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非平衡載流子的壽命

非平衡載流子的壽命非平衡載流子的復合非平衡載流子的復合率:單位時間單位體積凈復合消失的電子-空穴對數(shù)

設單位時間內(nèi)非平衡載流子的復合幾率為1/.若t時刻的非平衡載流子濃度為p(t),則非平衡載流子的復合率為:非平衡載流子的檢驗設半導體電阻為r,且則通過回路的電流I近似不隨半導體的電阻r的改變而變化.

當加入非平衡作用時,由于半導體的電阻發(fā)生改變,半導體兩端的電壓也發(fā)生改變,由于電壓的改變,可以確定載流子濃度的變化.非平衡載流子5.1非平衡載流子的注入與復合

5.2非平衡載流子的壽命

5.3準費米能級

5.4復合理論

5.5陷阱效應

5.6載流子的擴散運動

5.7載流子的漂移運動，愛因斯坦關系式

5.8連續(xù)性方程式1/n

和1/

p

分別表示非平衡電子和非平衡空穴的復合幾率.

對n型半導體,設t時刻單位體積內(nèi)的非平衡載流子濃度為

p(t);t=0時撤銷注入條件,則有:復合率=p/

可以證明,在小注入條件下,

為一個不依賴于非平衡載流子濃度的常數(shù),因此解上述方程得到:同理對P型有壽命的意義當時，，故壽命標志著非平衡載流子濃度減小到原值的1/e所經(jīng)歷的時間；壽命越短，衰減越快因此，個過剩載流子的平均可生存時間為：

也是非平衡載流子的平均生存時間,即非平衡載流子的平均壽命.衰減過程中從t到t＋dt內(nèi)復合掉的過?？昭ú煌牧系膲勖町愝^大.鍺比硅容易獲得較高的壽命,而砷化鎵的壽命要短得多.較完整的鍺單晶:較完整的硅單晶:砷化鎵單晶:例:N型硅,室溫下光穩(wěn)定照射后獲得非平衡載流子濃度:突然撤掉光照,經(jīng)過20微秒,解:非平衡態(tài)和平衡態(tài)穩(wěn)定的非平衡態(tài)產(chǎn)生率等于復合率,△n

不變非

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