MOOC 電子技術(shù)基礎(chǔ)-模擬電子技術(shù)-南京工程學(xué)院 中國(guó)大學(xué)慕課答案

MOOC電子技術(shù)基礎(chǔ)—模擬電子技術(shù)-南京工程學(xué)院中國(guó)大學(xué)慕課答案1.1.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：本征半導(dǎo)體中，若摻入的是價(jià)元素，則形成N型半導(dǎo)體。選項(xiàng)：A、3B、4C、5D、6正確答案:【5】2、問(wèn)題：在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問(wèn)題：在絕對(duì)零度且無(wú)光照射時(shí)，本征半導(dǎo)體中沒(méi)有價(jià)電子能夠擺脫共價(jià)鍵的束縛。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】1.1.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于??????????。選項(xiàng)：A、溫度B、摻入雜質(zhì)元素的多少C、摻雜工藝D、晶格缺陷正確答案:【摻入雜質(zhì)元素的多少】2、問(wèn)題：在本片半導(dǎo)體中如果摻入的是三價(jià)微量元素，則形成N型半導(dǎo)體。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：少子是由本征激發(fā)所產(chǎn)生的，所以對(duì)光照和溫度敏感。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】1.1.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：硅二極管正常工作時(shí)，反向電流很小，且其大小隨反向電壓的增大而??????????。選項(xiàng)：A、增大B、減小C、基本不變D、擊穿正確答案:【基本不變】2、問(wèn)題：PN結(jié)是由于漂移運(yùn)動(dòng)所形成的。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：空間電荷區(qū)由不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子所構(gòu)成的。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】1.2.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：對(duì)于面接觸型的二極管，下列說(shuō)法正確的是???????。選項(xiàng)：A、可以承受較大電流，適合低頻使用。B、可以承受較大電流，適合高頻使用。C、可以承受較小電流，適合低頻使用。D、可以承受較小電流，適合高頻使用。正確答案:【可以承受較大電流，適合低頻使用?！?、問(wèn)題：點(diǎn)接觸型二極管適合于低頻、小電流情況下使用。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：當(dāng)二極管用于大電流工作時(shí)，要求PN結(jié)的結(jié)面積大。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】1.2.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將???????。選項(xiàng)：A、減小B、不變C、增大D、不能判斷正確答案:【增大】2、問(wèn)題：當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管正反向特性曲線的特點(diǎn)是?????。選項(xiàng)：A、正向特性曲線左移，反向特性曲線上移。B、正向特性曲線左移，反向特性曲線下移。C、正向特性曲線右移，反向特性曲線上移。D、正向特性曲線右移，反向特性曲線下移。正確答案:【正向特性曲線左移，反向特性曲線下移。】3、問(wèn)題：鍺管反向電流比硅管反向電流小得多。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】1.2.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：二極管的最高反向工作電壓，通常規(guī)定為???????????。選項(xiàng)：A、擊穿電壓B、擊穿電壓的一半C、擊穿電壓的二倍D、死區(qū)電壓正確答案:【擊穿電壓的一半】2、問(wèn)題：當(dāng)工作頻率過(guò)高時(shí)，二極管將失去單向?qū)щ娦?。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問(wèn)題：二極管如果超過(guò)最大整流電流，就一定會(huì)燒壞。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】1.3.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：二極管導(dǎo)通后對(duì)大信號(hào)所呈現(xiàn)的電阻，稱為二極管的??。選項(xiàng)：A、直流電阻B、交流電阻C、導(dǎo)通電阻D、正向電阻正確答案:【導(dǎo)通電阻】2、問(wèn)題：二極管的模型主要有理想模型、恒壓降模型和小信號(hào)模型。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問(wèn)題：在同時(shí)含有直流電源和小信號(hào)交變?cè)吹碾娐分校娏骰螂妷旱目偭考s等于靜態(tài)量與動(dòng)態(tài)量的疊加。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】1.3.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：當(dāng)二極管回路電源電壓較低時(shí)，采用??模型比較合理。選項(xiàng)：A、恒壓降B、理想C、恒流源D、小信號(hào)正確答案:【恒壓降】2、問(wèn)題：二極管的直流電阻、導(dǎo)通電阻和交流電阻是三個(gè)不同的概念。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問(wèn)題：用模擬指針式萬(wàn)用表的電阻擋測(cè)量二極管正向電阻時(shí)，不同量程擋測(cè)得的正向電阻值是相同的。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4、問(wèn)題：對(duì)于既有直流電源又有小信號(hào)源的電路，應(yīng)先采用恒壓降模型估算工作點(diǎn)，再用小信號(hào)模型進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】1.4.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：只要穩(wěn)壓二極管兩端加反向電壓就能起穩(wěn)壓作用。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】2、問(wèn)題：利用二極管的正向特性也可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問(wèn)題：正常情況下，穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】1.4.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：光電二極管工作時(shí)需要加偏置電壓，工作于?????狀態(tài)。選項(xiàng)：A、正向；導(dǎo)通B、正向；截止C、反向；導(dǎo)通D、反向；截止正確答案:【反向；截止】2、問(wèn)題：發(fā)光二極管?????導(dǎo)通時(shí)發(fā)光，工作電流的典型值為????。選項(xiàng)：A、正偏；20mAB、正偏；10mAC、反偏；20mAD、反偏；10mA正確答案:【正偏；10mA】3、問(wèn)題：光電二極管的光電流隨光照強(qiáng)度的增大而上升。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】1.4.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：肖特基二極管的導(dǎo)通電壓??????，大約為??????。選項(xiàng)：A、較高；0.7VB、較高；0.4VC、較低；0.7VD、較低；0.4V正確答案:【較低；0.4V】2、問(wèn)題：變?nèi)荻O管在電路中的主要作用是?????????。選項(xiàng)：A、穩(wěn)壓B、整流C、可變電容器D、發(fā)光正確答案:【可變電容器】3、問(wèn)題：發(fā)光二極管是一種通以正向電流會(huì)發(fā)光的二極管，使用時(shí)應(yīng)加正偏電壓，且串接合適的限流電阻。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第1章作業(yè)第1章單元測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：半導(dǎo)體本征激發(fā)會(huì)成對(duì)產(chǎn)生???????。選項(xiàng)：A、自由電子B、空穴C、自由電子和空穴D、雜質(zhì)離子正確答案:【自由電子和空穴】2、問(wèn)題：ＰＮ結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流。選項(xiàng)：A、增加B、減小C、不變D、為0正確答案:【增加】3、問(wèn)題：ＰＮ結(jié)外加正向電壓時(shí)，耗盡層。選項(xiàng)：A、增厚B、變薄C、厚度不變D、厚度為0正確答案:【變薄】4、問(wèn)題：在室溫27度時(shí)，硅二極管的死區(qū)電壓大約為V。選項(xiàng)：A、0.3B、0.2C、0.5D、0.7正確答案:【0.5】5、問(wèn)題：在室溫27度時(shí)，鍺二極管的死區(qū)電壓大約為V。選項(xiàng)：A、0.1B、0.2C、0.3D、0.5正確答案:【0.1】6、問(wèn)題：二極管反向飽和電流隨著溫度的升高而。選項(xiàng)：A、增加B、減小C、不變D、趨于0正確答案:【增加】7、問(wèn)題：發(fā)光二極管正常工作時(shí)需要施加偏置電壓。選項(xiàng)：A、正向B、反向C、正向或反向D、0正確答案:【正向】8、問(wèn)題：雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于。選項(xiàng)：A、溫度B、摻雜濃度C、光照D、外加電壓正確答案:【摻雜濃度】9、問(wèn)題：半導(dǎo)體器件對(duì)????????敏感，這會(huì)導(dǎo)致器件性能的不穩(wěn)定。選項(xiàng)：A、溫度B、光照C、溫度和光照D、摻雜濃度正確答案:【溫度和光照】10、問(wèn)題：半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是。選項(xiàng)：A、單向?qū)щ娦訠、濾波特性C、放大作用D、溫度穩(wěn)定性正確答案:【單向?qū)щ娦浴?1、問(wèn)題：硅管的反向電流比鍺管的反向電流????????，因此硅管的單向?qū)щ娦院蜏囟确€(wěn)定性??????。選項(xiàng)：A、大得多；較差B、小得多；較好C、大得多；較好D、小得多；較差正確答案:【小得多；較好】12、問(wèn)題：如果把一個(gè)二極管直接同一個(gè)電動(dòng)勢(shì)為1.5V、內(nèi)阻為0的電池正向連接，則該管。選項(xiàng)：A、電流為0B、電擊穿C、電流過(guò)大使管子燒壞D、正常導(dǎo)通正確答案:【電流過(guò)大使管子燒壞】13、問(wèn)題：鍺二極管的開(kāi)啟電壓為。選項(xiàng)：A、0.5V左右B、0.4V左右C、0.2V左右D、0.1V左右正確答案:【0.2V左右】14、問(wèn)題：當(dāng)未加外部電壓時(shí)，PN結(jié)中的電流。選項(xiàng)：A、為0B、從P區(qū)流向N區(qū)C、從N區(qū)流向P區(qū)D、為最小正確答案:【為0】15、問(wèn)題：PN結(jié)形成后，空間電荷區(qū)由組成。選項(xiàng)：A、電子B、空穴C、雜質(zhì)離子D、價(jià)電子正確答案:【雜質(zhì)離子】16、問(wèn)題：變?nèi)荻O管在電路中的主要作用是。選項(xiàng)：A、發(fā)光B、可變電容器C、整流D、穩(wěn)壓正確答案:【可變電容器】17、問(wèn)題：流過(guò)二極管的正向電流增大時(shí)，其直流電阻將。選項(xiàng)：A、增加B、減小C、為0D、不變正確答案:【減小】18、問(wèn)題：在下列二極管中，需要正偏工作的是。選項(xiàng)：A、發(fā)光二極管B、光電二極管C、穩(wěn)壓二極管D、變?nèi)荻O管正確答案:【發(fā)光二極管】19、問(wèn)題：二極管整流電路的作用，是將正弦電壓變成。選項(xiàng)：A、余弦電壓B、單向脈動(dòng)電壓C、雙向脈動(dòng)電壓D、直流電壓正確答案:【單向脈動(dòng)電壓】20、問(wèn)題：半導(dǎo)體二極管正向偏置，處在正常工作狀態(tài)，即使流過(guò)管子的電流變化很大，管子兩端的電壓變化也很小。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】21、問(wèn)題：光電二極管正常工作時(shí)需要施加反向偏置電壓。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】22、問(wèn)題：在P型半導(dǎo)體中摻入足夠量的五價(jià)元素，可將其改型為N型半導(dǎo)體。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】23、問(wèn)題：雜質(zhì)半導(dǎo)體中，存在自由電子和空穴兩種帶電粒子。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】24、問(wèn)題：雜質(zhì)離子不能移動(dòng)，因此不是載流子。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】25、問(wèn)題：N型半導(dǎo)體因?yàn)槠涠嘧邮亲杂呻娮?，所以它帶?fù)電。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】26、問(wèn)題：二極管穩(wěn)壓電路一般由穩(wěn)壓二極管(反向接法)和負(fù)載并聯(lián)而得到，并應(yīng)接有合適的降壓電阻。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】27、問(wèn)題：肖特基二極管導(dǎo)通電壓比普通二極管低。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】28、問(wèn)題：發(fā)光二極管反向擊穿電壓一般大于5V，為安全起見(jiàn)，一般工作在5V以下。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】29、問(wèn)題：光電二極管反向電流隨光照強(qiáng)度增加而上升。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】30、問(wèn)題：穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)，但屬于電擊穿。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】31、問(wèn)題：工程中分析包含有二極管的電路，多采用恒壓降模型進(jìn)行靜態(tài)分析，再用小信號(hào)模型進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】32、問(wèn)題：對(duì)包含多個(gè)二極管的電路進(jìn)行分析時(shí)，要注意優(yōu)先導(dǎo)通的管子會(huì)對(duì)其它管的工作狀態(tài)產(chǎn)生影響。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】33、問(wèn)題：理想二極管等效為一個(gè)理想壓控開(kāi)關(guān)，正偏時(shí)開(kāi)關(guān)合上，反偏時(shí)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】34、問(wèn)題：二極管的伏安特性受溫度影響較大，當(dāng)溫度升高時(shí)，正向特性曲線向右移，反向特性曲線向上移。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】35、問(wèn)題：熱擊穿是可逆的，電擊穿是不可逆的。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】36、問(wèn)題：PN結(jié)兩側(cè)的電位差稱為內(nèi)建電位差，也叫接觸電位差。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】37、問(wèn)題：對(duì)小信號(hào)而言，二極管的伏安關(guān)系呈線性，因此可以用一個(gè)電阻來(lái)等效。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】38、問(wèn)題：只要穩(wěn)壓二極管兩端加反向電壓就能起穩(wěn)壓作用選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】39、問(wèn)題：本征激發(fā)會(huì)成對(duì)產(chǎn)生自由電子和空穴。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】40、問(wèn)題：純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】41、問(wèn)題：N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】42、問(wèn)題：P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是空穴。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】43、問(wèn)題：當(dāng)把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩者的交界處形成一個(gè)PN結(jié)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】44、填空題：純凈且無(wú)雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為。正確答案:【本征半導(dǎo)體】45、填空題：P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是。正確答案:【空穴】46、填空題：N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是。正確答案:【電子##%_YZPRLFH_%##自由電子】47、填空題：當(dāng)把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，在兩者的交界處形成一個(gè)。正確答案:【PN結(jié)##%_YZPRLFH_%##空間電荷區(qū)##%_YZPRLFH_%##耗盡層##%_YZPRLFH_%##阻擋層##%_YZPRLFH_%##勢(shì)壘區(qū)】48、填空題：半導(dǎo)體二極管的最重要的特點(diǎn)是具有。正確答案:【單向?qū)щ娦浴?9、填空題：變?nèi)荻O管是一個(gè)非線性電容，電容量隨反向電壓增加而。正確答案:【減小##%_YZPRLFH_%##變小】50、填空題：用萬(wàn)用表電阻擋測(cè)試二極管時(shí)，若正向電阻遠(yuǎn)???于反向電阻，說(shuō)明二極管性能較好。正確答案:【小##%_YZPRLFH_%##低】51、填空題：用萬(wàn)用表電阻擋測(cè)試二極管，其正、反向電阻均為零，說(shuō)明二極管內(nèi)部已??????。正確答案:【短路##%_YZPRLFH_%##短接##%_YZPRLFH_%##熱擊穿】52、填空題：穩(wěn)壓二極管是利用二極管的??????特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。正確答案:【反向擊穿##%_YZPRLFH_%##穩(wěn)壓】53、填空題：光電二極管工作時(shí)需加???偏置電壓。正確答案:【反向】54、填空題：穩(wěn)壓管使用時(shí)應(yīng)串接????????，以保證反向電流不超過(guò)最大允許電流，避免熱擊穿。正確答案:【限流電阻##%_YZPRLFH_%##降壓電阻##%_YZPRLFH_%##電阻】2.1.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：晶體管分為三個(gè)摻雜區(qū)，發(fā)射區(qū)的特點(diǎn)是摻雜濃度????，基區(qū)的特點(diǎn)是區(qū)域很薄，摻雜濃度????，集電區(qū)的特點(diǎn)是摻雜濃度較低，但面積大。選項(xiàng)：A、高；低B、高；高C、低；低D、低；高正確答案:【高；低】2、問(wèn)題：在晶體管的圖形符號(hào)中，NPN管發(fā)射電流方向是??????的，PNP管的發(fā)射電流方向是??????的。選項(xiàng)：A、流入；流出B、流入；流入C、流出；流出D、流出；流入正確答案:【流出；流入】3、問(wèn)題：晶體管的圖形符號(hào)中，箭頭指示了發(fā)射極位置及發(fā)射結(jié)正偏時(shí)發(fā)射極電流的方向選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2.1.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：晶體管具有電流大作用的外部條件是，發(fā)射結(jié)?????，集電結(jié)?。選項(xiàng)：A、正偏；反偏B、正偏；正偏C、反偏；反偏D、反偏；正偏正確答案:【正偏；反偏】2、問(wèn)題：晶體管截止的條件是，發(fā)射結(jié)?????，集電結(jié)?????。選項(xiàng)：A、正偏；正偏B、正偏；反偏C、0偏或反偏；正偏D、零偏或反偏；反偏正確答案:【零偏或反偏；反偏】3、問(wèn)題：晶體管工作于飽和狀態(tài)時(shí)，集、射之間相當(dāng)于開(kāi)路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】2.1.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：對(duì)于硅三極管，死區(qū)電壓約為???，對(duì)于鍺三極管，死區(qū)電壓約為??????。選項(xiàng)：A、0.1V；0.5VB、0.5V；0.1VC、0.7V；0.5VD、0.5V；0.2V正確答案:【0.5V；0.1V】2、問(wèn)題：硅三極管的導(dǎo)通電壓通常取為??????。選項(xiàng)：A、0.7VB、0.5VC、0.2VD、0.1V正確答案:【0.7V】3、問(wèn)題：溫度升高時(shí)，晶體管的導(dǎo)通電壓????，電流放大系數(shù)??????。選項(xiàng)：A、增大；減小B、增大；增大C、減小；減小D、減?。辉龃笳_答案:【減??；增大】2.1.4隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：穿透電流隨溫度的上升而?????，這時(shí)晶體管的溫度穩(wěn)定性?????。選項(xiàng)：A、增加；變好B、增加；變差C、減??；變差D、減?。蛔兒谜_答案:【增加；變差】2、問(wèn)題：集電極的功耗如果超過(guò)了最大允許功率損耗，則晶體管的性能將變壞，甚至過(guò)熱燒壞。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問(wèn)題：當(dāng)晶體管工作于放大狀態(tài)時(shí)，直流放大系數(shù)與交流放大系數(shù)基本相等。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2.2.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：晶體管直流電路的分析方法主要有?????。選項(xiàng)：A、工程近似分析法B、圖解分析法C、仿真分析法D、工程近似分析法、圖解分析法和仿真分析法正確答案:【工程近似分析法、圖解分析法和仿真分析法】2、問(wèn)題：在工程近似法中，對(duì)于硅二極管，其導(dǎo)通電壓可用0.2V表示。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：晶體管輸出端外電路的伏安特性方程，也稱為晶體管的輸出電路的直流負(fù)載方程。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】4、問(wèn)題：晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)Q非常重要，只有當(dāng)Q點(diǎn)處于放大區(qū)時(shí)，管子才具有放大能力。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2.2.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：晶體管發(fā)射結(jié)正偏導(dǎo)通時(shí)，工作狀態(tài)有和兩種可能。選項(xiàng)：A、放大；截止B、放大；飽和C、截止；飽和D、放大；擊穿正確答案:【放大；飽和】2、問(wèn)題：NPN型硅晶體管工作于飽和狀態(tài)時(shí)，集射之間的電壓近似等于。選項(xiàng)：A、0.5VB、0.7VC、0.2VD、0.3V正確答案:【0.3V】3、問(wèn)題：晶體管做為開(kāi)關(guān)電路使用時(shí)，是工作在放大狀態(tài)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】2.2.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：當(dāng)輸入為時(shí)，可利用H參數(shù)小信號(hào)模型對(duì)放大電路進(jìn)行交流分析。選項(xiàng)：A、正弦小信號(hào)B、低頻大信號(hào)C、低頻小信號(hào)D、高頻小信號(hào)正確答案:【低頻小信號(hào)】2、問(wèn)題：圖解分析法的缺點(diǎn)是分析問(wèn)題的過(guò)程比較復(fù)雜，對(duì)小信號(hào)而言，作圖的精度低。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問(wèn)題：在工程分析中，通常先用工程近似法進(jìn)行靜態(tài)分析，再用小信號(hào)模型分析法進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2.3.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：當(dāng)柵源電壓為0時(shí)，管不可能工作在恒流區(qū)。選項(xiàng)：A、JFETB、EMOSC、DMOSD、NMOS正確答案:【EMOS】2、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上可分為兩大類，即和。選項(xiàng)：A、MOS場(chǎng)效應(yīng)管；結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管B、MOS場(chǎng)效應(yīng)管；耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管C、增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管；耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管D、耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管；結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管正確答案:【MOS場(chǎng)效應(yīng)管；結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管】3、問(wèn)題：EMOS管存在導(dǎo)電溝道時(shí)，柵源電壓必定大于零。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】2.3.2隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：對(duì)于MOSFET，根據(jù)柵源電壓為0時(shí)是否存在導(dǎo)電溝道，可分為場(chǎng)效應(yīng)管和場(chǎng)效應(yīng)管。選項(xiàng)：A、MOS；結(jié)型B、增強(qiáng)型；結(jié)型C、增加型；耗盡型D、耗盡型；結(jié)型正確答案:【增加型；耗盡型】2、問(wèn)題：飽和漏極電流是增強(qiáng)型管的參數(shù)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：從對(duì)溝道的影響來(lái)講，開(kāi)啟電壓和夾斷電壓屬于同一種參數(shù)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2.3.3隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：低頻跨導(dǎo)是指靜態(tài)工作點(diǎn)處漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2、問(wèn)題：跨導(dǎo)是一個(gè)與工作點(diǎn)無(wú)關(guān)的物理量。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管的耗散功率大小受到管子最高工作溫度的限制。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】2.3.4隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：JFET外加的柵源電壓應(yīng)使柵源間的PN結(jié)，目的是使得輸入電阻。選項(xiàng)：A、正偏；很大B、正偏；很小C、反偏；很大D、反偏；很小正確答案:【反偏；很大】2、問(wèn)題：靜態(tài)工作點(diǎn)的分析可以采用小信號(hào)模型。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管電路的分析方法與晶體管電路的分析方法相類似，也是先靜態(tài)分析，后動(dòng)態(tài)分析。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】第2章作業(yè)第2章單元測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：某NPN管電路中，測(cè)得BE之間的電壓為0V，BC之間電壓為-2V，則可知該晶體管工作于狀態(tài)。選項(xiàng)：A、放大B、飽和C、截止D、不能確定正確答案:【截止】2、問(wèn)題：在下列場(chǎng)效應(yīng)管中，無(wú)原始導(dǎo)電溝道的為。選項(xiàng)：A、N溝道JFETB、耗盡型PMOS管C、耗盡型NMOS管D、增強(qiáng)型PMOS管正確答案:【增強(qiáng)型PMOS管】3、問(wèn)題：輸入時(shí)，可用H參數(shù)小信號(hào)模型對(duì)放大電路進(jìn)行交流分析。選項(xiàng)：A、低頻大信號(hào)B、低頻小信號(hào)C、高頻大信號(hào)D、高頻小信號(hào)正確答案:【低頻小信號(hào)】4、問(wèn)題：具有不同的低頻小信號(hào)模型。選項(xiàng)：A、NPN管和PNP管B、增加型FET和耗盡型FETC、晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管D、N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管正確答案:【晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管】5、問(wèn)題：當(dāng)GS之間的電壓為0時(shí)，管不可能工作在恒流區(qū)。選項(xiàng)：A、EMOS管B、NMOS管C、JFETD、DMOS管正確答案:【EMOS管】6、問(wèn)題：工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12uA增大到22uA時(shí)，IC從lmA變?yōu)?mA，那么它的β約為。選項(xiàng)：A、83B、91C、100D、50正確答案:【100】7、問(wèn)題：晶體管處于放大狀態(tài)時(shí)，下列的正確說(shuō)法是。選項(xiàng)：A、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)也反偏。B、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏。C、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏。D、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。正確答案:【發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏?！?、問(wèn)題：晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí)，要求???????。選項(xiàng)：A、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。B、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏。C、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。D、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。正確答案:【發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏?！?、問(wèn)題：晶體管截止時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)的偏置關(guān)系是?????????????。選項(xiàng)：A、發(fā)射結(jié)反偏或零偏，集電結(jié)反偏。B、發(fā)射結(jié)反偏或零偏，集電結(jié)正偏。C、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。D、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。正確答案:【發(fā)射結(jié)反偏或零偏，集電結(jié)反偏?！?0、問(wèn)題：對(duì)小功率NPN硅管處于放大區(qū)時(shí)，?????????。選項(xiàng)：A、ＵＣＥ≥ＵＢＥ。B、ＵＣＥ≤ＵＢＥ。C、ＵＣＥ＝ＵＢＥD、ＵＣＥ≈0.3V正確答案:【ＵＣＥ≥ＵＢＥ?！?1、問(wèn)題：對(duì)增強(qiáng)型MOS管，只有在柵源電壓絕對(duì)值大于???????后，才會(huì)形成導(dǎo)電溝道。選項(xiàng)：A、開(kāi)啟電壓絕對(duì)值B、夾斷電壓絕對(duì)值C、導(dǎo)通電壓絕對(duì)值D、死區(qū)電壓正確答案:【開(kāi)啟電壓絕對(duì)值】12、問(wèn)題：利用晶體管的開(kāi)關(guān)特性可構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路，這時(shí)管子工作在?????????。選項(xiàng)：A、放大狀態(tài)B、飽和狀態(tài)C、截止?fàn)顟B(tài)D、飽和或截止?fàn)顟B(tài)正確答案:【飽和或截止?fàn)顟B(tài)】13、問(wèn)題：下列說(shuō)法不正確的是???。選項(xiàng)：A、雙極型三極管通常簡(jiǎn)稱為晶體管B、雙極型三極管通常簡(jiǎn)稱為三極管C、雙極型三極管通常簡(jiǎn)稱為BJTD、雙極型三極管通常簡(jiǎn)稱為FET正確答案:【雙極型三極管通常簡(jiǎn)稱為FET】14、問(wèn)題：根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場(chǎng)效應(yīng)管的類型通常分為種。選項(xiàng)：A、3B、4C、5D、6正確答案:【6】15、問(wèn)題：晶體管具有電流放大作用的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏導(dǎo)通，集電結(jié)反偏。。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】16、問(wèn)題：晶體管處于截止區(qū)的條件是發(fā)射結(jié)反偏或零偏，集電結(jié)反偏。。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】17、問(wèn)題：晶體管輸出特性通常分為三個(gè)區(qū)域，它們是可變電阻區(qū)，飽和區(qū)和截止區(qū)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】18、問(wèn)題：當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù)將變小。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】19、問(wèn)題：當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的反向飽和電流將減小。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】20、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管是利用柵源電壓改變導(dǎo)電溝道的寬窄來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)漏極電流控制的。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】21、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管屬于電流型控制型器件。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】22、問(wèn)題：晶體管主要作用是不失真地放大電壓信號(hào)，為保證這一點(diǎn)，選擇一個(gè)合適的靜態(tài)工作點(diǎn)非常重要。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】23、問(wèn)題：可以采用小信號(hào)模型進(jìn)行靜態(tài)工作點(diǎn)的分析。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】24、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管的重要特性之一是具有很高的輸入阻抗。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】25、問(wèn)題：EMOS管存在導(dǎo)電溝道時(shí)，柵源電壓必定大于零。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】26、問(wèn)題：JFET外加的柵源電壓應(yīng)使柵源間的PN結(jié)反偏。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】27、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管用于放大電路時(shí)，應(yīng)工作于飽和區(qū)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】28、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管主要工作原理是柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用，但實(shí)際上漏極電流還受到漏源電壓的影響。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】29、問(wèn)題：FET工作時(shí)只有一種載流子參與導(dǎo)電，這就是電子。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】30、問(wèn)題：FET全夾斷時(shí)，沒(méi)有導(dǎo)電溝道，但仍有電流通過(guò)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】31、問(wèn)題：當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管導(dǎo)通電壓增加。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】32、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管的放大區(qū)也就是飽和區(qū)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】33、問(wèn)題：晶體管要求有合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，目的是使管子在信號(hào)變化范圍內(nèi)近似線性工作。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】34、問(wèn)題：在分析晶體管放大電路時(shí)，通常先估算靜態(tài)工作點(diǎn)和rbe，然后用小信號(hào)等效電路法進(jìn)行交流分析。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】35、問(wèn)題：晶體管畫(huà)交流通路的關(guān)鍵之一是將電容斷路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】36、問(wèn)題：晶體管畫(huà)直流通路的關(guān)鍵是：(1)將大電容視為短路；(2)直流電壓源視為短路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】37、問(wèn)題：開(kāi)啟電壓是是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管夾斷導(dǎo)電溝道所需的柵源電壓。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】38、問(wèn)題：開(kāi)啟電壓是增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生導(dǎo)電溝道所需的柵源電壓。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】39、問(wèn)題：低頻跨導(dǎo)是指靜態(tài)工作點(diǎn)處漏極電流的微變量與引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】40、問(wèn)題：集電極功耗若超過(guò)集電極最大允許功耗，管子性能將變壞，甚至過(guò)熱燒壞。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】41、問(wèn)題：集電極電流若超過(guò)最大允許電流，電流放大系數(shù)將明顯下降，但不一定損壞管子，但若電流過(guò)大，則會(huì)燒壞管子。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】42、問(wèn)題：晶體管的小信號(hào)模型也稱為H參數(shù)簡(jiǎn)化小信號(hào)模型、小信號(hào)等效電路或微變等效電路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3.1隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：某放大電路，負(fù)載開(kāi)路時(shí)輸出電壓為3V，接入2kΩ負(fù)載時(shí)輸出電壓為2V，則輸出電阻為（??）kΩ。選項(xiàng)：A、0.5B、1C、2D、4正確答案:【1】2、問(wèn)題：某放大電路，信號(hào)源內(nèi)阻為150Ω，信號(hào)源電壓為20ｍＶ，輸入電壓為16ｍＶ，則輸入電阻為（??）Ω。選項(xiàng)：A、600B、0.6C、150D、120正確答案:【600】3、問(wèn)題：變壓器可以將電壓變大，它也是一種放大電路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4、問(wèn)題：頻率失真是由線性的電抗元件引起的，它不會(huì)產(chǎn)生新的頻率分量，屬于線性失真。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】5、填空題：已知放大電路的｜Au｜＝100，則電壓增益為???dB。正確答案:【40】3.2（1）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：電容耦合分壓式電流負(fù)反饋共射極放大電路中，欲減小UCEQ，可以（??）。選項(xiàng)：A、減小RCB、減小RLC、減小RB1D、減小β正確答案:【減小RB1】2、問(wèn)題：分壓式電流負(fù)反饋共射極放大電路中，要提高工作點(diǎn)的穩(wěn)定性，可以（）。選項(xiàng)：A、增大RCB、增大REC、減小RED、增大β正確答案:【增大RE】3、填空題：放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)根據(jù)???通路進(jìn)行估算。正確答案:【直流】3.2（2）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：電容耦合分壓式電流負(fù)反饋共射極放大電路中，欲提高電壓放大倍數(shù)，可以（??）。選項(xiàng)：A、減小RＣB、減小RＬC、增大RＥD、增大RＢ２正確答案:【增大RＢ２】2、問(wèn)題：共射極放大電路的性能特點(diǎn)是（）。選項(xiàng)：A、反相放大B、電壓放大倍數(shù)接近1C、輸入電阻很大D、有很強(qiáng)的負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力正確答案:【反相放大】3、問(wèn)題：分壓式電流負(fù)反饋共射極放大電路中，輸出電阻Rｏ＝RＣ∥RＬ。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3.2（3）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：為使高內(nèi)阻的信號(hào)源與低阻負(fù)載能很好配合，可以在信號(hào)源與負(fù)載之間接入（??）放大電路。選項(xiàng)：A、共射極B、共集電極C、共基極D、以上都可以正確答案:【共集電極】2、問(wèn)題：共集電極放大電路的性能特點(diǎn)有（）。選項(xiàng)：A、同相放大，電壓放大倍數(shù)高B、電壓放大倍數(shù)接近于1C、輸入電阻很大D、帶負(fù)載能力強(qiáng)正確答案:【電壓放大倍數(shù)接近于1#輸入電阻很大#帶負(fù)載能力強(qiáng)】3、問(wèn)題：共基極放大電路的性能特點(diǎn)有（）。選項(xiàng)：A、同相放大B、高頻特性好C、輸入電阻很小D、源電壓放大倍數(shù)不高正確答案:【同相放大#高頻特性好#輸入電阻很小#源電壓放大倍數(shù)不高】4、問(wèn)題：共集電極放大電路又稱為射極跟隨器選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3.2（4）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：共源極場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的性能特點(diǎn)有（??）。選項(xiàng)：A、反相放大B、輸入電阻很大C、輸出電阻很小D、放大倍數(shù)不很高正確答案:【反相放大#輸入電阻很大#放大倍數(shù)不很高】2、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的偏置電路都可以采用自給偏壓電路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：共漏極場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的電壓放大倍數(shù)小于1。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3.3（1）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：選用差分放大電路的主要原因是（??）。選項(xiàng)：A、減小零漂B、提高輸入電阻C、穩(wěn)定放大倍數(shù)D、減小失真正確答案:【減小零漂】2、問(wèn)題：差分放大電路中RE電阻的作用是（）。選項(xiàng)：A、穩(wěn)定工作點(diǎn)B、提高差模輸入電阻C、穩(wěn)定差模放大倍數(shù)D、抑制零漂正確答案:【穩(wěn)定工作點(diǎn)#抑制零漂】3、填空題：差分放大電路對(duì)???信號(hào)具有放大作用，對(duì)???信號(hào)具有很強(qiáng)的抑制作用。差分放大電路的零漂很??。（答案之間用逗號(hào)隔開(kāi)）正確答案:【差模，共模，小】4、填空題：某差分放大電路的兩個(gè)輸入端電壓分別為ui1＝40mV，ui2＝10mV，則該電路的差模輸入電壓uid為??mV，共模輸入電壓uic為???mV。（答案之間用逗號(hào)隔開(kāi)）正確答案:【30，25】3.3（2）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：對(duì)電流源而言，下列說(shuō)法不正確的為（??）。選項(xiàng)：A、可以用作偏置電路B、可以用作有源負(fù)載C、交流電阻很大D、直流電阻很大正確答案:【直流電阻很大】2、問(wèn)題：把長(zhǎng)尾式差分放大電路中的發(fā)射極公共電阻RE改為電流源可以（??）。選項(xiàng)：A、增大差模輸入電阻B、提高共模增益C、提高差模增益D、提高共模抑制比正確答案:【提高共模抑制比】3、問(wèn)題：差分放大電路中，可以用電流源代替RE電阻是因?yàn)殡娏髟吹膬?nèi)阻很大。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3.3（3）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：差分放大電路由雙端輸出改為單端輸出，則差模電壓放大倍數(shù)（??）。選項(xiàng)：A、不變B、提高一倍C、提高兩倍D、減小為原來(lái)的一半正確答案:【減小為原來(lái)的一半】2、問(wèn)題：空載時(shí)，差分放大電路單端輸入的電壓放大倍數(shù)變?yōu)殡p端輸入時(shí)的一半。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：差分放大電路雙端輸出時(shí)，主要靠發(fā)射極公共電阻的負(fù)反饋?zhàn)饔脕?lái)抑制溫漂。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4、問(wèn)題：?jiǎn)味溯敵龅木哂须娏髟吹牟罘址糯箅娐?，主要靠電流源的恒流特性?lái)抑制溫漂。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3.4（1）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：把放大電路分為甲類、乙類、甲乙類是根據(jù)晶體管在一個(gè)信號(hào)周期內(nèi)的（）來(lái)區(qū)分的。選項(xiàng)：A、導(dǎo)通時(shí)間B、是否進(jìn)入飽和區(qū)C、是否處于放大狀態(tài)D、飽和程度正確答案:【導(dǎo)通時(shí)間】2、問(wèn)題：功率放大電路、共射極放大電路、射極輸出器的共同點(diǎn)是：（??）選項(xiàng)：A、能放大電壓信號(hào)B、具有很強(qiáng)的帶負(fù)載能力C、效率高D、是能量轉(zhuǎn)換器正確答案:【是能量轉(zhuǎn)換器】3、問(wèn)題：功率放大器主要要求輸出功率大，所以輸出功率越大越好。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3.4（2）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：OCL電路的最大管耗發(fā)生在（）。選項(xiàng)：A、靜態(tài)B、Uom=0.5VccC、輸出最大不失真功率時(shí)D、Uom約等于0.64Vcc正確答案:【Uom約等于0.64Vcc】2、問(wèn)題：功率放大電路的效率是指最大不失真輸出功率與直流電源所提供的平均功率之比。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問(wèn)題：乙類互補(bǔ)對(duì)稱功放在輸出不失真情況下，輸入信號(hào)越大，則輸出功率越大，效率越高。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】4、問(wèn)題：OCL電路中最大不失真輸出功率Pom≈V2CC/2RL，說(shuō)明Pom與管子參數(shù)和輸入信號(hào)無(wú)關(guān)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、填空題：輸出功率為10W的乙類OCL電路，所選用晶體管的額定管耗至少為??W。正確答案:【2】3.4（3）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：在OTL功放電路中，若最大輸出功率為1W，則電路中功放管的最大集電極功耗約為（??）。選項(xiàng)：A、0.2WB、0.1WC、0.5WD、1W正確答案:【0.2W】2、問(wèn)題：下圖中能構(gòu)成NPN型復(fù)合管電路的為（??）。選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】3、問(wèn)題：OTL電路輸出端必須串接大容量的電容器，它起到將單電源功放電路等效為雙電源功放電路的作用。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3.5（1）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：直接耦合放大電路不能放大?（??）。選項(xiàng)：A、緩慢變化的交流信號(hào)B、交流信號(hào)C、直流信號(hào)D、頻率遠(yuǎn)大于該電路上限頻率的信號(hào)正確答案:【頻率遠(yuǎn)大于該電路上限頻率的信號(hào)】2、問(wèn)題：直接耦合多級(jí)放大電路中零漂危害最大的一級(jí)是（）。選項(xiàng)：A、輸出級(jí)B、放大倍數(shù)最大的一級(jí)C、輸入級(jí)D、中間級(jí)正確答案:【輸入級(jí)】3、問(wèn)題：多級(jí)放大電路的輸入電阻與第二級(jí)電路的輸入電阻無(wú)關(guān)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4、問(wèn)題：多級(jí)放大電路的輸出電阻與末前級(jí)電路的輸出電阻無(wú)關(guān)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、問(wèn)題：多級(jí)放大電路的總增益等于各級(jí)放大電路增益的乘積。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】6、填空題：多級(jí)放大電路中常用的耦合方式有??耦合、直接耦合、變壓器耦合和光電耦合等。正確答案:【電容】3.5（2）隨堂測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：集成運(yùn)放輸入級(jí)多采用差分放大電路主要是為了（??）。選項(xiàng)：A、減小溫度漂移B、提高放大倍數(shù)C、提高輸入電阻D、提高電路效率正確答案:【減小溫度漂移】2、問(wèn)題：集成運(yùn)放的中間級(jí)應(yīng)提供足夠大的放大倍數(shù)；輸出級(jí)應(yīng)具有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力，并且最大不失真輸出電壓應(yīng)盡量大。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3、問(wèn)題：集成運(yùn)放的兩個(gè)輸入端之間滿足虛短和虛斷。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4、填空題：由理想集成運(yùn)放構(gòu)成的電路如下圖所示，已知ui=2V，則輸出電壓uo=V。正確答案:【8】3.1~3.3作業(yè)3.4~3.5作業(yè)3.1~3.3單元測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：某放大電路，負(fù)載開(kāi)路時(shí)輸出電壓為3V，接入1kΩ負(fù)載時(shí)輸出電壓為1.5V，則輸出電阻為kΩ。選項(xiàng)：A、0.5B、1C、1.5D、2正確答案:【1】2、問(wèn)題：某放大電路，信號(hào)源內(nèi)阻為100Ω，信號(hào)源電壓為20ｍＶ，輸入電壓為16ｍＶ，則輸入電阻為Ω。選項(xiàng)：A、0.4B、100C、400D、500正確答案:【400】3、問(wèn)題：已知放大電路的?Au?=100，?Ai?=10，則下述錯(cuò)誤的為。選項(xiàng)：A、電壓增益為40dBB、電流增益為20dBC、功率增益為60dBD、電壓放大倍數(shù)為100正確答案:【功率增益為60dB】4、問(wèn)題：反映了放大電路對(duì)信號(hào)源或前級(jí)電路的影響。選項(xiàng)：A、信號(hào)源內(nèi)阻B、輸入電阻C、輸出電阻D、負(fù)載電阻正確答案:【輸入電阻】5、問(wèn)題：放大電路中負(fù)載電阻的能量取自于。選項(xiàng)：A、信號(hào)源B、有源器件C、直流電源D、晶體管正確答案:【直流電源】6、問(wèn)題：雙極型三極管基本組態(tài)放大電路中，輸入電阻最大的是共極電路選項(xiàng)：A、源B、基C、集電D、發(fā)射正確答案:【集電】7、問(wèn)題：三極管三種基本組態(tài)放大電路中，輸出電阻最小的是共極電路選項(xiàng)：A、發(fā)射B、源C、基D、集電正確答案:【集電】8、問(wèn)題：?jiǎn)渭?jí)三極管放大電路中，既能放大電壓又能放大電流的是共極電路選項(xiàng)：A、集電B、漏C、發(fā)射D、基正確答案:【發(fā)射】9、問(wèn)題：?jiǎn)渭?jí)晶體管放大電路中，輸出電壓與輸入電壓反相的有共極電路。選項(xiàng)：A、漏B、發(fā)射C、基D、集電正確答案:【發(fā)射】10、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【B】11、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【A】12、問(wèn)題：共射極放大電路空載時(shí)輸出電壓有截止失真，在輸入信號(hào)不變的情況下經(jīng)耦合電容接上負(fù)載電阻時(shí)，失真消失，這是由于。選項(xiàng)：A、晶體管交流負(fù)載電阻減小B、Q點(diǎn)上移C、Q點(diǎn)下移D、晶體管輸出電流減小正確答案:【晶體管交流負(fù)載電阻減小】13、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【D】14、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【C】15、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【B】16、問(wèn)題：示電路是共極放大電路。選項(xiàng)：A、源B、基C、集電D、發(fā)射正確答案:【基】17、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【B】18、問(wèn)題：選用差分放大電路的主要原因是。選項(xiàng)：A、減小零漂B、提高輸入電阻C、穩(wěn)定放大倍數(shù)D、減小失真正確答案:【減小零漂】19、問(wèn)題：把長(zhǎng)尾式差分放大電路中的發(fā)射極公共電阻改為電流源可以。選項(xiàng)：A、提高共模抑制比B、提高差模增益C、增大差模輸入電阻D、提高共模增益正確答案:【提高共模抑制比】20、問(wèn)題：對(duì)電流源而言，下列說(shuō)法不正確的為。選項(xiàng)：A、交流電阻很大B、可用作偏置電路C、可用作有源負(fù)載D、直流電阻很大正確答案:【直流電阻很大】21、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【D】22、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【D】23、問(wèn)題：為了不失真地放大信號(hào)，要求放大電路的通頻帶不小于信號(hào)的頻帶。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】24、問(wèn)題：放大電路的輸出電阻可由放大電路的開(kāi)路輸出電壓除以短路輸出電流求得。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】25、問(wèn)題：放大電路的輸出電阻越小，則負(fù)載對(duì)輸出電壓的影響就越小，放大電路帶負(fù)載能力就越強(qiáng)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】26、問(wèn)題：放大電路只要靜態(tài)工作點(diǎn)合理，就可以放大電壓信號(hào)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】27、問(wèn)題：頻率失真是由線性的電抗元件引起的，它不會(huì)產(chǎn)生新的頻率分量，屬于線性失真。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】28、問(wèn)題：場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的偏置電路可以采用自給偏壓電路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】29、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】30、問(wèn)題：放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)根據(jù)直流通路進(jìn)行估算。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】31、問(wèn)題：欲將小信號(hào)放大100倍，可選用共射極放大電路，也可選用共基極放大電路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】32、問(wèn)題：欲采用一級(jí)電路將小信號(hào)放大90倍，可選用共射極放大電路，也可選用共源極放大電路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】33、問(wèn)題：欲放大器的放大倍數(shù)為-10，輸入電阻為2MHz，可選用共射極放大電路，也可選用共源極放大電路。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】34、問(wèn)題：性能較好的差分放大電路，對(duì)差模信號(hào)具有放大作用，而對(duì)共模信號(hào)和零漂具有很強(qiáng)的抑制作用。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】35、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】36、問(wèn)題：差模電壓放大倍數(shù)與共模電壓放大倍數(shù)之比的絕對(duì)值稱為共模抑制比.選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】37、問(wèn)題：將差分放大電路由雙端輸入改為單端輸入，差模電壓放大倍數(shù)將保持不變。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3.4~3.5單元測(cè)驗(yàn)1、問(wèn)題：乙類放大管在一個(gè)信號(hào)周期內(nèi)的導(dǎo)通情況，下述正確的為。選項(xiàng)：A、導(dǎo)通角小于180°而大于90°B、導(dǎo)通時(shí)間為一周C、導(dǎo)通時(shí)間為半周D、導(dǎo)通時(shí)間為大半周正確答案:【導(dǎo)通時(shí)間為半周】2、問(wèn)題：由于晶體管存在死區(qū)電壓，所以乙類互補(bǔ)對(duì)稱電路會(huì)產(chǎn)生失真。選項(xiàng)：A、線性B、交越C、飽和D、頻率正確答案:【交越】3、問(wèn)題：輸出功率為10W的乙類OCL電路，所選用晶體管的額定管耗至少為W。選項(xiàng)：A、20B、10C、5D、2正確答案:【2】4、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【B】5、問(wèn)題：功率放大電路、共發(fā)射極放大電路和射極輸出器的共同點(diǎn)是。選項(xiàng)：A、能放大電壓信號(hào)B、具有很強(qiáng)的帶負(fù)載能力C、效率高D、是能量轉(zhuǎn)換器正確答案:【是能量轉(zhuǎn)換器】6、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【D】7、問(wèn)題：功率放大電路中采用乙類工作狀態(tài)是為了提高。選項(xiàng)：A、輸出功率B、放大器效率C、放大倍數(shù)D、負(fù)載能力正確答案:【放大器效率】8、問(wèn)題：OTL電路負(fù)載電阻RＬ=10Ω，電源電壓VCC=10Ｖ，略去晶體管的飽和壓降，其最大不失真輸出功率為Ｗ。選項(xiàng)：A、1.25B、2.5C、5D、10正確答案:【1.25】9、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、此為OTL原理電路B、電容器C有隔直耦合作用C、電容器C有將單電源功放電路等效為雙電源功放電路的作用D、電容器C的電容量應(yīng)足夠小正確答案:【電容器C的電容量應(yīng)足夠小】10、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【D】11、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【A】12、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【D】13、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【A】14、問(wèn)題：模擬集成電路中，同一芯片上相同元器件。選項(xiàng)：A、參數(shù)絕對(duì)誤差均很小B、參數(shù)均不受溫度影響C、參數(shù)一致性好D、參數(shù)值都很小正確答案:【參數(shù)一致性好】15、問(wèn)題：集成運(yùn)放中間級(jí)采用有源負(fù)載和復(fù)合管主要是為了。選項(xiàng)：A、提高輸出功率B、提高電壓放大倍數(shù)C、提高共模抑制比D、減小溫漂正確答案:【提高電壓放大倍數(shù)】16、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、B電路的小B、A電路的小C、兩個(gè)電路的零漂相等D、不能確定正確答案:【B電路的小】17、問(wèn)題：選項(xiàng)：A、AB、BC、CD、D正確答案:【C】18、問(wèn)題：A類、B類和AB類功放電路中，B類的效率最高選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】19、問(wèn)題：提高功率放大器效率的常用措施