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文檔簡介

元素半導(dǎo)體中ⅢA族替位雜質(zhì)的能級(jí)

（1）在Si中摻入B元素半導(dǎo)體中ⅢA族替位雜質(zhì)的能級(jí)B獲得一個(gè)電子變成負(fù)離子，成為負(fù)電中心，周圍產(chǎn)生帶正電的空穴。B－＋B－施主雜質(zhì)的電離能小，在常溫下基本上電離。價(jià)帶導(dǎo)帶受主雜質(zhì)：束縛在雜質(zhì)能級(jí)上的空穴被激發(fā)到價(jià)帶Ev成為價(jià)帶空穴，該雜質(zhì)電離后成為負(fù)電中心（負(fù)離子）。這種雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。受主雜質(zhì)具有得到電子的性質(zhì)，向價(jià)帶提供空穴。價(jià)帶空穴電離受主B－電離的結(jié)果：價(jià)帶中的空穴數(shù)增加了，這即是摻受主的意義所在。

受主能級(jí)EAEcEvEA受主能級(jí)靠近價(jià)帶頂部(2)受主電離能和受主能級(jí)Si、Ge中Ⅲ族雜質(zhì)的電離能△EA（eV）晶體雜質(zhì)

BAlGaIn

Si0.0450.0570.0650.16

Ge0.010.010.0110.011受主能級(jí)EA受主雜質(zhì)的電離能小，在常溫下基本上為價(jià)帶電離的電子所占據(jù)（空穴由受主能級(jí)向價(jià)帶激發(fā)）。雜質(zhì)電離或雜質(zhì)激發(fā)：雜質(zhì)向?qū)Ш蛢r(jià)帶提供電子和空穴的過程（電子從施主能級(jí)向?qū)У能S遷或空穴從受主能級(jí)向價(jià)帶的躍遷）。本征激發(fā)：電子從價(jià)帶直接向?qū)Ъぐl(fā)，成為導(dǎo)帶的自由電子，這種激發(fā)稱為~。只有本征激發(fā)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。所需要的能量稱為雜質(zhì)的電離能。

摻施主的半導(dǎo)體的導(dǎo)帶電子數(shù)主要由施主決定，半導(dǎo)體導(dǎo)電的載流子主要是電子（電子數(shù)>>空穴數(shù)），對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)

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