物理學(xué)：半導(dǎo)體材料考試答案三

物理學(xué)：半導(dǎo)體材料考試答案三1、問(wèn)答題

X射線衍射與光反射的區(qū)別？正確答案：光反射光在兩種物質(zhì)分界面上改變傳播方向又返回原來(lái)物質(zhì)中的現(xiàn)象，叫做光的反射。X射線的衍射X射線是一種波長(zhǎng)很短（約為20～0.06埃）的（江南博哥）電磁波，能穿透一定厚度的物質(zhì)，并能使熒光物質(zhì)發(fā)光、照相乳膠感光、氣體電離。在用高能電子束轟擊金屬“靶”材產(chǎn)生X射線，它具有與靶中元素相對(duì)應(yīng)的特定波長(zhǎng)，稱(chēng)為特征（或標(biāo)識(shí)）X射線。2、問(wèn)答題

砷化鎵相對(duì)于硅的優(yōu)點(diǎn)是什么？正確答案：砷化鎵具有比硅更高的電子遷移率，因此多數(shù)載流子也移動(dòng)得比硅中的更快。砷化鎵也有減小寄生電容和信號(hào)損耗的特性。這些特性使得集成電路的速度比由硅制成的電路更快。GaAs器件增進(jìn)的信號(hào)速度允許它們?cè)谕ㄐ畔到y(tǒng)中響應(yīng)高頻微波信號(hào)并精確地把它們轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。硅基半導(dǎo)體速度太慢以至于不能響應(yīng)微波頻率。砷化鎵的材料電阻率更大，這使得砷化鎵襯底上制造的半導(dǎo)體器件之間很容易實(shí)現(xiàn)隔離，不會(huì)產(chǎn)生電學(xué)性能的損失。3、問(wèn)答題

X射線的衍射和可見(jiàn)光的反射有什莫不同？正確答案：1x射線的衍射僅有一定數(shù)量的入射角能引起衍射，而可見(jiàn)光可在任意的入射角反射2x射線被晶體的原子平面衍射時(shí)，晶體表面，晶體內(nèi)原子平面都參與衍射作用，而可見(jiàn)光僅在物體表面產(chǎn)生反射。4、單選

參雜硼元素的半導(dǎo)體是（）.A.p型半導(dǎo)體B.本征半導(dǎo)體C.N型半導(dǎo)體D.pn結(jié)正確答案：A5、問(wèn)答題

描述熱氧化過(guò)程。正確答案：①干氧：Si＋O2SiO2氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、重復(fù)性好，與光刻膠的粘附性好②水汽氧化：Si+H2OSiO2（固）+H2（氣）氧化速度快，氧化層疏松，均勻性差，與光刻膠的粘附性差③濕氧：氧氣攜帶水汽，故既有Si與氧氣反應(yīng)，又有與水汽反應(yīng)氧化速度、氧化質(zhì)量介于以上兩種方法之間6、填空題

半導(dǎo)體材料的電阻率與（），以及載流子遷移率有關(guān)。正確答案：載流子的濃度7、問(wèn)答題

例舉并描述6種不同的塑料封裝形式。陶瓷封裝的兩種主要封裝方法是什么？正確答案：6種不同的塑料封裝形式：（1）雙列直插封裝（DIP）：典型有兩列插孔式管腳向下彎，穿過(guò)電路板上的孔。（2）單列直插封裝（SIP）：是DIP的替代品，用以減小集成電路組件本體所占據(jù)電路板的空間。（3）薄小型封裝（TSOP）：廣泛用于存儲(chǔ)器和智能卡具有鷗翼型表面貼裝技術(shù)的管腳沿兩邊粘貼在電路板上相應(yīng)的壓點(diǎn)。（4）西邊形扁平封裝（QFP）：是一種在外殼四邊都有高密度分布的管腳表面貼裝組件。（5）具有J性管腳的塑封電極芯片載體（PLCC.（6）無(wú)引線芯片載體（LCC.：是一種電極被管殼周?chē)饋?lái)以保持低刨面的封裝形式8、問(wèn)答題

缺陷顯示的意義？正確答案：顯示漩渦缺陷，檢測(cè)體層錯(cuò)，位錯(cuò)，晶體原有的滑移，摻雜劑或雜志濃度周期性變化形成的電阻率條紋等。9、問(wèn)答題

解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？正確答案：光刻膠顯影是指用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區(qū)域，其主要目的是把掩膜版圖形準(zhǔn)確復(fù)制到光刻膠中。10、問(wèn)答題

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。正確答案：多晶硅等離子刻蝕用的化學(xué)氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體?？涛g多晶硅的三步工藝：1.預(yù)刻蝕，用于去除自然氧化層、硬的掩蔽層和表面污染物來(lái)獲得均勻的刻蝕。2.接下來(lái)的是刻至終點(diǎn)的主刻蝕。這一步用來(lái)刻蝕掉大部分的多晶硅膜，并不損傷柵氧化層和獲得理想的各向異性的側(cè)壁剖面。3.最后一步是過(guò)刻蝕，用于去除刻蝕殘留和剩余多晶硅，并保證對(duì)柵氧化層的高選擇比。這一步應(yīng)避免在多晶硅周?chē)臇叛趸瘜有纬晌⒉邸?1、單選

在晶體凝固過(guò)程中，存在溫度梯度的是（）.A.上部和邊緣部分B.中部和邊緣部分C.上部和底部D.底部和邊緣部分正確答案：B12、填空題

目前測(cè)定硅單晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。正確答案：紅外吸13、名詞解釋

互連正確答案：由導(dǎo)電材料，如鋁、多晶硅和銅制成的連線將電信號(hào)傳輸?shù)叫酒牟煌糠帧；ミB也被用于芯片上器件和器件整個(gè)封裝之間的金屬連接。14、問(wèn)答題

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。正確答案：汞燈，高壓汞燈，電流通過(guò)裝有氙汞氣體的管子產(chǎn)生電弧放電，這個(gè)電弧發(fā)射出一個(gè)特征光譜，包括240納米到500納米之間有用的紫外輻射準(zhǔn)分子激光，準(zhǔn)分子是不穩(wěn)定分子是有惰性氣體原子和鹵素構(gòu)成只存在與準(zhǔn)穩(wěn)定激發(fā)態(tài)。15、問(wèn)答題

金相顯微鏡的構(gòu)成？正確答案：由光字系統(tǒng)，照明系統(tǒng)，機(jī)械系統(tǒng)三部分組成。16、問(wèn)答題

說(shuō)明水汽氧化的化學(xué)反應(yīng)，水汽氧化與干氧氧化相比速度是快還是慢？為什么？正確答案：化學(xué)反應(yīng)：Si+2H2O->SiO2+2H2水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因?yàn)樗魵獗妊鯕庠诙趸柚袛U(kuò)散更快、溶解度更高。17、單選

下列不屬于非晶硅優(yōu)點(diǎn)的是（）.A.制備方法簡(jiǎn)單B.工藝成本低C.制備溫度高D.可大面積制備正確答案：C18、問(wèn)答題

冷熱探筆法測(cè)試硅單晶的原理是什么？正確答案：溫差電動(dòng)勢(shì)法，溫差電流法.19、問(wèn)答題

將圓柱形的單晶硅錠制備成硅片需要哪些工藝流程？正確答案：整形處理，切片，磨片和倒角，刻蝕，拋光，清洗，硅片評(píng)估，包裝。20、單選

通過(guò)（）改變驅(qū)動(dòng)力場(chǎng)，借以控制生長(zhǎng)系統(tǒng)中的成核率，這是晶體生長(zhǎng)工藝中經(jīng)常使用的方法。A、溫度場(chǎng)B、磁場(chǎng)C、重力場(chǎng)D、電場(chǎng)正確答案：A21、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述光圖定向的基本原理。正確答案：當(dāng)平行光入射到處理后的硅單晶上，形成反射再次反射光路上放置一光屏，先出晶體的光像。根據(jù)晶體反射光像的對(duì)稱(chēng)性以及光圖中心的偏離角，可以確定晶體的生長(zhǎng)方向和晶體的晶向偏離角度。22、問(wèn)答題

什么是無(wú)源元件？例舉出兩個(gè)無(wú)源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個(gè)有源元件的例子。正確答案：無(wú)源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。這些元件無(wú)論如何和電源相連，都可以傳輸電流。如電阻，電容。有源元件：內(nèi)部有電源存在，不需要能量的來(lái)源而實(shí)行它特定的功能，而且可以控制電流方向，可放大信號(hào)。如二極管，晶體管。23、單選

下列不屬于三氯氫硅性質(zhì)的是（）。A、無(wú)色透明B、易燃易爆C、不易揮發(fā)和水解D、有刺激性氣味本題答案：C24、問(wèn)答題

簡(jiǎn)述懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)硅多晶中硼、磷含量的原理.正確答案：利用硅熔體中雜質(zhì)的分凝效應(yīng)和蒸發(fā)效應(yīng)，在真空條件下，在硅棒上建立一個(gè)熔區(qū)，熔區(qū)溫度為1410℃，并使之從一端移至另一端，以達(dá)到提純和控制雜質(zhì)的目的。25、問(wèn)答題

從微觀上看，漩渦缺陷與錯(cuò)位缺陷有什么區(qū)別？正確答案：漩渦缺陷：微觀上漩渦條紋由大量的淺蝕坑組成。是條紋處出現(xiàn)密集的平底淺坑單晶或腐蝕小丘單晶。位錯(cuò)缺陷：它屬于線缺陷，一般稱(chēng)為位錯(cuò)線。位錯(cuò)線有一定的長(zhǎng)度，它的兩端必須終止與晶體的表面上，也可以頭尾自己相接構(gòu)成位錯(cuò)環(huán)。26、問(wèn)答題

硅片關(guān)鍵尺寸測(cè)量的主要工具是什么？正確答案：硅片關(guān)鍵尺寸測(cè)量的主要工具是掃描電子顯微鏡（SEM），它能放大10萬(wàn)到30萬(wàn)倍，這明顯高于光學(xué)顯微鏡，用掃描電子顯微鏡觀測(cè)硅片的橫截面部分能提供缺陷的信息，常與其他分析技術(shù)結(jié)合使用，如EDX或FIB。27、問(wèn)答題

例舉得到半導(dǎo)體級(jí)硅的三個(gè)步驟。半導(dǎo)體級(jí)硅的純度能達(dá)到多少？正確答案：第一步：用碳加熱硅石來(lái)制備冶金級(jí)硅第二步：通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將冶金級(jí)硅提純以生成三氯硅烷第三步：利用西門(mén)子方法，通過(guò)三氯硅烷和氫氣反應(yīng)來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體級(jí)硅純度能達(dá)到99.99999999%28、單選

光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。A．簡(jiǎn)單較大B．復(fù)雜較大C．簡(jiǎn)單較小D．復(fù)雜較小正確答案：A29、問(wèn)答題

什么是外延層？為什么硅片上要使用外延層？正確答案：外延層是指在硅的外延中以硅基片為籽晶生長(zhǎng)一薄膜層，新的外延層會(huì)復(fù)制硅片的晶體結(jié)構(gòu)，并且結(jié)構(gòu)比原硅片更加規(guī)則。外延為器件設(shè)計(jì)者在優(yōu)化器件性能方面提供了很大的靈活性，例如可以控制外延層摻雜厚度、濃度、輪廓，而這些因素與硅片襯底無(wú)關(guān)的，這種控制可以通過(guò)外延生長(zhǎng)過(guò)程中的摻雜來(lái)實(shí)現(xiàn)。外延層還可以減少CMOS器件中的閂鎖效應(yīng)。30、問(wèn)答題

二氧化硅薄膜在集成電路中具有怎樣的應(yīng)用？正確答案：①器件保護(hù)（避免劃傷和污染），因sio2致密；②表面鈍化（飽和懸掛鍵，降低界面態(tài)；需一定厚度，降低漏電流等）；③用作絕緣介質(zhì)和隔離（LOCOS，STI）如：隔離（如場(chǎng)氧，需要一定的厚度）、④絕緣柵（膜厚均勻，無(wú)電荷和雜質(zhì)，需干氧氧化）、多層布線絕緣層、電容介質(zhì)等；⑤選擇性擴(kuò)散摻雜的掩膜31、單選

列多晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.A.加熱B.化料C.晶體生長(zhǎng)D.冷卻正確答案：B32、單選

如果半導(dǎo)體中存在多種雜質(zhì)，在通常情況下，可以認(rèn)為基本上屬于雜質(zhì)飽和電離范圍，其電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系可近似表示為（）.A.1/（NA-ND.eｕpB.1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.eD.1/（NA+ND.eｕp正確答案：A33、單選

當(dāng)晶體生長(zhǎng)的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.A.上升B.下降C.不變D.不確定正確答案：A34、問(wèn)答題

解釋掃描投影光刻機(jī)是怎樣工作的？掃描投影光刻機(jī)努力解決什么問(wèn)題？正確答案：掃描投影光刻機(jī)的概念是利用反射鏡系統(tǒng)把有1：1圖像的整個(gè)掩膜圖形投影到硅片表面，其原理是，紫外光線通過(guò)一個(gè)狹縫聚焦在硅片上，能夠獲得均勻的光源，掩膜版和帶膠硅片被放置在掃描架上，并且一致的通過(guò)窄紫外光束對(duì)硅片上的光刻膠曝光由于發(fā)生掃描運(yùn)動(dòng)，掩膜版圖像最終被光刻在硅片表面。掃描光刻機(jī)主要挑戰(zhàn)是制造良好的包括硅片上所有芯片的一倍掩膜版。35、單選

制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.A.汽-固B.液-固C.固-固D.汽-液正確答案：A36、問(wèn)答題

x射線性質(zhì)都有哪些？正確答案：感光作用，熒光作用，電離作用，穿透能力強(qiáng)。x射線的折射率近視于1，衍射作用。37、問(wèn)答題

什么是印刷電路板？正確答案：印刷電路板（PCB.又稱(chēng)為底板或載體，用焊料將載有芯片的集成電路塊粘貼在板上的電路互連，同時(shí)使用連接作為其余產(chǎn)品的電子子系統(tǒng)的接口。38、問(wèn)答題

例舉在線參數(shù)測(cè)試的4個(gè)主要子系統(tǒng)。正確答案：在線參數(shù)測(cè)試的4個(gè)主要子系統(tǒng)為：（1）探針卡接口：是自動(dòng)測(cè)試儀與待測(cè)器件之間的接口。（2）硅片定位：為測(cè)試硅片，首先要確與探針接觸的硅片的探針儀位置。（3）測(cè)試儀器：高級(jí)集成電路需要能夠在測(cè)試結(jié)構(gòu)上快速、準(zhǔn)確、重復(fù)地測(cè)量亞微安級(jí)電流和微法級(jí)電容的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，它控制測(cè)試過(guò)程（4）作為網(wǎng)絡(luò)主機(jī)或客戶(hù)機(jī)的計(jì)算機(jī)：指導(dǎo)測(cè)試系統(tǒng)操作的計(jì)算機(jī)包括測(cè)試軟件算法、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備、用于硅片定位的探查控制軟件、測(cè)試數(shù)據(jù)的保存和控制、系統(tǒng)校準(zhǔn)和故障診斷。39、問(wèn)答題

解釋投射電子能顯微鏡。正確答案：TEM把加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的電子碰撞而電子與樣品中的原子的碰撞而改變方向，從而產(chǎn)生立體角散射，散射角的大小與樣品的密度、厚度有關(guān)，因此可以形成明暗不同的影像。TEM是惟一定量測(cè)量硅片上一些非常小特征尺寸的測(cè)量工具。40、問(wèn)答題

晶半導(dǎo)體中的缺陷都有哪些？正確答案：微觀缺陷：點(diǎn)缺陷，殘缺陷，雜志缺陷。宏觀缺陷：小角度晶界和系屬結(jié)構(gòu)，位錯(cuò)排與星形結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)析出與夾雜物。41、填空題

當(dāng)任何一種高速運(yùn)動(dòng)的（）與一塊金屬物質(zhì)相撞時(shí)，都會(huì)產(chǎn)生X射線。正確答案：帶電粒子42、單選

下列不屬于工業(yè)吸附要求的是（）。A.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，耐熱沖擊，耐腐蝕C.不易得，昂貴D.容易再生正確答案：C43、問(wèn)答題

例舉硅片制造廠房中的7種玷污源。正確答案：硅片制造廠房中的七中沾污源：（1）空氣：凈化級(jí)別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級(jí)別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的；（2）人：人是顆粒的產(chǎn)生者，人員持續(xù)不斷的進(jìn)出凈化間，是凈化間沾污的最大來(lái)源；（3）廠房：為了是半導(dǎo)體制造在一個(gè)超潔凈的環(huán)境中進(jìn)行，有必要采用系統(tǒng)方法來(lái)控制凈化間區(qū)域的輸入和輸出；（4）水：需要大量高質(zhì)量、超純?nèi)ルx子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生產(chǎn)。去離子水是硅片生產(chǎn)中用得最多的化學(xué)品（5）工藝用化學(xué)品：為了保證成功的器件成品率和性能，半導(dǎo)體工藝所用的液態(tài)化學(xué)品必須不含沾污；（6）工藝氣體：氣體流經(jīng)提純器和氣體過(guò)濾器以去除雜質(zhì)和顆粒；（7）生產(chǎn)設(shè)備：用來(lái)制造半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)設(shè)備是硅片生產(chǎn)中最大的顆粒來(lái)源。44、問(wèn)答題

伸縮振動(dòng)與彎曲振動(dòng)的頻率哪個(gè)高？正確答案：從振動(dòng)頻率和能量看，伸縮振動(dòng)高。45、問(wèn)答題

例舉出硅片廠中使用的五種通用氣體。正確答案：氧氣（O2）、氬氣（Ar）、氮?dú)猓∟2）、氫氣（H2）和氦氣（HE.46、問(wèn)答題

解釋什么是暗場(chǎng)掩模板。正確答案：暗場(chǎng)掩膜版是指一個(gè)掩膜版，它的石英版上大部分被鉻覆蓋，并且不透光。47、問(wèn)答題

為什么電化學(xué)腐蝕會(huì)產(chǎn)生電位差？它的原因是什么？正確答案：電化學(xué)腐蝕是指金屬或半導(dǎo)體材料在電解質(zhì)水溶液中所受到的腐蝕，被腐蝕的半導(dǎo)體各個(gè)部分或區(qū)域之間存在電位差，構(gòu)成正極和負(fù)極。電極電位低是負(fù)極，電極電位高是正極，負(fù)極被腐蝕溶解。48、問(wèn)答題

解釋水的去離子化。在什么電阻率級(jí)別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離子化？正確答案：用以制造去離子水的去離子化過(guò)程是指，用特制的離子交換樹(shù)脂去除電活性鹽類(lèi)的離子。18MΩ-cm電阻率級(jí)別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離子化。49、問(wèn)答題

什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問(wèn)題是什么？正確答案：自然氧化層：如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱(chēng)為自然氧化層。硅片上最初的自然氧化層生長(zhǎng)始于潮濕，當(dāng)硅片表面暴露在空氣中時(shí)，一秒鐘內(nèi)就有幾十層水分子吸附在硅片上并滲透到硅表面，這引起硅表面甚至在室溫下就發(fā)生氧化。自然氧化層引起的問(wèn)題是：①將妨礙其他工藝步驟，如硅片上單晶薄膜的生長(zhǎng)和超薄氧化層的生長(zhǎng)。②另一個(gè)問(wèn)題在于金屬導(dǎo)體的接觸區(qū)，如果有氧化層的存在，將增加接觸電阻，減少甚至可能阻止電流流過(guò)。③對(duì)半導(dǎo)體性能和可靠性有很大的影響50、問(wèn)答題

描述凈化間的舞廳式布局。正確答案：凈化間的舞廳式布局為大的制造間具有10000級(jí)的級(jí)別，層流工作臺(tái)則提供一個(gè)100級(jí)的生產(chǎn)環(huán)境。51、問(wèn)答題

光電導(dǎo)衰退法分為哪幾種?都有什么優(yōu)點(diǎn)?正確答案：可分為高頻光電導(dǎo)和直流光電導(dǎo)；高頻光電導(dǎo)的優(yōu)點(diǎn)，無(wú)須切割成一定的幾何形狀，樣品較少受到污染，測(cè)試方法簡(jiǎn)單，得到廣泛應(yīng)用。直流光電帶衰退法的優(yōu)點(diǎn)，測(cè)量精度高。測(cè)量下限比高頻光電衰退法低。52、問(wèn)答題

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？正確答案：目的：使待注入的物質(zhì)以帶電粒子束的形式存在最常用的源：Freeman離子源和Bernas離子源53、單選

測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是（）.A.帶電粒子活化法B.熔化分析法C.離子質(zhì)譜法D.紅外光譜分析法正確答案：D54、問(wèn)答題

解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。正確答案：（1）鋁與P型硅及高濃度N型硅均能形成低歐姆接觸；（2）電阻率低（3）與SiO2粘附性強(qiáng)，無(wú)需粘附層-----鋁很容易和二氧化硅反應(yīng)，加熱形成氧化鋁；（4）能單獨(dú)作為金屬化布線，工藝簡(jiǎn)單；（5）能用電阻絲加熱蒸發(fā)，工藝簡(jiǎn)單；（6）鋁互連線與內(nèi)引線鍵合容易；（7）能輕易淀積在硅片上，可用濕法刻蝕而不影響下層薄膜。綜上所述，在硅IC制造業(yè)中，鋁和它的主要過(guò)程是兼容的，電阻低，可不加接觸層、粘附層和阻擋層等，工藝簡(jiǎn)單，產(chǎn)品價(jià)格低廉。55、問(wèn)答題

從微觀上看，漩渦缺陷與位錯(cuò)蝕坑有什么區(qū)別？正確答案：漩渦缺陷是淺的平底坑，顯微鏡下呈白亮的芯，而位錯(cuò)蝕坑是深的尖底坑，顯微鏡下呈黑三角形。56、單選

X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）A.±10＇B.±15＇C.±20＇D.±30＇正確答案：B57、填空題

四探針?lè)y(cè)試，C的大小取決于四探針的（）和針距。正確答案：排列方式58、問(wèn)答題

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。正確答案：硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟：（1）預(yù)淀積：表面的雜質(zhì)濃度濃度最高，并隨著深度的加大而減小，從而形成梯度。這種梯度使雜質(zhì)剖面得以建立（2）推進(jìn)：這是個(gè)高溫過(guò)程，用以使淀積的雜質(zhì)穿過(guò)硅晶體，在硅片中形成期望的結(jié)深（3）激活：這時(shí)的溫度要稍微提升一點(diǎn)，使雜質(zhì)原子與晶格中的硅原子鍵合形成替位式雜質(zhì)。這個(gè)過(guò)程激活了雜質(zhì)原子，改變了硅的電導(dǎo)率。59、問(wèn)答題

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。正確答案：去除氮化硅使用熱磷酸進(jìn)行濕法化學(xué)剝離掉的。這種酸槽一般始終維持在160°C左右并對(duì)露出的氧化硅具有所希望的高選擇比。用熱磷酸去除氮化硅是難以控制的，通過(guò)使用檢控樣片來(lái)進(jìn)行定時(shí)操作。在曝露的氮化硅上常常會(huì)形成一層氮氧化硅，因此在去除氮化硅前，需要再HF酸中進(jìn)行短時(shí)間處理。如果這一層氮氧化硅沒(méi)有去掉，或許就不能均勻地去除氮化硅。60、問(wèn)答題

為什么要采用LDD工藝？它是如何減小溝道漏電流的？正確答案：溝道長(zhǎng)度的縮短增加了源漏穿通的可能性，將引起不需要的漏電流，所以需要采用LDD工藝。輕摻雜漏注入使砷和BF2這些較大質(zhì)量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶態(tài)。大質(zhì)量材料和表面非晶態(tài)的結(jié)合有助于維持淺結(jié)，從而減少源漏間的溝道漏電流效應(yīng)。61、問(wèn)答題

產(chǎn)生紅外吸收的條件是什么？正確答案：（1）振動(dòng)頻率與紅外光譜段的某段頻率相等。（2）偶極距的變化。62、問(wèn)答題

立式爐系統(tǒng)的五部分是什么？例舉并簡(jiǎn)單描述？正確答案：工藝腔、硅片傳輸系統(tǒng)、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)工藝腔是對(duì)硅片加熱的場(chǎng)所，由垂直的石英罩鐘、多區(qū)加熱電阻絲和加熱管套組成硅片傳輸系統(tǒng)在工藝腔中裝卸硅片，自動(dòng)機(jī)械在片架臺(tái)、爐臺(tái)、裝片臺(tái)、冷卻臺(tái)之間移動(dòng)氣體分配系統(tǒng)通過(guò)將正確的氣體通到爐管中來(lái)維持爐中氣氛控制系統(tǒng)控制爐子所有操作，如工藝時(shí)間和溫度控制、工藝步驟的順序、氣體種類(lèi)、氣流速率、升降溫速率、裝卸硅片。63、問(wèn)答題

什么是色相色譜法？正確答案：以氣體為流動(dòng)相的柱色譜分離技術(shù)。64、填空題

測(cè)出的就是點(diǎn)接觸外表面的導(dǎo)電類(lèi)型。要求（），無(wú)氧化層，清潔無(wú)油污。正確答案：表面無(wú)反型層65、單選

半導(dǎo)體工業(yè)所用的硅單晶（）是用CZ法生長(zhǎng)的。A.70%B.80%C.90%D.60%正確答案：C66、問(wèn)答題

定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？正確答案：刻蝕速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蝕所用的時(shí)間高的刻蝕速率，可以通過(guò)精確控制刻蝕時(shí)間來(lái)控制刻蝕的厚度。67、問(wèn)答題

描述曝光波長(zhǎng)和圖像分辨率之間的關(guān)系。正確答案：減少曝光光源的波長(zhǎng)對(duì)提高分辨率非常重要，波長(zhǎng)的越小圖像的分辨率就越高圖像就越精確。68、填空題

非平衡載流子的壽命ζ，就是反映（）的參數(shù)。正確答案：復(fù)合強(qiáng)弱69、單選

下列與硼氧復(fù)合體缺陷無(wú)關(guān)的是（）。A、氧B、硼C、溫度D、濕度正確答案：D70、問(wèn)答題

影響樹(shù)脂再生的因素有哪些？正確答案：1）再生劑的類(lèi)型、強(qiáng)度、濃度、用量、流速、酸堿液與離子交換樹(shù)脂接觸的時(shí)間等；2）終點(diǎn)PH值得大?。?）離子交換樹(shù)脂的分離、反洗結(jié)果、混合程度、清潔衛(wèi)生等。71、填空題

氧和碳在硅晶體中都呈（）分布。正確答案：螺旋紋狀72、單選

硅的晶格結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)分別是（）.A.金剛石型和直接禁帶型B.閃鋅礦型和直接禁帶型C.金剛石型和間接禁帶型D.閃鋅礦型和間接禁帶型正確答案：C73、填空題

晶體中最鄰近的兩個(gè)平行晶面間的距離稱(chēng)為晶面間距，晶面指數(shù)最低的晶面總是具有（）的晶面間距。正確答案：最大74、問(wèn)答題

光刻和刻蝕的目的是什么？正確答案：光刻的目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上，而刻蝕的目的是在硅片上無(wú)光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。即將圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面。75、問(wèn)答題

解釋空氣質(zhì)量?jī)艋?jí)別。正確答案：凈化級(jí)別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級(jí)別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的。這一數(shù)字描繪了要怎樣控制顆粒以減少顆粒玷污。凈化級(jí)別起源于美國(guó)聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)2009.如果凈化間級(jí)別僅用顆粒數(shù)來(lái)說(shuō)明，例如1級(jí)凈化間，則只接受1個(gè)0.5um的顆粒。這意味著每立方英尺中尺寸等于或大于0.5um的顆粒最多允許一個(gè)。76、問(wèn)答題

半導(dǎo)體單晶中的點(diǎn)缺陷包括什么？正確答案：空位、填隙原子、絡(luò)合體、外來(lái)原子。77、問(wèn)答題

對(duì)凈化間做一般性描述。正確答案：凈化間是硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如顆粒、金屬、有機(jī)分子和靜電釋放（ESD.的玷污。一般來(lái)講，那意味著這些玷污在最先進(jìn)測(cè)試儀器的檢測(cè)水平范圍內(nèi)都檢測(cè)不到。凈化間還意味著遵循廣泛的規(guī)程和實(shí)踐，以確保用于半導(dǎo)體制造的硅片生產(chǎn)設(shè)施免受玷污。78、單選

（）是影響硅器件成品率的一個(gè)重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。A.點(diǎn)缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.微缺陷正確答案：D79、填空題

（）是半導(dǎo)體單晶重要電學(xué)參數(shù)之一，它反映了補(bǔ)償后的雜質(zhì)濃度，與半導(dǎo)體中的載流子濃度有直接關(guān)系。正確答案：電阻率80、問(wèn)答題

例舉出傳統(tǒng)裝配的4個(gè)步驟。正確答案：傳統(tǒng)裝配的4個(gè)步驟：1.背面減??；2.分片；3.裝架；4.引線鍵合81、問(wèn)答題

最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？正確答案：最通常的半導(dǎo)體材料是硅。原因：1.硅的豐裕度；2.更高的融化溫度允許更高的工藝容限；3.更寬的工作溫度范圍；4.氧化硅的自然生成.82、問(wèn)答題

影響硅單晶電化學(xué)腐蝕速度的因素有哪些？正確答案：腐蝕液的成分、電極電位、緩沖劑的影響、腐蝕處理的溫度和攪拌的影響、光照的影響。83、問(wèn)答題

離子注入前一般需要先生長(zhǎng)氧化層，其目的是什么？正確答案：氧化層保護(hù)表面免污染，免注入損傷，控制注入溫度。84、單選

正常凝固是最寬熔區(qū)的區(qū)域提純，在進(jìn)行第一次熔化過(guò)后，能不能進(jìn)入第二次提純這個(gè)階段（）.A、能B、不能C、不確定D、有時(shí)可以，有時(shí)不可以正確答案：A85、問(wèn)答題

例舉出兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料。正確答案：兩種最廣泛使用的集成電路封裝材料是塑料封裝和陶瓷封裝。86、問(wèn)答題

什么是結(jié)深？正確答案：硅片中p型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)相遇的深度被稱(chēng)為結(jié)深。87、問(wèn)答題

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？正確答案：一，將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中二，在后續(xù)工藝中，保護(hù)下面的材料88、問(wèn)答題

為什么晶體管柵結(jié)構(gòu)的形成是非常關(guān)鍵的工藝？更小的柵長(zhǎng)會(huì)引發(fā)什么問(wèn)題？正確答案：因?yàn)樗俗畋〉臇叛趸瘜拥臒嵘L(zhǎng)以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個(gè)集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。多晶硅柵的寬度通常是整個(gè)硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。隨著柵的寬度不斷減少，柵結(jié)構(gòu)（源漏間的硅區(qū)域）下的溝道長(zhǎng)度也不斷減少。晶體管中溝道長(zhǎng)度的減少增加了源漏間電荷穿通的可能性，并引起了不希望的溝道漏電流。89、填空題

硅單晶的（）是一個(gè)重要的基本電學(xué)參數(shù)。根據(jù)單晶制備時(shí)所參雜的元素，它們是三價(jià)的還是五價(jià)的，可以將單晶化分為P型和N型兩大類(lèi)。正確答案：導(dǎo)電類(lèi)型90、填空題

快速腐蝕時(shí)一般不受光照影響，而慢速腐蝕時(shí)（）影響比較大。正確答案：光照91、問(wèn)答題

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。正確答案：由于電荷之間的相互排斥，所以一束僅包括正電荷的離子束本身是不穩(wěn)定的，容易造成離子束的膨脹即離子束的直徑在行進(jìn)過(guò)程中不