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文檔簡(jiǎn)介
物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
1.常見原子軌道電子云輪廓
原子軌道電子云輪廓形狀軌道個(gè)數(shù)
S球形1
P啞鈴形3(Px,Py,Pz)
2.原子核外電子的排布規(guī)律
原子核外電子總是優(yōu)先占據(jù)能量更低的原子軌道
①能量最低原理
1s一2s一2P一3s—3P一4s—3d一4P一5s—4d一5P一6s...
當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí),基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌
②洪特規(guī)則
道,且自旋狀態(tài)相同
③泡利原理每個(gè)原子軌道上最多只能容納2個(gè)自旋方向相反的電子
3.基態(tài)原子核外電子排布的四種方法
表示方法舉例
電子排布式K:Is22s22P63s23P64sl
簡(jiǎn)化表示式Cu:[Ar]3d1°4sl
價(jià)電子排布式Fe:3d64s2
電子排布圖Is2s2p
0:
(或軌道表示式)RMt
①常見特殊原子或離子基態(tài)簡(jiǎn)化電子排布式
微粒電子排布式微粒電子排布式微粒電子排布式
Fe原子[Ar]3d64s2Cu+[Ar]3d10Cu2+[Ar]3d9
Cr原子[Ar]3d54slFe2+[Ar]3d6Mn2+[Ar]3d§
Cr3+[Ar]3d3Fe3+[Ar]3d5Ni原子[Ar]3d84s2
②基態(tài)原子電子排布圖書寫的常見錯(cuò)誤
錯(cuò)誤類型錯(cuò)因剖析改正
tfI違背能量最低原理
叵]違背泡利原理
違背洪特規(guī)則
違背洪特規(guī)則
4.電離能、電負(fù)性
(1)元素第一電離能的周期性變化規(guī)律
同一周期,隨著原子序數(shù)的增加,元素的第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢(shì),稀有氣體元素的第一電離
一般規(guī)
能最大,堿金屬元素的第一電離能最?。煌恢髯澹S著電子層數(shù)的增加,元素的第一電離能逐
律
漸減小
第一電離能的變化與元素原子的核外電子排布有關(guān)。通常情況下,當(dāng)原子核外電子排布在能量相
特殊情
等的軌道上形成全空(P°、d。、f0)、半滿(p3、d\P)和全滿86、dQP4)結(jié)構(gòu)時(shí),原子的能量較低,
況
該元素具有較大的第一電離能
(2)電離能、電負(fù)性大小判斷
規(guī)律在周期表中,電離能、電負(fù)性從左到右逐漸增大,從上往下逐漸減小
同周期主族元素,第IIA族(小2)全充滿、第VA族(即3)半充滿,比較穩(wěn)定,所以其第一電離能大于
特性
同周期相鄰的第niA族和第VIA族元素
常常應(yīng)用化合價(jià)及物質(zhì)類別判斷電負(fù)性的大小,如。與C1的電負(fù)性比較:①HC1O中C1為+1
方法價(jià)、0為一2價(jià),可知O的電負(fù)性大于C1;②AI2O3是離子化合物、AlCb是共價(jià)化合物,可知0
的電負(fù)性大于C1
5.◎鍵、兀鍵的判斷
(1)由原子軌道重疊方式判斷:“頭碰頭”重疊為◎鍵,“肩并肩”重疊為兀鍵。
(2)由共價(jià)鍵數(shù)目判斷:?jiǎn)捂I為◎鍵;雙鍵或三鍵中一個(gè)為。鍵,其余為兀鍵。
(3)由成鍵軌道類型判斷:s軌道形成的共價(jià)鍵全是◎鍵;雜化軌道形成的共價(jià)鍵全是◎鍵。
6.中心原子雜化類型和分子空間構(gòu)型的相互判斷
分子(A為中心原子中心原子孤
分子構(gòu)型示例
中心原子)雜化方式電子對(duì)數(shù)
sp0直線形BeCb
2形
AB2sp1VSO2
sp32V形H2O
sp20平面三角形BF3
AB3
sp31三角錐形NH3
3正四面體形
AB4sp0CH4
7.常見等電子體
粒子通式價(jià)電子總數(shù)立體構(gòu)型
C02、SCN-、NO]、N9、N2O、COS、CS16e-直線形
2AX2
COr、NO?、SO3AX324e-平面三角形
形
SO2、O3、NO2AX218e-V
正四面體形
sor>porAX432e-
三角錐形
por、sor、cio;AX326e-
co、N2、crAXlOe-直線形
CH4、NHj正四面體形
AX48e-
8.非極性分子與極性分子的判斷
非極性分子
t
單質(zhì)--正負(fù)電荷中心重合--結(jié)構(gòu)對(duì)稱
八t
雙原子分子多原子分子
I
化合物一^正負(fù)電荷中心不重合^一結(jié)構(gòu)不對(duì)稱
極性分子
9.范德華力、氫鍵、共價(jià)鍵的比較
范德華力氫鍵共價(jià)鍵
已經(jīng)與電負(fù)性很大的原子(N、
分子間普遍存在的一種相互作用0、F)形成共價(jià)鍵的氫原子與另原子間通過共用電子對(duì)形
概念
力,但不是化學(xué)鍵一個(gè)電負(fù)性很大的原子(N、0、成的化學(xué)鍵
F)之間的作用力
氫原子與F、N、O原子(分子
存在范圍分子或原子(稀有氣體)之間相鄰原子間
內(nèi)、分子間)
特征無方向性、無飽和性有方向性、有飽和性有方向性、有飽和性
強(qiáng)度比較共價(jià)鍵〉氫鍵〉范德華力
①隨著分子極性和相對(duì)分子質(zhì)量
對(duì)于A—H…B,A、B原子的成鍵原子半徑越小、鍵長(zhǎng)越
影響強(qiáng)度的增大而增大;
電負(fù)性越大,B原子的半徑越短,鍵能越大,共價(jià)鍵越穩(wěn)
的因素②組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對(duì)
小,氫鍵鍵能越大定
分子質(zhì)量越大,范德華力越大
①影響物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)、溶解度分子間氫鍵的存在,使物質(zhì)的①影響分子的穩(wěn)定性,共價(jià)
等物理性質(zhì);熔、沸點(diǎn)升高,在水中的溶解鍵鍵能越大,分子穩(wěn)定性越
對(duì)物質(zhì)性
②組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),隨相度增大;分子內(nèi)氫鍵會(huì)使物質(zhì)強(qiáng);
質(zhì)的影響
對(duì)分子質(zhì)量的增大,物質(zhì)的熔、的熔、沸點(diǎn)降低,在水中溶解②影響原子晶體的熔、沸
沸點(diǎn)升高度減小點(diǎn),硬度
10.3g價(jià)鍵、離子鍵、金屬鍵的比較
化學(xué)鍵
共價(jià)鍵離子鍵金屬鍵
存在分子或物質(zhì)內(nèi)部
①電荷越大,離子鍵越強(qiáng);②①與金屬陽離子所帶電荷成正比;
鍵長(zhǎng)越短,鍵能越
強(qiáng)弱判斷成鍵的陰、陽離子半徑越小,②與陽離子半徑成反比;
大,共價(jià)鍵越強(qiáng)
離子鍵越強(qiáng)③與價(jià)電子數(shù)多少成正比
對(duì)物質(zhì)性
化學(xué)性質(zhì)物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)
質(zhì)的影響
11.配合物
配合物的組成[中心離子(配體)”][外界]
典型配合物
CU(NH3)4SO4Fe(SCN)3Ag(NH3)2OH
中心離子Cu2+Fe3+Ag+
中心離子結(jié)構(gòu)特點(diǎn)一般是金屬離子,特別是過渡金屬離子,必須有空軌道
配體
NH3SCN-NH3
配體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分子或離子,必須含有孤對(duì)電子(如NH3、壓0、CO、CKSCN一等)
配位數(shù)(")432
外界2
SO4'無OH-
顏色深藍(lán)色血紅色無色
配離子所含化學(xué)鍵配體通過配位鍵與中心離子結(jié)合
配合物所含化學(xué)鍵配位鍵、離子鍵;配體或外界中可能還含有共價(jià)鍵
配合物的常見性質(zhì)屬于離子化合物,多數(shù)能溶解、能電離,多數(shù)有顏色
是過渡金屬和一氧化碳配位形成的配合物,如四鍛基銀[Ni(CO)4]。在許多有機(jī)化
金屬攜基配合物
合物的合成反應(yīng)中,金屬跋基配合物常常作為這些反應(yīng)的催化劑
二茂鐵的結(jié)構(gòu)為一個(gè)鐵原子處在兩個(gè)平行的環(huán)戊二烯的環(huán)之間。在固體狀態(tài)下,
兩個(gè)茂環(huán)相互錯(cuò)開成全錯(cuò)位構(gòu)型,溫度升高時(shí)則繞垂直軸相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)。二茂鐵的化
二茂鐵si
學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,類似芳香族化合物
12.物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低比較規(guī)律
一般情況下,原子晶體〉離子晶體〉分子晶體,如:金剛石>NaCl>Cb;金屬晶體〉分子晶體,如:Na>Cho(金
屬晶體熔、沸點(diǎn)有的很高,如鴇、的等,有的則很低,如汞等)
原子晶體半徑越小鍵長(zhǎng)越短}一鍵能越大T熔、沸點(diǎn)越高,如:金剛石〉石英〉晶體硅
一般地說,陰陽離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,離子鍵越強(qiáng),晶格能越大,熔、沸點(diǎn)就
離子晶體
越iWjo如:MgO>MgCb,NaCl>CsCl
金屬晶體金屬離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,其形成的金屬鍵越強(qiáng),金屬單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)就越
高,如Al>Mg>Na
①分子間作用力越大,物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高;具有分子間氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常的高。
如H2O>H2Te>H2Se>H2S
②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,如SnH4>GeH4>SiH4
分子晶體>CH4
③組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔沸點(diǎn)越高,如CO
>N2
①在同分異構(gòu)體中,一般支鏈越多,熔、沸點(diǎn)越低,如正戊烷〉異戊烷〉新戊烷
13.幾種典型晶體模型
晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解
(1)每個(gè)碳原子與4個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體結(jié)構(gòu)
(2)鍵角均為109°28'
(nr
金剛石(3)最小碳環(huán)由6個(gè)C組成且六原子不在同一平面內(nèi)
原子or(4)每個(gè)C參與4個(gè)CC鍵的形成,C原子數(shù)與C-C鍵數(shù)之比為1:
晶體2
為二幺⑴每個(gè)Si與4個(gè)0以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體結(jié)構(gòu)
每個(gè)正四面體占有個(gè)個(gè)〃:
SiO2(2)1Si,4“1/20”,(Si)?(0)=1:2
0旨(3)最小環(huán)上有12個(gè)原子,即6個(gè)0,6個(gè)Si
分子(1)8個(gè)C02分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)面心又各占據(jù)1個(gè)C02分子
干冰
晶體1⑵每個(gè)C02分子周圍等距緊鄰的CO2分子有12個(gè)
⑴每個(gè)Na+(C「)周圍等距且緊鄰的Cl-(Na+)有6個(gè)。每個(gè)Na+周圍等距
NaCl(型)1且緊鄰的Na+有12個(gè)
離子?nn⑵每個(gè)晶胞中含4個(gè)Na+和4個(gè)C1-
晶體7(1)每個(gè)Cs+周圍等距且緊鄰的C1-有8個(gè),每個(gè)C1-周圍等距且緊鄰的
CsCl(型)XCs+有8個(gè)
⑵如圖為8個(gè)晶胞,每個(gè)晶胞中含1個(gè)Cs+、1個(gè)C1-
?a
金屬簡(jiǎn)單立方產(chǎn)
典型代表Po,空間利用率52%,配位數(shù)為6
晶體堆積
1
體心立方
:聞典型代表Na、K、Fe,空間利用率68%,配位數(shù)為8
堆積
六方最密(
典型代表Mg、Zn、Ti,空間利用率74%,配位數(shù)為12
堆積(
面心立方工1
口典型代表Cu、Ag、Au,空間利用率74%,配位數(shù)為12
最密堆積
14.解答有關(guān)晶胞計(jì)算的流程
理叫_找出晶胞,晶胞是晶體組成的最基本單位,確定
胞結(jié)構(gòu)一晶胞內(nèi)所有原子或離子的種類和位置。
語專司根據(jù)晶胞中不同位置的原子或離子對(duì)晶胞的不
1一同貢獻(xiàn),確定一個(gè)晶胞的組成,如一個(gè)Nad晶
螂閾胞相當(dāng)于4個(gè)Na。。
根據(jù)相對(duì)原子質(zhì)量,計(jì)算1mol晶胞質(zhì)量,然后
開宣制_除以阿伏加德羅常數(shù)得到一個(gè)晶胞的質(zhì)量,如
胞_一個(gè)NaCl晶胞質(zhì)量為箭第
確定晶_常見晶體的晶胞多為立方體,利用數(shù)學(xué)方法,計(jì)
胞體積一算一個(gè)晶胞的體積。
體盛一利用公式「專計(jì)算晶體的密度。
費(fèi)好題演填
1.(2021?湖北選擇性考試)金屬Na溶解于液氨中形成氨合鈉離子和氨合電子,向該溶液中加入穴醛類
配體L,得到首個(gè)含堿金屬陰離子的金黃色化合物[NaL]+Na,下列說法錯(cuò)誤的是()
A.Na-的半徑比F-的大B.Na-的還原性比Na的強(qiáng)
C.Na-的第一電離能比H-的大D.該事實(shí)說明Na也可表現(xiàn)非金屬性
【答案】C
【解析】Na-核外有3個(gè)電子層,而廣核外有2個(gè)電子層,故Na-的半徑比F-的大,A項(xiàng)正確;Na-的
半徑比Na的大,Na-中的原子核對(duì)最外層電子的吸引力小,易失去電子,故Na-的還原性比Na的強(qiáng),B項(xiàng)
正確;門的1s上有2個(gè)電子,為全充滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu),不易失去電子,而Na-最外層有2個(gè)電子,很活潑,故
Na-的第一電離能比H-的小,C項(xiàng)錯(cuò)誤;該事實(shí)說明可以形成Na\Na表現(xiàn)出非金屬性,D項(xiàng)正確。
2.(2021?湖北選擇性考試)下列有關(guān)N、P及其化合物的說法錯(cuò)誤的是()
A.N的電負(fù)性比P的大,可推斷NCb分子的極性比PCb的大
B.N與N的兀鍵比P與P的強(qiáng),可推斷NmN的穩(wěn)定性比P三P的高
C.NH3的成鍵電子對(duì)間排斥力較大,可推斷NH3的鍵角比Pfh的大
D.HNCh的分子間作用力較小,可推斷HNCh的熔點(diǎn)比H3P。4的低
【答案】A
【解析】Cl、P的電負(fù)性差值大于Cl、N的電負(fù)性差值,三氯化氮、三氯化磷的空間結(jié)構(gòu)都是三角錐
形,故三氯化氮的分子極性小于三氯化磷,A項(xiàng)錯(cuò)誤;分子的穩(wěn)定性與鍵能、鍵數(shù)目有關(guān),N與N的兀鍵比
P與P的強(qiáng),可推斷N三N的穩(wěn)定性比P三P的高,B項(xiàng)正確;NH3、PH3分子空間結(jié)構(gòu)都是三角錐形,N、P
原子價(jià)層孤電子對(duì)數(shù)都為1,雜化類型都是sp3,但是N原子半徑小于P,N的電負(fù)性大于P,NH3分子中
成鍵電子對(duì)之間排斥力大于PH3,故NHs鍵角大于PH,,C項(xiàng)正確;晶體熔點(diǎn)高低由構(gòu)成晶體的微粒之間
作用力大小決定,它們都是分子晶體,硝酸的相對(duì)分子質(zhì)量小于磷酸,HNCh分子間作用力小于H3P04,磷
酸的熔點(diǎn)高于硝酸,D項(xiàng)正確。
3.(2021?海南選擇性考試)SF6可用作高壓發(fā)電系統(tǒng)的絕緣氣體,分子呈正八面體結(jié)構(gòu),如圖所示。有
關(guān)SF6的說法正確的是()
OS
\\/oF
A
A.是非極性分子B.鍵角NFSF都等于90。
C.S與F之間共用電子對(duì)偏向SD.S原子滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
【答案】A
【解析】A項(xiàng),結(jié)構(gòu)對(duì)稱、正負(fù)電荷重心重合的分子為非極性分子,SF6分子呈正八面體結(jié)構(gòu),S原子
位于正八面體的中心,該分子結(jié)構(gòu)對(duì)稱、正負(fù)電荷重心重合,所以為非極性分子,A正確;B項(xiàng),SF6是結(jié)
構(gòu)對(duì)稱、正負(fù)電荷重心重合的分子,故鍵角NFSF不都等于90。,B錯(cuò)誤;C項(xiàng),由于F的電負(fù)性比S的大,
S與F之間共用電子對(duì)偏向F,C錯(cuò)誤;D項(xiàng),中心元素價(jià)電子數(shù)+化合價(jià)的絕對(duì)值=8時(shí)該分子中所有原子
都達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),但氫化物除外,該化合物中S元素化合價(jià)+價(jià)電子數(shù)=6+6=12,則S原子不是8電
子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),D錯(cuò)誤;故選A。
4.(2021?湖北選擇性考試)某立方晶系的禪鉀(Sb—K)合金可作為鉀離子電池的電極材料,圖a為該合
金的晶胞結(jié)構(gòu)圖,圖b表示晶胞的一部分。下列說法正確的是()
OK
?
sb
圖b
A.該晶胞的體積為/x10-36^3B.K和Sb原子數(shù)之比為3:1
C.與Sb最鄰近的K原子數(shù)為4D.K和Sb之間的最短距離為pm
【答案】B
【解析】該晶胞的邊長(zhǎng)為axlOTOcm,故晶胞的體積為g乂10-1。<:111)3=23*10-3。(;1113,A項(xiàng)錯(cuò)誤;該晶胞
中K的個(gè)數(shù)為12x1+9=12,Sb的個(gè)數(shù)為8x1+6xl=4,故K和Sb原子個(gè)數(shù)之比為3:1,B項(xiàng)正確;以面
482
心處Sb為研究對(duì)象,與Sb最鄰近的K原子數(shù)為8,C項(xiàng)錯(cuò)誤;K和Sb的最短距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的
73
L即巨。pm,D項(xiàng)錯(cuò)誤。
44
5.(2022?湖北省重點(diǎn)中學(xué)沃學(xué)聯(lián)盟高三聯(lián)考)下列有關(guān)化學(xué)用語表述或性質(zhì)比較正確的是()
2s2p
A.基態(tài)氧原子核外價(jià)電子排布軌道表示式E]run
B.基態(tài)氧原子核外有8種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子
C.用原子軌道描述氫分子中化學(xué)鍵的形成:
*?1
D.第三周期的元素中,第一電離能介于Mg和S之間只有1種元素
【答案】D
2s2p
【解析】A項(xiàng),基態(tài)氧原子核外價(jià)電子排布式為2s22P3價(jià)電子排布軌道表示式同所用
故A錯(cuò)誤;B項(xiàng),同一核外沒有兩個(gè)電子的各個(gè)參數(shù)完全相同,原子核外每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)都是不同的,
基態(tài)氧原子核外電子數(shù)為8,所以電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有8種,而不是“空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)",故B錯(cuò)誤;C項(xiàng),
左邊是氫原子原子軌道,右邊不是氫原子原子
軌道,因此該原子軌道描述不是描述氫分子中化學(xué)鍵的形成過程,故C錯(cuò)誤;D項(xiàng),P原子最外層3P能級(jí)
電子為半充滿,較穩(wěn)定,第一電離能應(yīng)為S<P,在第三周期元素中,第一電離能介于Mg和S之間只有硅元
素1種元素,故D正確;故選D。
6.(2022?遼寧省名校聯(lián)盟高三聯(lián)合考試)下列敘述及有關(guān)化學(xué)用語表達(dá)錯(cuò)誤的是()
選項(xiàng)敘述有關(guān)化學(xué)用語表達(dá)
H
鄰羥甲基苯酚存在
A
分子內(nèi)氫鍵OCXCu
結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式11或"
B甲醛中存在兀鍵
兀鍵的電子云輪廓圖:
M
CNaCl為離子化合物用電子式表示其形成過程:"(.!**KM
D草酸是二元酸草酸的實(shí)驗(yàn)式:CHO2
【答案】C
H
故A正確;B
項(xiàng),甲醛中存在C=O,其中有1個(gè)◎鍵和1個(gè)兀鍵,兀鍵的電子云輪廓圖為?-<',故B正確;C項(xiàng),
NaCl為離子化合物,鈉原子失電子、氯原子得電子,用電子式表示其形成過程N(yùn)a一?>Na-,曰:『
故C錯(cuò)誤;D項(xiàng),草酸是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式是HOOC-COOH,草酸是二元酸,草酸分子式是C2H2。4,實(shí)驗(yàn)式是CHO2,
故D正確;故選C。
7.(2022?山東省濰坊市高三一模)2021年9月24日《科學(xué)》雜志發(fā)表了我國(guó)科學(xué)家的原創(chuàng)性重大突
破,首次在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)從CO2到淀粉的全合成。其合成路線如下:
000110
CO27n工G>CH3OH西>火甲警.T11。人pH------->4H,,O0^^]'
Zn0-Zr0z?醇氧假翦)⑨[^¥H「
HIIuw'淀粉
下列說法錯(cuò)誤的是()
A.電負(fù)性:0>C>H>Zn
B.甲醇分子中H-C-0鍵角小于甲醛分子中H-C-0鍵角
C.DHA分子間存在氫鍵
D.Zn溶于氨水形成配合物[Zn(NH3)4](OH)2,ZW的配位數(shù)為6
【答案】D
【解析】A項(xiàng),C、0的氫化物中H均為正價(jià),同周期自左至右電負(fù)性依次增大,所以電負(fù)性0>C>
H,Zn為金屬元素,電負(fù)性最小,A正確;B項(xiàng),甲醇分子中C原子為sp3雜化,甲醛分子中C原子為sp2
雜化,所以甲醇分子中H-C-0鍵角小于甲醛分子中H-C-0鍵角,B正確;C項(xiàng),DHA分子中含有羥基,可
以形成分子間氫鍵,C正確;D項(xiàng),該配合物的內(nèi)界為[Zn(NH3)4]2+,所以Zn2+的配位數(shù)為4,D錯(cuò)誤;故選
Do
8.(2022?福建省名校聯(lián)盟全國(guó)優(yōu)質(zhì)校高三大聯(lián)考)由五種元素組成的某配離子是一種常用的有機(jī)催化
劑,結(jié)構(gòu)如圖。X、Y、Z、M、Q五種元素原子序數(shù)依次增大,Y、Z、M同周期,基態(tài)Z原子2P軌道有
兩個(gè)單電子,Q2+離子的價(jià)電子排布式為3d-下列說法正確的是()
「YMYMiT2*
IX|
/、"=Z/Z=Y\
xR
7=z,、Z=Y/
YM,YMJ一
A.Q的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物能溶于強(qiáng)酸,不溶于任何堿
B.原子半徑:M>Z>Y
C.簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn):Z>M>Y
D.含有X、Y、Z的酸的分子式一定是X2YZ3
【答案】C
【解析】X、Y、Z、M、Q五種元素原子序數(shù)依次增大,基態(tài)Z原子2P軌道有兩個(gè)單電子,則Z為C
元素;Y、Z、M同周期,由有機(jī)催化劑結(jié)構(gòu)可知,X形成1個(gè)共價(jià)鍵、Z形成2個(gè)共價(jià)鍵、M形成1個(gè)共
價(jià)鍵,則X為H元素、Z為O元素、M為F元素;Q2+離子的價(jià)電子排布式為3d%則Q為Cu元素。A項(xiàng),
氫氧化銅是弱堿,能溶于弱堿氨水形成四氨合銅離子,故A錯(cuò)誤;B項(xiàng),同周期元素,從左到右原子半徑
依次減小,C、0、F的原子半徑大小順序?yàn)镃>O>F,故B錯(cuò)誤;C項(xiàng),水分子和氟化氫分子能形成分子
間氫鍵,甲烷分子不能形成分子間氫鍵,甲烷的分子間作用力最小,沸點(diǎn)最低,水分子間形成的氫鍵數(shù)目
多于氟化氫分子,分子間作用力高于氟化氫,沸點(diǎn)高于氟化氫,則簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn)高低順序?yàn)镠2O>HF
>CH4,故C正確;D項(xiàng),氫、碳、氧三種元素形成的含氧酸可能為H2co3、CH3coOH、H2c2O4等,故D
錯(cuò)誤;故選C。
9.(2022?湖北省八市高三聯(lián)考)某鎂鋁尖晶石的晶胞由立方體A區(qū)和B區(qū)組成,其結(jié)構(gòu)如下圖所示。
下列說法正確的是()
3
A.該晶胞的體積為里xlO-%m3
8
B.與CP-最鄰近的AP+離子數(shù)為4
C.Mg2+和Mg2+之間的最短距離為息pm
4
D.該物質(zhì)的化學(xué)式為MgzAICU
【答案】C
【解析】A項(xiàng),由圖可知AB區(qū)棱長(zhǎng)均為^pm,則晶胞的棱長(zhǎng)為apm=G<10-i0cm,晶胞的體積為
a3xlO-3Ocm3,A錯(cuò)誤;B項(xiàng),與O?-最鄰近的AF+在B區(qū),由圖可知,O'、A/構(gòu)成的立方體中,與0?一最
鄰近的AP+離子為頂點(diǎn)的3個(gè),在A區(qū)中無鋁離子,B錯(cuò)誤;C項(xiàng),M『+和M『+之間的最短距離為A區(qū)體
CqA
對(duì)角線的一半,故為、蛆pm,C正確;D項(xiàng),晶胞中緊鄰的AB區(qū)為晶胞的四分之一部分,鎂離
亍Pm-4
子2個(gè)位于棱上、4個(gè)位于頂點(diǎn)、1個(gè)為體內(nèi),所含鎂離子為:2xl+4x1+l=2;鋁離子全部位于晶胞內(nèi)部,
數(shù)目為:4;氧離子全部位于晶胞內(nèi)部,數(shù)目為:8;則該物質(zhì)的化學(xué)式為Mg2Al2。4,D錯(cuò)誤;故選C。
10.(2022?八省八校高三第二次聯(lián)考)在鋰電池領(lǐng)域,電池級(jí)LizO主要用作固體鋰電池電解質(zhì)材料和
鋰離子動(dòng)力電池的正極材料,其立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞邊長(zhǎng)為acm。下列說法正確的是()
?Li
A.Li+在晶胞中的配位數(shù)為8
B.Li+和。2-離子之間只有靜電引力
C.Li+和02-的最短距離為lacm
8
1203
D.阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,晶胞密度為
iNAa
【答案】D
【解析】A項(xiàng),由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中與鋰離子距離最近的氧離子有4個(gè),則鋰離子的配位數(shù)為4,
故A錯(cuò)誤;B項(xiàng),氧化鋰是離子晶體,晶體中除了存在鋰離子和氧離子之間的靜電引力外,含有原子核與
原子核、電子與電子之間的斥力,故B錯(cuò)誤;C項(xiàng),由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中與鋰離子與氧離子之間的距
離為體對(duì)角線的1,則最短距離為3acm,故C錯(cuò)誤;D項(xiàng),由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中位于頂點(diǎn)和面心的
氧離子個(gè)數(shù)為8x:+6x;=4,位于體內(nèi)的鋰離子個(gè)數(shù)為8,設(shè)晶胞密度為dg/cn?,由晶胞的質(zhì)量公式為
O2
4x30…120,,
a3d=——,解得d=—lr,故D正確;故選D。
NANAa
11.(2022?湖北省七市高三聯(lián)合統(tǒng)一調(diào)研測(cè)試)碎化鎘晶胞結(jié)構(gòu)如圖。圖中“①”和"②”位是“真空”,晶
胞參數(shù)為apm,建立如圖的原子坐標(biāo)系,①號(hào)位的坐標(biāo)為(:3,3-3)o已知:碎化鎘的摩爾質(zhì)量為Mg/mol,
NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是()
A.碑化鎘中Cd與As原子個(gè)數(shù)比為3:2
B.兩個(gè)Cd原子間最短距離為0.5apm
C.③號(hào)位原子坐標(biāo)參數(shù)為(g,1,
M
D.該晶胞的密度為N(axlO—yg.cm-3
【答案】D
【解析】A項(xiàng),由圖示晶胞可知,一個(gè)晶胞中As個(gè)數(shù)為:8xl+6xl=4,Cd的個(gè)數(shù)為6,故碑化鎘中
82
Cd與As原子個(gè)數(shù)比為6:4=3:2,A正確;B項(xiàng),由圖示晶胞可知,平行與邊的同一直線上Cd原子將邊長(zhǎng)
4等分,故兩個(gè)Cd原子間最短距離為0.5apm,B正確;C項(xiàng),由圖所示可知,③號(hào)位原子位于右側(cè)面的面
心上,故其坐標(biāo)參數(shù)為(。,1,y),D正確;D項(xiàng),由A項(xiàng)分析可知,一個(gè)晶胞中含有6個(gè)Cd和4個(gè)As,
2M
即含有2個(gè)As2cd3,故該晶胞的密度為N(axlO」。)3gpm一,D錯(cuò)誤;故選D。
12.(2022?遼寧省鐵嶺市六校高三聯(lián)考)照相底片的定影及銀的回收過程如下:
步驟1:將曝光后的照相底片用定影液(Na2s2。3)浸泡,使未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成配合物溶解,該反應(yīng)
AgBr和Na2s2O3的物質(zhì)的量比為1:2。
步驟2:在步驟1的廢定影液中加Na2s使配合物轉(zhuǎn)化為黑色沉淀,并使定影液再生。
步驟3:過濾,將黑色沉淀在空氣中灼燒回收銀。
下列說法正確的是()
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"i?:i~p
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q—二?----^cr
----o-...er
A.步驟1中配合物的內(nèi)外界離子數(shù)比為3:1
B.從步驟2可知S2-和S2O32-共存時(shí),Ag+更易和S2-結(jié)合,生成難溶電解質(zhì)
C.步驟3中灼燒時(shí)反應(yīng)的化學(xué)方程式為Ag2s22Ag+S
D.如圖所示為NaBr的晶胞,晶胞邊長(zhǎng)為a,則Br之間的最短距離為四a
【答案】B
【解析】A項(xiàng),步驟1中發(fā)生AgBr+2Na2s2O3=Na3[Ag(S2O3)2]+NaBr,生成配合物為Na3[Ag(S2C>3)2],
配合物的內(nèi)外界離子數(shù)比為1:3,故A錯(cuò)誤;B項(xiàng),步驟2發(fā)生2Na3[Ag(S2O3)2]+Na2S=Ag2SJ+4Na2s2O3,
黑色沉淀為Ag2S,溶度積越小的越容易形成難溶物,則Ag+更易和S2-結(jié)合,生成難溶電解質(zhì),故B正確;
C項(xiàng),步驟3Ag2s在空氣中灼燒回收銀,反應(yīng)物還有氧氣,灼燒生成有毒氣體二氧化硫,反應(yīng)的化學(xué)方程
式為AgzS+O2A2Ag+SC>2,故C錯(cuò)誤;D項(xiàng),澳離子之間的最短距離為面對(duì)角線的一半即殍,故D錯(cuò)誤;
故選B。
13.(2022?江蘇省張家港市高三聯(lián)考)鐵氧化鉀{K3[Fe(CN6)]}俗稱赤血鹽,遇Fe?+發(fā)生反應(yīng):
2+3
3Fe+2[Fe(CN6)]-=Fe3[Fe(CN6)]2i,生成深藍(lán)色沉淀,常用于檢驗(yàn)Fe>;黃血鹽{K31Fe(CN6)]}溶液可用于
檢驗(yàn)Fe3+。下列有關(guān)鐵及其化合物的說法正確的是()
A.Fe元素位于周期表的第VIIB族
B.基態(tài)Fe"外圍電子排布式為3d54sl
C.赤血鹽中提供空軌道形成配位鍵的是Fe3+
D.若黃血鹽受熱分解產(chǎn)物之一的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為Fe4c3
【答案】C
【解析】A項(xiàng),基態(tài)Fe外圍電子排布式為3d64s2,則Fe元素位于周期表的第VIII族,A錯(cuò)誤;B項(xiàng),
基態(tài)Fe2+外圍電子排布式為3d6,B錯(cuò)誤;C項(xiàng),赤血鹽中鐵呈+3價(jià),基態(tài)Fe3+外圍電子排布式為3d5,則
提供空軌道形成配位鍵的是Fe3+,C正確;D項(xiàng),由晶胞結(jié)構(gòu)可知,F(xiàn)e原子處于晶胞頂點(diǎn),晶胞中含有8x)=1
O
鐵原子,C原子屬于棱邊面心上,晶胞中含有C原子數(shù)目為4*9+2X;=2,則其化學(xué)式為FeC2,D錯(cuò)誤;
故選Co
14.(2022?江蘇省南通市基地學(xué)校高三決高考大聯(lián)考)X、Y、Z、R、W是原子序數(shù)依次增大的前四周
期元素。X和Z的基態(tài)原子核外均有2個(gè)未成對(duì)電子。R是地殼中含量最高的金屬元素。W元素基態(tài)原子
的內(nèi)層電子全充滿,最外層只有1個(gè)電子。下列說法正確的是()
A.第一電離能:I(X)<I(Y)VI(Z)
B.X簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn)比Z的高
C.Y的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物可以溶解單質(zhì)R
D.元素Z和W組成的一種化合物晶胞結(jié)構(gòu)如題8圖所示,該化合物的化學(xué)式為WZ
【答案】C
【解析】X、Y、Z、R、W是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素。其中R是地殼中含量最高的金屬元
素,則R為A1元素:X和Z的基態(tài)原子核外均有2個(gè)未成對(duì)電子,X的原子序數(shù)小于Z,而Y的原子序數(shù)
介于X、Z之間,X、Z的核外電子排布分別為Is22s22P2,Is22s22P3故X為C元素、Z為O元素、Y為N
元素;W元素基態(tài)原子的內(nèi)層電子全充滿,最外層只有1個(gè)電子,原子序數(shù)大于A1,只能是第四周期,核
外電子數(shù)為2+8+18+1=29,故W為Cu元素。綜合以上分析,X為C、Y為N、Z為0、R為Al、W為Cu。
A項(xiàng),同周期隨原子序數(shù)增大,第一電離能呈增大趨勢(shì),但N元素2P能級(jí)為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第
一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能:I(X)<I(Z)<I(Y),故A錯(cuò)誤;B項(xiàng),X、Z的簡(jiǎn)單氫化物
分別為CH4、NH3,由于NH3分子之間能形成氫鍵,CH4分子間不能形成氫鍵,故NH3的沸點(diǎn)比CH4的高,
故B錯(cuò)誤;C項(xiàng),N的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物為HNO3,常溫下鋁遇濃硝酸發(fā)生鈍化,但鋁能溶于稀硝
酸,故C正確;D項(xiàng),由元素O與Cu元素組成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知,該晶胞中含Cu原子數(shù)為
4個(gè),含O原子數(shù)為8x:+l=2,所以該化合物的化學(xué)式為CsO,故D錯(cuò)誤;故選C。
O
15.(2021?湖南選擇性考試)硅、錯(cuò)(Ge)及其化合物廣泛應(yīng)用于光電材料領(lǐng)域?;卮鹣铝袉栴}:
⑴基態(tài)硅原子最外層的電子排布圖為晶體硅和碳化硅熔點(diǎn)較高的是
(填化學(xué)式);
(2
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