nèi)外類似標(biāo)準(zhǔn)，綜合考量后確定各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)范圍，具備廣泛性、代表性和合理性。3.1技術(shù)要求3電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷產(chǎn)品的質(zhì)量應(yīng)符合表1的要求。表1技術(shù)要求≥≤55≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤114≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11≤11以元素雜質(zhì)占比計(jì)無(wú)機(jī)純度≥≤≤5555顆粒度指標(biāo)（Particle≥0.2u≤3.2檢驗(yàn)規(guī)則規(guī)定了批次定義及抽樣和合格判定標(biāo)準(zhǔn)等內(nèi)容。八甲基環(huán)四硅氧烷的采樣安全應(yīng)符合GB/T3723中對(duì)危險(xiǎn)物質(zhì)的具體規(guī)定，采樣方法方式則應(yīng)符合GB6680中采樣操作方法的相關(guān)規(guī)定。3.3試驗(yàn)方法對(duì)八甲基環(huán)四硅氧烷有機(jī)純度、無(wú)機(jī)純度、水份含量、元素雜質(zhì)含量、顆粒度含量和色度測(cè)試方法進(jìn)行了規(guī)定。3.4標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸及貯存的要求四與國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比情況標(biāo)準(zhǔn)起草小組搜集到相關(guān)的資料，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織（SEMI）制定的國(guó)際工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中并無(wú)該產(chǎn)品的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。五預(yù)期效果本標(biāo)準(zhǔn)適用于沉積SiO2、SiN、SiCN、SiOC等硅基膜的電子級(jí)八甲基環(huán)四硅氧烷，以其優(yōu)異的絕緣性和耐高溫性在半導(dǎo)體領(lǐng)域用作封裝、絕緣層和介電層等。本標(biāo)準(zhǔn)的頒布實(shí)施將為生產(chǎn)、使用、貿(mào)易三方提供了技術(shù)依據(jù)；制定的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義，能更好地引領(lǐng)中國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展，推動(dòng)行業(yè)整體水平的提高。六建議本標(biāo)準(zhǔn)是結(jié)合國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求變化和技術(shù)進(jìn)步而進(jìn)行的修訂；為生產(chǎn)、使用、貿(mào)易三方提供了基本的技術(shù)依據(jù)；建議作為推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。七與我國(guó)有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系該標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定與目前我國(guó)現(xiàn)行的法律法規(guī)、相關(guān)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)配套。本次國(guó)標(biāo)