拓荊科技-市場前景及投資研究報告-半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品體系完善

僅供機(jī)構(gòu)投資者使用證券研究報告/公司深度研究報告證券研究報告拓荊科技（688072）：半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)領(lǐng)軍者，產(chǎn)品體系持續(xù)完善打開成長空間2024年3月1日核心觀點(diǎn)

本土半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭，業(yè)績持續(xù)快速增長。公司是本土半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭，產(chǎn)品覆蓋PECVD、SACVD、ALD、HDPCVD等，成功供貨、華虹集團(tuán)、長江存儲等主流客戶，業(yè)績實(shí)現(xiàn)快速增長。1）收入端：2022年實(shí)現(xiàn)營收17.06億元，2018-2022年CAGR高達(dá)122%。根據(jù)2023年業(yè)績快報，2023年營收27.05億元，同比+59%，延續(xù)高速增長。2）利潤端：2022年歸母凈利潤和扣非歸母凈利潤分別達(dá)到3.69和1.78億元，分別同比+438%和+317%，利潤端正式進(jìn)入高速增長階段。根據(jù)2023年業(yè)績快報，2023年公司歸母凈利潤和扣非歸母凈利潤分別為6.65億元、3.13億元，分別同比+80%、+76%，若剔除股份支付費(fèi)用影響，則利潤端表現(xiàn)更加出色。根據(jù)公司2023年業(yè)績預(yù)增公告，截至2023年末，公司在手訂單金額超過64億元（不含Demo），在手訂單飽滿。隨著在手訂單陸續(xù)交付、確認(rèn)收入，公司業(yè)績端表現(xiàn)同樣有望延續(xù)高速增長。作為半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭，公司承擔(dān)較多前沿產(chǎn)品開發(fā)。根據(jù)公司公告，2023年公司相繼收到三筆大額政府補(bǔ)助，合計金額高達(dá)4.20億元，可以進(jìn)一步驗(yàn)證，為公司長期成長性打下基礎(chǔ)。

薄膜沉積設(shè)備是高價值量占比的天然大市場，公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢明顯。荷蘭出口影響下，中國大陸對于高端光刻機(jī)進(jìn)口加速，2023年累計進(jìn)口金額達(dá)到72.30億美元，同比+184%，拉貨勢頭明顯，同時進(jìn)口均價大幅提升。隨著更高端光刻機(jī)陸續(xù)到位，將支撐國內(nèi)晶圓廠后續(xù)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)。1）薄膜沉積在晶圓制造設(shè)備中價值量占比高達(dá)22%，其中PECVD和ALD在薄膜沉積設(shè)備中占比分別達(dá)到33%和11%。若僅考慮半導(dǎo)體PECVD和ALD兩大類設(shè)備，我們預(yù)計2025年中國大陸市場規(guī)模分別可達(dá)194和65億元，合計超過250億元。2）全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備仍由AMAT、LAM、TEL等海外龍頭主導(dǎo)，公司在集成電路PECVD和SACVD領(lǐng)域先發(fā)優(yōu)勢明顯，ALD同樣是國內(nèi)領(lǐng)先設(shè)備企業(yè)。往后來看，友商積極布局PECVD、ALD等薄膜沉積賽道，引發(fā)市場對于公司競爭格局的擔(dān)憂。我們認(rèn)為，半導(dǎo)體設(shè)備作為典型的技術(shù)密集型賽道，適合孕育大體量公司，龍頭效應(yīng)明顯，同時先發(fā)優(yōu)勢至關(guān)重要。作為國內(nèi)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭，公司具備身位性領(lǐng)先優(yōu)勢，并積極進(jìn)行高研發(fā)投入，不斷夯實(shí)核心競爭力，鞏固行業(yè)龍頭地位，市場領(lǐng)先地位有望長期維持，將充分受益于本土晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)浪潮。

PECVD仍有較大成長空間，SACVD、ALD等市場加速開拓。公司在穩(wěn)固PECVD市場競爭力的同時，SACVD&ALD等持續(xù)取得突破，成長空間不斷打開。1）PECVD：公司在國內(nèi)市占率依然較低，公司工藝覆蓋面擴(kuò)大&客戶驗(yàn)證順利推進(jìn)，有望延續(xù)高速增長；2）SACVD&HDPCVD：適用于溝槽填充工藝，其中SACVD在先進(jìn)制程下滲透率存在提升趨勢，公司產(chǎn)品體系不斷完善，有望進(jìn)入加速放量階段。此外，公司重點(diǎn)布局HDPCVD，持續(xù)完善產(chǎn)品矩陣，已持續(xù)獲得客戶訂單，進(jìn)一步打開成長空間；3）ALD：膜厚精準(zhǔn)可控&臺階覆蓋率極高，技術(shù)優(yōu)勢突出，公司率先實(shí)現(xiàn)PE-ALD產(chǎn)業(yè)化，Thermal-ALD持續(xù)獲得原有客戶及新客戶訂單，并出貨至不同客戶端產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，驗(yàn)證進(jìn)展順利，并不斷拓展薄膜種類及工藝應(yīng)用，進(jìn)一步夯實(shí)市場競爭力。

前瞻性布局混合鍵合設(shè)備，充分受益先進(jìn)封裝行業(yè)浪潮。AI需求持續(xù)提升背景下，先進(jìn)封裝有望加速滲透。從工藝端來看，傳統(tǒng)封裝鍵合仍以引線鍵合為主，先進(jìn)封裝背景下，為實(shí)現(xiàn)堆疊芯片間的高密度互聯(lián)，鍵合逐步向混合鍵合方向發(fā)展。公司前瞻性布局應(yīng)用于晶圓級三維集成領(lǐng)域的混合鍵合設(shè)備，主要包括晶圓對晶圓鍵合、芯片到晶圓鍵合兩大類設(shè)備。根據(jù)公司2023年中報披露，晶圓對晶圓鍵合產(chǎn)品Dione

300實(shí)現(xiàn)首臺產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并獲得重復(fù)訂單，芯片對晶圓鍵合表面預(yù)處理產(chǎn)品Pollux已出貨至客戶端進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，驗(yàn)證進(jìn)展順利，有望充分受益于先進(jìn)封裝行業(yè)浪潮。

盈利預(yù)測：我們預(yù)計公司2023-2025年營業(yè)收入分別為27.05、40.40和55.45億元，分別同比+59%、+49%和+37%；2023-2025年歸母凈利潤分別為6.65、8.97、12.07億元，分別同比+80%、+35%和+35%；2023-2025年EPS分別為3.53、4.77和6.41元，2024年2月28日收盤價190.38元對應(yīng)PS分別為13、9、6倍，對應(yīng)PE分別為54、40、30倍?？紤]到公司在半導(dǎo)體薄膜沉積領(lǐng)域的市場競爭力，以及拓品類能力，成長性較為突出，首次覆蓋，給予“增持”評級。

風(fēng)險提示：晶圓廠資本開支不及預(yù)期、新品拓展不及預(yù)期、技術(shù)人員流失等。1核心觀點(diǎn)盈利預(yù)測與估值財務(wù)摘要2021A2022A1,7062023E2,70558.6%6652024E4,04049.4%8972025E5,54537.2%1,20734.6%49.5%6.41營業(yè)收入（百萬元）YoY（%）75874.0%

125.0%68

369696.1%

438.1%歸母凈利潤（百萬元）YoY（%）80.3%49.8%3.5335.0%49.7%4.77毛利率（%）每股收益（元）ROE44.0%0.7249.3%3.185.7%9.9%59.8714.8%53.9116.7%39.9518.3%29.68市盈率264.422目錄一二拓荊科技：本土薄膜沉積設(shè)備龍頭，業(yè)績持續(xù)快速增長薄膜沉積設(shè)備是天然大市場，公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢明顯PECVD仍有較大成長空間，SACVD、ALD等市場加速開拓前瞻性布局混合鍵合設(shè)備，充分受益先進(jìn)封裝行業(yè)浪潮三四五六盈利預(yù)測與投資評級風(fēng)險提示31.1引領(lǐng)PECVD進(jìn)口替代，產(chǎn)品供貨半導(dǎo)體主流客戶

拓荊科技成立于2010年，專業(yè)從事半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備，引領(lǐng)進(jìn)口替代浪潮。公司曾承擔(dān)多項國家科技重大專項&省部級重大科研項目，曾三次榮獲“中國半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”，產(chǎn)品已適配國內(nèi)最先進(jìn)的28/14

nm邏輯芯片、19/17nm

DRAM芯片和64/128層3D

NANDFLASH晶圓制造產(chǎn)線，尤其在PECVD和SACVD領(lǐng)域，公司是本土唯一實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的供應(yīng)商。在薄膜沉積設(shè)備基礎(chǔ)上，公司還積極布局先進(jìn)封裝領(lǐng)域，成功研制應(yīng)用于晶圓級三維集成領(lǐng)域的混合鍵合設(shè)備系列。圖：公司立足半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，產(chǎn)業(yè)化持續(xù)突破41.1引領(lǐng)PECVD進(jìn)口替代，產(chǎn)品供貨半導(dǎo)體主流客戶

公司無實(shí)控人&控股股東，大基金持股比例達(dá)到19.86%。姜謙先生與其他7名自然人股東及11個公司員工持股平臺簽有一致行動協(xié)議，為一致行動人。特別地，中微公司持有公司7.41%股份，其董事長尹志堯先生為公司董事之一。圖：公司股權(quán)構(gòu)成（截止2023Q3末)華夏上證50成份交易型開放式指數(shù)證券投資基金國家集成電路基金共青城芯鑫和共青城芯鑫全共青城芯鑫龍共青城芯鑫成國投上海中微公司潤揚(yáng)嘉禾沈陽創(chuàng)投2.33%1.09%1.09%1.09%1.09%19.86%13.68%7.41%3.26%1.68%拓荊科技股份有限公司51.1引領(lǐng)PECVD進(jìn)口替代，產(chǎn)品供貨半導(dǎo)體主流客戶

公司主營產(chǎn)品包括

PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜設(shè)備產(chǎn)品，以及混合鍵合設(shè)備產(chǎn)品系列。1）PECVD

：已配適180-14nm邏輯芯片、19/17nm

DRAM及

64/128層

FLASH

等制造工藝需求，并積極拓展更先進(jìn)制程領(lǐng)域。2）ALD：PE-ALD已經(jīng)成功量產(chǎn)，兼容SiO2和SiN等介質(zhì)薄膜；ThermalALD正在產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，滿足Al2O3等金屬化合物薄膜沉積需求。3）SACVD：可以沉積BPSG、SAF、TEOS等介質(zhì)薄膜，在邏輯、存儲領(lǐng)域均已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。4）混合鍵合設(shè)備：晶圓對晶圓鍵合產(chǎn)品Dione300可實(shí)現(xiàn)混合鍵合和熔融鍵合工藝，芯片對晶圓鍵合設(shè)備Pollux主要用于晶圓及切割后芯片的表面活化及清洗。圖表：公司現(xiàn)有主營產(chǎn)品涵蓋PECVD、ALD、SACVD和混合鍵合設(shè)備四大類產(chǎn)品類型產(chǎn)品型號PF-300T產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用情況在集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造及先進(jìn)封裝等領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以沉積SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG

等通用介質(zhì)薄膜材料，以及

LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、HTN、a-Si

等先進(jìn)介質(zhì)薄膜材料，可實(shí)現(xiàn)8

英寸與

12PECVDUV

CurePF-300T

eX英寸

PECVD設(shè)備兼容，具有高產(chǎn)能，低生產(chǎn)成本優(yōu)勢。在集成電路存儲芯片制造領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，適用于沉積時間需求較長的薄膜工藝，如

Thick

TEOS

介質(zhì)材料薄膜。NF-300HPF-300T

UpsilonPF-300T

AstraNF-300H

AstraPF-300T

AltairTS-300

AltairPF-300T

SA在集成電路領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以與

PECVD

成套使用，為

PECVD

HTN、Lok

II

等薄膜沉積進(jìn)行紫外線固化處理。在集成電路邏輯芯片、存儲制造及先進(jìn)封裝領(lǐng)域已產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以沉積高溫、低溫、高質(zhì)量的

SiO2、SiN

等介質(zhì)薄膜材料。主要應(yīng)用于集成電路存儲芯片制造領(lǐng)域，已產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以沉積高溫、低溫、高質(zhì)量的

SiO2、SiN

等介質(zhì)薄膜材料。主要應(yīng)用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領(lǐng)域，正進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，可以沉積

Al2O3等金屬化合物薄膜材料。主要應(yīng)用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領(lǐng)域，正進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，可以沉積

Al2O3等金屬化合物薄膜材料。在集成電路邏輯、存儲芯片制造領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以沉積

SA

TEOS

等介質(zhì)薄膜材料。PE-ALDThermal-ALDSACVDHDPCVDALDPF-300T

SAFPF-300T

HesperTS-300S

HesperDione

300在集成電路邏輯、存儲芯片制造領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以沉積

BPSG、SAF

等介質(zhì)薄膜材料。主要應(yīng)用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領(lǐng)域，已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以沉積

SiO2、FSG、PSG

等介質(zhì)薄膜材料。主要應(yīng)用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領(lǐng)域，正在進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，可以沉積SiO2、FSG、PSG

等介質(zhì)薄膜材料。主要應(yīng)用于晶圓級三維集成芯片制造領(lǐng)域，已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)

12

寸晶圓對晶圓的混合鍵合和熔融鍵合。主要應(yīng)用于晶圓級三維集成芯片制造領(lǐng)域，正在進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，主要應(yīng)用于晶圓及切割后芯片的表面活化及清洗。晶圓對晶圓鍵合芯片對晶圓鍵合混合鍵合設(shè)備Pollux（注：各類設(shè)備產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證進(jìn)度均截至2023年中報披露）61.1引領(lǐng)PECVD進(jìn)口替代，產(chǎn)品供貨半導(dǎo)體主流客戶

PECVD為公司主要收入，產(chǎn)品以12英寸的PF-300T為主。1）劃分產(chǎn)品來看，PECVD為公司主要收入，2018-2022年收入占比分別高達(dá)73.19%、98.60%、96.01%、89.11%和91.65%。2）在PECVD業(yè)務(wù)中，又以12英寸的PF-300T系列為主，2018-2021Q1-Q3公司對PF-300T系列收入占PECVD業(yè)務(wù)總收入的比重均超過50%。圖：公司PECVD銷售以12英寸的PF-300T系列為主圖：2022年公司PECVD收入占比達(dá)到91.65%PF-200TPF-300T其他業(yè)務(wù)SACVDALDPECVD100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%98.60%96.01%91.65%89.11%81.03%76.79%73.19%201864.10%60.04%20192019202020212022201820202021Q1-Q371.1引領(lǐng)PECVD進(jìn)口替代，產(chǎn)品供貨半導(dǎo)體主流客戶

公司客戶集中度依舊較高，慶萬國等；2）ALD：客戶覆蓋ICRD等；3）SACVD：客戶覆蓋北京燕東微電子等。從收入構(gòu)成來看，2018-2021Q1-Q3公司前五大客戶占比分別為100%、84.02%、83.78%和92.44%，客戶集中度較高，其中

是公司第一大客戶，2020/2021Q1-3收入占比分別高達(dá)45.73%、28.80%，批量供貨

進(jìn)一步體現(xiàn)公司產(chǎn)品在國內(nèi)市場的競爭力。為第一大客戶。具體來看：1）PECVD：客戶群體覆蓋、華虹集團(tuán)、長江存儲、重圖表：公司已供貨本土主流半導(dǎo)體企業(yè)，為第一大客戶2018年度2019年度主營業(yè)務(wù)收入(億元)

主營占比序號名稱主營業(yè)務(wù)收入(億元)

主營占比序號名稱1234-重慶萬國長江存儲華虹集團(tuán)0.270.150.150.1-40.64%22.55%22.02%14.80%-123450.670.580.410.290.1427.09%23.24%16.55%11.60%5.54%北京晶瑞北京燕東微電子華虹集團(tuán)-長江存儲合計2020年度主營業(yè)務(wù)收入(億元)

主營占比100.00%合計2021年Q1-Q3主營業(yè)務(wù)收入(億元)

主營占比84.02%序號名稱序號名稱123451.960.820.460.190.1645.73%19.17%10.80%4.42%123451.051.020.610.360.3228.80%28.11%16.79%9.88%長江存儲華虹集團(tuán)合肥晶合廣州粵芯北京屹唐長江存儲華虹集團(tuán)3.66%睿力集成電路8.85%合計83.78%合計92.44%81.2擁有一支高水平研發(fā)團(tuán)隊，持續(xù)加大員工激勵力度

公司擁有一支高水平研發(fā)團(tuán)隊，核心技術(shù)人員具備全球一線半導(dǎo)體企業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)。公司核心技術(shù)人員姜謙、呂光泉、田曉明、葉五毛先生等均擁有多年海外半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾任職于英特爾、美國諾發(fā)、泛林半導(dǎo)體等全球一線半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富。圖表：公司核心技術(shù)人員大多擁有多年海外一線半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)序號姓名姜謙職務(wù)個人履歷美國布蘭迪斯大學(xué)博士。1982年1月至2005年10月，先后任職于麻省理

成功領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)團(tuán)隊完成“90-65nm

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備研發(fā)核心技術(shù)人員

工學(xué)院、英特爾公司、美國諾發(fā)，歷任研究員、研發(fā)副總裁等職；2006年

與應(yīng)用”研發(fā)，參與“1x

nm

3D

NANDPECVD研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”國家重研發(fā)貢獻(xiàn)14月至2010年3月，任欣欣科技（沈陽）有限公司執(zhí)行董事大科技專項及多項產(chǎn)品研發(fā)成功領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)團(tuán)隊完成“1x

nm

3D

NANDPECVD

研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”國家重大科技專項，領(lǐng)導(dǎo)團(tuán)隊研發(fā)“國家科技重大專項課題A（ALD

相關(guān)）”、“國家集成電路裝備項目A（介質(zhì)薄膜先進(jìn)工藝相關(guān)）”等國家重大科技項目/課題，成功領(lǐng)導(dǎo)完成ALD、SACVD

設(shè)備研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用美國加州大學(xué)圣地亞哥分校博士。1994年8月至2014年8月，先后任職于美國科學(xué)基金會尖端電子材料研究中心、美國諾發(fā)、德國愛思強(qiáng)公司美國SSTS部，歷任副研究員、工程技術(shù)副總裁等職23呂光泉田曉明董事長美國東北大學(xué)電子工程學(xué)碩士。1982年2月至2018年2月，先后任職或

參與領(lǐng)導(dǎo)“國家科技重大專項課題A（ALD

相關(guān)）”、“國家科技重大就讀于江西景光電子有限公司、美國東北大學(xué)、美國CodiSemiconductor,

專項課題B（先進(jìn)工藝PECVD

相關(guān)）”、“國家集成電路裝備項目AInc.、泛林半導(dǎo)體、尼康精機(jī)（上海）有限公司，歷任設(shè)計工程師、資深

（介質(zhì)薄膜先進(jìn)工藝相關(guān)）”等國家重大科技項目/課題研發(fā)，參與領(lǐng)核心技術(shù)人員核心技術(shù)人員副總裁等職導(dǎo)SACVD

并產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用加州大學(xué)伯克利分校博士。1990年9月至2013年9月，先后任職于NashuaComputer

Products、WesternDigital,SantaClara,CA、美國諾發(fā)、NegevTech,Inc.、HitachiHigh-Technologies

America、HoneywellInternational，先后任工藝工程師、產(chǎn)品經(jīng)理等職負(fù)責(zé)公司HTM

PECVD

工藝技術(shù)開發(fā)及優(yōu)化改進(jìn)，完成12英寸ACHM工藝PECVD

設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用45葉五毛寧建平作為研發(fā)骨干參與多項國家重大科技專項的研發(fā)，負(fù)責(zé)“國家科技重大專項課題B（先進(jìn)工藝PECVD

相關(guān)）”及先進(jìn)制程PECVD

設(shè)備的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化副總經(jīng)理、產(chǎn)品部

大連理工大學(xué)博士在讀。2010年7月開始任職于公司及子公司拓荊鍵科，總監(jiān)

歷任產(chǎn)品部部長、研發(fā)部總監(jiān)等職，現(xiàn)任公司產(chǎn)品部總監(jiān)91.2擁有一支高水平研發(fā)團(tuán)隊，持續(xù)加大員工激勵力度

在國際技術(shù)專家?guī)ьI(lǐng)下，公司已形成一支高質(zhì)量的研發(fā)團(tuán)隊。截至2022年末，公司技術(shù)研發(fā)&支持人員分別為335和290人，合計占比高達(dá)75%。從學(xué)歷構(gòu)成上來看，在公司研發(fā)人員中，2023H1末碩士&博士學(xué)歷員工占比高達(dá)61%，高端人才優(yōu)勢顯著。此外，為了建立長效激勵機(jī)制，吸引和留住優(yōu)秀人才，公司設(shè)立了11個員工持股平臺，利于人才梯隊的穩(wěn)健發(fā)展。圖：2022年公司技術(shù)研發(fā)&支持人員占比高達(dá)75%圖：2023H1公司研發(fā)人員中碩士&博士學(xué)歷占比高達(dá)61%采購人員4%財務(wù)人員銷售人員1%生產(chǎn)人員大專及以下博士5%11%4%2%行政管理技術(shù)研發(fā)人大學(xué)本科人員7%員40%35%碩士56%技術(shù)支持人員35%101.2擁有一支高水平研發(fā)團(tuán)隊，持續(xù)加大員工激勵力度

上市以來，公司相繼推出兩期股權(quán)激勵計劃，持續(xù)加大員工激勵力度。2022年10月和2023年10月公司相繼發(fā)布兩期限制性股票激勵計劃草案，授予對象分別不超過517和701人，分別約占2022H1末和2023H1末員工總?cè)藬?shù)的76%、76%，激勵覆蓋度可見一斑。中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，技術(shù)人才是重要競爭力，本次股權(quán)激勵可以更好地激勵人才，有效地將公司利益和激勵對象緊密捆綁，利于公司中長期發(fā)展。

根據(jù)2023年股權(quán)激勵計劃，2024-2026年公司營業(yè)收入增長率目標(biāo)值分別為95%、160%和210%，對應(yīng)2024-2026年營收目標(biāo)值分別為33.26、44.34和52.87億元，2022-2026年CAGR約33%?？紤]到公司在手訂單情況，我們判斷實(shí)際收入端表現(xiàn)更加出色，在半導(dǎo)體設(shè)備板塊中表現(xiàn)十分亮眼。圖表：公司上市后相繼發(fā)布兩期限制性股票激勵計劃2022年股權(quán)激勵本激勵計劃擬向激勵對象授予

280

萬股限制性股票，約占本

本激勵計劃擬向激勵對象授予不超過

375

萬股限制性股票，激勵計劃草案公告時公司股本總額的

2.21%

約占本激勵計劃草案公告時公司股本總額的

2.00%高管及核心技術(shù)人員6人（46.5萬股）、其他員工不超過511人

高管及核心技術(shù)人員7人（26.5萬股）、其他員工不超過694人授予對象

（233.5萬股），合計不超過517人。若以2022H1末公司員工

（273.5萬股），合計不超過701人。若以2023H1末公司員工總2023年股權(quán)激勵授予數(shù)量人數(shù)為基準(zhǔn)，本次股權(quán)激勵覆蓋員工比例為達(dá)到76%以公司2021

年營業(yè)收入值及凈利潤值為業(yè)績基數(shù)進(jìn)行業(yè)績考核并行權(quán)：1）收入端：2022-2025年公司營收增長率目標(biāo)值（Am）為100%/200%/300%/400%，對應(yīng)2022-2025年營收目標(biāo)分別為15.16、22.74、30.32、37.90億元；觸發(fā)值（An）為80%/160%/240%/320%。2）利潤端：2022-2025年公司凈利潤（剔除股份支付影響）增長率目標(biāo)值（Am）為270%/490%/700%/900%,觸發(fā)值（An）為數(shù)為基準(zhǔn)，本次股權(quán)激勵員工覆蓋面高達(dá)76%。以公司

2022

年營業(yè)收入和

2022

年凈利潤為業(yè)績基數(shù)進(jìn)行業(yè)績考核并行權(quán)：1）收入端：2024-2026年營業(yè)收入增長率目標(biāo)值（Am）為95%/160%/210%，對應(yīng)2024-2026年營收目標(biāo)分別為33.26、44.34和52.87億元；觸發(fā)值（An）為85%/145%/190%。2）利潤端：2024-2026年凈利潤（剔除股份支付影響）增長率目標(biāo)值（Am）為106%/159%/211%，觸發(fā)值（An）分別為95%/143%/190%。行權(quán)條件攤銷費(fèi)用258%/466%/657%/848%。若2022年12月初授予，預(yù)計總攤銷費(fèi)用5.78億元，其中2022-

若2023年12月初授予，預(yù)計總攤銷費(fèi)用3.89億元，其中2023-2026年分別為0.25、2.84、1.52、0.83和0.35億元。2027年分別為0.15、1.79、1.24、0.57和0.15億元。111.2擁有一支高水平研發(fā)團(tuán)隊，持續(xù)加大員工激勵力度

從研發(fā)投入來看，公司持續(xù)性高研發(fā)投入，研發(fā)費(fèi)用率高于本土半導(dǎo)體設(shè)備同行。1）從增速來看：2019年公司研發(fā)費(fèi)用約為7432萬元，2022年快速上升至3.78億元，期間CAGR達(dá)到72%。2）從費(fèi)用率來看：2022年公司研發(fā)費(fèi)用率為22.21%，相較本土半導(dǎo)體前道設(shè)備企業(yè)同行處于較高水平，高強(qiáng)度研發(fā)投入有助于公司技術(shù)持續(xù)突破，保持一定技術(shù)領(lǐng)先性。（注：2022年北方華創(chuàng)研發(fā)投入為35.66億元，占營業(yè)收入比重為24.28%，其中計入研發(fā)費(fèi)用15.88億元，資本化19.78億元；2022年中微公司研發(fā)投入合計9.29億元，占營業(yè)收入比重為19.59%，其中計入研發(fā)費(fèi)用7.75億元，資本化1.54億元）圖：2019-2022年公司研發(fā)費(fèi)用CAGR達(dá)到72%圖：公司研發(fā)費(fèi)用率在半導(dǎo)體前道設(shè)備企業(yè)中處于領(lǐng)先水平2019

2020

2021

2022

2023Q1-Q3研發(fā)費(fèi)用（百萬元）同比（%）40%35%30%25%20%15%10%5%40035030025020015010050160%130%100%70%40%10%-20%-50%00%20192020202120222023Q1-Q3拓荊科技

北方華創(chuàng)

中微公司芯源微盛美上海

華海清科121.2擁有一支高水平研發(fā)團(tuán)隊，持續(xù)加大員工激勵力度

持續(xù)高研發(fā)投入力度下，公司已經(jīng)形成八大薄膜沉積設(shè)備核心技術(shù)，包括先進(jìn)薄膜工藝設(shè)備設(shè)計技術(shù)、反應(yīng)模塊架構(gòu)布局技術(shù)、半導(dǎo)體制造系統(tǒng)高產(chǎn)能平臺技術(shù)等，相關(guān)技術(shù)水平均達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)。特別地，公司核心技術(shù)具備一定互通性，大部分已在PECVD、ALD和SACVD上實(shí)現(xiàn)通用，為公司在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的平臺化發(fā)展奠定堅實(shí)基礎(chǔ)。圖表：公司薄膜沉積設(shè)備八大核心技術(shù)均達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)應(yīng)用和貢獻(xiàn)情況序號核心技術(shù)名稱專利及其他保護(hù)措施

技術(shù)水平已授權(quán)發(fā)明專利1項PECVD

ALD

SACVD12345先進(jìn)薄膜工藝設(shè)備設(shè)計技術(shù)反應(yīng)模塊架構(gòu)布局技術(shù)國際先進(jìn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)國際先進(jìn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)國際先進(jìn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)申請中發(fā)明專利2項已授權(quán)發(fā)明專利5項申請中發(fā)明專利2項已授權(quán)發(fā)明專利11項申請中發(fā)明專利1項已授權(quán)發(fā)明專利2項申請中發(fā)明專利5項已授權(quán)發(fā)明專利19項申請中發(fā)明專利8項已授權(quán)發(fā)明專利2項申請中發(fā)明專利7項半導(dǎo)體制造系統(tǒng)高產(chǎn)能平臺技術(shù)等離子體穩(wěn)定控制技術(shù)國際先進(jìn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)-反應(yīng)腔腔內(nèi)關(guān)鍵件設(shè)計技術(shù)國際先進(jìn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)國際先進(jìn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)678半導(dǎo)體沉積設(shè)備氣體輸運(yùn)控制系統(tǒng)氣體高速轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計技術(shù)反應(yīng)腔溫度控制技術(shù)已授權(quán)發(fā)明專利3項

國際先進(jìn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)已授權(quán)發(fā)明專利

10

項-國際先進(jìn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)

已量產(chǎn)申請中發(fā)明專利7

項131.3收入規(guī)?？焖贁U(kuò)張，盈利水平處于快速上升通道

1）收入端：受益PECVD快速放量，公司收入端實(shí)現(xiàn)快速增長。2018年公司營收僅7064萬元，2022年達(dá)到17.06億元，期間CAGR高達(dá)122%。2022年公司PECVD收入約15.63億元，2018-2022年CAGR高達(dá)134%，高于同期營收CAGR，是收入端快速增長的主要驅(qū)動力。根據(jù)2023年業(yè)績快報，2023年公司實(shí)現(xiàn)營收27.05億元，同比+59%，延續(xù)高速趨勢。

2）利潤端：規(guī)模效應(yīng)持續(xù)顯現(xiàn)，凈利潤進(jìn)入高速增長階段。與收入規(guī)模持續(xù)高增形成對比的是，高研發(fā)投入下，2021年以前公司在利潤端依舊呈現(xiàn)虧損狀態(tài)，2022年公司歸母凈利潤和扣非歸母凈利潤分別達(dá)到3.69和1.78億元，分別同比+438%和+317%，利潤端正式進(jìn)入高速增長階段。根據(jù)2023年業(yè)績快報，2023年公司歸母凈利潤和扣非歸母凈利潤分別為6.65億元、3.13億元，分別同比+80%、+76%。若剔除股份支付費(fèi)用影響（2023Q1-Q3股份支付費(fèi)用達(dá)到1.71億元），則利潤端表現(xiàn)更加出色。圖：2018-2022年公司營業(yè)收入CAGR為122%營業(yè)收入（百萬元）

同比（%）圖：2022年公司歸母凈利潤3.69億元，同比+438%歸母凈利潤（百萬元）180016001400120010008006004002000280%250%220%190%160%130%100%70%40%10%-20%-50%369400271300200100068-19-112018-1032019202020212022

2023Q1-Q3-100-200201820192020202120222023Q1-Q3141.3收入規(guī)?？焖贁U(kuò)張，盈利水平處于快速上升通道

反映到盈利水平上，2022年公司銷售凈利率和扣非銷售凈利率分別達(dá)到21.35%和10.44%，分別同比+12.52pct和+21.26pct，盈利水平大幅提升。

1）毛利端：處于快速上升通道，在前道設(shè)備企業(yè)中處于領(lǐng)先水平。2020-2023Q1-Q3銷售毛利率分別為34.06%、44.01%、49.27%和50.35%，快速提升，我們判斷這一方面系規(guī)?；当拘б妫硪环矫嫦抵貜?fù)訂單議價能力提升。

2）費(fèi)用端：規(guī)模效應(yīng)驅(qū)動費(fèi)用率快速下降。高研發(fā)投入下，2018年公司期間費(fèi)用率高達(dá)237.21%，2022年快速下降至37.16%。2023Q1-Q3公司期間費(fèi)用率為38.36%，同比+1.29pct，略有提升，主要系存在大額股份支付費(fèi)用。往后來看，受益于收入規(guī)?？焖俜帕?，公司期間費(fèi)用率仍有較大下降空間。圖：公司銷售凈利率快速提升銷售凈利率（%）扣非銷售凈利率（%）30%20%10%0%10.44%

10.32%201920202021-13.11%2022-10.82%2023Q1-Q3-10%-20%-30%-24.86%圖：2018-2022公司銷售毛利率快速提升圖：2023Q1-Q3公司期間費(fèi)用率約為38.36%，同比+1.29pct拓荊科技北方華創(chuàng)中微公司華海清科銷售費(fèi)用率財務(wù)費(fèi)用率管理費(fèi)用率期間費(fèi)用率研發(fā)費(fèi)用率長川科技盛美上海250%200%150%100%50%70%60%50%40%30%20%10%0%237.21%49.27%50.35%44.01%34.06%31.67%31.85%55.49%54.16%47.45%37.16%38.36%0%201820192020202120222023Q1-Q3201820192020202120222023Q1-Q3-50%151.3收入規(guī)模快速擴(kuò)張，盈利水平處于快速上升通道

截至2022年末，公司在手訂單46.02億元（不含Demo），2022年新簽訂單43.62億元（不含Demo），同比+95%。根據(jù)公司2023年業(yè)績預(yù)增公告，截至2023年末，公司在手訂單金額超過64億元（不含Demo），在手訂單飽滿。隨著在手訂單陸續(xù)交付、確認(rèn)收入，公司業(yè)績端表現(xiàn)同樣有望延續(xù)高速增長。作為半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭，公司承擔(dān)較多前沿產(chǎn)品開發(fā)。根據(jù)公司公告，2023年公司相繼收到三筆大額政府補(bǔ)助，合計金額高達(dá)4.20億元，可以進(jìn)一步驗(yàn)證，為公司長期成長性打下基礎(chǔ)。圖：截至2023Q3末，公司存貨38.70億元，同比+85%圖：截至2023Q3末，公司合同負(fù)債14.97億元，同比+62%合同負(fù)債/預(yù)收款項（百萬元）存貨（百萬元）5000200010000400030002000100003,8701,4971,39720222,2972022488953322201835020195124756134202020212023Q1-Q320182019202020212023Q1-Q3圖：2023年公司相繼收到三筆大額政府補(bǔ)助日期金額補(bǔ)助類型2023年12月6日2023年10月25日2023年7月31日2022年6月21日至2022年7月19日

1,000.00萬元2022年5月17日至2022年6月20日

826.68萬元2021年10月1日至2022年5月16日

14,082.73萬元4,664.00萬元14,094.00萬元23,218.00萬元與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助13,770.00萬元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補(bǔ)助324.00萬元與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助16,218.00萬元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補(bǔ)助7,000.00萬元。與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助與收益相關(guān)的政府補(bǔ)助9,853.23萬元，與資產(chǎn)相關(guān)的政府補(bǔ)助4,229.50萬元16目錄一二拓荊科技：本土薄膜沉積設(shè)備龍頭，業(yè)績持續(xù)快速增長薄膜沉積設(shè)備是天然大市場，公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢明顯PECVD仍有較大成長空間，SACVD、ALD等市場加速開拓前瞻性布局混合鍵合設(shè)備，充分受益先進(jìn)封裝行業(yè)浪潮三四五六盈利預(yù)測與投資評級風(fēng)險提示172.1.2024年有望迎來招標(biāo)大年，景氣復(fù)蘇同樣利好設(shè)備需求

相較IC設(shè)計、封測環(huán)節(jié)，晶圓制造是中國大陸當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)短板，自主可控驅(qū)動本土晶圓廠大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)。受海外制裁等影響，2023年國內(nèi)一線Fab廠暫未看到大規(guī)模招標(biāo)啟動，往后來看，看好2024年招標(biāo)大年出現(xiàn)。

1）邏輯端：仍為擴(kuò)產(chǎn)主力，根據(jù)2023年第四季度業(yè)績快報公告，2023年資本開支達(dá)到75億美元，同比+18%，并預(yù)計2024年資本開支同比基本持平。2023年我們推測大部分的資本開支用于光刻機(jī)采購（ASML高端DUV出口許可23年底到期）。展望2024年，我們預(yù)計公司光刻機(jī)的采購相比2023年有望明顯減弱，高昂的資本開支主要用于光刻機(jī)之外的其他前道設(shè)備開支，光刻機(jī)之外的其他設(shè)備招標(biāo)有望實(shí)現(xiàn)大幅提升。

2）存儲端：2023年一線存儲大廠擴(kuò)產(chǎn)力度受到明顯影響，長存、長鑫陸續(xù)增資背景下，疊加設(shè)備與工藝技術(shù)端進(jìn)步，我們預(yù)計2024年存儲端擴(kuò)產(chǎn)需求有望快速起量。圖：2023年資本開支同比+18%資本性支出（億美元）同比（%）80706050403020100220%190%160%130%100%70%40%10%-20%-50%2018201920202021202220232024E182.1.2024年有望迎來招標(biāo)大年，景氣復(fù)蘇同樣利好設(shè)備需求

特別地，荷蘭出口影響下，中國大陸對于高端光刻機(jī)進(jìn)口加速，為其他前道設(shè)備招標(biāo)奠定基礎(chǔ)。1）從進(jìn)口金額看，10、11月、12月分別達(dá)到6.79億美元、7.85億美元和11.28億美元，同比+103%、+545%，+752%，提速明顯。2023年累計進(jìn)口金額達(dá)到72.30億美元，同比+184%，拉貨勢頭明顯。2）從設(shè)備數(shù)量和單價來看，2023年5月份以來我國對荷蘭光刻機(jī)進(jìn)口量價齊升，2023年全年對荷蘭光刻機(jī)進(jìn)口225臺，設(shè)備均價3213萬美元，分別同比+53%和+85%。我國對荷蘭光刻機(jī)進(jìn)口均價大幅增長，我們推測主要系部分高端浸沒式DUV光刻機(jī)占比提升明顯。往后來看，我們認(rèn)為短期看隨著更高端光刻機(jī)加速進(jìn)口，光刻機(jī)目前不是國內(nèi)晶圓廠較為先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)瓶頸。隨著更高端光刻機(jī)陸續(xù)到位，將支撐國內(nèi)晶圓廠后續(xù)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，國產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商有望深度受益。圖：2023年5月以來我國從荷蘭進(jìn)口光刻機(jī)金額快速增長圖：2023年5月份以來從荷蘭進(jìn)口光刻機(jī)均價提升明顯從荷蘭進(jìn)口光刻機(jī)金額（百萬美元）同比增長（%）數(shù)量臺數(shù)從荷蘭進(jìn)口光刻機(jī)單價（萬美元）14001200100080060040020001150%950%750%550%350%150%-50%4035302520151055000400030002000100000192.1.2024年有望迎來招標(biāo)大年，景氣復(fù)蘇同樣利好設(shè)備需求

全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣拐點(diǎn)已經(jīng)出現(xiàn)，看好2024年進(jìn)入新一輪上行期。1）全球范圍內(nèi)來看，2023年2月全球半導(dǎo)體單月銷售額觸底，為3970億美元，同比-21%，此后連續(xù)9個月出現(xiàn)環(huán)比改善，拐點(diǎn)信號明顯，全球半導(dǎo)體整體復(fù)蘇呈現(xiàn)加速態(tài)勢，后續(xù)伴隨下游需求市場回暖以及去庫存結(jié)束，全球半導(dǎo)體行業(yè)有望進(jìn)入新一輪上升周期。2）對于中國大陸市場，半導(dǎo)體行業(yè)同樣出現(xiàn)復(fù)蘇跡象，2023年3月以來，同樣連續(xù)9個月環(huán)比為正，考慮到中國市場下游新能源等領(lǐng)域發(fā)展較快，看好中國半導(dǎo)體市場加速復(fù)蘇彈性。圖：2023年3月份以來全球半導(dǎo)體銷售額同比表現(xiàn)持續(xù)改善圖：2023年3月份以來中國大陸半導(dǎo)體銷售額同比表現(xiàn)持續(xù)改善中國大陸半導(dǎo)體銷售額（十億美元）中國大陸同比（%）全球半導(dǎo)體銷售額（十億美元）全球同比（%）201816141210840%10%-20%-50%605040302010040%10%-20%-50%64202021-01

2021-05

2021-09

2022-01

2022-05

2022-09

2023-01

2023-05

2023-092021-01

2021-05

2021-09

2022-01

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2023-05

2023-09202.1.2024年有望迎來招標(biāo)大年，景氣復(fù)蘇同樣利好設(shè)備需求

歷史數(shù)據(jù)表明，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額與半導(dǎo)體銷售額同比增速呈現(xiàn)高度聯(lián)動效應(yīng)，同時在行業(yè)上行周期時，半導(dǎo)體設(shè)備可以表現(xiàn)出更高的同比增速，具備更強(qiáng)增長彈性。展望2024年，全球范圍內(nèi)來看，在終端消費(fèi)持續(xù)復(fù)蘇的背景下，2024年半導(dǎo)體設(shè)備需求有望反彈，進(jìn)入下一輪上行周期。對于中國大陸市場，疊加自主可控需求，我們看好2024年半導(dǎo)體設(shè)備需求加速放量。圖表：全球半導(dǎo)體和半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比增速高度聯(lián)動全球半導(dǎo)體銷售額同比（%）全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比（%）40%30%20%10%0%2011

2012

2013

2014

2015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022-10%-20%212.2薄膜沉積是前道三大核心設(shè)備之一，2025年國內(nèi)市場規(guī)模588億元

薄膜沉積為晶圓制造三大核心設(shè)備之一，價值量占比高達(dá)22%。薄膜沉積工藝難度大，設(shè)備單體價值量高，同時在晶圓制造循環(huán)過程中工序較多，均奠定了薄膜沉積設(shè)備高價值量占比的基礎(chǔ)。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，在半導(dǎo)體設(shè)備中，晶圓制造設(shè)備價值量占比達(dá)到88%；在晶圓制造設(shè)備中，薄膜沉積設(shè)備價值量占比高達(dá)22%，與刻蝕設(shè)備體量相當(dāng)。圖：晶圓制造設(shè)備價值量約占半導(dǎo)體設(shè)備88%圖：薄膜沉積設(shè)備價值量約占晶圓制造設(shè)備22%封裝及組裝測試7%刻蝕22%5%其他39%晶圓制造薄膜沉積光刻17%88%22%222.2薄膜沉積是前道三大核心設(shè)備之一，2025年國內(nèi)市場規(guī)模588億元

薄膜沉積設(shè)備種類繁多，按照工藝原理、薄膜沉積效果等不同，可大致分為CVD、PVD、ALD三大類：1）CVD：根據(jù)腔室壓力、外部能量等不同，可大致分為APCVD、LPCVD、SACVD、

PECVD、MOCVD等類別。2）PVD：一般適用于各類金屬、非金屬、化合物膜層的平面沉積，可大致劃分為電子束蒸發(fā)PVD和磁控濺射PVD兩大類。3）ALD：可對復(fù)雜形貌的基底表面實(shí)現(xiàn)全覆蓋成膜，臺階覆蓋率較高，適用于各類金屬及金屬化合物、氧化物、氮化物、硫化物等薄膜沉積。圖：半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備種類繁多232.2薄膜沉積是前道三大核心設(shè)備之一，2025年國內(nèi)市場規(guī)模588億元圖：2021年P(guān)ECVD在薄膜沉積設(shè)備中價值量占比為33%

隨著一線FAB廠擴(kuò)產(chǎn)啟動，我們預(yù)計中國大陸半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場將快速打開，2025年將達(dá)588億元。細(xì)分產(chǎn)品來看，2021年P(guān)ECVD為第一大薄膜沉積設(shè)備，占比達(dá)到33%，PVD和ALD占比分別為19%和11%，管式CVD和非管式CVD合計占比達(dá)到23%。若僅考慮半導(dǎo)體PECVD和ALD兩大類設(shè)備，我們預(yù)計2025年中國大陸市場規(guī)模分別可達(dá)194和65億元，合計超過250億元。若再考慮到SACVD、HDPCVD等產(chǎn)品，公司卡位賽道對應(yīng)的市場需求體量更為可觀。MOCVD4%其他薄膜非管式LPCVD11%設(shè)備6%PECVD33%管式CVD12%濺射電鍍ECDPVD19%ALD11%4%圖表：2025年中國大陸半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)到588億元201756682201864512820%17357201959813523%18260202071218726%254842021102629629%401132442022107428326%383126422023E2024E105334233%464153512025E100930330%41013545124043435%58819465全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模（億美元）中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模（億美元）①中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額全球占比（%）中國大陸薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模（億元）②=①*88%*22%*7PECVD③=②*33%15%11237ALD④=②*11%12192028PVD⑤=②*19%213335487673788811271管式CVD⑥=②*12%1321223048464956其中非管式LPCVD⑦=②*11%MOCVD⑨=②*4%121920284442455165477101615161924電鍍ECD⑩=②*4%477101615161924其他（包含SACVD）?=②*6%71011152423252835測算242.3公司產(chǎn)品稀缺性顯著，看好加速

全球范圍內(nèi)來看，半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備仍由海外企業(yè)主導(dǎo)，市場集中度較高。1）CVD：2019年AMAT、LAM、TEL全球市場份額分別為30%、21%和19%，CR3市占率合計高達(dá)70%；2）ALD：2019年ASM和TEL全球市場份額分別為31%和29%，CR2合計60%。

特別地，作為本土唯一實(shí)現(xiàn)集成電路PECVD、SACVD產(chǎn)業(yè)化的供應(yīng)商，公司已在PECVD、SACVD細(xì)分領(lǐng)域形成較強(qiáng)市場競爭力。根據(jù)公司招股說明書數(shù)據(jù)，若以長江存儲、華虹無錫、上海華力、上海積塔在中國國際招標(biāo)網(wǎng)上公布的2019-2020年各類薄膜沉積設(shè)備采購項目的評標(biāo)&中標(biāo)結(jié)果為例，公司在國內(nèi)PECVD和SACVD領(lǐng)域的市場份額分別達(dá)到17%和25%。圖：2019年全球ALD市場由ASM和TEL主導(dǎo)圖：2019年全球CVD設(shè)備CR3市場份額高達(dá)70%其他40%ASM31%其他30%應(yīng)用材料30%TEL19%TEL29%LAM21%圖：2019-2020年公司在本土PECVD市占率約17%圖：2019-2020年公司在本土SACVD市占率約25%TEL0.61%其他1.84%拓荊科拓荊科技25%技16.56%AMAT34.36%LAM46.63%AMAT75%252.3公司產(chǎn)品稀缺性顯著，看好加速

往后來看，友商積極布局PECVD、ALD等薄膜沉積賽道，引發(fā)市場對于公司競爭格局的擔(dān)憂。我們認(rèn)為，半導(dǎo)體設(shè)備作為典型的技術(shù)密集型賽道，適合孕育大體量公司，龍頭效應(yīng)明顯，同時先發(fā)優(yōu)勢至關(guān)重要。橫向?qū)Ρ群Ｍ獍雽?dǎo)體設(shè)備龍頭，AMAT、ASML、LAM、TEL收入體量達(dá)到千億元級別，側(cè)面反映出行業(yè)較高的集中度和成長空間。此外，海外半導(dǎo)體設(shè)備龍頭發(fā)展至今，仍在持續(xù)高強(qiáng)度進(jìn)行研發(fā)投入，進(jìn)一步反映出行業(yè)的高技術(shù)門檻。作為國內(nèi)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備龍頭，公司PECVD、SACVD、ALD已形成成熟產(chǎn)品系列，具備身位性領(lǐng)先優(yōu)勢，并積極進(jìn)行高研發(fā)投入，不斷夯實(shí)核心競爭力，鞏固行業(yè)龍頭地位，市場領(lǐng)先地位有望長期維持。圖：公司收入體量明顯小于海外半導(dǎo)體設(shè)備龍頭（單位：億元）2018

2019

2020

2021

20222000150010005000圖：海外半導(dǎo)體設(shè)備龍頭仍在持續(xù)高強(qiáng)度研發(fā)投入（單位：億元）圖：海外半導(dǎo)體設(shè)備龍頭研發(fā)投入/營業(yè)收入比例多在10%+20182019202020212022AMATASMLLAMTELKLA3002502001501005018%16%14%12%10%8%6%4%2%00%2018201920202021202226目錄一二拓荊科技：本土薄膜沉積設(shè)備龍頭，業(yè)績持續(xù)快速增長薄膜沉積設(shè)備是天然大市場，公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢明顯PECVD仍有較大成長空間，SACVD、ALD等市場加速開拓前瞻性布局混合鍵合設(shè)備，受益先進(jìn)封裝行業(yè)浪潮三四五六盈利預(yù)測與投資評級風(fēng)險提示273.1

PECVD：工藝覆蓋面持續(xù)擴(kuò)大&客戶驗(yàn)證推進(jìn)，仍有較大提升空間

PECVD在集成電路中應(yīng)用廣泛，是介質(zhì)薄膜沉積的主要工藝方式。PECVD廣泛用于硬掩模、反射層、阻擋層、介質(zhì)隔離、鈍化層等介質(zhì)薄膜生長，具備一定不可替代性。這一方面是由于PECVD薄膜沉積效果易調(diào)諧，薄膜密度、化學(xué)組成、機(jī)械應(yīng)力等均可通過等離子體參數(shù)優(yōu)化。此外，由于等離子體作用下工藝溫度較低，PECVD對于含有金屬或其他對溫度敏感結(jié)構(gòu)襯底的薄膜生長具備一定必要性。例如，在后道金屬互連應(yīng)用中，薄膜沉積具備嚴(yán)格的熱預(yù)算限制，通常需要等離子體輔助完成。圖表：PECVD設(shè)備在集成電路工藝中廣泛應(yīng)用序號工藝應(yīng)用PECVD生長材料1淺槽隔離填充（STI

Filling）高密度等離子體二氧化硅（HDP

SiO2）、流體沉積二氧化硅（FCVD

SiO2）等離子體非晶碳（PECVD

α-C，APF）、等離子體氮化硅（PECVD

Si3N4）、等離子體氮化鈦（

PECVD

TiN）2光刻硬掩膜（Litho

Hard

Mask）3456789光刻反射層（Anti-reflective

Coating）側(cè)壁隔離（Spacer）前金屬隔離填充阻擋層（PMD

Liner）前金屬隔離填充（PMD

Filling）等離子體氮氧化硅（PECVD

SiON）等離子體氮化硅（PECVD

Si3N4）等離子體氮化硅（PECVD

Si3N4）高密度等離子體摻雜二氧化硅（PECVD

PSG）等離子體氮化硅（PECVD

Si3N4）金屬連接刻蝕停止層（ContactEtch

Stop

Layer）晶圓背面污染保護(hù)層（Backside

ContaminationProtection

Layer）金屬連線介質(zhì)隔離（IMD）等離子體氮化硅（PECVD

Si3N4）等離子體二氧化硅（PECVD

SiO2）、等離子體低介質(zhì)材料（PECVD

low-k）等離子體氮化硅（PECVD

Si3N4）、等離子體碳化硅（PECVD

SiC）等離子體氮化硅（PECVD

Si3N4）10

鑲嵌式刻蝕及平坦化停止層（Damasceme

Etch&CMP

Stop

Layer）11

器件鈍化層（Passivation

Layer）283.1

PECVD：工藝覆蓋面持續(xù)擴(kuò)大&客戶驗(yàn)證推進(jìn)，仍有較大提升空間

公司PECVD

設(shè)備推出較早，產(chǎn)品線較為豐富。若以收入/銷售額為統(tǒng)計口徑，我們估算2022年公司PECVD在國內(nèi)市占率約12%，仍具備較大的國產(chǎn)化提升空間?；诠に嚫采w面持續(xù)擴(kuò)大&客戶拓展推進(jìn)兩個維度，我們看好公司PECVD業(yè)務(wù)持續(xù)高速增長。圖：2018-2022年公司PECVD國內(nèi)市場份額快速提升PECVD收入（百萬元）PECVD市場規(guī)模（百萬元）公司PECVD市場份額（%）1401201008014%12%10%8%12%606%5%5%404%4%202%1%00%20182019202020212022測算293.1PECVD：工藝覆蓋面持續(xù)擴(kuò)大&客戶驗(yàn)證推進(jìn)，仍有較大成長空間圖：公司PECVD廣泛用于3D

NAND存儲芯片制造

公司PECVD設(shè)備以介質(zhì)薄膜沉積為主，已全面覆蓋邏輯、存儲（3DNAND+DRAM），工藝先進(jìn)性同樣在快速提升。具體來看：

1）按工藝類別劃分：公司針對下游需求研發(fā)并生成出多種PECVD設(shè)備，已全面覆蓋邏輯、DRAM

存儲、FLASH

閃存各技術(shù)節(jié)點(diǎn)的多種通用介質(zhì)薄膜沉積工序，并已研發(fā)LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先進(jìn)介質(zhì)材料工藝，工藝覆蓋面行業(yè)領(lǐng)先。圖：公司PECVD廣泛用于邏輯芯片制造中圖：公司PECVD廣泛用于DRAM存儲芯片制造中303.1PECVD：工藝覆蓋面持續(xù)擴(kuò)大&客戶驗(yàn)證推進(jìn)，仍有較大成長空間

2）按技術(shù)節(jié)點(diǎn)劃分：公司在邏輯芯片領(lǐng)域已基本實(shí)現(xiàn)28nm及以上制程全覆蓋，多種14nm及10nm以下制程設(shè)備正在積極配合客戶進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證。在存儲芯片領(lǐng)域，公司PECVD已在64L3D

NAND實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并積極布局128L3DNAND和DRAM領(lǐng)域。圖：公司PECVD設(shè)備的工藝覆蓋面正在快速擴(kuò)大邏輯芯片工藝節(jié)點(diǎn)存儲芯片先進(jìn)封裝應(yīng)用領(lǐng)域工藝類型3D

NAND

FLASHDRAM19nm

17nm130nm

90nm

65nm

55nm

40nm

28nm

14nm

10nm以下64L128L不適用2.5D3D前/后段介質(zhì)層后段鈍化層√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√********不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用SiO2不適用不適用后段刻蝕硬掩模工藝后段刻蝕阻擋層工藝后段介質(zhì)層*///√√√*********SiN后段鈍化層后段封裝領(lǐng)域介質(zhì)層及鈍化層前后段介電抗反射涂層前/后段介質(zhì)層不適用不適用不適用√√√√SiONBPSG√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√*//***//////√***不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用后段鈍化層前/后段介質(zhì)層√√√*********后段鈍化層TEOS后段刻蝕硬掩模工藝后段封裝領(lǐng)域介質(zhì)層及鈍化層前后段介電抗反射涂層后段低介電常數(shù)介質(zhì)層前段應(yīng)力記憶層PECVD不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用SiOCFSG/√//√/√√/√/√/√///////////////不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用HSNPSG/√√√/√√/后段鈍化層√/√/√/√/LokILokII后段層間介質(zhì)層后段層間介質(zhì)層////*前段刻蝕硬掩模工藝前段刻蝕硬掩模工藝后段刻蝕硬掩模工藝后段刻蝕阻擋層/擴(kuò)散阻擋層RDL

DRAM后段介質(zhì)層2.5D

interposer

Caplayer后段介質(zhì)層Flash

memory

前段介質(zhì)層/////*ACHM不適用****不適用√**不適用不適用ADC

IThickTEOSNO

stack////**//不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用不適用*//不適用（注：√為“產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”，*為“產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證中”，/為“暫無應(yīng)用”，產(chǎn)品進(jìn)展截至公司招股說明書披露）

313.1PECVD：工藝覆蓋面持續(xù)擴(kuò)大&客戶驗(yàn)證推進(jìn)，仍有較大成長空間

就具體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展來看，2022年公司PECVD產(chǎn)業(yè)化快速突破：1）薄膜工藝拓展：多種不同工藝指標(biāo)的先進(jìn)薄膜材料（包括LoKⅠ、ACHM、ADCⅠ、HTN等）和設(shè)備均通過客戶驗(yàn)證，進(jìn)入量產(chǎn)產(chǎn)線。2）應(yīng)用領(lǐng)域拓展：針對先進(jìn)封裝領(lǐng)域晶圓的特殊性，采用獨(dú)特的加熱盤、傳片平臺等設(shè)計，開發(fā)反應(yīng)溫度在

80℃-200℃范圍內(nèi)的低溫薄膜沉積設(shè)備，可以沉積低溫的

SiN、TEOS等介質(zhì)薄膜材料，并在先進(jìn)封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用。3）工藝指標(biāo)提升：公司推出

PECVD（NF-300H）型號設(shè)備，已實(shí)現(xiàn)首臺產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并取得客戶復(fù)購訂單，可以沉積

Thick

TEOS等介質(zhì)材料薄膜，NF-300H平臺具備高產(chǎn)能及良好工藝性能指標(biāo)。

此外，基于在PECVD領(lǐng)域積累的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，公司還在積極拓展其他設(shè)備類別：1）UV

Cure：基于現(xiàn)有的PF-300T平臺，公司開發(fā)出與PECVD配套使用的

UVCure設(shè)備，為HTN、LokⅡ等薄膜沉積進(jìn)行紫外線固化處理，2022年UV

Cure（HTN

工藝）設(shè)備已通過不同客戶產(chǎn)線驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)銷售收入，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。2）HDPCVD：HDPCVD

設(shè)備可以同時進(jìn)行薄膜沉積和濺射，沉積薄膜致密度更高，雜質(zhì)含量更低。公司研制的

HDPCVD

(PF-300T

Hesper）設(shè)備已出貨至客戶端進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，并已實(shí)現(xiàn)銷售。公司HDPCVD（PF-300T

Hesper、TS300SHesper）設(shè)備已取得不同客戶的訂單，可以沉積

SiO2、FSG、PSG

等介質(zhì)材料薄膜。323.1PECVD：工藝覆蓋面持續(xù)擴(kuò)大&客戶驗(yàn)證推進(jìn)，仍有較大成長空間

在持續(xù)完善的產(chǎn)品體系基礎(chǔ)上，公司在客戶端也在不斷突破。薄膜沉積設(shè)備復(fù)雜度高，不同客戶工藝要求差異性較大，驗(yàn)證周期普遍較長。隨著客戶端Demo機(jī)臺陸續(xù)確認(rèn)收入，公司客戶集中度已經(jīng)出現(xiàn)明顯下降，2022年前五大客戶收入占比下降至67.80%。往后來看，隨著新客戶、新工藝端Demo機(jī)臺驗(yàn)證持續(xù)推進(jìn)，重復(fù)訂單有望快速放量，公司PECVD有望延續(xù)高速增長。圖：2022年公司前五大客戶收入占比快速下降前五大客戶收入占比（%）120%100%100%80%60%40%20%0%92.44%84.02%83.78%67.80%333.2SACVD&HDPCVD：溝槽填充核心設(shè)備，產(chǎn)業(yè)化快速推進(jìn)

SACVD溝槽填充性能突出，先進(jìn)制程下滲透率存在提升趨勢。SACVD工作環(huán)境為次常壓，氣相化學(xué)反應(yīng)分子自由程減小，分子間碰撞幾率增加，主要應(yīng)用于深寬比小于

7:1的溝槽填充工藝。常規(guī)PECVD多適用于平面襯底薄膜沉積，SACVD主要適用于STI、ILD等填孔工藝，二者不存在嚴(yán)格競爭關(guān)系。溝槽填充主要包括HDP-CVD、SACVD等工藝，其中HDP-CVD適用130-45

nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，SACVD為45-14

nm主流工藝。先進(jìn)制程技術(shù)迭代背景下，溝槽深寬比增大，SACVD在溝槽填充領(lǐng)域的滲透率有望快速提升。圖：SACVD薄膜沉積環(huán)境為壓強(qiáng)較大的次常壓圖：SACVD適用于ILD和STI等溝槽填充工藝343.2SACVD&HDPCVD：溝槽填充核心設(shè)備，產(chǎn)業(yè)化快速推進(jìn)

公司作為本土唯一SACVD產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的供應(yīng)商，產(chǎn)品體系不斷完善。根據(jù)公司招股說明書，公司SACVD已實(shí)現(xiàn)12英寸40/28nm和8英寸90nm以上邏輯芯片產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。在此基礎(chǔ)上，公司積極拓展130nm以上邏輯芯片工藝需求，以及19/17nm

DRAM刻蝕調(diào)節(jié)層等應(yīng)用。截至2023年中報披露，公司用于實(shí)現(xiàn)

SA

TEOS、BPSG、SAF

薄膜工藝沉積的

SACVD

設(shè)備均通過客戶驗(yàn)證。

展望未來，受益新品產(chǎn)業(yè)化順利推進(jìn)，公司SACVD設(shè)備有望加速放量。公司自2020年以來SACVD產(chǎn)量快速增加，根據(jù)2022年報披露，2022年公司SACVD產(chǎn)量達(dá)到10臺，銷售量5臺，2022年底庫存量達(dá)到13臺，我們判斷公司已有較多機(jī)臺逐步進(jìn)入量產(chǎn)訂單階段。受益于在手訂單陸續(xù)交付&收入確認(rèn)，疊加量產(chǎn)訂單持續(xù)放量，SACVD設(shè)備有望成為公司后續(xù)重要業(yè)績增長點(diǎn)。圖：公司SACVD可實(shí)現(xiàn)SA

TEOS、BPSG、SAF等薄膜沉積工藝圖：截至2022年末，公司SACVD設(shè)備庫存量達(dá)到13臺20182019202020216202210產(chǎn)品系列主要產(chǎn)品型號主要薄膜工藝生產(chǎn)量（臺）銷售量（臺）庫存量（臺）收入（百萬元）收入占比（%）毛利率（%）00103115PF-300T

SASA

TEOS

等介質(zhì)薄膜材料813SACVD00%-00%-8.672%41.165%89.485%PF-300T

SAFBPSG、SAF

等介質(zhì)薄膜材料-43.61%

62.99%

46.82%353.2SACVD&HDPCVD：溝槽填充核心設(shè)備，產(chǎn)業(yè)化快速推進(jìn)

公司在溝槽填充領(lǐng)域還重點(diǎn)布局HDPCVD，持續(xù)完善產(chǎn)品矩陣。HDPCVD

設(shè)備主要應(yīng)用于深寬比小于

5:1

的溝槽填充工藝，和SACVD工藝互補(bǔ)，可同時進(jìn)行薄膜沉積和濺射，沉積薄膜的致密度更高、雜質(zhì)含量更低。根據(jù)公司2023年中報披露，公司HDPCVD

設(shè)備已實(shí)現(xiàn)首臺產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并持續(xù)獲得客戶訂單，出貨至不同應(yīng)用領(lǐng)域的不同客戶端進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，可以沉積SiO2、FSG、PSG

等介質(zhì)材料薄膜。隨著HDPCVD在客戶端驗(yàn)證順利推進(jìn)，將進(jìn)一步夯實(shí)公司在溝槽填充領(lǐng)域的市場競爭力。圖：公司HDPCVD設(shè)備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用產(chǎn)品型號產(chǎn)品圖片產(chǎn)品應(yīng)用情況主要應(yīng)用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領(lǐng)域，已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，可以沉積SiO2、FSG、PSG

等介質(zhì)薄膜材料。PF-300T

Hesper主要應(yīng)用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領(lǐng)域，正在進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證，可以沉積SiO2、FSG、PSG

等介質(zhì)薄膜材料。TS-300S

Hesper363.3ALD：先進(jìn)制程下需求快速提升，公司產(chǎn)品體系持續(xù)完善

ALD具備膜厚精準(zhǔn)可控、臺階覆蓋率高特點(diǎn)，在特定應(yīng)用場景具備不可替代性。ALD屬于準(zhǔn)單原子層形式周期性生長的薄膜沉積技術(shù)，薄膜厚度精準(zhǔn)可控。與常規(guī)CVD工藝不同，ALD成膜原理為表面自限制反應(yīng)，即多種前驅(qū)物交替通過襯底表面發(fā)生反應(yīng)，具備薄膜均勻性好、臺階覆蓋率高等優(yōu)勢。ALD已廣泛用于金屬柵極、高k介質(zhì)層、互聯(lián)線勢壘層等薄膜沉積，尤其在高深寬比、極窄溝槽開口等領(lǐng)域具備不可替代性。然而，由于薄膜沉積速率較慢，ALD暫時無法在成熟制程上大規(guī)模替代PECVD等工藝。圖：ALD為原子級別的薄膜沉積方式圖：ALD薄膜沉積類型已經(jīng)十分廣泛薄膜類型沉積材料Al

O

,

ZrO

,

HfO

,Ta

O

,

TiO

,

Nb

O

,Y

O

,23222522523介電層MgO,CeO

,

SiO

,

La

O

,

SrTiO

,

BaTiO

等222333In

O

,In

O

:Sn,In

O

:F,V

O

,SnO

,ZnO,ZnO:Al,232323252透明導(dǎo)體/半導(dǎo)體氧化物Ga

O

,NiO,CoO

等2

3

X超導(dǎo)材料其他三元材料半導(dǎo)體/介電材料導(dǎo)體YBa2Cu3O7-xLaCoO

,

LaNiO

,

LaAlO

,

LaGaO

,

LaMnO

等33333AlN,GaN,InN,SiN

,Hf

N

,Zr

N

等x3434氮(碳)化物TiN

(C)

,TaN(C)

,Ta

N5,

NbN(C),W

N等3

2ZnS

,

ZnSe

,

ZnTe,

ZnS1-xSex,

MgS,

CaS,

SrS,BaS,CdS,

SrS1-xSex,

CdTe,

MnTe,HgTe,Hg1-x