2023年助理認(rèn)證考試測(cè)試題

1.已知電路如圖示，輸出L與輸入A、B的邏輯關(guān)系為:

A、L=A-BB、L=A-BC、L=A+B

D、L=A+B

2.（本題為簡(jiǎn)答題,標(biāo)準(zhǔn)分5分）

已知電路如圖，請(qǐng)回答：

1.在電阻R阻值很小時(shí)，發(fā)光管VD1、VD2是否發(fā)光？

2.在電阻R值較大時(shí)，發(fā)光管VD1、VD2是否發(fā)光？

3.VHDL的含義是甚高速集成電路描述語(yǔ)言，其重要作用是()和()。

4.下列數(shù)據(jù)中，數(shù)值最大的為：

A.(101001)2B、(52)io

C>(00101001)BCDD、(231)16

5,已知放大電路輸入波形是較為抱負(fù)的方波，其輸出信號(hào)的波形也許為Voi

或V02,其重要因素也許與放大器的下限截止頻率fL和上限截

止頻率f~H有關(guān)：

A、產(chǎn)生波形失真的重要因素是fL、fH均過(guò)低

B、產(chǎn)生波形失真的重要因素是fL、fH均過(guò)高

C、產(chǎn)生VoI波形失真的重要因素是九過(guò)低,產(chǎn)生Vo2波形失真的重要因

素是fH過(guò)高

D、產(chǎn)生Vol波形失真的重要因素是fL過(guò)高，產(chǎn)生V02波形失真的重要

因素是fH過(guò)低

6.FPGA的顯著特點(diǎn)是它的靈活性、高速性及豐富的資源。

7.當(dāng)51單片機(jī)被復(fù)位后，程序計(jì)數(shù)器PC中的內(nèi)容總是被設(shè)立成0000H。

8.N進(jìn)制計(jì)數(shù)器可以實(shí)現(xiàn)(N—1)次分頻。

9.（本題為簡(jiǎn)答題,標(biāo)準(zhǔn)分5分）

已知電路如下，輸入為方波，周期為2Ps，請(qǐng)回答:

1.若規(guī)定輸出Vo仍近似為方波,RC值大體為多少？

2.若規(guī)定輸出Vo近似為三角波，RC值大體為多少？

3.將本電路改為微分電路,應(yīng)如何解決？RC值大體為多少？

10.已知放大電路如圖示,若電容Ce值變小，則會(huì)導(dǎo)致：

A、下限截止頻率fL變低上限截止頻率fH變高

B、九變高，一變低

c、fL、fH均變高

D、fL、fH均變低

11.示波器正常，但打開電源后，看不到掃描線或亮點(diǎn)，其也許的因素

有:

A、Y軸衰減過(guò)大或過(guò)小B、掃描周期過(guò)長(zhǎng)或過(guò)

短

C、上下位移調(diào)節(jié)不妥D、觸發(fā)掃描旋轉(zhuǎn)位置不妥

12.采用軟件去按鍵抖動(dòng)影響的辦法是在檢測(cè)到有鍵位按下時(shí)，執(zhí)行一個(gè)

（）,之后再確認(rèn)該鍵電平是否仍（）。

13.（本題為綜合設(shè)計(jì)題，標(biāo)準(zhǔn)分10分）

已知某溫度采集系統(tǒng)的信號(hào)調(diào)理及A/D轉(zhuǎn)換的部分電路，如圖所示，圖中電阻

Rx用來(lái)模擬溫度傳感器的數(shù)值變化,其值由100138.5Q可變,相應(yīng)代表溫度

0。。?100。。的變化，請(qǐng)回答：

1.求兩級(jí)放大器的總增益（電位器取值1.8KC）。（3分）

2.求Rx變化（100~138.5C）時(shí),P點(diǎn)電位的變化范圍。（3分）

3.求A/D轉(zhuǎn)換器輸入端Q點(diǎn)信號(hào)電壓變化范圍。（2分）

4.若規(guī)定溫度誤差為0.2℃,則至少需要多少位的A/D轉(zhuǎn)換器？（2

分）

14.51單片機(jī)的P0~P3四個(gè)I/O端口，在作輸入接口使用時(shí)，均需由CPU

向其寫入“1”，以免誤讀。

15.低通濾波電路對(duì)信號(hào)的相移為正值，即輸出信號(hào)的相位要落后于輸入信號(hào)

一個(gè)相角。

16.已知倍壓整流濾波電路如圖示，已知輸入的交流電壓為10伏，則二極管

Di的耐壓為：

A、大于10VB、大于14.14V

C、大于20VD、大于28.28V

17.邏輯代數(shù)中，存在下述關(guān)系：A+BC=(A+B)(A+C)o

18.74LS47是輸出低電平有效的7段字形譯碼器，與其相配合使用的LED數(shù)

碼管應(yīng)為共陰接法。

19.在共e、共b、共c三類放大器中，通頻帶最寬的是放大器，通頻帶最窄的

是放大器。

20.(本題為簡(jiǎn)答題,標(biāo)準(zhǔn)分5分)

已知電流/電壓(1/V)轉(zhuǎn)換電路如圖示，請(qǐng)回答:

1.計(jì)算A點(diǎn)電壓變化值。

2.運(yùn)放起什么作用？計(jì)算放大倍數(shù)。

3.計(jì)算輸出電壓Vo之變化值。

21.SRAM和DRAM均為RAM存儲(chǔ)器,兩者的容量與讀寫速度為：

A、SRAM有極高的讀寫速度及大容量

B、DRAM有極高的讀寫速度及大容量

C、SRAM有極高的讀寫速度，DRAM有更大的容量

D、DRAM有極高的讀寫速度,SRAM有更大的容量

22.用示波器測(cè)量晶體振蕩電路時(shí)，導(dǎo)致振蕩器停振，也許的因素為:

A、晶體振蕩電路的輸出電阻過(guò)低

B、示波器的頻帶寬度不夠

C、示波器的高頻等效阻抗偏低

D、示波器的高頻等效阻抗偏高

23.已知放大電路如圖示，輸出Voi、V02與輸入Vi信號(hào)間的幅度關(guān)系為:

A、|Voi|^|VO2I^1B,|Voi|^IV02|

C.|Voi>|Vo2I>1D、IVOi|>1"V02IW1

24.觀測(cè)帶有毛刺的15MHz正弦信號(hào)波形，若要如實(shí)反映被測(cè)信號(hào)本質(zhì)

仍帶毛刺，則選用的示波器帶寬應(yīng)為：

A、100MHzB、40MHz

C、60MHzD、20MHz

25.完畢下列數(shù)制轉(zhuǎn)換：（1000）10=O16=02

26.按照慣例，脈沖上升沿tr的時(shí)間值應(yīng)在下述條件下測(cè)量：

A、在脈沖峰峰值的0至90%處

B、在脈沖峰峰值的10%至90%處

C、在脈沖峰峰值的10%至100%處

D、在脈沖峰峰值的0%至100%處

27.用7812等元器件制成串聯(lián)調(diào)整穩(wěn)壓電源，則7812輸入的電壓大約為（）

伏，變壓器次級(jí)的交流電壓大約為（）伏。

28.多輸入端或非門中沒(méi)有用到的輸入端口最佳接高電平，以免干擾信號(hào)竄入

電路。

29已知音頻功率放大電路如圖示,輸入信號(hào)Vi為2伏,則負(fù)載RL上的電壓大體

為（設(shè)C的容量足夠大）

A、大于2伏B、5伏左右

C、略小于2伏D、略小于1.4伏

30.在數(shù)字電路系統(tǒng)中，信號(hào)波形產(chǎn)生毛刺（競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)）的條件是在同一時(shí)刻

有多個(gè)輸入信號(hào)發(fā)生突變。

31.BJT放大器中，放大管的。值為常數(shù)的條件是（）、（）。

32.負(fù)反饋雖使放大器的增益下降,但可加大放大器的頻帶寬度，即使出、f

L均增大。

33.交流220V市電電網(wǎng)應(yīng)是電壓源，它的內(nèi)阻愈大愈好。

34.51單片機(jī)中，堆棧存放數(shù)據(jù)的原則是先進(jìn)后出，后進(jìn)先出，數(shù)據(jù)進(jìn)棧后，棧

頂向下移動(dòng),棧指針SP值隨之減小。

35.ARM7解決器的字長(zhǎng)為32位，所有數(shù)據(jù)操作均以半字（16位）為單位。

36.基本比較器與滯回比較器相比：

A、前者靈敏度高，后者抗干擾能力強(qiáng)

B、前者靈敏度差，后者抗干擾能力強(qiáng)

C、前者靈敏度高，后者抗干擾能力差

D、前者靈敏度差，后來(lái)抗干擾能力差

37.(本題為綜合設(shè)計(jì)題,標(biāo)準(zhǔn)分9分)

設(shè)計(jì)一低頻功率放大電路，單電源供電，能在10。負(fù)載上輸出2W以上功率。已知

輸入音頻信號(hào)的幅度為10mV,頻率范圍為40Hz?1OKHz,請(qǐng)回答：

1.畫出系統(tǒng)的電路組成框圖,標(biāo)出重要放大電路的增益。

2.畫出末級(jí)功放的電路圖，供電電壓至少為多少伏？

3.指明檢測(cè)負(fù)載上的功率與電路效率的方法。

38.在數(shù)字電路