半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化 第6-19部分：高溫下封裝翹曲度的測(cè)量方法和最大允許翹曲度 征求意見稿

1半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6-19部分：升溫下封裝翹曲度的測(cè)量方法和最大允許翹曲度在升溫下封裝翹曲度的測(cè)量方法和最大允許IEC60191-6半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形preparationofoutlinedrawingsofsurfacemoIEC60191-6-2半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6-2部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝1.00mmpitchballandcolumnIEC60191-6-5半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6-5部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝般規(guī)則密節(jié)距焊球陣列（FBGA）封裝的設(shè)計(jì)指南（MechanicalstandardizationofsemiconductorIEC60749-20半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：塑封表面安裝器件Resistanceofplastic-encapsulatedS注：GB/T4937.20-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影3.12——對(duì)于支撐高度大于0.1mm的封裝形式，為最外側(cè)相鄰焊球中心注：測(cè)量區(qū)域的示例見圖1和圖2。如果封裝體的中注：測(cè)量區(qū)域的示例見圖3。邊緣余量L的取值取決于測(cè)量設(shè)3注：邊緣余量L取值取決于測(cè)量設(shè)備的檢測(cè)能力，表示測(cè)量設(shè)備為避免測(cè)量噪聲的免測(cè)量區(qū)域。邊緣余量參考值3.2安裝在印刷電路板（PWB）上的封裝體（非互連側(cè)）拱形頂面，其翹曲3.3安裝在印刷電路板（PWB）上的封裝體（非互連側(cè)）內(nèi)彎曲頂面，其翹3.4封裝翹曲度符號(hào)packagewarpa測(cè)量區(qū)域內(nèi)兩條對(duì)角線上每條輪廓曲線的最大正位移與最大負(fù)位移之和的正負(fù)符號(hào)，測(cè)量區(qū)域最外側(cè)對(duì)角的連線為兩條對(duì)角線上輪廓曲線的（ABMAX+ABMIN+CDMAX+CDMIN）ABMAX——對(duì)角線AB上輪廓曲線的最大正ABMIN——對(duì)角線AB上輪廓曲線的最大負(fù)位移；CDMAX——對(duì)角線CD上輪廓曲線的最大正位移；CDMIN——對(duì)角線CD上輪廓曲線的最大負(fù)位移。43.54樣品制備54.2去除焊球4.3預(yù)處理?xiàng)l件烘焙和水汽浸漬條件應(yīng)符合IEC60749-20中規(guī)定的濕氣敏感性等級(jí)要求。封裝翹曲度測(cè)量的峰值4,4預(yù)處理后至測(cè)量的最長(zhǎng)時(shí)間間隔4.5樣品重復(fù)回流焊循環(huán)同一樣品不應(yīng)重復(fù)的回流焊循環(huán)。在測(cè)量前只有評(píng)估了測(cè)量數(shù)封裝翹曲度可通過“陰影莫爾法”或“激光反射法”測(cè)溫度基本符合IEC60749-20中規(guī)定的封裝類別的6推薦使用規(guī)格為30(Φ0.25mm）或平頭類熱電偶放置示意圖見圖6，在安裝測(cè)量裝置時(shí)，還需測(cè)量與加熱器接觸的封裝上表面的溫度。通過5.3測(cè)量方法測(cè)量基板表面之前，應(yīng)先去除焊球。通過將光柵（具有透明和不透明條紋的的平面度變化。該測(cè)量裝置可以設(shè)置測(cè)量區(qū)域并測(cè)量5.3.2激光反射法位移傳感器測(cè)量平面度的變化。翹曲度通常利用激光束掃描引出端焊盤或焊球之間的測(cè)量區(qū)域進(jìn)行測(cè)），撐高度A1數(shù)值引用IEC60191-6-2和IEC7焊球節(jié)距（e）FLGA的最大允許封裝翹曲度（絕對(duì)值）見表焊盤節(jié)距（e）7.2數(shù)據(jù)手冊(cè)），——每個(gè)溫度下的3D形貌圖（可選如果翹曲度的符號(hào)相反，需要說明；見圖8——每個(gè)溫度下的對(duì)角輪廓曲線圖（可選如果翹曲度的符號(hào)相反，需要說明；見圖87.3數(shù)據(jù)手冊(cè)示例8翹曲度翹曲度室溫（150℃)（預(yù)熱溫度）（僅