模擬集成電路設(shè)計智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年廣東工業(yè)大學(xué)

模擬集成電路設(shè)計智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年廣東工業(yè)大學(xué)在LC振蕩器電路中，可變電容器能實現(xiàn)頻率調(diào)節(jié)，但是它的不足？（）

答案:N阱電阻率高，產(chǎn)生串聯(lián)電阻RS###N阱與襯底間大電容Cn

答案:運放使用大尺寸器件###增大ΔVBE帶隙基準電路中，通常用于溫度補償?shù)脑心男?？（?/p>

答案:電阻###BJT套筒式共源共柵運放的特點為（）。

答案:增益高###不適合做單位增益緩沖器###輸出擺幅小模擬集成電路設(shè)計中可使用小信號分析方法的是（）

答案:增益若第一非主極點頻率等于運放的單位增益帶寬，系統(tǒng)的相位裕度為（）

答案:45°在寬長比保持不變的情況下，跨導(dǎo)隨過驅(qū)動電壓和漏電流變化的關(guān)系是。（）

答案:跨導(dǎo)隨過驅(qū)動電壓增大而減小，跨導(dǎo)隨漏電流增大而增大

答案:F點的擺幅和輸出擺幅一樣下列哪種振蕩器能產(chǎn)生多相信號？（）

答案:環(huán)形振蕩器鎖相環(huán)對輸入抖動具有（）濾波作用。

答案:低通

答案:200kHz

答案:500kHZ下列哪種電路能夠振蕩？（C）（）

答案:置于單位增益環(huán)路的三級共源級電路

答案:(1+1/A)CF以下哪個是帶隙基準中運放的作用？（）

答案:鉗位

答案:M3進入線性區(qū)后，輸出電流顯著下降在集成電路中，帶隙基準主要用于（）

答案:提供參考電壓

答案:三極管區(qū)采用二極管連接的NMOS或PMOS，因漏極和柵極電勢一樣，這時晶體管總是工作在。（）

答案:飽和區(qū)工作在線性區(qū)的MOS管，其漏源電阻不受其影響的是（）

答案:負載電阻典型的帶隙基準（非低壓帶隙基準）輸出電壓是多少？（）

答案:1.2V基本差動對電路中對差模增益沒有影響的是。（）

答案:尾電流源的小信號輸出阻抗為有限值

答案:圖中差分放大器通過電阻提供1mA的尾電流，已知(W/L)1,2=25?0.5，

答案:3.16kΩ當差分放大器的差分輸入為0時，放大器的跨導(dǎo)Gm最小。（）

答案:錯延遲鎖相環(huán)DLL可以產(chǎn)生可變的輸出頻率。（）

答案:錯降低尾電流源的輸出阻抗可以提升運放的共模抑制比。（）

答案:錯啟動問題的模擬，需要在直流掃描仿真中要求電源電壓從零伏開始上升，還需要在瞬態(tài)仿真中要求電源電壓從零伏開始上升。（）

答案:對運放的轉(zhuǎn)換速率和輸入無關(guān)。（）

答案:對

答案:錯差動結(jié)構(gòu)的振蕩器電路級數(shù)可以是偶數(shù)，只要將其中的一級結(jié)成不反相的。（）

答案:對帶并聯(lián)LC負載的共源級電路，其峰值輸出電壓可以超過電源電壓。（）

答案:對在II型鎖相環(huán)中插入分頻器后，穩(wěn)定性和穩(wěn)定速度下降。（）

答案:對差分放大器中尾電流源的輸出阻抗越高越好。（）

答案:對在P襯N阱工藝中，N阱中的P+區(qū)作為發(fā)射區(qū)，N阱本身作為基區(qū)，P襯底作為集電區(qū)。（）

答案:對由于體效應(yīng)的影響，對于NMOS管，保持襯底電壓不變，升高源極電壓，閾值電壓將變小。（）

答案:錯帶源極負反饋的共源級放大器，具有較高的線性度和更大的增益。（）

答案:錯MOS管器件的體效應(yīng)是由于襯底與柵極有電壓差。（）

答案:錯恒定Gm偏置是指偏置一些晶體管，使它們的跨導(dǎo)不依賴于溫度，工藝，電源電壓。（）

答案:對相同條件下，有源負載共源極比電流源負載的增益要大（）

答案:對驅(qū)動負載電容的源跟隨器會顯示出負的輸入電阻，可能引起不穩(wěn)定。（）

答案:對低壓共源共柵電流鏡的最低輸出電壓為2Vth+Vdsat。（）

答案:錯提高基本電流鏡的溝道長度L會改善影響電流鏡的電流復(fù)制精度。（）

答案:對電流源負載共源極的輸入電阻較?。ǎ?/p>

答案:錯PLL可以產(chǎn)生可變的輸出頻率。（）

答案:對PFD/CP/LPF組合是一個線性系統(tǒng)。（）

答案:錯鎖相環(huán)的應(yīng)用包括（）。

答案:數(shù)據(jù)和緩沖后的時鐘之間的偏移減小###頻率的倍增###頻率的合成###抖動的減小異或門作為鑒相器的增益與頻率無關(guān)。（）

答案:對PLL中的振蕩器存在相位偏移的積累。（）

答案:對需要對II型鎖相環(huán)進行頻率補償以保持系統(tǒng)穩(wěn)定。（）

答案:對與PLL相比，DLL具有更好的穩(wěn)定性。（）

答案:對對于I型鎖相環(huán)，ωLPF越小，穩(wěn)定時間越短。（）

答案:錯電阻是增量，負電阻表示：如果施加的電壓增大，那么流過電路的電流減小。（）

答案:對

答案:ISSR1調(diào)節(jié)環(huán)振延時的“插值法”，產(chǎn)生最小頻率時，只有慢路徑導(dǎo)通。（）

答案:對交叉耦合振蕩器的尾電流源是用來降低電源電壓敏感性。（）

答案:對LC振蕩器的諧振頻率主要由什么決定？（）

答案:電感值L和電容值C的平方根CMOS振蕩器通常使用哪種類型的反饋？（）

答案:正反饋三級CMOS反相器環(huán)形振蕩器，反相器延時TD，產(chǎn)生的振蕩周期為6TD。（）

答案:對基準電壓的溫度系數(shù)越小表示：（）

答案:基準電壓隨溫度的變化小雙極晶體管的基極-發(fā)射極電壓，或者PN結(jié)二極管的正向電壓，具有負溫度系數(shù)。（）

答案:對下面哪個量具有負溫度系數(shù)：（）

答案:三極管基極-發(fā)射極電壓VBE兩個雙極晶體管工作在不相等的電流密度下，它們的基極-發(fā)射極電壓的差值就與絕對溫度成正比。（）

答案:對在帶隙基準中，為了減小運放失調(diào)電壓的影響，運放采用大尺寸器件，并仔細選擇版圖的布局。（）

答案:對在帶隙電壓基準電路中，考慮集電極電流隨溫度變化的影響后，通常VBE的溫度系數(shù)會變：（）

答案:變小在帶隙基準中，由運放產(chǎn)生的信號回到了兩個輸入端，正反饋系數(shù)必須小于負反饋系數(shù)，以確?？偟氖秦摲答仭＃ǎ?/p>

答案:對電源抑制比（PSRR）定義為從輸入到輸出的增益除以從電源到輸出的增益。（）

答案:對相位裕度越小，系統(tǒng)越穩(wěn)定。（）

答案:錯在兩級運放中采用密勒補償技術(shù)可以（）

答案:將次極點頻率升高###提升相位裕度###將主極點頻率降低輸出級的高阻抗和偏置電流鏡引入的電流偏差使運放的共模電壓存在不確定性。（）

答案:對

答案:2000折疊式共源共柵運放與套筒式共源共柵運放相比更適合做單位增益緩沖器。（）

答案:對一個二級運放，不能同時實現(xiàn)高增益和大擺幅。（）

答案:錯共源級電路中，當共源MOS管的CDB增加時，不能采用低頻增益計算密勒效應(yīng)的乘積項。（）

答案:對和共源級相比，共源共柵電路抑制了密勒效應(yīng)。（）

答案:對差動放大器的CMRR中零點頻率大于極點頻率。（）

答案:對在阻抗Z與信號主通路并聯(lián)的許多情況下，密勒定理被證明是有用的。（）

答案:對一般情況下，和共源級電路相比，共柵級電路可以設(shè)計成具有更大的帶寬。（）

答案:對采用密勒近似分析共源級電路的頻率特性會忽略零點的存在。（）

答案:對當RS>1/gm時，源級跟隨器的輸出阻抗包含電容的元件。（）

答案:錯提高五管OTA的輸入共模電壓可以提高輸出動態(tài)范圍。（）

答案:錯低壓共源共柵電流鏡的最低輸出電壓為2Vdsat。（）

答案:對共源共柵電流鏡具有較大的輸出擺幅。（）

答案:錯共源共柵電流鏡具有較高的輸出阻抗。（）

答案:對提高五管OTA的輸入跨導(dǎo)可以提高共模抑制比。（）。

答案:對提高電流鏡輸出電阻不會影響電流鏡的電流復(fù)制精度。（）

答案:錯五管OTA是差分輸入單端輸出的。（）

答案:對溝道長度調(diào)制效應(yīng)會影響基本電流鏡的電流復(fù)制精度。（）

答案:對當差分放大器的差分輸入為0時，放大器的跨導(dǎo)Gm最大。（）

答案:對當電路不對稱時，差分放大器的輸入共模變化會導(dǎo)致輸出差模信號變化。（）

答案:對差分放大器比單端放大器的線性度好。（）

答案:對對于一個差分放大器，可以通過改變它的偏置電流改變增益。（）

答案:對提高差分放大器輸入管的W/L可以提高輸入范圍。（）

答案:錯差分放大器的輸入信號可以拆分為差分輸入信號和共模輸入信號。（）

答案:對差動放大器的輸入共模變化會影響輸出偏置點和輸出擺幅。（）

答案:對對于共源放大器，與二極管連接的PMOS做負載相比較，用工作在飽和區(qū)的PMOS作負載可以得到更高的輸出電阻。（）

答案:對共柵級既是電壓放大器，也是電流放大器（）

答案:對共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個重要特性就是輸出阻抗很高。（）

答案:對對于源極跟隨器，與電阻負載相比，電流源負載能夠提高它的線性度。（）

答案:對共源共柵放大器的輸出擺幅變大，增益變大（）

答案:錯電流源負載共源級放大器中，下列措施不能提高放大器小信號增益的是。（）

答案:增大漏極電流有限電阻負載共源級放大器中，下列措施不能提高放大器小信號增益的是。（）

答案:增大器件的溝道長度L源極跟隨器能實現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換（）

答案:對MOS管器件流控電壓源。（）

答案:錯模擬集成電路設(shè)計中可使用大信號分析方法的是（）

答案:輸出擺幅(C)表征了MOS器件的靈敏度。（）

答案:gmMOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的體效應(yīng)產(chǎn)生的。（）

答案:錯MOS器件中，保持VDS不變，隨著VGS的增加，MOS器件將從截止區(qū)到線性區(qū)最后到飽和區(qū)。（）

答案:錯MOS管一旦出現(xiàn)()現(xiàn)象，此時的