碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構件純度測定方法 輝光放電質(zhì)譜法-征求意見稿

1碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構件純度測定方法輝光放電質(zhì)譜法試驗環(huán)境、儀器設備、試劑與材料、試樣、試驗步驟、試驗結果及試本文件適用于單個雜質(zhì)元素含量范圍為0.01mg/kg～5mg/kg的碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構件用加熱器、坩堝等石墨熱場部件，以及碳化硅外延生長用石墨基材的純度測定可參注：使用本文件時涉及強酸。在使用本文件前，使用者有責GB/T8170數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值GB/T25915.1潔凈室及相關受控環(huán)境第1部分：按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級碳的同素異形體中的一大類。石墨具有完整的六角環(huán)形片狀體疊合而成的層狀晶體結構。石墨構件graphitecompo注：本文件中的石墨構件專指在碳化硅單晶生長過a)試驗溫度：18℃~24℃;b)相對濕度：25%～70%；c)檢測區(qū)域潔凈度等級應符合GB/T25915.1規(guī)定的ISO7級或更高級機械加工設備，推薦使用小型車床、壓片機、磨拋機和鋸試劑與材料要求如下，其中化學試劑均要求電子級，純度至少e)氬氣：動力用氣純度（體積分數(shù)）≥99.999%，反應用氣純度（體積分數(shù)）≥99.999%；f)質(zhì)量校正參比試樣：推薦已知化學成分的黃銅合金材料；g)鉭刀：純度（質(zhì)量分數(shù)）≥99.999%；h)石墨標準物質(zhì)：用于獲得待測元素相對靈敏度因子。39.1.1質(zhì)量校正使用質(zhì)量校正參比試樣對輝光放電質(zhì)譜儀進行精確質(zhì)量校正，確定質(zhì)量9.1.2檢測器交叉校正a)試樣制備完成后，應迅速裝載到輝光放電離子源中。b)設置預濺射條件并開啟輝光放電，預濺射至少5min，以便W(X)=(RSF(X?C)×A(Ci)×I(Xj)×W(C))/(A(Xj)×I(Ci))·····w(X)——試樣中被測元素X的質(zhì)量分數(shù)，單位為毫克每千克（mg/kgw(C)——基體元素C的質(zhì)量分數(shù)，定為1.0×106，單位為毫克每千克（mg/kgA(Xj)——被測元素X的j同位素豐度；A(Ci)——基體元素C的i同位素豐度；I(Xj)——被測元素X的j同位素譜峰強度，單位為每秒計數(shù)（cpsI(Ci)——基體元素C的i同位素譜峰強度，單位為每秒計數(shù)（cpsRSF(X/C)——在特定輝光放電條件下測定的C4 "純度——試樣中被測元素質(zhì)量分數(shù)之和，單位為毫克每千克（mg/kg）。W總=Σ[W(X)] "總——試樣純度，單位為百分數(shù)（%）。數(shù)值保留2位有效數(shù)值；試樣純度結果保留小數(shù)點后6位。數(shù)值修約按GB/T5A.1元素同位素及分辨率79BCFYPSKWVITlU注1：中分辨率可達3000～4000，高分辨率可達9000[1]GB/T32651采用高質(zhì)量分辨率輝光放電質(zhì)譜[2]ISO/TS15338-2020表面化學分析輝光放電質(zhì)譜法操作規(guī)程