拓荊科技(688072)24Q1機臺出貨金額同比高增長多品類布局構(gòu)筑長期發(fā)展動力

正文目錄1、2023年入潤高增，品機快放量 52、24Q1新品訂單確認節(jié)奏拖累收入增速，飽滿在手訂單保障單季和全年出貨同比高增長63、公司PECVD設(shè)備實現(xiàn)全系列薄膜種類覆蓋，持續(xù)提升ALD/SACVD/HDPCVD工藝覆蓋率74、圓合合備發(fā)展來期公新已開貢收入 125、2024年內(nèi)部Fab采招速國設(shè)訂和收有同高長 18風險示 19圖表目錄圖1：拓科收及速 5圖2：拓技PECVD設(shè)備入增速 5圖3：拓科毛率 6圖4：拓科利水（億） 6圖5：拓科在訂（含DEMO機） 7圖6：拓科存結(jié)（億） 7圖7：公設(shè)反腔貨數(shù)（） 7圖8：薄沉設(shè)品占比紅為荊向域） 8圖9：薄沉在輯片中用示 8圖10：膜積在3DNAND儲片應(yīng)圖示 9圖11：膜積在DRAM存芯中用示 9圖12：荊技PECVD產(chǎn)品局 10圖13：荊技外化產(chǎn)布局 10圖14：荊技ALD品布局 11圖15：荊技槽類設(shè)布局 12圖16：圓晶混合設(shè)工原理 12圖17：江儲Xtacking技應(yīng)晶鍵工藝 13圖18：CO-D2W工流程 14圖19：DP-D2W藝程 14圖20：輯片進中鍵步提升 16圖21：儲片進中鍵步提升 16圖22：同片要合工流程 16圖23：合合動集成構(gòu)的爾律展 17圖24：合合備量增趨勢 17圖25：荊技圓設(shè)備 18圖26：球?qū)гO(shè)售額億元） 18圖27：同區(qū)導(dǎo)備銷額億元） 18圖28：拓荊技史PEBand 21圖29：拓荊技史PBBand 21表1：混鍵工的用 13表2：不封形帶鍵合藝進步 15附：務(wù)測表 231、2023年收入利潤同比高增長，各品類機臺快速放量公司2023202327CAGR81%20232021200%22.720232021257%20232022年增85%/145%/190%31.6/41.8/49.5億元；2024/2025/2026202233.3/44.4/52.9億元。PECVD和SACVDPECVD23.2+48.5%；②ALDThermalALD6430售量為3臺。圖1：拓荊科技收入及增速 圖2：拓荊科技PECVD設(shè)備收入及增速收入（億元） yoy PECVD收入（億元） yoy3025201510502019 2020 2021 2022 2023

140%120%100%80%60%40%20%0%

25201510502018 2019 2020 2021 2022

400%350%300%250%200%150%100%50%0%資料來源：， 資料來源：，公司20232019202351%，同比+1.7pcts50.76%+1.55pcts50.8%；2）凈利20196.6+79.8%3.12+75.3%3.31-0.75.36+168%202220232021490%20232022年增長不低于95%/143%/190%，對應(yīng)凈利潤不低于7.2/8.96/10.7億元；2024/2025/20262022106%/159%/211%，7.6/9.5/11.5202220232.24/1.5/0.69圖3：拓荊科技毛利率 圖4：拓荊科技利潤水平（億元）

76543210-12019 2020 2021 2022 2023 24Q1 -2

歸母凈利潤 扣非凈利潤資料來源：， 資料來源：，2、24Q1障單季和全年出貨同比高增長24Q124Q1+17.3%/環(huán)比24Q124Q1公司毛利率保持較高水平，利潤受人力成本、研發(fā)投入增長而同比承壓。24Q1-2.5pcts/環(huán)比0.1-81%/環(huán)比0.440.64億元/1.8600024Q114.2pcts/23pcts24Q1收入③研發(fā)投入增至1.53億元，同比+78%。24Q1機臺出貨金額同比增長超130%。2023年4619.324Q15624Q113.862023年底2023（不含DEMO）64.2340%202346010%20400圖5：拓荊科技在手訂單（不含DEMO機臺） 圖6：拓荊科技存貨結(jié)構(gòu)（億元）發(fā)出商品 其他存貨504030201002019

2020

2021

2022

2023資料來源：， 資料來源：，圖7：公司設(shè)備反應(yīng)腔出貨數(shù)量（個）資料來源：SEMI、拓荊科技財報，公司三個募投項目進展順利，沈陽和上海產(chǎn)線產(chǎn)能保障長期出貨增長。1）公司29-10nmALD目用地規(guī)劃許可證和土地證的辦理，并按照計劃施工建設(shè)，進展順利。3、公司PECVD設(shè)備實現(xiàn)全系列薄膜種類覆蓋，持續(xù)提升ALD/SACVD/HDPCVD工藝覆蓋率2023年全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模超200SEMI，2023960211PECVD33%ALD（SACVDHDPCVD）11%和61、LAMTEL70%圖8：薄膜沉積設(shè)備品類占比（紅色為拓荊面向領(lǐng)域）PECVD ALD濺射PVD 管式CVD非管式LPCVD M-CVD電鍍ECD 其他薄膜沉積設(shè)備（包括SACVD、HDPCVD）4% 6%4%33%11%12%11%19%資料來源：SEMI、拓荊科技財報，PECVD、ALDSACVDHDPCVDPECVDALDPE-ALDThermalALDSACVDHDPCVD圖9：薄膜沉積在邏輯芯片中應(yīng)用圖示資料來源：拓荊科技財報，圖薄膜沉積在3DNAND存儲芯片中應(yīng)用圖示 圖11：薄膜沉積在DRAM存儲芯片中應(yīng)用圖示資料來源：， 資料來源：，拓荊科技PECVD訂單。PF-300T：128（PM）1）PF-300TPF-300Texpx10nmPF-300Tpx和Supra-D20%-60%PF-300T、PF-300TeX（SiO2SiNTEOSSiONSiONSiOCFSG、BPSGPSG（括ACHMLoKLoKADCⅠ、ADCⅡ、、a-Si等2023PF-300TpxPF-300TSupra-DLokII、ACHM、SiH4TEOS等薄40130PF-150T/200T：面向新型功率器件領(lǐng)域，已開發(fā)出用于SiC器件制造的SiO2SiNTEOS、SiONTEOSNF-300H（六站式）：1232-1283DNAND或19nm以下DRAMThickTEOS介質(zhì)材料薄膜，目前已在DRAM實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。NF-300H腔，但每個反應(yīng)腔可以同時沉積6片晶圓；UVCureUVCure能指標。公司UV-CurePF-300TPECVDHTN、LokUV-Cure（HTN、LokII另外，氧化硅氮化硅（ONON）堆棧薄膜是3DNAND圖12：拓荊科技PECVD產(chǎn)品布局資料來源：拓荊科技招股書、財報，圖13：拓荊科技紫外線固化產(chǎn)品布局資料來源：拓荊科技財報，公司PE-ALD設(shè)備持續(xù)拓展工藝應(yīng)用，首臺ThermalALD設(shè)備通過客戶驗證。PEALD（PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition）采用等離子體在低溫環(huán)境下進行沉積，對器件損傷小，形成的薄膜性能好，具有相對較快的沉積速度、lokkThermalALD（ThermalAtomicLayerDeposition）ThermalALDPE-ALD等多種指標要求的Si2SN（pilSpcener以及特定的隔離功能。公司持續(xù)拓展PE-ALDPE-ALD（NF-300HAstra）（SiO2通過PE-ALD具有高產(chǎn)能和低成本的優(yōu)勢；ThermalALD設(shè)備：Thermal-ALD（TS-300Altair）Thermal-ALDPECVDADCThermal-ALD圖14：拓荊科技ALD產(chǎn)品布局資料來源：拓荊科技招股書、財報，公司SACVD設(shè)備量產(chǎn)規(guī)模逐步提升，首臺HDPCVD設(shè)備實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。SACVD設(shè)備：7:1SACVD反應(yīng)（00℃5℃（000orSACVD產(chǎn)品可實現(xiàn)SATEOSSAILDBPSG、SAFSAFHDPCVD設(shè)備：5:1行薄膜沉積和濺射，所沉積的薄膜致密度更高，雜質(zhì)含量更低。公司首臺HDPCVDUSG）,SiO2USG、、PSG202340圖15：拓荊科技溝槽填充類設(shè)備布局資料來源：拓荊科技招股書、公告，4、晶圓混合鍵合設(shè)備行業(yè)發(fā)展未來可期，公司新品已開始貢獻收入40-50um設(shè)m系統(tǒng)封裝性能。目前混合鍵合已成為晶圓級三維集成應(yīng)用中最前沿的核心工藝。圖16：晶圓對晶圓混合鍵合設(shè)備工藝原理資料來源：拓荊科技財報，混合鍵合包括晶圓（W2（DW（D）工藝成熟用于3DNAND工藝正在大力推動，D2D工藝正在研發(fā)中。W2WD2WC2WCISHPCAI3DNAND3DDRAM3DSoCHPCAIHMWDD晶圓（Waferto集成的核心工藝。WW（（S和3DDMEMSCMOSCMOS3DNANDMemory和CMOSNANDNAND圖17：長江存儲Xtacking技術(shù)應(yīng)用晶圓鍵合工藝資料來源：長江存儲，在3D堆疊結(jié)構(gòu)中，W2W混合鍵合在3DNAND堆棧和3DSoC生產(chǎn)，在HBM及其他3D3DChipletCPUHybridBondingAMDAMDSRAM3DMPUDieHBMSK12層以上的HBM-背面發(fā)光圖像傳感器存儲邏輯背面發(fā)光圖像傳感器存儲邏輯3DNANDHBM疊層DDR6+下一代存儲SoC分割成更小的Die縮放鍵合形式光電二極管+DRAM+LogicNANDBlock+周邊12+層堆疊PeriunderDRAMPerionMRAM、FeRAM3DSoCSRAM+LogicBacksidePDN（5nmnode）鍵合過程W2WW2WW2Wand/orW2WW2WW2WW2WW2Whybridhybridhybridhybridhybridhybridhybridhybrid間距2um→1um2um→1um5um→3um2um→<1um2um→<1um9um→2um2umByscanner成熟度大規(guī)模生產(chǎn)大規(guī)模生產(chǎn)研發(fā)研發(fā)研發(fā)試產(chǎn)試產(chǎn)試產(chǎn)應(yīng)用示例資料來源：EVGroup官網(wǎng)，裸芯片晶圓（DietoWafer，D2W）CO-D2W和DP-D2W工藝，工藝成熟度低于W2W鍵合。CO-D2WDieDieCO-D2W圖18：CO-D2W工藝流程資料來源：EVGroup官網(wǎng)，將切割好的不同Die圖19：DP-D2W工藝流程資料來源：EVGroup官網(wǎng)，BESI25-400/mm2，TCB156-625/mm2，銅2-510bit1/10；（1976）（1976）（1995）TCB鍵合（2012）HDFan-out（2015）（2018）封裝形式連接類型引線錫球/銅柱銅柱RDL或銅柱銅-銅連接密度5-10/mm225-400mm2156-625/mm2500+/mm210K-1MM/mm2基板有機基板/引線框架有機基板/引線框架有機基板/硅基板無無精度20-10um10-5um5-1um5-1um0.5-0.1um能量/Bit10pJ/bit0.5pJ/bit0.1pJ/bit0.5pJ/bit<0.05pJ/bit資料來源：BESI官網(wǎng)，根據(jù)BESIAMDEPYC4EPYC9EPYC50步以上；在目前CoWoS33Cipe5封裝中，目前鍵合步驟需要2步，混合鍵合方案鍵合步驟提升至4步；HBMBESI11TCBHBM 圖20：邏輯芯片先進封中鍵合步驟提升 圖21：存儲芯片先進封 資料來源：BESI官網(wǎng)，TSMC，

資料來源：3D集成晶圓鍵合裝備現(xiàn)狀及研究進展_王成君，招商證券鍵合設(shè)備ASP根據(jù)BESI官網(wǎng)，對于第二代AMDEPYC8000FCQuantum509000EPYCBESI8800UltraAccurateC2W單價為150-250萬美元，每小時產(chǎn)出約為1500-2000片。圖22：不同芯片需要的鍵合工藝流程資料來源：BESI官網(wǎng)，10市場指數(shù)級增長。thebrainyinsights20218.74BESI律的發(fā)展，2022年混合鍵合工藝開始在邏輯芯片中量產(chǎn)，出貨量有望在2024圖23：混合鍵合推動異構(gòu)集成結(jié)構(gòu)中的摩爾定律發(fā)展資料來源：BESI，圖24：混合鍵合設(shè)備出貨量增長趨勢資料來源：BESI，拓荊子公司拓荊鍵科（海寧）產(chǎn)品包括晶圓對晶圓鍵合（WafertoWaferBonding，W2W）（DietoWaferBondingPreparationandActivation，D2W）海寧202093055%Dione300Propus圖25：拓荊科技晶圓鍵合設(shè)備資料來源：拓荊科技財報，5、2024年國內(nèi)頭部Fab采招提速，國內(nèi)設(shè)備訂單和收入有望同比高增長23Q423Q4280+1%/環(huán)比+20%/環(huán)比+2%/環(huán)比121.3+91%/環(huán)比+10%。全球半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)計于2024年溫和復(fù)蘇，2025年有望迎來強勁增長。考慮到存儲景氣度復(fù)蘇和邏輯產(chǎn)能溫和擴張，SEMI預(yù)計2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備同比小幅增長3%至931.6億美元，隨著新產(chǎn)線建設(shè)、產(chǎn)能擴張和技術(shù)遷移，SEMI202518%龍頭ASMLLAM圖26：全球半導(dǎo)體設(shè)備售額（億美元） 圖27：不同地區(qū)半導(dǎo)體備銷售額（億美元）1400封裝設(shè)備測試設(shè)備晶圓制造設(shè)備yoy1400封裝設(shè)備測試設(shè)備晶圓制造設(shè)備yoy201200151000108001097.6600941905.9931.6200075.257.863.239.97249.584.259.5韓國0 日本

23Q4 23Q3 22Q42022

2023F

2024F

2025F

歐洲-5其他-100

5 10 15資料來源：SEMI， 資料來源：SEAJ，國內(nèi)2024Fab2024Fab國內(nèi)從荷蘭進口光刻機金額為6.66/3.9/11億美元，同比+522%/106%/330%；ASP同比+180%/175%/193%202498.81億元。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備24Q1收入同比增速表現(xiàn)分化，看好未來收入和訂單高增長態(tài)勢。24Q1//51%/31%/50%45%/75%/24Q124Q1-15%24Q120242024-2025風險提示、LAMTEL70%ALD設(shè)備ALD行業(yè)地位、市場份額、經(jīng)營業(yè)績等均會受到不利影響。Demo始的生產(chǎn)活動，包括根據(jù)Demo對于DemoDemoDemoDemo6-243-24圖28：拓荊科技歷史PEBand 圖29：拓荊科技歷史PBBand(元)0

130x105x85x65x45x

(元)0

14.5x12.7x10.9x9.0x7.2xApr/22 Oct/22 Apr/23 Oct/23 Apr/24 Apr/22 Oct/22 Apr/23 Oct/23 Apr/24資料來源：公司數(shù)據(jù)、 資料來源：公司數(shù)據(jù)、參考報告：1、《拓荊科技（688072）：PECVD、ALD、SACVD持續(xù)放量，在手訂單持續(xù)同比高增長》2024/01/232、《拓荊科技（688072）深度跟蹤：在手訂單大超預(yù)期，沉積、鍵合等產(chǎn)品線持續(xù)拓展》2023/04/183（8872D022/284、《半導(dǎo)體行業(yè)深度專題之十二—薄膜沉積設(shè)備篇—工藝升級提升薄膜設(shè)備需求，國內(nèi)廠商差異化布局加速國產(chǎn)化進程》2022/05/28資產(chǎn)負債表單位：百萬元2022資產(chǎn)負債表單位：百萬元202220232024E2025E2026E流動資產(chǎn)68208457105341273515392利潤表單位：百萬元202220232024E2025E2026E營業(yè)總收入17062705415652116412現(xiàn)金38272676現(xiàn)金3827267658910751320交易性投資46291000500500應(yīng)收票據(jù)210000應(yīng)收款項2625307849841210其它應(yīng)收款68121519存貨229745567131888810783其他362658101712731560非流動資產(chǎn)4931512171719042076營業(yè)成本8651325207825903142營業(yè)稅金及附加1718273442營業(yè)費用192281332365449管理費用81189166156192研發(fā)費用3795768109481167財務(wù)費用(18)(12)(40)(40)(40)資產(chǎn)減值損失(26)(25)0001694000其他收益163329130110110投資收益143000營業(yè)利潤35772991212681570長期股權(quán)投資0228228長期股權(quán)投資0228228228228固定資產(chǎn)38261382810241204無形資產(chǎn)商譽4492837467其他67580579578577營業(yè)外收入80000營業(yè)外支出00000利潤總額364729912利潤總額36472991212671570所得稅065821316少數(shù)股東損益(4)1223短期借款40070000應(yīng)付賬款8711070167820922538預(yù)收賬款13971382216627003275其他279460495564639潤 369 663 828 1252 1551長期負債 659 2396 2396 2396 2396長期借款2701871187118711871其他389525525525525負債合計 3605 5378 6735 7752 8848股本126188188188188資本公積金31223313331333133313留存收益4641093201633855114少數(shù)股東權(quán)益(4)(2)(1)2537124594551668868615負債及權(quán)益合計 7313 9969 12251 14640 17468現(xiàn)金流量表單位：百萬元202220232024E2025E2026E經(jīng)營活動現(xiàn)金流248(1657)(969)(7)192凈利潤36466483012551554折舊攤銷2850648298財務(wù)費用(1)49(40)(40)(40)投資收益(14)(3)(130)(110)(110)營運資金變動(129)(2413)(1713)(1209)(1327)其它0(5)