在線網(wǎng)課知慧《半導(dǎo)體制造技術(shù)(上海工技大)》單元測試考核答案

第一章單元測試第二章單元測試第三章單元測試第四章單元測試第五章單元測試第六章單元測試第七章單元測試第八章單元測試第九章單元測試1【單選題】(2分)“摩爾定律”是（）提出的？A.1960B.1970年C.1965年D.1958年2【單選題】(2分)第一個晶體管是（）材料晶體管？A.鍺B.硅C.碳3【單選題】(2分)戈登摩爾是（）科學(xué)家。A.德國B.美國C.英國D.法國4【單選題】(2分)第一個集成電路在（）被研制。A.1958B.1955C.1960D.19655【單選題】(2分)（）被稱為中國“芯片之父”。1、A.鄧中翰B.吳德馨C.許居衍D.沈緒榜第二章單元測試1【單選題】(2分)硅在地殼中的儲量為（）。A.第四B.第一C.第三D.第二2【單選題】(2分)脫氧后的沙子主要以（）的形式。A.二氧化硅B.碳化硅C.硅3【單選題】(3分)半導(dǎo)體級硅的純度（）。A.99.99999％B.99.999％C.99.999999％D.99.9999999％4【判斷題】西門子工藝制備得到的硅為單晶硅。（）A.對B.錯5【判斷題】一片硅片只有一個定位邊。（）A.對B.錯6【判斷題】晶面指數(shù)（m1m2m3）：m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。（）A.錯B.對第三章單元測試1【判斷題】通過薄膜淀積方法生長薄膜不消耗襯底的材料。（）A.錯B.對2【判斷題】熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。（）A.對B.錯3【判斷題】二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應(yīng)。（）A.對B.錯4【判斷題】(3分薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）A.錯B.對5【判斷題】(3分電阻率，表征導(dǎo)電能力的參數(shù)，同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。（）A.錯B.對第四章單元測試1【判斷題】光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)。（）A.對B.錯2【判斷題】(3分一個透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會聚到一點。（）A.錯B.對3【判斷題】使用正膠進(jìn)行光刻時，晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。（）A.對B.錯4【判斷題】使用負(fù)膠進(jìn)行光刻時，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）A.錯B.對5【判斷題】(3分正性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）A.對B.錯6【判斷題】負(fù)性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）A.錯B.對第五章單元測試1【判斷題】刻蝕是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。（）A.對B.錯2【判斷題】(3分濕法刻蝕是各向同性腐蝕。（）A.對B.錯3【判斷題】干法刻蝕有各向同性腐蝕，也有各向異性腐蝕。（）A.錯B.對4【判斷題】(3分選擇比指在不同刻蝕條件下，刻蝕一種材料對另一種材料的刻蝕速率之比。（）A.對B.錯5【判斷題】(3分同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣，導(dǎo)致刻蝕速率不一樣。（）A.錯B.對第六章單元測試1【判斷題】雜質(zhì)摻雜只能改變半導(dǎo)體的類型，不能改變其電阻率。（）A.對B.錯2【判斷題】(3分?jǐn)U散是一種人為現(xiàn)象，是微觀粒子熱運(yùn)動的形式，結(jié)果使其濃度趨于均勻。（）A.對B.錯3【判斷題】菲克第一擴(kuò)散定律中的負(fù)號代表從高濃度向低濃度運(yùn)動。（）A.錯B.對4【判斷題】半導(dǎo)體常用的摻雜方式有擴(kuò)散和離子注入。（）A.對B.錯5【判斷題】(3分離子注入摻雜是物理過程。（）A.錯B.對第七章單元測試1【判斷題】選擇比指在同樣的條件下對兩種無圖形覆蓋材料拋光速率的比值。（）A.錯B.對2【判斷題】(3分尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時，較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。（）A.對B.錯3【判斷題】(3分雙大馬士革中采用CMP，銅需要被刻蝕。（）A.錯B.對4【判斷題】(3分高溫回流：一般是在高溫下進(jìn)行，可適用于所有金屬層間介質(zhì)。（）A.錯B.對5【判斷題】肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸（高摻雜）。（）A.對B.錯第八章單元測試1【判斷題】物質(zhì)有三種形態(tài)。（）A.錯B.對2【判斷題】霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。（）A.錯B.對3【判斷題】半導(dǎo)體制造工藝中用的氣體可以隨便運(yùn)輸。（）A.對B.錯4【判斷題】工藝腔是指一個受控的常壓環(huán)境。（）A.錯B.對5【判斷題】等離子體是不導(dǎo)電的。（）A.錯B.對第九章單元測試1【判斷題】芯片測試完成時，合格的芯片用墨水標(biāo)出。（）A.錯B.對2【判斷題】芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。（）A.錯B.對3【判斷題】半導(dǎo)體制造工藝中不同硅片之間測試數(shù)據(jù)差別過大是可以接受的。（）A.對B.錯4【判