DL∕T 1000.2-2015 標(biāo)稱(chēng)電壓高于1000V架空線路用絕緣子使用導(dǎo)則 第2部分直流系統(tǒng)用瓷或玻璃絕緣子

備案號(hào)：50769-2015代替DL/T1000.2—2006標(biāo)稱(chēng)電壓高于1000V架空線路用絕緣子第2部分：直流系統(tǒng)用瓷或玻璃絕緣子國(guó)家能源局發(fā)布 Ⅱ 1 13術(shù)語(yǔ)和定義 14一般技術(shù)要求 1 26檢驗(yàn) 37驗(yàn)收 5 69安裝 6 6附錄A(規(guī)范性附錄)絕緣子串機(jī)械振動(dòng)試驗(yàn)方法 9附錄B(規(guī)范性附錄)打擊負(fù)荷試驗(yàn) I本部分為DL/T1000的第2部分。本部分代替DL/T1000.2—2006《標(biāo)稱(chēng)GB311.1絕緣配合第1部分：定義、原則和規(guī)則GB/T772高壓絕緣子瓷件技術(shù)條件GB/T775.3絕緣子試驗(yàn)方法第3部分：機(jī)械試驗(yàn)方法GB/T16927.1高電壓試驗(yàn)技術(shù)第1部分：一般GB/T2900.5電工術(shù)語(yǔ)絕緣固體、液體和氣體GB/T2900.8電工術(shù)語(yǔ)絕緣子24.6絕緣子的劣化率(自爆率)絕緣子在投運(yùn)2年內(nèi)年均劣化率(自爆率)不大于0.04%,2年后檢測(cè)周期內(nèi)年均劣化率(自爆率)不大于0.02%,或年劣化率(自爆率)不大于0.1%。g)優(yōu)先選擇劣化(自爆)率低的絕緣子。3爬電距離的有效系數(shù)K應(yīng)通過(guò)自然污穢試驗(yàn)和人工污穢試驗(yàn)確定。K值確定的方法按GB/T試驗(yàn)項(xiàng)目接收準(zhǔn)則5只5只3只10000只時(shí)，應(yīng)將其分成由2000到10000能獨(dú)立評(píng)價(jià)的批。N樣本大小21243484864表3絕緣子抽樣試驗(yàn)項(xiàng)目1GB/T19443—2004第23章23456機(jī)電破壞負(fù)荷試驗(yàn)(瓷絕緣子)7機(jī)械破壞負(fù)荷試驗(yàn)(玻璃絕緣子)89熱震試驗(yàn)(玻璃絕緣子)孔隙性試驗(yàn)(瓷絕緣子)表4規(guī)定。2次抽樣試驗(yàn)類(lèi)型重復(fù)試驗(yàn)程序和接收判據(jù)2次計(jì)量抽樣第一次試驗(yàn)時(shí)：當(dāng)試品數(shù)n≥8時(shí)：2≤Q[=(X-R)/s]<3允許加倍重復(fù)試驗(yàn)一次；接受常數(shù)Q<2拒收。當(dāng)n≤6時(shí)：1.5≤Q<2允許加倍重復(fù)試驗(yàn)一次，接受常數(shù)Q<1.5拒收；2次計(jì)件抽樣19443—2004進(jìn)行重復(fù)試驗(yàn)5c)劣化(自爆)率超出本部分4.6規(guī)定；12機(jī)電破壞負(fù)荷試驗(yàn)(瓷絕緣子)3機(jī)械破壞負(fù)荷試驗(yàn)(玻璃絕緣子)456熱震試驗(yàn)(玻璃絕緣子)7孔隙性試驗(yàn)(瓷絕緣子)不低于額定機(jī)電(機(jī)械)負(fù)荷；67d)鋼腳或鐵帽發(fā)生腐蝕(見(jiàn)表6);繼續(xù)運(yùn)行鐵帽繼續(xù)運(yùn)行8電壓等級(jí)累計(jì)劣化絕緣子片數(shù)9799(規(guī)范性附錄)A.2試驗(yàn)布置導(dǎo)線跨距應(yīng)大于30m,其中后檔距不少于10m。懸垂串振動(dòng)和耐張串振動(dòng)試驗(yàn)布置圖如圖A.1、A.3試驗(yàn)程序電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)稱(chēng)電壓高于