電子行業(yè)深度報(bào)告：存儲(chǔ)行業(yè)拐點(diǎn)已至國產(chǎn)化主線確立

請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分增持（維持）投資要點(diǎn)容量提升以及備貨潮，存儲(chǔ)市場規(guī)模逐步恢復(fù)增長。存儲(chǔ)顆粒2023Q3NAND2023Q2全球市場規(guī)模環(huán)比提升7.4%。伴隨下游需求逐步回暖，是國產(chǎn)化進(jìn)程加速。伴隨下游AI服務(wù)器、新能源汽車等新需求及消費(fèi)maty@證券分析師金晶jinj@行業(yè)走勢7%4% -2%-5%相關(guān)研究請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分 4 6 6 9 10 103.2.模組、IC設(shè)計(jì)廠商庫存去化效果 11 13 13 15 17 18 19請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分 4 4 5 5 5 6 7 7 8 8 9 12 12 12 13 13 14 14 14 15 15 15 16 16 18 10 10 11 17 18請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分1.周期判斷：存儲(chǔ)國產(chǎn)化進(jìn)程加速，行業(yè)周期拐點(diǎn)已至市場總規(guī)模約為4799.9億美元，其中存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模約為1344.1億美元，占比近28%，僅次于邏輯芯片。存儲(chǔ)芯片可分為非易失性和易失性兩類，其中非易失性包括NANDFLASH和NORFLASH，易失性主要包括DRAM，根據(jù)CINNO數(shù)據(jù)，2022年存儲(chǔ)市場規(guī)模細(xì)分結(jié)構(gòu)中DRAM/NAND/NOR的市場圖1：2022年全球集成電路市場規(guī)模細(xì)分結(jié)構(gòu)占比模擬芯片微處理器邏輯芯片存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)來源：WSTS，東吳證券研究所圖2：2022年全球存儲(chǔ)市場規(guī)模細(xì)分結(jié)構(gòu)占比NANDNOR數(shù)據(jù)來源：CINNO，閃存市場，東吳證券研究所儲(chǔ)與長江存儲(chǔ)，兩家公司分別在DRAM與NAND請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖3：三大細(xì)分市場市占率情況數(shù)據(jù)來源：ICInsights，東吳證券研究所儲(chǔ)市場回暖拐點(diǎn)確立。圖4：全球DRAM季度市場規(guī)模（百萬美元）三星美光海力士其他QoQ0數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所圖5：全球NAND季度市場規(guī)模（百萬美元）0海力士集團(tuán)英特爾三星海力士集團(tuán)英特爾西部數(shù)據(jù)美光其他其他QoQ2021Q12021Q32022Q12數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所存儲(chǔ)行業(yè)現(xiàn)處于周期底部，有望恢復(fù)增長態(tài)勢。以DRAM:DDR3/4GB/256Mx16價(jià)格周期為例，存儲(chǔ)周期大致4年，本輪周期起始于20Q1，21Q3存儲(chǔ)器價(jià)格見頂，至今降價(jià)7個(gè)季度。過去一次存儲(chǔ)價(jià)格的周期底部位于2019年中旬，下行周期內(nèi)跌幅超66%，隨后產(chǎn)品價(jià)格觸底反彈。目前產(chǎn)品的價(jià)格維度已經(jīng)到達(dá)拐點(diǎn)，今年Q4至24年上半年，價(jià)格有望止跌上行。請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分 圖6：DRAM:DDR3/4GB/256Mx16價(jià)格周期 0DRAM:DDR3/4GB/256Mx16（美元）本輪周期起點(diǎn)本輪周期底部本輪周期底部2019-07-312020-01-312020-07-312021-01-312021-07-312022-01-312022數(shù)據(jù)來源：iFinD，東吳證券研究所DRAM價(jià)格觸底，環(huán)比跌幅緩慢收斂，跌價(jià)過多的低價(jià)顆粒漲勢明顯。DDR4請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖7：典型DRAM產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格（美元） DDR416Gb(2Gx8)2666MbpsDDR48Gb(1Gx8)2666MbpsDDR48Gb(1Gx8)eTT DDR416Gb(2Gx8)eTTMbpsDDR48Gb(512Mx16)2666Mbps98765432102022-02-222022-05-062022-07-182022-09-262022-12-052023-02-202023-05-032023-07-142023-09-22注釋：DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps，DDR416Gb(2Gx8)eTTMbps，DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps，DDR48Gb(1Gx8)eTT為主流DRAM；DDR48Gb(512Mx16)2666Mbps為利基DRAM數(shù)據(jù)來源：iFinD，DRAMexchange，東吳證券研究所圖8：典型DRAM產(chǎn)品合約價(jià)格（美元）9876543210 DDR416Gb(2Gx8) DDR416Gb(2Gx8)DDR44GB256Mx16DDR34GB256Mx162020-01-312020-08-312021-03-312021-10-312022-05-312022-12-312023注釋：DDR416Gb(2Gx8)，DDR48Gb(1Gx8)為主流DRAM；DDR44GB256Mx16，DDR34GB256Mx16為利基DRAM數(shù)據(jù)來源：iFinD，DRAMexchange，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖9：典型NAND產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格（美元） 64Gb8GBx8MLC1Gb128MBx8SLC 32Gb4GBx8MLC2Gb256MBx8SLC3DFlash256GbTLC432102022-02-222022-05-062022-07-182022-09-262022-12-052023-02-202023-05-032023-07-142023-09-22注釋：32Gb4GBx8MLC，64Gb8GBx8MLC，256GbTLC為主流NAND；2Gb256MBx8SLC，1Gb128MBx8SLC為利基NAND數(shù)據(jù)來源：iFinD，DRAMexchange，東吳證券研究所圖10：典型NAND產(chǎn)品合約價(jià)格（美元）6543210128Gb16Gx8MLC32Gb4Gx8MLC64Gb8Gx8MLC2018-11-302019-06-302020-01-312020-08-312021-03-31注釋：128Gb16Gx8MLC，32Gb4Gx8MLC，64Gb8Gx8MLC為主流NAND數(shù)據(jù)來源：iFinD，DRAMexchange，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖11：典型FlashWafer產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)（美元） 0FlashWafer1TbTLC FlashWafer1TbTLC FlashWafer256GbTLC FlashWafer128GbTLC2023-03-312023-04-242023-數(shù)據(jù)來源：中國閃存市場，東吳證券研究所2.2.未來趨勢：底部已現(xiàn)，漲價(jià)趨勢確立Flash全產(chǎn)品均價(jià)跌幅收斂至5~10%，位元出請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分表1：NAND和DRAM的市場需求情況數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所3.產(chǎn)業(yè)玩家：海外大廠持續(xù)減產(chǎn)，庫存優(yōu)化環(huán)比逐季改善3.1.海外大廠積極減產(chǎn)，加速布局HBM新產(chǎn)品收縮有望帶來行業(yè)回溫。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2023年Q2三星/美動(dòng)率分別降至77%/74%/82%，海力士與美光23年Q2的資本開支分別同比下降表2：部分存儲(chǔ)廠商產(chǎn)能與資本支出規(guī)劃月宣布圍繞收益較低產(chǎn)品線減產(chǎn)，進(jìn)一步削將DRAM和NAND晶圓的開工量減少約優(yōu)化舊制程產(chǎn)線，靈2023年資本支出由120億美元調(diào)減至70-75億美元，減少（20%-30%）放緩技術(shù)升級，降低運(yùn)營成本（裁員計(jì)的10%提升至請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分2023年資本支出減數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所相關(guān)高傳輸能力存儲(chǔ)技術(shù)的需求，HBM成為存儲(chǔ)巨頭在下行行情中對業(yè)績的重要扭轉(zhuǎn)力量。海力士作為HBM產(chǎn)品領(lǐng)域的龍頭，不斷推動(dòng)HBM產(chǎn)品表3：三大存儲(chǔ)廠商HBM產(chǎn)品規(guī)劃情況HBM廠商請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖12：存儲(chǔ)模組廠商庫存原材料情況概覽數(shù)據(jù)來源：iFinD，東吳證券研究所圖13：存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)廠商存貨商品情況概覽數(shù)據(jù)來源：iFinD，東吳證券研究所儲(chǔ)產(chǎn)品銷量，業(yè)內(nèi)廠商業(yè)績有望恢復(fù)增長態(tài)勢。圖14：存儲(chǔ)模組廠商2023年Q2業(yè)績情況概覽數(shù)據(jù)來源：iFinD，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖15：存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)廠商2023年Q2業(yè)績情況概覽數(shù)據(jù)來源：iFinD，東吳證券研究所4.需求景氣：存儲(chǔ)下游多領(lǐng)域需求回暖，靜待行業(yè)復(fù)蘇圖16：2022年中國存儲(chǔ)下游應(yīng)用占比44.8%數(shù)據(jù)來源：智研咨詢，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖17：2022Q1-2023Q2全球筆電出貨量0筆電出貨量（萬臺(tái)）環(huán)比2022Q12022Q22022Q32022Q4數(shù)據(jù)來源：Canalys，東吳證券研究所計(jì)行業(yè)整體下行空間有限，景氣周期拐點(diǎn)或?qū)D18：2022Q1-2023Q2全球智能手機(jī)出貨量3210智能手機(jī)出貨量（億部）環(huán)比數(shù)據(jù)來源：Counterpoint，東吳證券研究所圖19：2022Q1-2023Q2全球TWS耳機(jī)銷量0TWS出貨量（萬臺(tái)）環(huán)比數(shù)據(jù)來源：Canalys，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分圖20：2022Q2和2023Q2華為智能手表全球出貨占比8%6%4%華為智能手表全球出貨量占比數(shù)據(jù)來源：CounterpointResearch，東吳證券研究所圖21：2022Q1-2023Q2中國AR/VR市場出貨量AR出貨量（萬臺(tái)）VR出貨量（萬臺(tái)）50數(shù)據(jù)來源：IDC，東吳證券研究所圖22：2022Q1-2024Q4全球服務(wù)器出貨量出貨量（萬臺(tái)）環(huán)比同比2022Q12022Q32023Q12023Q3E2024Q1E2024數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分TrendForce預(yù)計(jì)2022-2026年期間，AI服務(wù)器出貨量復(fù)合增長率為2圖23：2022-2026E全球AI服務(wù)器出貨量出貨量（萬臺(tái)）020222023E2024E2025E20數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所圖24：AI服務(wù)器中存儲(chǔ)器需求量數(shù)據(jù)來源：TrendForce，東吳證券研究所請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分請務(wù)必閱讀正文之后的免責(zé)聲明部分表4：2023AI服務(wù)器存儲(chǔ)增量空間測算---數(shù)據(jù)來源：DramExchange，TrendForce，東吳證券研究所4.3.車載領(lǐng)域前景廣闊，或成藍(lán)海市場2023年汽車市場景氣度上升，對多種車用存儲(chǔ)器的需求與技術(shù)要求提升。車用存認(rèn)為將加速國內(nèi)廠商在車