機(jī)械致單軸應(yīng)變SOI研究的開題報(bào)告

機(jī)械致單軸應(yīng)變SOI研究的開題報(bào)告開題報(bào)告題目：機(jī)械致單軸應(yīng)變SOI研究一、研究背景和意義隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，硅（Si）上發(fā)展了一種SOI器件，即硅上絕緣體器件，其優(yōu)點(diǎn)是可提高器件性能、可靠性和集成度。在硅上發(fā)展SOI技術(shù)的發(fā)展中，主要有三種方法，分別是SIMOX、BESOI和Smart-Cut方法，其中Smart-Cut方法是目前最具前景和應(yīng)用價(jià)值的一種方法。由于SOI器件中硅層非常薄，故而受力時(shí)非常脆弱，因此，研究機(jī)械致單軸應(yīng)變SOI器件是非常重要的。在應(yīng)用層面上，研究SOI器件應(yīng)變效應(yīng)對(duì)CMOS器件性能的提升，對(duì)未來高性能CMOS芯片的研制具有重要的意義。二、研究?jī)?nèi)容和方案本研究的主要內(nèi)容是研究機(jī)械致單軸應(yīng)變SOI器件的性能及其應(yīng)變效應(yīng)對(duì)性能的影響。具體的研究方案如下：（1）制備SOI器件該實(shí)驗(yàn)將采用Smart-Cut方法制備SOI器件，首先在絲網(wǎng)印刷的硅片上生長(zhǎng)二氧化硅層，然后利用離子注入技術(shù)在二氧化硅層和硅片之間形成離子注入層。接下來，在離子注入層的下部進(jìn)行切割（Smart-Cut），然后再利用一些后繼加工工藝制備完整的SOI器件。（2）應(yīng)力裝置為了施加單軸應(yīng)變，將制備的SOI器件放入應(yīng)力杯中，利用機(jī)械臂施加壓力并進(jìn)行力學(xué)測(cè)試。（3）分析與評(píng)估在應(yīng)力施加的過程中，將測(cè)試SOI器件的電學(xué)特性，比較施加應(yīng)變前后的性能變化。同時(shí)，還將對(duì)研究結(jié)果進(jìn)行分析和評(píng)估，探索器件在受應(yīng)變情況下的電學(xué)特性變化規(guī)律。三、預(yù)期結(jié)果通過本研究，預(yù)計(jì)可以得出以下結(jié)論：（1）機(jī)械致單軸應(yīng)變下的SOI器件性能及其應(yīng)變效應(yīng)對(duì)性能的影響。（2）針對(duì)性能變化的規(guī)律，提出相關(guān)的改進(jìn)措施，以提升CMOS器件性能。四、研究關(guān)鍵技術(shù)和難點(diǎn)本研究關(guān)鍵技術(shù)和難點(diǎn)主要有以下幾點(diǎn)：（1）SOI器件的生長(zhǎng)和制備技術(shù)。（2）應(yīng)力杯的設(shè)計(jì)及其施加壓力的調(diào)整。（3）器件電學(xué)測(cè)試技術(shù)。五、研究進(jìn)度計(jì)劃本研究計(jì)劃從2022年3月開始，至2023年3月結(jié)束，研究進(jìn)度計(jì)劃如下：（1）2022年3月~6月：文獻(xiàn)綜述及研究方案設(shè)計(jì)。（2）2022年7月~10月：制備SOI器件及應(yīng)力杯的設(shè)計(jì)和制造。（3）2022年11月~2023年2月：電學(xué)特性測(cè)試及數(shù)據(jù)分析和評(píng)估。（4）2023年3月：總結(jié)和撰寫論文。六、研究工作的可行性評(píng)估本研究的研究方案合理，技術(shù)路徑清晰，研究質(zhì)量可靠，數(shù)據(jù)來源充分可信，達(dá)到高校碩士課程論文的要求，并有一定的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。該項(xiàng)研究符合研究者的興趣愛好和能力，且研究時(shí)間充裕，可行性高。七、研究的社會(huì)意義本研究的結(jié)果對(duì)于CMOS芯片的開發(fā)和應(yīng)用具有重要意義，有