SiC MOSFET動態(tài)反偏(DRB)試驗方法-征求意見稿_第1頁
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1碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiCMOSFET）動態(tài)柵偏試驗方法GB/T4586-1994半導體器件分立器件第8部分：場效應3.1DRB3.2漏源電壓上升速率risingrat3.3開態(tài)柵極電壓on-stategatesour3.4關態(tài)柵極電壓off-sategate3.5最大柵極電壓maximumgateso3.6推薦最小柵極電壓recommenedminimumgate快速開通和關斷，柵極電壓保持不變。主動模式漏源電壓和柵源電壓均重復開通和關斷，圖2中DUT1為VGSDGSVDSDGDDGDDUT2GVDSSGVDSSDUT1VGS該試驗方法通過對樣品施加動態(tài)反偏電壓應力來評估器件的退化，試驗流終點測量終點測量3中間測量開始中間測量開始選擇樣品測量初始值施加動態(tài)反偏應力（實時監(jiān)測漏電流）撤除動態(tài)反偏應力5.2樣品選擇5.3初始值測量壓VBR、漏源極導通電阻RDS(on)、體二極管正向壓降VF。推薦按照表1的試驗條件進行動態(tài)反偏試驗，根據(jù)產品的要求，其他試驗條件是可以接受的，可根據(jù)實際應用條件或最佳實踐進行調整，需在產品的詳細規(guī)范中指明試驗漏源電壓(VDS)VDS≥0.8VDS.maxdVDS?dt柵源電壓(VGS)方法1：被動模式：保持恒定，VGS=VGS.min.recom方法2：主動模式：開關切換，VGS.off=VGS.min.recom，VGS.on=VGS.max注1：最大過沖不大于15%VDS.max。5.5應力波形在樣品上施加電壓和溫度應力。圖4和圖5分別顯示了被動模式和主動模式條件下的VGS和VDS電壓薦最小負柵壓與最大柵壓之間切換。漏源極電壓變化速率應不小于50V/ns（105VBR、漏源極導通電阻RDS(on)、體二極管正向壓降Vr。測試應按照產品的詳細規(guī)范進行。中間測量或終點測量應在器件從規(guī)定試驗條件下移出后的96h內完成，閾值電壓VGS(th)應在移出后的10h內完成，測RDS(on)）；VrVGS(th)）；IDSSIGSS選□主動模式VGS.off=VGS.on=漏源電壓VDS(V)dVDS?dt上升沿：v?ns下降沿：v?nsdVGS?dt（主動模式）上升沿：v?ns下降沿：v?ns上沖：%VDS.max下沖：%VDS.max預處理脈沖電壓：V預處理脈沖時間：RDS(on)(mΩ)VGS(th)(V)123…[1]AEC-Q101Fail[3]IEC60747-8-2010半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管（Semicon

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