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半導(dǎo)體MOS電容為什么要介紹MOS電容？隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM的電荷存儲(chǔ)元件頻繁的應(yīng)用于線性電路和數(shù)字電路中現(xiàn)代電子器件MOSFET，就是建立在MOS的基礎(chǔ)之上集成電路結(jié)構(gòu)為什么有P+？氧化層的厚度為什么不一樣？柵氧場(chǎng)氧C-V曲線剖面圖能帶圖有效柵壓硅襯底中的能帶彎曲量是MOS電容特性中一個(gè)非常重要的參數(shù)表面勢(shì)是相對(duì)于硅襯底的體勢(shì)能的一個(gè)參考能級(jí)注意與功函數(shù)的區(qū)別！

——表面勢(shì)積累模式在積累模式，表面勢(shì)的改變相較于柵壓的改變量是可以被忽略的這意味著柵壓的任何變化的絕大部分都會(huì)穿過氧化層電容等于柵氧電容，與柵壓獨(dú)立。

外加一個(gè)較小的正有效柵壓剖面圖能帶圖耗盡模式耗盡層電容依賴于外加電壓更大的柵電壓會(huì)產(chǎn)生一個(gè)更寬的耗盡層，電容也就越小隨著柵壓的增加，整體電容會(huì)減小——MOS電容的這種工作模式稱為耗盡模式耗盡模式

表面勢(shì)緊隨著柵壓的改變而改變這表示幾乎整個(gè)柵壓的改變量都落在了半導(dǎo)體表面的耗盡層耗盡層仿佛是柵氧之外附加的一個(gè)電介質(zhì)層耗盡層電容與氧化層電容

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