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納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用IntegratedGaNPowerSolutionandApplicationMing(Rome)LUO,SeniorFieldApplicationManagerNavitas半導(dǎo)體公司介紹Navitas集成氮化鎵產(chǎn)品介紹(選型/注意事項(xiàng)/Layout)Navitas氮化鎵和Si方案性能和體積對(duì)比Navitas氮化鎵方案特點(diǎn)Navitas氮化鎵商用案例及其在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用23總部:美國(guó)加州洛杉磯EISegundo中國(guó)CN:深圳、杭州、上?,F(xiàn)有80多位員工navitasnavitas?Navitas:拉丁文即“能量”為電力電子行業(yè)注入新能量獲JEDEC認(rèn)證量產(chǎn)并快速增量晶圓廠:臺(tái)積電(TSMC)4封裝廠:安靠科技(455超過(guò)200項(xiàng)已授權(quán)專利第一款商用平面MOSFET的共第一代GaN功率IC的發(fā)明者7最快,最高效的GaN功率管首個(gè)及最快速集成的GaN門極驅(qū)動(dòng)器全世界第一款專有設(shè)計(jì)專有單路設(shè)計(jì)及專有半橋設(shè)計(jì)?速度高于所有門極驅(qū)動(dòng)器3倍以上?速度高于硅器件20倍以上?速度高于cascadedGaN5倍以上8GaNFET功率場(chǎng)效應(yīng)管GaNLogic邏輯電路?“DigitalIn,PowerOut”數(shù)字輸入,功率輸出9?flybackwithNV6115Rdson(typ),[mOhm]NV6113300NV6115NV6117NV6123300NV6125NV6127NV625226mmy24mm?基于Navitas氮化鎵GaN方26mmy24mm?基于Navitas氮化鎵GaN方傳統(tǒng)Si方氮化鎵GaN體積比=GaN/SiPCBA56*53*23=68.3CC26*24*56=34.9CC51.1%Case60*57*28=95.8CC30*30*58=52.2CC54.4%Navitas納微氮化鎵方案:YY?基于Navitas氮化鎵GaNSi方案對(duì)比---高頻小型化納微集成氮化鎵小型化原因?沒有反向恢復(fù)損耗?Qg低,驅(qū)動(dòng)損耗低?COSS小,容性損耗低?開關(guān)速度快VV帶隙:GaN(3.4eV)vs.Si(1.1eV)GaN具有更大的臨界電場(chǎng),使其能夠在很小的間隔內(nèi)承受很高的電壓?Navitas納微100%FinalTest最終測(cè)試VGSILoadVDS集成驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、可靠大范圍VCC大范圍VCC(10-30V)總體布局靈活性和簡(jiǎn)單欠壓鎖定可在沒有完整電源時(shí)保護(hù)驅(qū)動(dòng)器和FET柵極免受外部噪聲影響(Not欠壓鎖定可在沒有完整電源時(shí)保護(hù)驅(qū)動(dòng)器和FET柵極免受外部噪聲影響(Notpinnedoutofpackage)PWMHysteresis磁滯可抑制噪聲門極回路中無(wú)電感或振鈴VoVo65W(20V/3.25A)8006005004003002000SwitchingCurrent(A)400SwitchingCurrent(A)CoolMOS方案GaN方案Rdson[mohm]類似規(guī)格QFN8*8QFN6*8納微有較小的體積97.5?C24.4?C94?C25.6?C06---EMI可調(diào)06---EMI可調(diào)XiaomiCEO:“HowtinyisthisGaNcharger?”XiaomiCEO:“ThisGaNchargerisextremelysmall&efficient?”/適配器商用案例02---Thinkplus-20kWTAM:>$1B/yr-20kWTAM:>$1B/yr5倍速的充電速度5倍
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