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交、直流架空線路用長(zhǎng)棒形瓷絕緣子串國(guó)家能源局發(fā)布I Ⅱ1范圍 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語(yǔ)和定義 4一般技術(shù)要求 5選擇原則 36驗(yàn)收 4 48運(yùn)行維護(hù) 4附錄A(資料性附錄)常用長(zhǎng)棒形瓷絕緣子元件特性值 6附錄B(規(guī)范性附錄)引弧裝置參數(shù)及安裝樣式 8附錄C(規(guī)范性附錄)長(zhǎng)棒形瓷絕緣子外絕緣選擇方法 附錄D(資料性附錄)典型直流工程線路耐張串絕緣子絕緣配置 本標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)GB/T1.1—2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫》給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)由電力行業(yè)絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(D本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、國(guó)網(wǎng)江蘇省電力公司電力科學(xué)研究院、國(guó)網(wǎng)電網(wǎng)公司運(yùn)行分公司、國(guó)網(wǎng)浙江省電力公司、中國(guó)電力工程顧問(wèn)集團(tuán)公司中南電力設(shè)計(jì)院有限公司、蘇州電瓷廠股份有限公司、比彼西(無(wú)錫)絕緣子有限公司、國(guó)網(wǎng)上海市電力公司電力科學(xué)研究院、國(guó)本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李慶峰、吳光亞、劉洋、葉廷路、高嵩、張銳、龔堅(jiān)剛、趙全江、陸洲、本標(biāo)準(zhǔn)在執(zhí)行過(guò)程的意見或建議反饋至中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化管理中心(北京市白廣路二條1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了交、直流架空線路用長(zhǎng)棒形瓷絕緣子元件的一般技術(shù)要GB/T311.1絕緣配合第1部分:定義、原則和規(guī)則GB/T1001.1標(biāo)稱電壓高于1000V的架空線路絕緣子第1部分:交流系統(tǒng)用瓷或玻璃絕緣子元GB/T2900.8電工術(shù)語(yǔ)絕緣子GB/T16927.1高電壓試驗(yàn)技術(shù)第1部分:一般定義及試驗(yàn)要求GB/T26218.1污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則4一般技術(shù)要求2 ——金屬附件的連接形式4.2元件特性及參數(shù)元件特性及參數(shù)應(yīng)滿足GB/T26874、GB/T26218.2和GB/T1001.1的規(guī)定。常規(guī)型號(hào)的絕緣子元件特性參數(shù)參見附錄A。4.3槽型連接和球窩連接元件示意圖圖1和圖2分別給出了槽型連接和球窩連接絕緣子元件的示意圖。L圖1槽型連接長(zhǎng)棒形絕緣子示意圖L圖2球窩連接長(zhǎng)棒形絕緣子示意圖35.1一般原則在新、擴(kuò)建線路工程中,宜優(yōu)先選擇技術(shù)成熟、工藝先進(jìn)、質(zhì)量可靠、有運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)的產(chǎn)品。新產(chǎn)品批量使用前,試運(yùn)行時(shí)間不得少于1年。輕度以下污穢地區(qū)可選擇標(biāo)準(zhǔn)等徑傘形絕緣子,輕度污穢及以上污穢地區(qū)宜采用大小交替?zhèn)阈谓^緣子,傘形及參數(shù)應(yīng)符合GB/T26218.2的規(guī)定。每個(gè)絕緣子元件兩端均應(yīng)裝有引弧裝置,220kV及以上絕緣子元件應(yīng)采用環(huán)形引弧裝置,引弧裝置參數(shù)及安裝樣式見附錄B。220kV及以上絕緣子串高壓絕緣子的機(jī)械強(qiáng)度應(yīng)與輸電線路設(shè)計(jì)和運(yùn)行要求相適應(yīng),應(yīng)從下列等級(jí)中選?。?00(120)kN、絕緣子串可選擇相同結(jié)構(gòu)高度和爬電距離的元件,也可選擇不同結(jié)構(gòu)高度和不同爬電距離的元件a)絕緣水平應(yīng)滿足GB/T311.1的規(guī)定。b)采用污耐壓法對(duì)污穢外絕緣進(jìn)行配置。在未獲得污耐壓曲線的情況下,可通過(guò)爬電比距法進(jìn)行配置。爬電比距法應(yīng)考慮爬電距離有效系數(shù)k。外絕緣選擇方法見附錄C。c)運(yùn)行環(huán)境超過(guò)海拔1000m時(shí),其外絕緣應(yīng)根據(jù)GB/T311.1和DL/T368的規(guī)定進(jìn)行海拔修正。對(duì)于交流330kV、直流±400kV及以上電壓等級(jí)的絕緣子串,當(dāng)用戶需要時(shí),可進(jìn)行表1中的補(bǔ)試驗(yàn)項(xiàng)目電暈熄滅電壓應(yīng)高于1.1倍的最高運(yùn)行電壓在1.1倍的最高運(yùn)行電壓下,絕緣子串的3串46驗(yàn)收a)出廠合格證、本批產(chǎn)品的抽樣試驗(yàn)報(bào)告和出廠試驗(yàn)報(bào)告。交流330kV、直流±400kV及以上電b)裝箱單與附件的一致性。當(dāng)用戶對(duì)制造廠的定型試驗(yàn)報(bào)告、技術(shù)文件及對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量有異議時(shí),可要求按GB/T1001.1重新進(jìn)b)引弧裝置和均壓裝置不應(yīng)有影響使用的變形、鋅層破損等缺陷。a)應(yīng)正確安裝引弧裝置。引弧裝置的放電球應(yīng)對(duì)齊并保持在同一直線上,放電球與軸線的最大偏a)吊裝過(guò)程中,不應(yīng)將絕緣子作為吊點(diǎn)使用,應(yīng)避免絕緣子間或絕緣子與鐵塔發(fā)生碰撞。b)球窩連接的絕緣子元件完成連接后,應(yīng)確認(rèn)鎖緊銷是否到位。c)槽形連接的絕緣子元件完成連接后,應(yīng)確認(rèn)開口銷是否末端彎折到位。d)絕緣子串采用有限位功能的雙腳球連接件時(shí),機(jī)械放線施工期間,球窩的窩口方向應(yīng)與導(dǎo)線牽巡視周期應(yīng)按DL/T741執(zhí)行。巡視時(shí)應(yīng)對(duì)如下情形進(jìn)行檢查:5為進(jìn)一步積累運(yùn)行經(jīng)驗(yàn),絕緣子運(yùn)行10年后,可每隔2年對(duì)所選擇6雷電電壓受電壓1min耐受電壓(濕)負(fù)荷最大公D公稱結(jié)構(gòu)高度L公稱結(jié)構(gòu)高度L連接代碼1代碼27雷電電壓受電壓1min耐受電壓(濕)負(fù)荷最大公D公稱結(jié)構(gòu)高度L公稱結(jié)構(gòu)高度L代碼1代碼3直流線路工程必要時(shí)應(yīng)按要求在鐵帽口增加鋅8(規(guī)范性附錄)引弧裝置參數(shù)及安裝樣式B.1引弧裝置參數(shù)絕緣子引弧裝置的主要參數(shù)見表B.1。安裝在鐵帽上的引弧裝置樣式結(jié)構(gòu)如圖B.1所示。DDφ?qǐng)DB.1安裝在鐵帽上的引弧裝置樣式結(jié)構(gòu)示意圖安裝在連接件上的引弧裝置樣式結(jié)構(gòu)見圖B.2。圖B.2安裝在連接件上的引弧裝置樣式結(jié)構(gòu)示意圖9(規(guī)范性附錄)長(zhǎng)棒形瓷絕緣子外絕緣選擇方法C.1污耐受電壓法a)確定所在地區(qū)長(zhǎng)棒形瓷絕緣子串絕緣子表面的現(xiàn)場(chǎng)污穢度(等值鹽密和灰密值),確定等價(jià)于自然污穢等值鹽密值的人工污穢試驗(yàn)使用的鹽密(有效鹽密);或利用污耐壓法所用試驗(yàn)鹽密取值應(yīng)按GB/T26218.1選擇參照盤形懸式絕緣子U160B,根據(jù)所在地區(qū)電網(wǎng)的污區(qū)分布圖確定污穢等級(jí),最后按照長(zhǎng)棒形瓷絕緣子積污系數(shù)計(jì)算得到試驗(yàn)鹽密SDD,交流試驗(yàn)鹽密值與灰密值之比為1:5,直流試驗(yàn)鹽密值與灰密值之比為1:6。b)在試驗(yàn)鹽密和灰密下進(jìn)行各類設(shè)備的人工污穢試驗(yàn),確定其50%污閃電壓,試驗(yàn)盡可能在滿足c)根據(jù)所在地區(qū)絕緣子上下表面的污穢分布情況,對(duì)其50%污閃電壓進(jìn)行修正。d)確定絕緣子的霧中耐受電壓,應(yīng)采用升降法獲取50%污閃電壓,該值通??扇?0%污閃電壓減去3倍的標(biāo)準(zhǔn)偏差。e)根據(jù)絕緣子安裝情況進(jìn)行耐受電壓修正(如絕緣子串型、并聯(lián)串?dāng)?shù)及區(qū)段閃絡(luò)概率等)。f)由于絕緣設(shè)計(jì)中的諸多不確定因素及不同試驗(yàn)室人工污穢試驗(yàn)結(jié)果的分散性,在最終確定設(shè)計(jì)爬電比距時(shí)應(yīng)留有適當(dāng)裕度;裕度可在上述各步驟中綜合考慮。C.2爬電比距法a)爬電距離的有效系數(shù)k值的估算方法。絕緣子的污穢閃絡(luò)放電與結(jié)構(gòu)造型及自然積污量有關(guān)。爬電距離的有效系數(shù)k應(yīng)該既反映放電發(fā)展時(shí)爬電距離長(zhǎng)度利用的有效性,又能反映絕緣子在運(yùn)行條件下的積污性能。爬電距離有效系數(shù)k綜合反映了絕緣子積污特性和污閃特性。絕緣子爬電距離的有效系數(shù)k,可根據(jù)各地區(qū)的長(zhǎng)期運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)來(lái)確定,也可采用相當(dāng)于在相同的自然條件下,在相同的積污時(shí)間內(nèi)被試絕緣子和參照絕緣子的積污鹽密值的人工污閃電壓梯k=Eei/Ec?當(dāng)參照絕緣子為雙傘形瓷絕緣子時(shí),爬電距離有效系數(shù)k推薦值如下:1)600mm≤常年降水量<1000mm地區(qū)k取0.9;b)統(tǒng)一爬電比距的修正。由于長(zhǎng)棒形瓷絕緣子與盤形瓷絕緣子的同期積污量存在差異,其統(tǒng)一爬電比距應(yīng)按式(C.2)進(jìn)行修正。USCD?——參照絕緣子的統(tǒng)一爬電比距;污穢等級(jí)使用支串長(zhǎng)使用地區(qū)±400kV格爾木一56±500kV呼倫貝爾一7內(nèi)蒙
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