全球及中國(guó)MOSFET行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及競(jìng)爭(zhēng)格局分析

全球及中國(guó)MOSFET行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及競(jìng)爭(zhēng)格局分析一、MOSFET產(chǎn)業(yè)概述1、MOSFET的定義及分類(lèi)MOSFET全稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET具備控制功率小、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于低中高壓的電路中，是功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)器件。MOSFET細(xì)分種類(lèi)包括平面型、溝槽型、屏蔽柵和超結(jié)功率MOSFET，其中溝槽型MOS適用于12V-250V，屏蔽柵型MOS適用于30V-300V，超結(jié)功率MOS適用于500V-900V場(chǎng)景。MOSFET的分類(lèi)2、MOSFET、IGBT和BJT性能對(duì)比金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）具有輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快等特點(diǎn)。雙極型三極管（BJT）飽和壓降低、電流密度高、導(dǎo)通壓降低。IGBT是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，有顯著性能優(yōu)勢(shì)。MOSFET、IGBT和BJT性能對(duì)比二、MOSFET行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈1、MOSFET行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭D從MOSFET行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，上游是電子材料和設(shè)備，下游為產(chǎn)品的應(yīng)用。半導(dǎo)體企業(yè)采用的經(jīng)營(yíng)模式主要可以分為IDM模式和Fabless模式。IDM模式具有技術(shù)的內(nèi)部整合優(yōu)勢(shì)，有利于積累工藝經(jīng)驗(yàn)，但資金投入較大，且容易在半導(dǎo)體下行周期中受制于原有產(chǎn)能，陷入被動(dòng)局面。隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工的逐步細(xì)化，F(xiàn)abless模式已成為芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的主流經(jīng)營(yíng)模式之一，行業(yè)整體呈現(xiàn)IDM與Fabless共存的局面。MOSFET行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)疽鈭D2、MOSFET行業(yè)下游應(yīng)用分析MOSFET是汽車(chē)電子中的核心元件，汽車(chē)引擎、驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的變速箱控制器以及制動(dòng)、轉(zhuǎn)向控制，都離不開(kāi)MOSFET。2022年我國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別達(dá)到705.8萬(wàn)輛和688.7萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)96.9%和93.4%，市場(chǎng)占有率達(dá)到25.6%。下游市場(chǎng)的飛速發(fā)展將帶動(dòng)超結(jié)MOSFET產(chǎn)業(yè)需求增長(zhǎng)，MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模有望以高速擴(kuò)張。2016-2022年中國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量統(tǒng)計(jì)相關(guān)報(bào)告：產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)深度分析及投資策略咨詢(xún)報(bào)告》三、全球MOSFET行業(yè)現(xiàn)狀分析近年來(lái)，全球的MOSFET行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模始終保持穩(wěn)定增長(zhǎng)的趨勢(shì)，其更強(qiáng)的功能性決定了廣闊的市場(chǎng)前景。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年全球MOSFET行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模已增長(zhǎng)至129.6億美元，預(yù)計(jì)2023年將增長(zhǎng)至133.9億美元，2019-2023年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到11.9%。2019-2023年全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模走勢(shì)四、中國(guó)MOSFET行業(yè)現(xiàn)狀分析1、中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模我國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模同樣呈現(xiàn)上升趨勢(shì)，且增速高于全球平均水平。2022年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模約為54億美元，在全球市場(chǎng)中占比約為42%，預(yù)計(jì)2023年該數(shù)值將增長(zhǎng)至56.6億美元，2019-2023年年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到13.8%，中國(guó)在世界市場(chǎng)中的占比將進(jìn)一步提升。2019-2023年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模走勢(shì)2、中國(guó)MOSFET產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化率我國(guó)在中低壓平面MOSFET方面的技術(shù)相對(duì)成熟，MOSFET的工作電壓越高，我國(guó)產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平與全球領(lǐng)先水平的差距越高。2021年我國(guó)中低壓平面（400V以下）MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率為42.2%，高壓平面MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率約為29.9%，超高壓平面MOSFET的國(guó)產(chǎn)化率約為18.2%。2021年中國(guó)MOSFET國(guó)產(chǎn)化率五、MOSFET行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局1、MOSFET行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局MOSFET行業(yè)的市場(chǎng)集中程度并不高，國(guó)際市場(chǎng)主要由英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、東芝等具有高新技術(shù)的企業(yè)占據(jù)。數(shù)據(jù)顯示，目前全球MOSFET行業(yè)CR7的市場(chǎng)份額為68.3%，而我國(guó)的企業(yè)華潤(rùn)微、安世半導(dǎo)體分別位列第8位和第9位，市場(chǎng)份額為8%，我國(guó)的MOSFET產(chǎn)業(yè)已經(jīng)初具規(guī)模，但仍與國(guó)外領(lǐng)先水平有所差距。全球MOSFET行業(yè)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局2、MOSFET行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)營(yíng)收華潤(rùn)微是中國(guó)領(lǐng)先的擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營(yíng)能力的半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器與智能控制領(lǐng)域，為客戶(hù)提供豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品與系統(tǒng)解決方案；主要產(chǎn)品包括以MOSFET、IGBT、第三代寬禁帶半導(dǎo)體、光電傳感器、煙報(bào)傳感器、MEMS傳感器等。2018-2022年華潤(rùn)微營(yíng)業(yè)收入統(tǒng)計(jì)六、MOSFET行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)橫向?qū)Ρ冉陻?shù)據(jù)，CR1維持在24%左右，英飛凌為全球MOSFET器件龍頭供應(yīng)商；CR5分別為58%左右，頭部廠(chǎng)商的競(jìng)爭(zhēng)格局基本穩(wěn)定，且整體市場(chǎng)份額相對(duì)分散；CR10接近80%，值得注意的是，華潤(rùn)微的市場(chǎng)份額由19年的3%提升至21年的4.1%，安世半導(dǎo)體也進(jìn)入全球市場(chǎng)規(guī)模前十。這反映我國(guó)MOSFET的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已取得初步進(jìn)展。未來(lái)，隨著下游需求的提升和行業(yè)重視度的提升，國(guó)產(chǎn)化替代速度有望進(jìn)一步加快。產(chǎn)業(yè)研究院對(duì)中國(guó)MOSFET行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、市場(chǎng)供需情況等進(jìn)行了詳細(xì)分析，對(duì)行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈、企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局等進(jìn)行了深入剖析，最大限度地降低企業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)與經(jīng)營(yíng)成本，提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力；并運(yùn)用多種數(shù)據(jù)分析技術(shù)，對(duì)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行預(yù)測(cè)，以便企業(yè)能及時(shí)搶占市場(chǎng)先機(jī)；更多詳細(xì)內(nèi)容，請(qǐng)關(guān)注產(chǎn)業(yè)研究院出版的《2023-2028年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展監(jiān)測(cè)及投資戰(zhàn)略咨詢(xún)報(bào)告》。MOSFET本文采編：CY1262推薦報(bào)告2024-2030年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)深度研究及發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告2024-2030年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)深度研究及發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告，主要包括行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)發(fā)展調(diào)研、風(fēng)險(xiǎn)及對(duì)策、發(fā)展及競(jìng)爭(zhēng)策略分析、發(fā)展前景及投資建議等內(nèi)容。如您有個(gè)性化需求，請(qǐng)點(diǎn)擊版權(quán)提示：產(chǎn)業(yè)研究院倡導(dǎo)尊重與保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，對(duì)有明確來(lái)源的內(nèi)容均注明出處。若發(fā)現(xiàn)本站文章存在內(nèi)容、版權(quán)或其它問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系kf@，我們將及時(shí)與您溝通處理。相關(guān)推薦2024-2030年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)深度研究及發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告2024-2030年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)深度研究及發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告2024-01-122023-2028年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展監(jiān)測(cè)及投資戰(zhàn)略咨詢(xún)報(bào)告2023-2028年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展監(jiān)測(cè)及投資戰(zhàn)略咨詢(xún)報(bào)告2023-04-072023-2028年中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)深度分析及投資策略咨詢(xún)報(bào)告2023-2028年中國(gu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