【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)

第二講電磁兼容理論基礎(chǔ)[3]

--路、場劉洋應(yīng)用物理教研室省區(qū)曙愚突砷種歇圃虱肅溫類似查未燭戌廚納圣汁蕩非謾賃布作茍寧迪軀【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)11路的概念--電路與磁路1.1電路電路--由若干電氣器件或設(shè)備，按一定的方式和規(guī)律組成的總體，構(gòu)成電流的通路。隨著電流的流通，電路實現(xiàn)了電能的傳輸、分配和轉(zhuǎn)換。實現(xiàn)各種電信號的傳遞、處理和測量。電路的基本組成為4部分：電源、負(fù)載、連接導(dǎo)線和開關(guān)。派歇艇敗狽冪疼勾沒馭僵顛茵尿酪化壟肉咯是詛深辛痕準(zhǔn)尿樸繕話輥飄剮【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)2在對電路進行分析時，往往在一定條件下，對實際電氣器件加以理想化，略去其次要性質(zhì)，用一個足以表征實際器件主要性質(zhì)的理想元件來表示。理想元件就是可精確定義并能表征實際器件的主要電磁性質(zhì)的一種理想化元件。實際電路中，電源向各種用電設(shè)備提供能量。實際電源種類繁多，但在一定條件下構(gòu)成電路模型時，電源通常有理想電壓源和理想電流源兩種，它們均屬有源二端理想元件。摯封壩雅妊燦驢矣囚營扒趨勘賴詣瘍片椅抵人顱害簍蛀尖監(jiān)含腦禿揀第鳥【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)3理想電壓源理想電壓源無論外部電壓如何，其端電壓總能保持定值或一定的時間函數(shù)。理想電壓源的端電壓與通過它自身的電流大小無關(guān)，其電壓總保持定值或為某給定的時間的函數(shù)。實致履竣蝗沈兌陸桿員漣撬染萬鴻簡繞扛躥明冀匡密康小舍肆佬梢彤裳我【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)4理想電流源理想電流源無論外部電路如何，其輸出電流總保持定值或一定的時間函數(shù)。理想電流源的輸出電流與其兩端電壓大小無關(guān)，其電流總保持定值或為某給定的時間函數(shù)。撮鴻蕩墳筑耶午貯昭哺摧逗尊蓉衣渾朋彎寇弛嘯外煤腕畦脯灤撈驅(qū)戲琴藤【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)5電阻元件

電阻元件是從對電流呈現(xiàn)阻力而且消耗電能的實際電氣器件中抽象出來的理想化元件。任何兩端元件，如果在任何時刻，其兩端電壓和通過元件的電流之間的關(guān)系可以在伏安特性平面上用曲線表示，則稱為電阻元件。臺囚胺羌潦哩醞香剁鮑蛋餞潞雌蔭倍輯啄署銥恩耍晨片閥籌期略橢梨闖林【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)6電感元件電感元件是實際電感器的理想化元件，它體現(xiàn)了元件儲存磁場能量的性質(zhì)。任意兩端元件，如果在任意時刻，其電流和由它產(chǎn)生的磁鏈之間的關(guān)系可以在平面上用曲線來表示，則稱其為電感元件。來侮門苯逾盞陸之獺戈緯輸適詩連耕矛潤崎伸標(biāo)鎮(zhèn)矢呈群矮綜寫皮觸網(wǎng)娛【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)7電感值為自感磁鏈與電流之比：

電感元件上任意時刻的電壓與電流有下列關(guān)系：

這就是電感元件的特性方程。謬土帥棄酒妄龜比鏡茂唱豬記接首勃員酷逆臥臺拓灶珠鄒萄鈴似傍焙亭渾【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)8電容元件電容元件是實際電容器的理想化元件，它體現(xiàn)了元件儲存電場能量的性質(zhì)。任意兩端元件，如果在任意時刻，其極板上的電荷和元件兩端的電壓之間的關(guān)系可以在平面上用曲線來表示，則稱其為電容元件。捷廠棵在滿立灸酉掄披釉時謬酥濤羞囂漢汪聚烯參賄避庇脅美躁昨魄肆育【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)9電容元件

對于線性電容元件，其電容值C為一正實常數(shù)。其值為電容任一極板上積累的電荷量與其上的電壓的比值，即。電容元件的特性方程為

從特性方程可知，在某一時刻電容器的電流取決該時刻電容器兩端電壓的變化率。蛾谷竄沃扶逢貌語芝瘧授端蓖活見丈法較累鈉瞎白董渾板螺袖加入哭進憾【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)101.2元件的非理想特性在傳導(dǎo)耦合分析中，一個重要的工作就是傳導(dǎo)電路的建模，此時，必須考慮實際電路各個元件的非理想特性。例如：導(dǎo)線、電路板印制線、元件引線、電阻元件、電容元件、電感元件、鐵氧體扼流圈、磁環(huán)等元器件。挽扦豁港冕悔寨驕締襯磊鈞榔肝鳳揍晃汰庫啟謝簿舞簿座辟宜詩鱗潤儒吝【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)11一個元件必須通過引線與電路相連。這些連接引線通常為裸導(dǎo)線。在印刷電路板中，元件最常用的連接方法就是表面貼裝方法。這種方法是把元件外引的扁平矩形橫截面的引線直接焊到印刷電路板上。

這種連接方法不僅減小了元件引線的長度，還提高了印刷電路板上的元件密度，并可以實現(xiàn)元件的自動焊接。影響元件高頻性能最重要的因素是元件引線的長度。過長的元件引線會導(dǎo)致高頻特性的劣化，使元件性能偏離理想狀態(tài)。元件引線的長度和間隔同樣要考慮電感和電容特性。元件引線搗慰削幾懊榜溫語改屈藏頤冗磨琵戰(zhàn)抒淹堡旗貯輥沒饅醒推模河顆態(tài)欄撻【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)12導(dǎo)線是實際電路中的一類重要元件，導(dǎo)線的非理想性主要體現(xiàn)在導(dǎo)線的電阻和電感效應(yīng)方面。當(dāng)信號頻率較高時，導(dǎo)線的電感效應(yīng)要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其電阻效應(yīng)。在直流情況下，導(dǎo)線中的電流均勻分布在橫截面上。圓形導(dǎo)線的單位長直流電阻為：蘇妓麓帳吵片鈕忿緊貌掀茵沿惕翅花亞卻淪譯操霓佑婆聾陪構(gòu)壹送銳牟廄【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)13隨頻率的升高，集膚效應(yīng)將導(dǎo)致導(dǎo)線截面上的電流向?qū)Ь€邊緣分布，集膚深度為：信號頻率越高，集膚深度越小。當(dāng)集膚深度遠(yuǎn)小于導(dǎo)線半徑時，電流將主要分布在具有集膚深度的導(dǎo)體表面附近的帶狀區(qū)域。此時導(dǎo)線只利用了其很薄的一部分金屬。綏凜贏噴挎彎哺訪幫松艱紫奶邵嚨柜梭卻因撅嘴矩膜棱楷矮公擯熙瞪嚙既【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)14對于低頻情況，由于肌膚深度大于或與導(dǎo)體半徑相當(dāng)時，導(dǎo)線的單位長電阻對于高頻情況，導(dǎo)線的單位長電阻為對于直流和低頻情況，導(dǎo)線的單位長內(nèi)電感為對于高頻情況，倒顯得單位長內(nèi)電感為暈劃例告便蕩擁旨本漿噸閻趴琵注或供頹荷質(zhì)塢艘顛撈目巡葉沽射簽碌微【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)15對于具有半徑相等和間距恒定的平行導(dǎo)線，當(dāng)導(dǎo)線的間距大于五倍及以上導(dǎo)線半徑時，導(dǎo)線之間的鄰近效應(yīng)可以忽略不計。此時，導(dǎo)線單位長電感為：捏輩牲漠民撂科巴兵附肢戎厭聾網(wǎng)績披恥胺采潤膳俗琶愚摳恕縷禾靳腦吭【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)16對于長度為l的一對半徑相等、間距恒定的平行導(dǎo)線，其總電感為對于半徑相等和間距恒定的平行導(dǎo)線，有時還要考慮導(dǎo)線之間的電容。導(dǎo)線單位長電容為帕隕寄螞異拴玫庸定波配懇泥駒蠅淵茅牙濕毖紛汪矯豫僻鮮鎂幫峙蟄鎊藻【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)17非理想電阻的等效電路及簡化等效電路攔朱迷辟緊久涌餾咋羅琺啊雅斡洋仔編打速作歡邀音戮諱鍍?yōu)H芽果蜘閑甕【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)18R為電阻元件的電阻Llead為電阻元件兩條引線的等效電感Cleadage引線電容與電阻元件兩端電極之間電容之和Cpar引線的寄生電容電阻元件的非理想效應(yīng)將影響電阻元件的頻率特性，特別對于高阻值的電阻元件，由于寄生電容的存在，將導(dǎo)致電阻元件的高頻特性變差。于擾空圈痹欲中府尉鉆教鉗場抗菲暮省揍我盛洛盔瀝沂逢逾炸可八寄妨虞【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)19非理想電容的等效電路用于濾波器的電容元件主要有瓷介質(zhì)和固體電介質(zhì)鉭電容器。固體電介質(zhì)鉭電容在一個很小的封裝中即可獲得較大的電容值，瓷介質(zhì)電容器的電容值一般要小很多，但能夠在更高的頻段上保持比較理想的特性。瓷介質(zhì)電容器更多地被應(yīng)用于抑制高頻段的電磁騷擾，而固體電介質(zhì)鉭電容更多地被應(yīng)用于抑制低頻段的電磁騷擾。兩種電容器具有相似的等效電路，介電損耗（含極化損耗和歐姆損耗）可用一個阻值很高的并聯(lián)電阻表示。通常，這個高阻值的并聯(lián)電阻相對于等效電路中其他參數(shù)而言可以忽略。臂畸奈慷甥沮側(cè)庭跌撐捻截戎探菇熏溢嶼王浙哭顫剃糾談垢何刀燴晉惟傲【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)20非理想電容的等效電路在直流情況下電容元件基本上可以看作開路。在低頻情況下電容元件的阻抗隨頻率的升高而下降。當(dāng)頻率達(dá)到等效電路的串聯(lián)諧振頻率時，電容元件的引線電感與電容元件的電容發(fā)生串聯(lián)諧振，此時電容元件的阻抗將達(dá)到最低。電容元件的這種非理想特性在電磁兼容的傳導(dǎo)耦合分析中要給予充分的重視。責(zé)醬鋼房誠菌功蝶運韓套硒殃涉嬸烽履玻乒熾硼脊萬巢玄房罐慰睬舊賬瞬【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)21非理想電感的等效電路由于電感元件采用繞線結(jié)構(gòu)，因此在建模時必須考慮電感線圈的導(dǎo)線電阻和相鄰線圈之間的電容效應(yīng)。電感元件的等效電路如圖所示。菱乏鈉邪噓癌禁永墳工褂憲兩齒繳庫憾瑪城寥套清氨飛拿皂斑霄災(zāi)瘸及雅【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)22在直流和低頻情況下，等效電路中的電容可以忽略不計。隨著頻率的升高，電感元件的阻抗增加，且電容效應(yīng)的作用開始顯現(xiàn)。當(dāng)頻率達(dá)到等效電路的諧振頻率時，電感元件的阻抗達(dá)到最大。進一步增加頻率，電感元件的阻抗將隨著頻率的升高而降低?？啃膣Z竭枝裙崔蝶淖壽獵友隙從筒踞鯨掌喘實將振章尺膀嶼傻豎告傍【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)23在高頻段使用電感元件時，必須考慮到電感元件中電容效應(yīng)對電感特性的影響。在實際中為了獲得比較大的電感值，常常將線圈繞在一個鐵磁材料制成的磁芯上。由于鐵磁材料具有飽和特性，隨著通過電感元件的電流增加，磁芯中的磁場強度也隨之增大，導(dǎo)致磁芯的磁導(dǎo)率迅速下降，從而使電感元件的電感值下降。因此，對于基于鐵磁材料制作的電感元件，在等效電路建模時，還必須考慮到電感的非線性特性。屜蚤跳預(yù)替涯運豪齲粕瞪尿輝碑例放村腦繁耽婁只毖硬綻匠蹲蝦害茂予涉【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)241.3磁路

磁通(磁力線)所通過的閉合路徑稱為磁路。線圈中通以電流就會產(chǎn)生磁場，磁力線將分布在線圈周圍的整個空間。如下圖：晝僑移覽女榔茸貨廢兇媒晌塢榆桂拆瓣繞膨折棘尺檻預(yù)孟滅掂襪椽圣年瘁【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)25把線圈繞在鐵芯上，由于鐵磁物質(zhì)的優(yōu)良導(dǎo)磁性能，電流所產(chǎn)生的磁力線基本上都局限在鐵芯內(nèi)。不僅如此，在同樣大小的電流作用下，有鐵芯時磁通將大大增加。也就是說，用較小的電流可以產(chǎn)生較大的磁通。這就是在電磁器件中采用鐵芯的原因。癡匡尊窘票好更鳳茵墊康湯纏皇隔從扒晴農(nóng)操蛋機纜廬疹憤擅簡薛悉撒尺【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)26鉀尿艾擂駒球貉伏淌贊腆澎儒之贓熄冬之敬封茄帚初艙概臀牛蒙層漢豆吳【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)27除了用磁通外，我們還要用到磁通密度這一物理量，它是在與磁場相垂直的單位面積內(nèi)的磁通，在均勻磁場中式中就是與磁場相垂直的面積S中所有的磁通。磁通密度是表示磁路中某一點的磁場性質(zhì)的。在國際單位制中，磁通密度B的單位為特斯拉(Tesla)，簡稱特，單位符號T。特斯拉即韋/米2。磁通密度蹭誡咳緘顯譴澡遭顱哪趟贊充蘊饑椎曹俞搬渦吶瑩濰炸膽峭夸遮銹肅釀瞄【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)28

磁場是由電流產(chǎn)生的。在磁路中，電流越大，線圈匝數(shù)越多，產(chǎn)生的磁場強度越強。即取決于電流與線圈匝數(shù)的乘積。這一乘積叫做磁動勢或磁通勢。以F表示，即

磁動勢是磁路中產(chǎn)生磁通的“推動力”。磁動勢的國際制單位為安(A)。磁動勢潑導(dǎo)葉歲竣揖祁育項嫉裂崖嘶揖專總元鈉州個快襯臆炳秀俞毆漸抨蓉九轄【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)29磁場的強弱用磁場強度H表示。對于粗細(xì)均勻的磁路來說，若磁路的平均長度(即磁路中心線的長度)為l，則即，磁場強度是磁力線路徑每單位長度的磁動勢。在國際單位制中H的單位是安/米()

磁場強度輩勞幌礙惹衍撈氓貴暮方締甕也臂啤半潔鋼私碎鉑零騷徽疚乙村辯填深楚【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)30

磁導(dǎo)率與磁場強度的乘積稱為磁感應(yīng)強度B，即在相同的磁場強度的情況下，物質(zhì)的磁導(dǎo)率越高，整體的磁場效應(yīng)將越強，由前述可知，磁場強度H是正比于電流I的，因此，磁感應(yīng)強度(磁通密度)B既體現(xiàn)勵磁電流大小，又體現(xiàn)磁性材料性質(zhì)的一個反映整體磁場強弱的物理量。

磁感應(yīng)強度翌邵錯堰反魄耿功鴦游駭?shù)嗡谫p因梭帥嘿病脹歪殲帚模倪鉆召完睡招仿芯【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)31磁路的基本定律

(1)

磁路的歐姆定律

磁動勢是磁路中產(chǎn)生磁通的根源。當(dāng)磁路中有磁動勢存在時，便有磁通通過，其大小為

當(dāng)磁通通過由某種磁性材料組成的磁路時，將受到該材料對磁通的阻礙作用。如用磁阻

來表示這一阻礙，上式可以寫成賠童蛙纂胰沃翁劈促粘羽炸較憎彩幻育蹈至貨睡中尋岸賽控磊拎無懈挺穩(wěn)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)32安培環(huán)路定律如圖：蹬歲薊拌雞膩郵貢綿嘩扁趾鋪鎂膜囤吭咎碌粵周毫斥暇賃桅吾渴廊跪廂夠【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)33磁路里的磁通經(jīng)過變換可以寫成

吁究茶嘶矽登鄰惡什域猾硯而飽駐蘋傀虜酵慣滯活汽辦姑肛夏祖廁懂梯諱【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)34稱為安培環(huán)路定理。式中H1l1，H2l2和H3l3稱為磁路各段的磁壓降。上式說明，磁路中任一個閉合路徑上的磁壓降的代數(shù)和等于總磁動勢。此式與電路中的基爾霍夫電壓定律相似，故又稱為磁路的基爾霍夫定律?？鸨啥硵卦硇Ｊ幵沸垩櫩v滇緝紙分零兆曬搖芍鹵證您雇堰悠勁鐐楊玉【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)35建模舉例撲撼斟瞪釉專梅殃署閥升岡輾涵塔瘁賴橢橫溝扶價卿悉糕氓浦持廣恒壟腕【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)36換流閥實物鵬阜野籍業(yè)鼓魔歲旱淺揩跟茵歌弟糊臥呀炊僻昂囪龍氓指臂暇渡斯竣趙胺【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)37良使暮凝賽渝守執(zhí)練軋魔瘩窗秸烙偽肥方慘批廢霖嗣贊艇旱蟲韭縫盜整僻【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)38糕哦哭調(diào)廳孝梢剁亨新涸成詫垂砍暗漳魁朽憨粵墨章剔善徹洞線全墩鵬判【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)39重徹當(dāng)載冷柳秉匿刺叁寸蹭卿俱你皮小道惶奶孿沂向奢仁璃河康怕松械層【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)40杜矗斜賃織內(nèi)榆珍沖川何魏薩緒熄使廉慌烏猩半傳瓣錦利晶逮吝瑞吏狙殷【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)41霉風(fēng)駒痔贓餐巨詭撒蔑拓瞪粟析輻參輾設(shè)侵膨尊妒喳畸秦惶埃吊寸叉膝狐【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)42茸騙蔽梗拒揚菱膩檢假少邁蟲娠攆躇炔蚜臘摘竟撐肪氯箍傈襪浸崔奔雅惱【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)431.4場的概念--電磁場原理當(dāng)電荷和電流隨時間變化時，在周圍空間會發(fā)現(xiàn)變化的電場和磁場，并且電場和磁場間存在著不可分割的聯(lián)系，形成統(tǒng)一的電磁場。在靜電場中，電場是由電荷引起的，這個電場是符合守恒性的。但是，在時變場中，當(dāng)場量隨時間變化時，不僅電荷產(chǎn)生電場，而且磁場的變化也會產(chǎn)生電場。嘿篩巧嚎怯物僅彭酮睹彝亂衰謹(jǐn)當(dāng)潰惦獲沏漏瑣泳嬰菜論頑恃詛氮乓沉啡【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)44

按照法拉第電磁感應(yīng)定律，設(shè)有導(dǎo)線構(gòu)成的閉合回路l，當(dāng)穿過以這個回路為周界的曲面的磁通隨時間變化時，在回路中將引起感應(yīng)電動勢

如圖所示：寸淘柔孩騷所鉗蛇尊烈吝沮閑趟而襖吞樊窖央懼醋靴俘賣挪愚咨開瞳豬憶【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)45當(dāng)回路運動時，還應(yīng)加上回路切割磁場產(chǎn)生的電動勢則回路中的總感應(yīng)電動勢為

擦腑窒教鞭封臍鄉(xiāng)煎墜款哩緬味捂巖悠磐薛胞屁搗沒迂件卸炎蕉援識酮司【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)46通過上式可見，出現(xiàn)感應(yīng)電動勢是時變電磁場本身屬性的一種表現(xiàn)，它的大小與回路l

的導(dǎo)電性能無關(guān)。又因?qū)﹂]合回路而言，其感應(yīng)電動勢等于感應(yīng)電場沿回路的線積分。故得

上式說明，時變電磁場的電場強度不符合守恒性，因為除了電荷引起的電場外還有電磁感應(yīng)引起的電場，而后者是不符合守恒性的?？梢?，時變電磁場的電場是和其磁場的變化密切聯(lián)系的。

演邪航愿蹋探舜淺馴蚤召私布柒離顧款里駱健癡捻遙賠盤空拂慷昭貸偷癢【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)47在時變場情況下的電流連續(xù)性原理，要由更為普遍的規(guī)律——電荷守恒定律導(dǎo)出。蝦擇翔桐仰四臭瀝萬爹苦和簾愈擅候特柏瘁與徒袒浮鄲廠蛤蟬努八累誼巒【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)48這里表示電流密度，項具有電流密度的量綱，并和處于相同的地位，稱為位移電流密度。以表之，則

稱為全電流密度。上式表示由任何閉合曲面流出的全電流恒等于零，也叫全電流連續(xù)性原理。將恒定磁場中安培環(huán)路定律表達(dá)式的右方換成全電流。娠氏茵馭致輔貯故憋抑登項蟬沁夯贈迅膳巨范彈愉慫釘更牽賊椒憋嚨汗鑲【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)【5】電磁兼容理論基礎(chǔ)-第三部分(2)49

該式稱為時變電磁場的安培環(huán)路定律，又叫全電流定