知道智慧網課《半導體物理》章節(jié)測試答案

第一章單元測試1【判斷題】如果電子從價帶頂躍遷到導帶底時波矢k不發(fā)生變化，則具有這種能帶結構的半導體稱為直接禁帶半導體，否則稱為間接禁帶半導體。（）A.錯B.對2【單選題】(2分)以下4種半導體中最適合于制作高溫器件的是（）。A.GeB.GaAsC.GaND.Si3【單選題】(2分)半導體的晶格結構式多種多樣的，常見的Ge和Si材料，其原子均通過共價鍵四面體相互結合，屬于_____結構；與Ge和Si晶格結構類似，兩種不同元素形成的化合物半導體通過共價鍵四面體還可以形成_____和_____等兩種晶格結構。（）A.纖鋅礦，金剛石，閃鋅礦B.黃銅礦，閃鋅礦，纖鋅礦C.金剛石，閃鋅礦，纖鋅礦D.黃銅礦，金剛石，纖鋅礦4【判斷題】間隙原子和空位成對出現(xiàn)的點缺陷稱為肖特基缺陷；形成原子空位而無間隙原子的點缺陷稱為弗侖克耳缺陷。（）A.錯B.對5【單選題】(2分)從能帶角度來看，鍺、硅屬于_________半導體，而砷化稼屬于_________半導體，后者有利于光子的吸收和發(fā)射。（）A.直接帶隙，間接帶隙B.直接帶隙，直接帶隙C.間接帶隙，直接帶隙D.間接帶隙，間接帶隙第二章單元測試1【單選題】(2分)薛定諤波動方程（）。A.是量子力學的一個基本假定B.是有數(shù)學嚴格推導而得C.可用來描述粒子的產生或湮滅現(xiàn)象D.對粒子運動過程的描述是不可逆的2【判斷題】量子力學只是描述微觀世界運動規(guī)律的科學。（）A.錯B.對3【判斷題】量子力學僅討論在經典物理中存在的力學量。（）A.錯B.對4【判斷題】量子力學中，針對具體量子狀態(tài)，不同力學量不能同時有確定值。（）A.錯B.對5【判斷題】量子力學的建立始于人們對光的波粒二象性的認識。（）A.錯B.對第三章單元測試1【單選題】(2分)鍺的晶格結構和能帶結構分別是（）。A.閃鋅礦型和間接禁帶型B.閃鋅礦型和直接禁帶型C.金剛石型和間接禁帶型D.金剛石型和直接禁帶型2【單選題】(2分)與半導體相比較.絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）。A.比半導體的小B.與半導體的相等C.不確定D.比半導體的大3.【多選題】正確答案：AB半導體導帶中的電子濃度取決于導帶的（）。A.狀態(tài)密度B.費米分布函數(shù)C.禁帶寬度D.電子的有效質量4【判斷題】與半導體相比，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需要的能量比半導體的大。（）A.錯B.對5【判斷題】砷化鎵是直接能隙半導體，硅和鍺是間接能隙半導體。（）A.對B.錯第四章單元測試1【單選題】(2分)如果一半導體的導帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零.那么該半導體必定（）。A.不含任何雜質B.不含施主雜質C.處于絕對零度D.不含受主雜質2【單選題】(2分)對于只含一種雜質的非簡并n型半導體.費米能級EF隨溫度上升而（）。A.經過一個極大值趨近EiB.單調上升C.單調下降D.經過一個極小值趨近Ei3【單選題】(2分)把磷化鎵在氮氣氛中退火.會有氮取代部分的磷.這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。A.改變禁帶寬度B.產生復合中心C.產生空穴陷阱D.產生等電子陷阱4【單選題】(2分)雜質對于半導體導電性能有很大影響.下面哪兩種雜質分別摻雜在硅中能顯著地提高硅的導電性能（）。A.硼或磷B.金或銀C.硼或鐵D.鐵或銅5【單選題】(2分)若某半導體導帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零，則該半導體必定（）。A.不含受主雜質B.不含任何雜質C.不含施主雜質D.處于絕對零度第五章單元測試1【單選題】(2分)有效復合中心的能級必靠近（）A.導帶B.禁帶中部C.費米能級D.價帶2.【多選題】正確答案：ABCDEF半導體載流子在輸運過程中，會受到各種散射機構的散射，主要散射機構有（）。A.中性雜質散射B.位錯散射C.等價能谷間散射D.晶格振動散射E.電離雜質散射F.載流子間的散射3【單選題】(2分)半導體中由于濃度差引起的載流子的運動為（）。A.擴散運動B.共有化運動C.熱運動D.漂移運動4【單選題】(2分)載流子在電場作用下的運動為（）。A.熱運動B.共有化運動C.漂移運動D.擴散運動5【單選題】(2分)半導體中載流子擴散系數(shù)的大小決定于其中的（）。A.復合機構B.散射機構C.晶體結構D.能帶結構第六章單元測試1【單選題】(2分)對于大注入下的直接輻射復合，非平衡載流子的壽命與（）。A.平衡載流子濃度成正比B.非平衡載流子濃度成反比C.非平衡載流子濃度成正比D.平衡載流子濃度成反比2【判斷題】一塊半導體材料，光照在材料中會產生非平衡載流子，其中非平衡載流子的壽命為τ。若光照忽然停止，經過τ時間后，非平衡載流子全部消失。（）A.錯B.對3【判斷題】在一定溫度下，光照在半導體材料中會產生非平衡載流子，光照穩(wěn)定后，由于電子空穴對的產生率與復合率相等，所以稱為熱平衡狀態(tài)，有統(tǒng)一的費米能級。（）A.對B.錯4【單選題】(2分)電中性是內建電場產生的原因。只要破壞了電中性，就會產生擴散與漂移電流并存的情形，（）會導致內建電場。A.載流子濃度不均勻B.半導體受外界的影響程度不均C.選項ABC都是D.非平衡載流子的注入第七章單元測試1【判斷題】強電場效應會使半導體器件的載流子速度達到飽和，還可能使載流子成為熱載流子，影響器件性能。半導體器件的熱載流子由于具備高能量，常常會導致載流子進入介質層；熱載流子可與晶格發(fā)生碰撞電離，利用這一原理可以制備雪崩二極管器件。（）A.對B.錯2【判斷題】太陽能電池本身就是一個pn結。（）A.對B.錯3【單選題】(2分)影響pn結內建電勢差的因素有__________等參數(shù)，在相同條件下半導體材料Si、Ge和GaAs中__________的內建電勢差VD最大。（）A.摻雜濃度、溫度、材料，GaAsB.摻雜濃度、材料，SiC.摻雜濃度、溫度、PN結的面積，GaAsD.摻雜濃度、溫度，Ge4【單選題】(2分)太陽能電池工作在pn結電流電壓特性曲線的第（）象限。A.IB.IIC.IIID.IV5.【多選題】正確答案：BC反向偏置pn結，當電壓升高到某值時，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象稱為pn結擊穿，主要的擊穿機理有（）。A.電擊穿B.隧道擊穿C.雪崩擊穿D.熱擊穿第八章單元測試1【單選題】(2分)當pn結作為光電二極管使用時，經常加反向偏置作為電流源，這時它工作在I-V曲線的第__象限。（）A.一B.四C.二D.三2【判斷題】強電場效應會使半導體器件的載流子速度達到飽和，還可能使載流子成為熱載流子，影響器件性能。半導體器件的熱載流子由于具備高能量，常常會導致載流子進入介質層；熱載流子可與晶格發(fā)生碰撞電離，利用這一原理可以制備雪崩二極管器件。（）A.錯B.對3【判斷題】PIN光電二極管I區(qū)空間電荷區(qū)較大，瞬時光電流會比普通光電流大很多。（）A.對B.錯4【判斷題】在pn結中，p區(qū)的多子是空穴，少子是電子。（）A.錯B.對5【判斷題】光探測器在pn結電流電壓特性曲線中的工作區(qū)間與太陽能電池相同。（）A.錯B.對第九章單元測試1【單選題】(2分)金屬和半導體接觸分為（）。A.整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸B.整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸C.非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸D.非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸2【單選題】(2分)MIS結構發(fā)生多子積累時，表面的導電類型與體材料的類型（）。A.不同B.相同C.無關3【單選題】(2分)如圖所示的P型半導體MIS結構的C-V特性圖中，AB段代表______，CD段代表______。（）A.多子積累；多子耗盡；B.多子積累；少子反型；C.平帶狀態(tài)；多子耗盡；D.多子耗盡；多子積累；4【單選題】(2分)金屬和半導體接觸分為（）。A.非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸B.整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸C.整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸D.非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸第十章單元測試1【判斷題】增強型場效應晶體管在柵極不加偏壓時，溝道處于導通狀態(tài)。（）A.對B.錯2【單選題】(2分)制造晶體管一般是在高雜質濃度的n型襯底上外延一層n型的外延層，再在外延層中擴散硼、磷而成。n型硅單晶襯底是摻銻的，銻的電離能為0.039eV，室溫下時的EF位于導帶底下方0.026eV處，半導體的狀態(tài)為（）。A.非簡并B.強簡并C.簡并D.弱簡并3【單選題】(2分)結型場效應晶體管包括下面哪種器件（）。A.T-FETB.Fin-FETC.MESFETD.IGBT4【單選題】(2分)MESFET場效應晶體管的M表示（）。A.金屬柵B.漏區(qū)C.源區(qū)D.半導體5.【多選題】正確答案：ABCD理想的晶體管特性有（）。A.在放大區(qū)特性曲線間的間隔是均勻的B.零漏電流關斷狀態(tài)下阻斷電壓C.增益與正向電流和電壓無關D.零壓降下傳導電流第十一章單元測試1【判斷題】光電探測器的靈敏度主要取決于其暗電流大小。（）A.錯B.對2【單選題】(2分)一般半導體器件使用溫度不能超過一定的溫度.這是因為載流子濃度主要來源于_________，而將_________忽略不計。（）A.雜質電離，本征激發(fā)B.本征激發(fā)，受主電離C.施主電離，本征激發(fā)D.本征激發(fā)，雜質電離3【單選題】(2分)在光電轉換過程中，硅材料一般不如砷化鎵量子效率高，因其（）。A.禁帶是間接躍遷型B.禁帶是直接躍遷型C.禁帶較寬D.禁帶較窄4.【多選題】正確答