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文檔簡介
ICS29.045CCSH82YS代替YS/T1061-2015中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布IYS/TXXXX—XXXX本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。本文件代替YS/T1061—2015《改良西門子法多晶硅用硅芯》,與YS/T1061—2015相比,除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外,主要技術(shù)變化如下:a)標(biāo)準(zhǔn)名稱由《改良西門子法多晶硅用硅芯》更改為《硅多晶用硅芯》;b)更改了硅芯分類、尺寸及外形要求(見第4章,2015年版的第4章);c)更改了硅芯的技術(shù)要求(見4.3.2,2015年版的4.3.2);d)增加了施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量的檢驗方法(見5.6);e)更改了取樣(見6.4,2015年版6.4)。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC243)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC203/SC2)提出并歸口。本文件起草單位:江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、河南協(xié)鑫光伏科技有限公司、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、內(nèi)蒙古和光新能源有限公司、四川永祥股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、洛陽中硅高科技有限公司、新特能源股份有限公司、新疆戈恩斯能源科技有限公司。本文件主要起草人:王彬、郭艷旗、徐夢、吳海嘯、李素青、韓維煒、李壽琴、劉文明、張園園、邱艷梅、李虎。本文件于2015年首次發(fā)布為YS/T1061-2015,本次為第一次修訂。1YS/TXXXX—XXXX硅多晶用硅芯本文件規(guī)定了硅多晶用硅芯(以下簡稱硅芯)的技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件及訂貨單內(nèi)容。本文件適用于通過直拉法(CZ)或區(qū)熔法(FZ)拉制的用于硅多晶生產(chǎn)原料的硅芯。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1551硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法GB/T1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T11336直線度誤差檢測GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T24581硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法GB/T24582多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測定酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法GB/T29057用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程GB/T31854光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法GB/T35306硅單晶中碳、氧含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法GB/T37049電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法3術(shù)語和定義GB/T11336和GB/T14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。4技術(shù)要求4.1分類4.1.1硅芯按截面形狀分為:圓形、方形、菱形和三角形。4.1.2硅芯按導(dǎo)電類型分為N型、P型和混合型。4.2技術(shù)指標(biāo)4.2.1硅芯的外形、尺寸及允許偏差應(yīng)符合表1的規(guī)定。2YS/TXXXX—XXXX表1尺寸及外形—4.2.2硅芯的等級及相關(guān)技術(shù)指標(biāo)應(yīng)符合表2的規(guī)定。表2技術(shù)指標(biāo)4.2.3多晶硅用硅芯的導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命和氧含量由供需雙方協(xié)商確定。4.3外觀質(zhì)量硅芯的表面應(yīng)潔凈,無色差、氧化、沾污、氣孔和裂紋。5試驗方法5.1硅芯導(dǎo)電類型的測試按GB/T1550的規(guī)定進(jìn)行。5.2硅芯直徑、邊長、長度用相應(yīng)精度的量具進(jìn)行測量。5.3硅芯直線度誤差的測試按GB/T11336的規(guī)定進(jìn)行。5.4施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、碳含量、少數(shù)載流子壽命和氧含量的檢測,應(yīng)按照GB/T29057規(guī)定的或用供需雙方商定的方法將樣品制備成硅單晶試樣后進(jìn)行。5.4.1施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量的測試按GB/T24581的規(guī)定進(jìn)行。5.4.2碳含量的測試按GB/T1558或GB/T35306規(guī)定進(jìn)行,仲裁時按照GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。5.4.3少數(shù)載流子壽命的測試按GB/T1553的規(guī)定進(jìn)行。3YS/TXXXX—XXXX5.4.4氧含量的測試按GB/T1557或GB/T35306規(guī)定進(jìn)行,仲裁時按照GB/T35306的規(guī)定進(jìn)行。5.5一級硅芯基體金屬雜質(zhì)含量的測試按照GB/T37049的規(guī)定進(jìn)行;二級、三級硅芯基體金屬雜質(zhì)含量的測試按照GB/T31854的規(guī)定進(jìn)行,其中GB/T31854不包含的元素參照GB/T31854進(jìn)行測試。5.6硅芯表面金屬雜質(zhì)含量的測試按照GB/T24582的規(guī)定進(jìn)行,其中GB/T24582不包含的元素參照GB/T24582執(zhí)行。5.7硅芯電阻率的測試按照供需雙方協(xié)商的方法進(jìn)行。5.8硅芯外觀質(zhì)量用目視檢查。6檢驗規(guī)則6.1檢查和驗收6.1.1產(chǎn)品由供方或第三方進(jìn)行檢驗,保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件規(guī)定。6.1.2需方可對收到的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗。若檢驗結(jié)果與本文件規(guī)定不符時,應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起三個月內(nèi)以書面形式向供方提出,由供需雙方協(xié)商解決。6.2組批產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗收,每批應(yīng)由同一尺寸及外形、同一等級、同一導(dǎo)電類型的硅芯組成。6.3檢驗項目每批產(chǎn)品應(yīng)進(jìn)行外觀質(zhì)量、尺寸及外形檢驗。需方要求對施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、碳含量、基體金屬雜質(zhì)含量、表面金屬雜質(zhì)含量、導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命和氧含量進(jìn)行檢驗時,應(yīng)在訂貨單中注明。6.4取樣硅芯的取樣應(yīng)符合表3的規(guī)定?!?.5檢驗結(jié)果的判定4YS/TXXXX—XXXX6.5.1尺寸及外形中任意一項檢驗結(jié)果不合格時,由供需雙方協(xié)商確定。6.5.2硅芯施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量、碳含量、基體金屬雜質(zhì)含量、表面金屬雜質(zhì)含量的檢驗結(jié)果不合格時,允許從該批產(chǎn)品中取雙倍數(shù)量的樣品進(jìn)行重復(fù)檢驗。重復(fù)檢驗時,如有任一項目檢驗結(jié)果不合格,判該批產(chǎn)品不合格。6.5.3導(dǎo)電類型、電阻率、少數(shù)載流子壽命和氧含量的檢驗結(jié)果判定,由供需雙方協(xié)商確定。6.5.4外觀質(zhì)量的檢驗結(jié)果不合格時,判該件產(chǎn)品不合格。7標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存及隨行文件7.1標(biāo)志包裝箱外應(yīng)標(biāo)有“小心輕放”及“防震、防腐、防潮”字樣或標(biāo)志,并標(biāo)明:a)供方名稱;b)產(chǎn)品名稱;c)產(chǎn)品規(guī)格、數(shù)量;d)其他。7.2包裝7.2.1硅芯檢測合格后,經(jīng)清洗、干燥,裝入潔凈的聚乙烯包裝袋內(nèi)真空包裝、密封,再將包裝袋裝入包裝箱內(nèi)。7.2.2硅芯每袋單獨(dú)包裝,用木箱固定、封裝。包裝時應(yīng)防止聚乙烯包裝袋破損,以避免外來沾污。7.3運(yùn)輸產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸,勿壓勿擠,并采取防震措施。7.4貯存產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥環(huán)境中。7.5隨行文件每批產(chǎn)品應(yīng)附有隨行文件,其中除應(yīng)包括供方信息、產(chǎn)品信息、生產(chǎn)日期或包裝日期外,還宜包括:a)產(chǎn)品質(zhì)量證明書,內(nèi)容如下:——供方名稱;——產(chǎn)品名稱;——批號
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