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文檔簡介
第一章:元件生疏開關(guān)電源(SPS)是由眾多的元器件構(gòu)成,因此,要了解開關(guān)電源的原理,學(xué)會看電路圖.首先必需把握元器件的主要性能,構(gòu)造,工作原理,電路符號,參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)方法和質(zhì)量檢測方法,本章將作逐一介紹.一.電阻器Resistor(a)電路符號和外形.(a)(b) (c)(a)國外電阻器電路符號.(b)國內(nèi)符號.(c)色環(huán)電阻外形電阻概念:R=U/IΩ(KΩ和兆歐(MΩ1MΩ=10KΩ=10Ω種類電阻器的種類有:碳膜電阻,金屬氧化膜電阻,繞線電阻,貼片電阻,可調(diào)電阻,水泥電阻.性能參數(shù)標(biāo)稱阻值與允許誤差額定功率:指在特定(如溫度等)條件下電阻器所能承受的最大功率,當(dāng)超過此功率,電阻器會過熱而燒壞.電阻溫度系數(shù)標(biāo)注方法:直標(biāo)法色標(biāo)法色標(biāo)法是用色環(huán)或色點(diǎn)來表示電阻的標(biāo)稱阻值,誤差.色環(huán)有四道環(huán)和五道環(huán)兩種.讀色環(huán)時從電阻器離色環(huán)最進(jìn)的一端讀起,在色標(biāo)法中,色標(biāo)顏色表示數(shù)字如下:顏色黑棕紅橙黃綠藍(lán)紫灰白金銀數(shù)字0123456789-1-2四色環(huán)中,第一,二道色環(huán)表示標(biāo)稱阻值的有效值,第三道色環(huán)表示倍數(shù),第四道色環(huán)表示允許偏差,五色環(huán)中,前三道表示有效值,第四到為倍數(shù),第五道為允許誤差.周密電阻常用此法.例1:有一電阻器,色環(huán)顏挨次為:棕,黑,橙,銀,則阻值為:10X10±10%(Ω)二:電容器 英文Capacitor┼電路符號┼(b)(a),(b)分別表示為無極性,有極性的電容器的電路符號.電容慨念電容器是儲存電荷的容器.電容器的容量CC=Q/U=ΣS/4πd,單位法拉(F).種類電容器可分為:陶瓷電容,電解電容,安規(guī)電容,貼片電容,塑膠電容.主要性能參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)容量及允許偏差額定電壓DFDF=P/PPP溫度系數(shù)5.標(biāo)注方法直標(biāo)法PFChoke即線圈)電路符號(一般電感無極性)主要參數(shù)電感量及允許偏差質(zhì)量因子(Q感抗xL=WL=2πfL Q=2πfL/R Q即為質(zhì)量因子種類可分為固定電感器,帶磁心電感線圈,可變電感器四.半導(dǎo)體二極管(英文Diode)Test#Test#Description1VFForwardvoltage2IRReversecurrentleakage3BVRBreakdownvoltage電路符號┼▔┼▔二極管只能一個方向流過電流,即電能只能從它正極流向負(fù)極.在正常狀況下,硅管的正向壓降為0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V,即二極管正向壓降根本保持不變,當(dāng)外加正向電壓到達(dá)肯定程度,二極管正向電流會很大,將燒壞二極管.當(dāng)加在二極管上的反向電壓小于一個臨界值時,二極管的反向電流很小,即反向時二極管的內(nèi)阻很大,相當(dāng)于二極管截止.當(dāng)二極管的反向電壓大于臨界值時,二極管會反向擊穿.構(gòu)造是由一個P型半導(dǎo)體和一個NPN,PN單向?qū)щ娦?種類一般二極管 (2)發(fā)光二極管 (3)穩(wěn)壓二極管 (4)變?nèi)荻O管主要參數(shù)IF:表征二極管所能流過的最大正向電流.在一VR反向電流IR:是在最大反向工作電壓下的二極管反向電流值工作頻率:表示二極管在高頻下的單向?qū)щ娦阅?五.穩(wěn)壓二極管Test#Description1VFForwardvoltage2BVZMinimumZenervoltage.(Usetest#5)3BVZMaximumZenervoltage.(Usetest#5)4IRReversecurrentleakage5BVZBVzwithprogrammablesoak6 ZZ
1 KHz Zener Impedance(requiresZZ-1000 Model5310)IUIU(圖二)(圖一)穩(wěn)壓原理從(圖二)穩(wěn)壓特性曲線可以看出,當(dāng)穩(wěn)壓管反向擊穿后,流過二極管的工作電流發(fā)生很大變化時,穩(wěn)壓二極管的電壓降壓V2根本不變,所以穩(wěn)壓管穩(wěn)壓就是利用二極管兩端的電壓能穩(wěn)定不變的特性.假設(shè)加在穩(wěn)壓管上的反向電壓小于反向擊穿電壓值,那么穩(wěn)壓管處于截止?fàn)顟B(tài),即開路.主要參數(shù)穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電流:穩(wěn)壓管工作對參考電流值,電流小于該值,穩(wěn)壓效果會略差額定功率損耗電壓溫度系數(shù)動態(tài)電阻六.半導(dǎo)體三極管(又稱晶體三極管)TestTRANSISTOR#Description1hFEForward-currenttransferratio2VBEBase emitter voltage(see also3IEBOAppendixF)Emittertobasecutoffcurrent4VCESSaturationvoltage5ATICBOCollectortobasecutoffcurrent6ICEOICER,Collectortoemitercutoffcurrentwithbasetoemiterload,7ICEX,ICESBVCEreversebias,orshort(seealsoAppendixF)Breakdown voltage,collector toOemitter,BVCEwithbasetoemiterRload,BVCEXBVCESreversebias,orshort(seealsoAppendixF)BVCBBreakdown voltage,collector O baseBVEB Breakdown voltage,emitter toObase10VBESATBaseemittersaturationvoltage1.電路符號NPN (b)PNPcbeICcbecb Ib
N)ic(3)共放射極輸出特性曲ic(3)共放射極輸出特性曲uceceb(b)ceb(b)PNPIbIe PbNIe e構(gòu)造如上圖.三極管是由三塊半導(dǎo)體組成,構(gòu)成兩個PN結(jié),即集電結(jié)和放射結(jié),基結(jié)3個電極,分別是集電極,基極,放射極,管子中工作電流有集電極電流Ic,基極電流Ib,放射極電流Ie,Ie=Ib+Ic Ic=βIb,β為三極管電流放大倍數(shù).3.工作原理U3.工作原理UcUcUbUbE1E2(1)NPNE1UeE2(2)PNPUe放大區(qū)放射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,E1>E2,即NPNVc>Vb>Ve,PNP型三極管 Vc<Vb<Ve.三極管處于放大狀態(tài).由于Ic=βIb,即Ic受Ib掌握,而Ic的電流能量是由電源供給的,此時Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)截止Ib≦0,UBE<0.5VUBE≦0,即放射結(jié)零偏或反偏,截止時,集電結(jié)也反向偏置.飽和區(qū)VCE<VBE,即集電結(jié)正向偏置,放射結(jié)正向偏置時,三極管處于飽和區(qū).UCE(sat)UCE(sat0.3VUCE(sat0.1V主要參數(shù)共放射極直流電流放大系數(shù)β,即Hfe,β=IC/IB共放射極溝通電流放大系數(shù)β.β=ΔIC/ΔIBICBOICEO,即穿透電流PCMICMU(BR)CBOU(BR)CBOU(BR)CBOSCR,也叫晶閘管)SCR Test# Description1IGTGate-triggercurrent2IGKOReversegatecurrent5VGTGate-triggervoltage6BVGKOReversegaetbreakdownvoltage7IDRMForwardBlockingcurrent8IRRMReverseBlockingcurrent9ILLatchingcurrent11IHHoldingcurrent(seealsoAppendixF)13VTMForwardonvoltage15VDRMForwardblockingvoltage16VRRMReverseblockingvoltage電路符號A K陽極 G 掌握極 陰極工作原理在陽,陰極間加上一個正電壓,再在掌握極和陰極之間加上正電壓,可控硅導(dǎo)通.可控硅導(dǎo)通后,去掉掌握極上的電壓,可控硅仍舊導(dǎo)通,所以掌握極上的電壓稱為觸發(fā)電壓.(3)導(dǎo)通后,UAK=0.6~1.2V(4)要使導(dǎo)通的可控硅截止,得降低UAK,同時陽極電流也下降,當(dāng)陽極電流IH主要參數(shù)(1UB0,指在掌握極開路,使可控硅導(dǎo)通所對應(yīng)的峰值電壓(2UF0.6~1.2VIH:從通態(tài)至斷態(tài)的臨界電流UG1~5V八.變壓器變壓器是變換電壓的器件電路符號. .L1L2(a)L1L2圖中是帶鐵芯(或磁芯)的變壓器的符號,它有兩組線圈L1,L2,其中L1初級,L2為次級.圈中黑點(diǎn)表示線圈的同名端,它說明是同名端的兩端上的信號相位是同樣的.1構(gòu)成變壓器的部件一般有初級線圈,次級線圈.鐵芯線圈骨架,外殼等組成.為了防潮,絕緣,結(jié)實(shí),有時還泡有凡尼水.鐵芯是用來供給磁路的.3.工作原理當(dāng)給初級通入溝通電時,溝通電流流過初級,初級要產(chǎn)生交變磁場,這一交變磁場的變化規(guī)律與輸入初級的溝通電變化規(guī)律一樣.初級的交變磁場作用于次級線圈.次級線圈由磁勵電,在次級兩端便有感生電壓,這樣初級上的電壓便傳輸?shù)酱渭壛?主要參數(shù)變匝比:變壓器初級匝數(shù)為N1,次級匝數(shù)為N2,在初級上加信號電壓為U1U2,則有下式成立:U2/U1=N2/N1=N N效率是在額定負(fù)載時,輸出功率與輸入功率之比值,即η=Po/Pi*100%電壓,電流的關(guān)系假設(shè)η=100%P2=P1,式中:P2,P1U2/U1=I1/I2=N2/N1=N九.光電藕合器 (英文 PHOTOCOUPLE)TestPHOTOCOUPL#ER(RequiresOptoAdapter)
1 LCOFF CollectortoemitterdarkcurrentLCBO Collector to base darkcurrentBVCEOBreakdownvoltage,collectortoemitterBVCBOBreakdownvoltage,collectortobaseHFE Forward current transferratio,transistorVCESATSaturation voltage,basedrivenIRVFCTR
ReversecurrentForwardvoltageCurrentratio,coupledSaturationvoltage,coupled
transfer光電藕合器主要由兩個元件組成,一個發(fā)光二極管(LED),另一個是光敏器件,它可以是光電池,光敏三極管,光敏單向可控硅等器件.電路符號工作原理IF當(dāng)有電流流過LED時,便產(chǎn)生一個光源,光的強(qiáng)度取決于鼓勵電流的強(qiáng)度,此光源照耀到封裝在一起的光敏三極管上后,光敏三極管產(chǎn)生一個與LEDCTR,即電流傳輸比.IFICIC/IF=CTR十.場效應(yīng)管JEFT Test#Description1VGSOFFGatetosourcecutoffvoltage.2lDssZerogatevoltagedraincurrent.3BVDGODraintogatebreakdownvoltage.4IGSSGatereversecurrent.5IDGODraintogateleakage.6IDOFFDrain cut-off7BVGSScurrent.Gate to source breakdown8VDSONvoltage.Draintosourceon-statevoltage.場效應(yīng)管是一種由輸入信號電壓來掌握其輸出電流大小的半導(dǎo)體三極管,是電壓掌握器件,輸入電阻格外高.場效應(yīng)管分為:結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣珊場效應(yīng)管(IGFET)兩大類.結(jié)型應(yīng)管一.結(jié)型場效應(yīng)管有N型和Pdd 結(jié)型場效應(yīng)管有三極:珊極dg g 源極N型 s P型 s 漏極二.工作原理結(jié)型場效應(yīng)管有兩個PN成一個導(dǎo)電溝道,當(dāng)d,s極間加上肯定電壓時,電流就可以從溝道中流過,即通過源電壓來轉(zhuǎn)變導(dǎo)電溝道電阻,實(shí)現(xiàn)對漏極電流的掌握.三.結(jié)型場效應(yīng)管的主要參數(shù)夾斷電壓UDS(off),當(dāng)UDS等于某一個定值(10v),使Id等于某一個微小電流(如50uA)時, 源極間所加的UGS即為夾斷電壓.UDS(off)一般為1~10VIDSUGS=0流.RGSGMU(BR)DSU(BR)GSPDM絕緣珊場效應(yīng)管MOSFETTest#Description1VGSTHThresholdvoltag23IDsslDSxBVDssZerogatevoltagedraincurrent.withgatetoSourcereversebias.DraintoSourcebreakdownvoltage.4VDSONDraintoSourceon-statevoltage.IGSSF Gate to Source leakage currentforward.IGSSR Gate to Source leakage currentreverse.VF Diodeforwardvoltage.8VGSFGatetoSourcevoltage(forward)9VGSRrequiredforspecifiedInatspecifiedVos.(seeSISQAppendixF)GatetoSourcevoltage(reverse)requiredforspecifiedIDatspecified10VDSONVDS.(seealsoAppendixF)On-statedraincurrent11VGSONOn-stategatevoltage一.構(gòu)造和符號它是由金屬氧化物和半導(dǎo)體組成,故稱為MOSFET,簡稱MOS管,其符號和極性gbiDggbiDg-b+s+-+-(1)增加型NMOS (2)增加型PMOSgBgBs(4)耗盡型gBgBs(3)耗盡型NMOS二.主要參數(shù)BVDSIDMSXVGSRON(GM)最高工作瀕率TON十一.集成電路 (英文 IntegratedCircuit縮寫為IC)集成電路按引腳分別為:單列集成電路,雙列集成電路,園頂封裝集成電路,四列集成電路,反向分布集成電路.IC(一).TL431 電壓穩(wěn)壓器電路,電路符號如圖:陰極(K)參考輸入端?(a) 陽極(A)TL431(b)2.5VUR>2.5K,AUR<2.5V,K,A+-+-K2.5VrefA(b)(二).PWM(IC)片1.DNA1001DP16Pin,PinCS 1.0V,ICGND 電源地3).DRIVE MOSFET4).VCC 電源5).UREF +5V6).RT/CT RTPin5CT7).FM 接電容到地,則會影響振蕩頻率,并且削減傳導(dǎo)與輻射的電磁干擾,街地則無此功能.8)P 內(nèi)部此腳接到電流比較器上,外部電路此腳一般接到光耦合器的集電極端做回授之用.9).SS 接一個電容到地.,可到達(dá)嚴(yán)峻起動功能.10).FAULT 2.5VIC11).BROWNOUT BULKCAPACTIOR2.5VIC12).REX 此腳接一個電阻到地,用來作為電流產(chǎn)生器.13).ADC 2.5VV=1.5V65%.14).POCP OCP1.2VIC15)CSLOPE此腳為振蕩電路做電壓補(bǔ)償.160GND 2.UC3842UC38428PinPin1).內(nèi)部誤差放大器輸出端反響電壓輸入端1V6KT,CTf=1/RTG5).GND6).Drive,驅(qū)動臃沖輸出7).Vcc8).+5vICUC3842Vcc31V11VUC3843的7腳為電壓輸入端,其啟動電壓范圍為16V~34V,假設(shè)電源起動時Vcc<16V8+5V3.TL494TL49416PinPin1)采樣電壓142.5V接阻容電路,作消振校正用IC動脈沖最窄CT6)RT7)GND8)Drive驅(qū)動脈沖輸出9)Drive驅(qū)動脈沖輸出10)Drive驅(qū)動脈沖輸出11Drive驅(qū)動脈沖輸出12)Vcc輸出方式掌握,該腳接地,內(nèi)部觸器發(fā)失去作用+5v同相端反相端16Pin(三)UC3854
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