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電子科技大學(xué)2C電磁場(chǎng)與電磁波第二章電磁場(chǎng)的基本規(guī)律電子科技大學(xué)2C電磁場(chǎng)與電磁波第二章電磁場(chǎng)的基本規(guī)律2.1電荷守恒定律基本物理量:源、場(chǎng)電荷電流電場(chǎng)磁場(chǎng)(運(yùn)動(dòng))源:電荷,電流22.1電荷守恒定律基本物理量:源、場(chǎng)電荷電流電場(chǎng)磁場(chǎng)(運(yùn)自然界中最小的帶電粒子是電子和質(zhì)子電子電荷的量值為e=1.60217733×10-19(單位:C)從微觀上看,電荷是以離散的方式出現(xiàn)在空間中的從宏觀電磁學(xué)的觀點(diǎn)上看,大量帶電粒子密集出現(xiàn)在某空間范圍內(nèi)時(shí),可假定電荷是連續(xù)分布在這個(gè)范圍中電荷的幾種分布方式:空間中-體積電荷體密度

面上-電荷面密度

s線上-電荷線密度

l2.1.1電荷與電荷密度3自然界中最小的帶電粒子是電子和質(zhì)子2.1.1電荷與電單位:C/m3(庫(kù)/米3)總電荷q與密度的關(guān)系:設(shè)分布于體積元

V中的電荷電量為

q,則電荷體密度

的定義為電荷體密度4單位:C/m3(庫(kù)/米3)總電荷q與密度的關(guān)系:設(shè)單位:C/m2

(庫(kù)/米2)

如果已知某空間曲面S上的電荷面密度,則該曲面上的總電荷q為設(shè)分布于面積元

S中的電荷電量為

q,則電荷面密度定義為電荷面密度5單位:C/m2(庫(kù)/米2)如果已知某空間曲面S如果已知某空間曲線上的電荷線密度,則該曲線上的總電荷q為單位:C/m(庫(kù)/米)設(shè)分布于線元

l中的電荷電量為

q,則電荷線密度定義為電荷線密度6如果已知某空間曲線上的電荷線密度,則該曲線上的總電荷點(diǎn)電荷的電荷密度表示電量為q、集中在體積為零的幾何點(diǎn)上的電荷點(diǎn)電荷的表示點(diǎn)電荷q位于坐標(biāo)原點(diǎn)點(diǎn)電荷q位于(位置矢量)點(diǎn)荷線7點(diǎn)電荷的電荷密度表示電量為q、集中在體積為零的幾何點(diǎn)上的電荷電流由定向流動(dòng)的電荷形成,通常用電流強(qiáng)度I表示,定義為單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)某一橫截面S

的電荷量,即當(dāng)電荷速度不隨時(shí)間變化時(shí),電流也不隨時(shí)間變化,稱(chēng)為恒定(穩(wěn)恒)電流引入電流密度來(lái)描述電流的分布情況電流的幾種分布方式:空間中-體積電流體密度J面上-電流面密度Js線上-線電流I2.1.2電流與電流密度8電流由定向流動(dòng)的電荷形成,通常用電流強(qiáng)度I表示,定義通過(guò)體積內(nèi)任意截面積S的電流帶電粒子密度為N,粒子電量q,運(yùn)動(dòng)速度v,選取如圖柱體。其中:為曲面S的法向單位矢量體電流密度(A/m2)

dt時(shí)間內(nèi),柱體中所有帶電粒子經(jīng)dS流出,即dt時(shí)間內(nèi)通過(guò)dS的電荷量為9通過(guò)體積內(nèi)任意截面積S的電流帶電粒子密度為N,粒子電量q,從體電流出發(fā)推導(dǎo)面電流密度定義。設(shè)體電流密度為,薄層厚度為h,薄層橫截面S,則穿過(guò)截面的電流為面電流密度電流在厚度趨于零的薄層中流動(dòng)時(shí),形成表面電流或面電流。式中即為面電流密度,單位為A/m(安培/米)面電流密度矢量d010從體電流出發(fā)推導(dǎo)面電流密度定義。面電流密度式中體電流與面電流是兩種不同類(lèi)型電流分布,并不是有體電流就有面電流。關(guān)于面電流密度的說(shuō)明線電流密度沿橫截面可以忽略的曲線流動(dòng)的電流,稱(chēng)為線電流。長(zhǎng)度元dl上的電流Idl稱(chēng)為電流元。11體電流與面電流是兩種不同類(lèi)型電流分布,并不是有體電流電荷守恒定律

電荷是守恒的,既不能被創(chuàng)造,也不能被消滅,它只能從一個(gè)物體轉(zhuǎn)移到另一個(gè)物體,或者從一個(gè)地方移動(dòng)到另一個(gè)地方。2.1.3電荷守恒定律與電流連續(xù)方程電流連續(xù)性方程積分形式

由電荷守恒定律:在電流空間中,體積V內(nèi)單位時(shí)間內(nèi)減少的電荷量等于流出該體積總電流,即電流連續(xù)性方程在等式的左端應(yīng)用高斯散度定理,將閉合面上的面積分變?yōu)轶w積分,得12電荷守恒定律2.1.3電荷守恒定律與電流連續(xù)方程電流連續(xù)1、當(dāng)體積V為整個(gè)空間時(shí),閉合面S為無(wú)窮大界面,將沒(méi)有電流經(jīng)其流出,此式可寫(xiě)成對(duì)電荷守恒定律的進(jìn)一步討論即整個(gè)空間的總電荷是守恒的。電流連續(xù)性方程微分形式

2、積分形式反映的是電荷變化與電流流動(dòng)的宏觀關(guān)系,而微分形式則描述空間各點(diǎn)電荷變化與電流流動(dòng)的局部關(guān)系。131、當(dāng)體積V為整個(gè)空間時(shí),閉合面S為無(wú)窮大界面,將沒(méi)有電流經(jīng)恒定(穩(wěn)恒)電流的連續(xù)性方程所謂恒定(或稱(chēng)為穩(wěn)恒),是指所有物理量不隨時(shí)間變化。

不隨時(shí)間變化電流稱(chēng)為恒定電流(或穩(wěn)恒電流)。恒定電流空間中,電荷分布也恒定不變,即

對(duì)時(shí)間的偏導(dǎo)數(shù)為零,則電流連續(xù)性方程為

恒定電流連續(xù)性方程14恒定(穩(wěn)恒)電流的連續(xù)性方程恒定電流連續(xù)性方程142.2真空中靜電場(chǎng)的基本規(guī)律2.2.1庫(kù)侖定律電場(chǎng)強(qiáng)度庫(kù)侖定律

描述了真空中兩個(gè)點(diǎn)電荷間相互作用力的規(guī)律,其數(shù)學(xué)表達(dá)式為式中:F12表示q1作用在q2上的靜電力。為真空中介電常數(shù)。靜電場(chǎng):由位置固定、電量恒定不變的靜止電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)。152.2真空中靜電場(chǎng)的基本規(guī)律2.2.1庫(kù)侖定律靜電力符合矢量疊加原理連續(xù)分布電荷系統(tǒng)的靜電力須通過(guò)矢量積分進(jìn)行求解對(duì)庫(kù)侖定律的進(jìn)一步討論大小與電量成正比、與距離的平方成反比,方向在連線上qq1q2q3q4q5q6q716靜電力符合矢量疊加原理連續(xù)分布電荷系統(tǒng)的靜電力須通過(guò)電場(chǎng)的定義電場(chǎng)強(qiáng)度矢量

用電場(chǎng)強(qiáng)度矢量表示電場(chǎng)的大小和方向。

電場(chǎng)強(qiáng)度定義電場(chǎng)是電荷周?chē)纬傻奈镔|(zhì),當(dāng)另外的電荷處于這個(gè)物質(zhì)中時(shí),會(huì)受到電場(chǎng)力的作用

靜電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)稱(chēng)為靜電場(chǎng)

隨時(shí)間發(fā)生變化的源產(chǎn)生的電場(chǎng)稱(chēng)為時(shí)變電場(chǎng)

電場(chǎng)強(qiáng)度矢量→描述電場(chǎng)分布的基本物理量。17電場(chǎng)的定義電場(chǎng)強(qiáng)度矢量用電場(chǎng)強(qiáng)度矢量表示電場(chǎng)的點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)單個(gè)點(diǎn)電荷q在空間任意點(diǎn)激發(fā)的電場(chǎng)為

N個(gè)點(diǎn)電荷組成的電荷系統(tǒng)在空間任意點(diǎn)激發(fā)的電場(chǎng)為問(wèn)題:連續(xù)分布電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)該怎么求解呢?18點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)N個(gè)點(diǎn)電荷組成的電荷系統(tǒng)在空間任意

連續(xù)分布的電荷系統(tǒng)產(chǎn)生的電場(chǎng)連續(xù)分布于體積V中的電荷在空間任意點(diǎn)r產(chǎn)生的電場(chǎng)處理思路:1)無(wú)限細(xì)分區(qū)域2)考查每個(gè)區(qū)域3)矢量疊加原理設(shè)體電荷密度為,圖中dV在P點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)為:則整個(gè)體積V內(nèi)電荷在P點(diǎn)處產(chǎn)生的電場(chǎng)為:19連續(xù)分布的電荷系統(tǒng)產(chǎn)生的電場(chǎng)處理思路:設(shè)體電荷密度為面電荷和線電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)只需在上式中將電荷體密度、體積元和積分區(qū)域作相應(yīng)替換即可,如

線電荷

面電荷20面電荷和線電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)只需在上式中將電荷體密度、體積元和例圖中所示為一個(gè)半徑為r的帶電細(xì)圓環(huán),圓環(huán)上單位長(zhǎng)度帶電

l,總電量為q。求圓環(huán)軸線上任意點(diǎn)的電場(chǎng)。解:將圓環(huán)分解成無(wú)數(shù)個(gè)線元,每個(gè)線元可看成點(diǎn)電荷

l(r)dl,則線元在軸線任意點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)為由對(duì)稱(chēng)性和電場(chǎng)的疊加性,合電場(chǎng)只有z分量,則21例圖中所示為一個(gè)半徑為r的帶電細(xì)圓環(huán),圓環(huán)上單位長(zhǎng)度帶電結(jié)果分析(1)當(dāng)z→0,此時(shí)P點(diǎn)移到圓心,圓環(huán)上各點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)抵消,E=0(2)當(dāng)z→∞,R與z平行且相等,r<<z,帶電圓環(huán)相當(dāng)于一個(gè)點(diǎn)電荷,有22結(jié)果分析(1)當(dāng)z→0,此時(shí)P點(diǎn)移到圓心,圓環(huán)上各點(diǎn)產(chǎn)例:求真空中半徑為a,帶電量為Q的導(dǎo)體球在球外空間中產(chǎn)生E。由球體的對(duì)稱(chēng)性分析可知:電場(chǎng)方向沿半徑方向:電場(chǎng)大小只與場(chǎng)點(diǎn)距離球心的距離相關(guān)。解:在球面上取面元ds,該面元在P點(diǎn)處產(chǎn)生的電場(chǎng)徑向分量為:式中:23例:求真空中半徑為a,帶電量為Q的導(dǎo)體球在球外空間中產(chǎn)生E。導(dǎo)體球上電荷均勻分布在導(dǎo)體表面,其在球外空間中產(chǎn)生的電場(chǎng)分布與位于球心的相同電量點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)等效。結(jié)果分析24導(dǎo)體球上電荷均勻分布在導(dǎo)體表面,其在球外空間中產(chǎn)生的2.2.2靜電場(chǎng)的散度和旋度可以證明:真空中靜電場(chǎng)的散度為靜電場(chǎng)高斯定理微分形式靜電場(chǎng)的散度和高斯定理說(shuō)明:1)電場(chǎng)散度僅與該點(diǎn)處電荷密度相關(guān),其大小2)對(duì)于真空中點(diǎn)電荷,有或真空中靜電場(chǎng)的散度252.2.2靜電場(chǎng)的散度和旋度可以證明:真空中靜電場(chǎng)的散度物理意義:靜電場(chǎng)穿過(guò)閉合面S的通量只與閉合面內(nèi)所圍電荷量有關(guān)靜電場(chǎng)是有源場(chǎng),靜電荷是其散度源將高斯定理微分形式對(duì)體積V取積分,則得:式中:S為高斯面,是一閉合曲面,Q為高斯面所圍的電荷總量。靜電場(chǎng)中的高斯定理

對(duì)高斯定理的討論真空中靜電場(chǎng)的高斯定理26物理意義:靜電場(chǎng)穿過(guò)閉合面S的通量只與閉合面內(nèi)所圍靜電場(chǎng)環(huán)路定律真空中靜電場(chǎng)的旋度環(huán)路定律當(dāng)A點(diǎn)和B點(diǎn)重合時(shí):物理意義:靜電場(chǎng)為無(wú)旋場(chǎng)(保守場(chǎng))斯托克斯公式27靜電場(chǎng)環(huán)路定律真空中靜電場(chǎng)的旋度環(huán)路定律當(dāng)A點(diǎn)和B點(diǎn)重小結(jié):靜電場(chǎng)的性質(zhì)有源場(chǎng)。電力線由電荷發(fā)出,電荷是電場(chǎng)的源無(wú)旋場(chǎng)。電力線不構(gòu)成閉合回路有源無(wú)旋的靜電場(chǎng)矢量線呈現(xiàn)擴(kuò)散狀的分布形式對(duì)靜電場(chǎng),恒有:為標(biāo)量函數(shù)故:靜電場(chǎng)可以由一標(biāo)量函數(shù)的梯度表示。28小結(jié):靜電場(chǎng)的性質(zhì)有源場(chǎng)。電力線由電荷發(fā)出,電荷是電場(chǎng)專(zhuān)題:利用高斯定理求解靜電場(chǎng)關(guān)鍵:高斯積分面的選擇高斯面的選擇原則:用高斯定理求解電場(chǎng)的方法只適用于一些呈對(duì)稱(chēng)分布的電荷系統(tǒng)1)場(chǎng)點(diǎn)位于高斯面上;2)高斯面為閉合面;3)在整個(gè)或分段高斯面上,或?yàn)楹愣ㄖ?。球?qū)ΨQ(chēng)分布:aOρ029專(zhuān)題:利用高斯定理求解靜電場(chǎng)關(guān)鍵:高斯積分面的選擇高斯面的選無(wú)限大平面電荷軸對(duì)稱(chēng)分布30無(wú)限大平面電荷軸對(duì)稱(chēng)分布30例題一求電荷密度為的無(wú)限大面電荷在空間中產(chǎn)生的電場(chǎng)。解:取如圖所示高斯面。由高斯定律,有分析:電場(chǎng)方向垂直表面。在平行電荷面的面上大小相等。S31例題一求電荷密度為的無(wú)限大面電荷在空間中產(chǎn)生的電場(chǎng)。解例題二求無(wú)限長(zhǎng)線電荷在真空中產(chǎn)生的電場(chǎng)。解:取如圖所示高斯面。由高斯定律,有分析:電場(chǎng)方向垂直圓柱面。電場(chǎng)大小只與r有關(guān)。32例題二求無(wú)限長(zhǎng)線電荷在真空中產(chǎn)生的電場(chǎng)。解:取如圖所示高斯面解:1)取如圖所示高斯面。在球外區(qū)域:ra分析:電場(chǎng)方向垂直于球面。電場(chǎng)大小只與r有關(guān)。例題三半徑為a的球形帶電體,電荷總量Q均勻分布在球體內(nèi)。求:(1)(2)(3)在球內(nèi)區(qū)域:raEra33解:1)取如圖所示高斯面。在球外區(qū)域:ra分析:電場(chǎng)方向2)解為球坐標(biāo)系下的表達(dá)形式。3)342)解為球坐標(biāo)系下的表達(dá)形式。3)342.3真空中恒定磁場(chǎng)的基本規(guī)律恒定磁場(chǎng)(靜磁場(chǎng)):恒定電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)。2.3.1安培力定律磁感應(yīng)強(qiáng)度安培力定律安培力定律揭示了兩個(gè)恒定電流回路之間相互作用力的規(guī)律,其數(shù)學(xué)表達(dá)式為為真空中介電常數(shù)。安培力定律352.3真空中恒定磁場(chǎng)的基本規(guī)律恒定磁場(chǎng)(靜磁場(chǎng)):恒定電

磁感應(yīng)強(qiáng)度矢量磁力是通過(guò)磁場(chǎng)來(lái)傳遞的電流或磁鐵在其周?chē)臻g會(huì)激發(fā)磁場(chǎng),當(dāng)另外的電流或磁鐵處于這個(gè)磁場(chǎng)中時(shí),會(huì)受到力(磁力)的作用處于磁場(chǎng)中的電流元Idl所受的磁場(chǎng)力dF與該點(diǎn)磁場(chǎng)B、電流元強(qiáng)度和方向有關(guān),即畢奧-薩伐爾定律

設(shè)閉合回路C上通有穩(wěn)恒電流I,它在空間任意點(diǎn)r處產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度B為36磁感應(yīng)強(qiáng)度矢量磁力是通過(guò)磁場(chǎng)來(lái)傳遞的畢奧-薩伐爾定律畢奧-薩伐爾定律

對(duì)畢奧-薩伐爾定律的討論體電流產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度體電流可以分解成許多細(xì)電流管,近似地看成線電流,此時(shí)有I=JdS,則電流元,得37畢奧-薩伐爾定律對(duì)畢奧-薩伐爾定律的討論體電流產(chǎn)生的磁運(yùn)動(dòng)電荷的磁場(chǎng)定向流動(dòng)的電荷形成電流。設(shè)某區(qū)域電荷密度為

,速度v,將形成電流密度J=

v,則電流元為Idl=JdV=v

dV=qv,得

面電流產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度38運(yùn)動(dòng)電荷的磁場(chǎng)面電流產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度38例求有限長(zhǎng)直線電流的磁感應(yīng)強(qiáng)度。解:在導(dǎo)線上任取電流元Idz,其方向沿著電流流動(dòng)的方向,即z方向。由比奧—薩伐爾定律,電流元在導(dǎo)線外一點(diǎn)P處產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度為其中當(dāng)導(dǎo)線為無(wú)限長(zhǎng)時(shí),

1→0,

2→

結(jié)果分析39例求有限長(zhǎng)直線電流的磁感應(yīng)強(qiáng)度。解:在導(dǎo)線上任取電流元2.3.2真空中恒定磁場(chǎng)的散度與旋度在恒定磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度矢量穿過(guò)任意閉合面的磁通量為0,即:磁通連續(xù)性定律(積分形式)由矢量場(chǎng)的散度定理,可推得:磁場(chǎng)散度定理微分形式

恒定磁場(chǎng)的散度磁通連續(xù)性原理靜磁場(chǎng)的散度處處為零,說(shuō)明恒定磁場(chǎng)是無(wú)源場(chǎng),不存在磁力線的擴(kuò)散源和匯集源(自然界中無(wú)孤立磁荷存在)由磁通連續(xù)性定律可知:磁力線是連續(xù)的關(guān)于恒定磁場(chǎng)散度的討論:

402.3.2真空中恒定磁場(chǎng)的散度與旋度在恒定磁場(chǎng)中,磁感在恒定磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度在任意閉合回路C上的環(huán)量等于穿過(guò)回路C所圍面積的電流的代數(shù)和與的乘積,即:安培環(huán)路定理積分形式

若電流分布為體電流分布,有代入上式,得恒定磁場(chǎng)的旋度安培環(huán)路定律利用斯托克斯公式,得安培環(huán)路定理微分形式

對(duì)恒定磁場(chǎng)旋度的討論

靜磁場(chǎng)的旋度反映了靜磁場(chǎng)漩渦源(電流)的分布情況空間任意點(diǎn)磁場(chǎng)的旋度只與當(dāng)?shù)氐碾娏髅芏扔嘘P(guān)41在恒定磁場(chǎng)中,磁感應(yīng)強(qiáng)度在任意閉合回路C上的環(huán)量等于穿過(guò)

恒定電流是靜磁場(chǎng)的旋渦源,電流激發(fā)旋渦狀的靜磁場(chǎng),并決定旋渦源的強(qiáng)度和旋渦方向磁場(chǎng)旋度與磁場(chǎng)是不同的物理量,它們的取值沒(méi)有必然聯(lián)系。沒(méi)有電流分布的地方,磁場(chǎng)旋度為零,但磁場(chǎng)不一定為零

無(wú)源場(chǎng)。磁力線無(wú)頭無(wú)尾且不相交有旋場(chǎng)。電流是磁場(chǎng)的旋渦源,磁力線構(gòu)成閉合回路小結(jié):靜磁場(chǎng)的性質(zhì)恒定磁場(chǎng)的散度恒為零,聯(lián)系矢量恒等式可推知:磁感應(yīng)強(qiáng)度矢量可用一矢量函數(shù)的旋度來(lái)表示。

42恒定電流是靜磁場(chǎng)的旋渦源,電流激發(fā)旋渦狀的靜磁場(chǎng),并決定旋專(zhuān)題:利用安培環(huán)路定律求解靜磁場(chǎng)分布當(dāng)電流呈軸對(duì)稱(chēng)分布時(shí),可利用安培環(huán)路定律求解空間磁場(chǎng)分布。

若存在一閉合路徑C,使得在其上整段或分段為定值,則可以用安培環(huán)路定律求解。

例求電流面密度為的無(wú)限大電流薄板產(chǎn)生的。解:分析場(chǎng)的分布,取安培環(huán)路如圖根據(jù)對(duì)稱(chēng)性,有,故43專(zhuān)題:利用安培環(huán)路定律求解靜磁場(chǎng)分布當(dāng)電流呈軸對(duì)稱(chēng)分布時(shí)例題二

求載流為I的無(wú)限長(zhǎng)同軸電纜產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度。解選用圓柱坐標(biāo)系,則應(yīng)用安培環(huán)路定理,得取安培環(huán)路,交鏈的電流為44例題二解選用圓柱坐標(biāo)系,則應(yīng)用安培環(huán)路定理,應(yīng)用安培環(huán)路定理,得45應(yīng)用安培環(huán)路定理,得452.4媒質(zhì)的電磁特性2.4.1電介質(zhì)的極化電位移矢量有關(guān)概念電介質(zhì):可看作由原子核(正)和電子(負(fù))組成的帶電系統(tǒng)電偶極子和電偶極矩:介質(zhì)分子的分類(lèi):無(wú)極分子:正負(fù)電荷中心重合,無(wú)電偶極矩有極分子:正負(fù)電荷中心不重合,有電偶極矩

電偶極子:由兩個(gè)相距很近的帶等量異號(hào)電量的點(diǎn)電荷所組成的電荷系統(tǒng)。電偶極矩:表示電偶極子。

在熱平衡時(shí),分子無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng),取向各方向均等,介質(zhì)在宏觀上不顯電特性

462.4媒質(zhì)的電磁特性2.4.1電介質(zhì)的極化電位移矢電介質(zhì)的極化現(xiàn)象在外加電場(chǎng)作用下:無(wú)極分子

有極分子無(wú)外加電場(chǎng)無(wú)極分子有極分子有外加電場(chǎng)

E電介質(zhì)中無(wú)極分子的束縛電荷發(fā)生位移有極分子的固有電偶極矩的取向趨于一致(指向電場(chǎng)方向)電介質(zhì)在宏觀上出現(xiàn)電偶極矩47電介質(zhì)的極化現(xiàn)象在外加電場(chǎng)作用下:無(wú)極分子極化強(qiáng)度矢量

是描述介質(zhì)極化程度的物理量,定義為的物理意義:?jiǎn)挝惑w積內(nèi)分子電偶極矩的矢量和。極化強(qiáng)度矢量

——分子的平均電偶極矩極化強(qiáng)度與電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān),其關(guān)系一般比較復(fù)雜。在線性、各向同性的電介質(zhì)中,與介質(zhì)內(nèi)合成電場(chǎng)強(qiáng)度成正比,即——電介質(zhì)的電極化率

E48極化強(qiáng)度矢量是描述介質(zhì)極化程的物理意義:?jiǎn)挝惑w積

介質(zhì)被極化后,每個(gè)分子可以看作是一個(gè)電偶極子。設(shè)分子的電偶極矩。極化電荷(束縛電荷)媒質(zhì)被極化后,在媒質(zhì)體內(nèi)和分界面上會(huì)出現(xiàn)電荷分布,這種電荷被稱(chēng)為極化電荷。由于相對(duì)與自由電子而言,極化電荷不能自由運(yùn)動(dòng),故也稱(chēng)束縛電荷。

E

S取如圖所示體積元,則凡負(fù)電荷處于體積中的電偶極子必定穿過(guò)面元

,則正電荷將穿出體積。49介質(zhì)被極化后,每個(gè)分子可以看作是一個(gè)電偶極子。極化電荷(

顯然,經(jīng)dS穿出體積的正電荷總量為在空間中任意取一個(gè)體積V,其邊界為S,則經(jīng)S穿出V的正電荷量為,則V內(nèi)出現(xiàn)的極化電荷qP為

在介質(zhì)表面上,極化電荷面密度為

介質(zhì)1介質(zhì)2n討論:若分界面兩邊均為媒質(zhì),則

50顯然,經(jīng)dS穿出體積的正電荷總量為在空間中任意取一個(gè)體積對(duì)介質(zhì)極化問(wèn)題的討論P(yáng)=常矢量時(shí)稱(chēng)媒質(zhì)被均勻極化,此時(shí)介質(zhì)內(nèi)部無(wú)極化電荷,極化電荷只會(huì)出現(xiàn)在介質(zhì)表面上均勻介質(zhì)內(nèi)部一般不存在極化電荷位于電介質(zhì)內(nèi)的自由電荷所在位置一定有極化電荷出現(xiàn)

電位移矢量 介質(zhì)的極化過(guò)程包括兩個(gè)方面:外加電場(chǎng)的作用使介質(zhì)極化,產(chǎn)生極化電荷;極化電荷反過(guò)來(lái)激發(fā)電場(chǎng),兩者相互制約,并達(dá)到平衡狀態(tài)。無(wú)論是自由電荷,還是極化電荷,它們都激發(fā)電場(chǎng),服從同樣的庫(kù)侖定律和高斯定理。51對(duì)介質(zhì)極化問(wèn)題的討論P(yáng)=常矢量時(shí)稱(chēng)媒質(zhì)被均勻極化,此時(shí)介自由電荷:介質(zhì)被極化->極化電荷:介質(zhì)空間中電場(chǎng):介質(zhì)空間外加電場(chǎng),實(shí)際電場(chǎng)為,變化與介質(zhì)性質(zhì)有關(guān)。將真空中的高斯定律推廣到電介質(zhì)中,可得式中:電位移矢量介質(zhì)中高斯定理微分形式

52自由電荷:介質(zhì)被極化->極化電荷:介質(zhì)空間中電場(chǎng):介質(zhì)空將介質(zhì)中高斯定理微分形式對(duì)一定體積取積分,得介質(zhì)中高斯定理積分形式

小結(jié):靜電場(chǎng)是有源無(wú)旋場(chǎng),電介質(zhì)中的基本方程為

(積分形式)

(微分形式),

53將介質(zhì)中高斯定理微分形式對(duì)一定體積取積分,得介質(zhì)中高斯定理極化強(qiáng)度與電場(chǎng)強(qiáng)度之間的關(guān)系由介質(zhì)的性質(zhì)決定。對(duì)于線性各向同性介質(zhì),

有簡(jiǎn)單的線性關(guān)系

電介質(zhì)本構(gòu)關(guān)系媒質(zhì)介電常數(shù)媒質(zhì)相對(duì)介電常數(shù)

電介質(zhì)本構(gòu)關(guān)系*介質(zhì)有多種不同的分類(lèi)方法,如:均勻和非均勻介質(zhì)各向同性和各向異性介質(zhì)時(shí)變和時(shí)不變介質(zhì)線性和非線性介質(zhì)確定性和隨機(jī)介質(zhì)54極化強(qiáng)度與電場(chǎng)強(qiáng)度之間的關(guān)系由介質(zhì)的性質(zhì)決定半徑為a的球形電介質(zhì)體,其相對(duì)介電常數(shù)若在球心處存在一點(diǎn)電荷Q,求極化電荷分布。解:由高斯定律,可以求得在媒質(zhì)內(nèi):體極化電荷分布:面極化電荷分布:在球心點(diǎn)電荷處:例55半徑為a的球形電介質(zhì)體,其相對(duì)介電常數(shù)半徑為a的球形真空區(qū)域內(nèi)充滿(mǎn)分布不均勻的體電荷,若已知體電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)分布為:式中A為常數(shù),求體電荷密度解:由高斯定理微分形式例(球坐標(biāo)系)56半徑為a的球形真空區(qū)域內(nèi)充滿(mǎn)分布不均勻的體電2.4.2磁介質(zhì)的磁化磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量磁介質(zhì)磁化有關(guān)概念分子電流及磁矩:電子繞核運(yùn)動(dòng),形成分子電流。分子電流將產(chǎn)生微觀磁場(chǎng)。分子電流的磁特性可用分子磁矩表示。式中:為電子運(yùn)動(dòng)形成的微觀電流;為分子電流所圍面元;介質(zhì)的磁化磁化前,分子極矩取向雜亂無(wú)章,磁介質(zhì)宏觀上無(wú)任何磁特性外加磁場(chǎng)時(shí):大量分子的分子磁矩取向與外加磁場(chǎng)趨于一致,宏觀上表現(xiàn)出磁特性。這一過(guò)程即稱(chēng)為磁化。無(wú)外加磁場(chǎng)外加磁場(chǎng)B572.4.2磁介質(zhì)的磁化磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量磁介質(zhì)磁化有關(guān)概

磁化強(qiáng)度矢量

描述介質(zhì)磁化的程度,等于單位體積內(nèi)的分子磁矩,即

磁化電流密度

磁介質(zhì)被磁化后,在其內(nèi)部和表面將出現(xiàn)宏觀電流,稱(chēng)為磁化電流可以證明:若磁介質(zhì)磁化強(qiáng)度為M,則其體磁化電流密度為:在磁介質(zhì)表面上,磁化電荷面密度為n為媒質(zhì)表面外法向58磁化強(qiáng)度矢量磁化電流密度磁介質(zhì)被磁化后,在其內(nèi)部和表對(duì)介質(zhì)磁化問(wèn)題的討論M=常矢量時(shí)稱(chēng)媒質(zhì)被均勻均勻磁化,此時(shí)磁介質(zhì)內(nèi)部不會(huì)出現(xiàn)磁化電流,磁化電流只會(huì)出現(xiàn)在磁介質(zhì)表面上均勻磁介質(zhì)內(nèi)部一般不存在磁化電流若傳導(dǎo)電流位于磁介質(zhì)內(nèi),其所在位置處一定有磁化電流出現(xiàn)對(duì)于線性各向同性磁媒質(zhì):介質(zhì)磁化率59對(duì)介質(zhì)磁化問(wèn)題的討論M=常矢量時(shí)稱(chēng)媒質(zhì)被均勻均勻磁化,此時(shí)磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量當(dāng)磁介質(zhì)中存在磁場(chǎng)時(shí),磁介質(zhì)中的磁感應(yīng)強(qiáng)度矢量為:將真空中的安培環(huán)路定律推廣到磁介質(zhì)中,可得式中:磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量

將介質(zhì)中高斯定理微分形式對(duì)一定體積取積分,得介質(zhì)中安培環(huán)路定律微分形式

介質(zhì)中安培環(huán)路定律積分形式

60磁場(chǎng)強(qiáng)度矢量當(dāng)磁介質(zhì)中存在磁場(chǎng)時(shí),磁介質(zhì)中的磁感應(yīng)強(qiáng)度說(shuō)明:1、真空(空氣)的相對(duì)磁導(dǎo)率為1。式中:稱(chēng)為媒質(zhì)相對(duì)磁導(dǎo)率磁介質(zhì)本構(gòu)關(guān)系稱(chēng)為媒質(zhì)磁導(dǎo)率磁介質(zhì)本構(gòu)關(guān)系順磁質(zhì):感應(yīng)磁場(chǎng)與外場(chǎng)方向相同

抗磁質(zhì):感應(yīng)磁場(chǎng)與外場(chǎng)方向相反

鐵磁質(zhì):感應(yīng)磁場(chǎng)與外場(chǎng)方向相同,且磁化后感應(yīng)磁場(chǎng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于外磁場(chǎng)

2、磁介質(zhì)的分類(lèi):61說(shuō)明:1、真空(空氣)的相對(duì)磁導(dǎo)率為1。式中:2.4.3導(dǎo)電媒質(zhì)的傳導(dǎo)特性體積元:導(dǎo)電媒質(zhì)導(dǎo)電率體積元內(nèi)存在:由歐姆定律:式中:為導(dǎo)電媒質(zhì)導(dǎo)電率。歐姆定律微分形式說(shuō)明:理想導(dǎo)體導(dǎo)電率為無(wú)窮大。導(dǎo)電媒質(zhì)中的歐姆定律622.4.3導(dǎo)電媒質(zhì)的傳導(dǎo)特性體積元:導(dǎo)電媒質(zhì)導(dǎo)電率體積元焦?fàn)柖稍趯?dǎo)電媒質(zhì)中,電場(chǎng)力使電荷運(yùn)動(dòng),所以電場(chǎng)力要做功。設(shè):電荷量V,運(yùn)動(dòng)速度v,則電場(chǎng)力在時(shí)間

t內(nèi)所做的功為電場(chǎng)做功的功率為功率密度(單位體積中的損耗功率)為體積為V的導(dǎo)電媒質(zhì)內(nèi)的損耗功率為

焦?fàn)柖傻奈⒎中问?/p>

焦?fàn)柖傻姆e分形式63焦?fàn)柖呻妶?chǎng)做功的功率為功率密度(單位體積中的損耗功率)2.5電磁感應(yīng)定律和位移電流2.5.1電磁感應(yīng)定律法拉第電磁感應(yīng)定律積分形勢(shì)法拉第電磁感應(yīng)定律:當(dāng)穿過(guò)導(dǎo)體回路所圍面積的磁通量發(fā)生改變時(shí),回路中將產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),其大小等于回路磁通量的時(shí)間變化率。數(shù)學(xué)表示:“-”號(hào)表示回路中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的作用總是要阻止回路磁通量的改變。642.5電磁感應(yīng)定律和位移電流2.5.1電磁感應(yīng)定律法拉第電磁感應(yīng)定律微分形式令感應(yīng)電場(chǎng)為空間內(nèi),一般還存在著靜電場(chǎng),導(dǎo)體內(nèi)總電場(chǎng)為。

由前面討論可知:為保守場(chǎng),即則

法拉第電磁感應(yīng)定律微分形式65法拉第電磁感應(yīng)定律微分形式令感應(yīng)電場(chǎng)為空間內(nèi),對(duì)法拉弟電磁感應(yīng)定律微分形式的討論式中等式右邊為B對(duì)t的偏導(dǎo)數(shù),該式適用于分析時(shí)變場(chǎng)式中的E是磁場(chǎng)隨時(shí)間變化而激發(fā)的,稱(chēng)為感應(yīng)電場(chǎng)感應(yīng)電場(chǎng)是有旋場(chǎng),即隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)會(huì)激發(fā)旋渦狀的電場(chǎng)對(duì)任意回路(不一定有導(dǎo)體存在)成立磁場(chǎng)不隨時(shí)間變化時(shí),有,與靜電場(chǎng)的形式相同,可見(jiàn)靜電場(chǎng)是時(shí)變場(chǎng)的特殊情況法拉第電磁感應(yīng)定律所揭示的物理規(guī)律:隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)將產(chǎn)生電場(chǎng)。66對(duì)法拉弟電磁感應(yīng)定律微分形式的討論式中等式右邊為B對(duì)t的偏例2.5.2在時(shí)變磁場(chǎng)中,放置有一個(gè)的矩形線圈。初始時(shí)刻,線圈平面的法向單位矢量與成α角,如圖所示。試求:(1)線圈靜止時(shí)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì);解:(1)線圈靜止時(shí),感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)是由時(shí)變磁場(chǎng)引起,故(2)線圈以角速度ω繞x

軸旋轉(zhuǎn)時(shí)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。xyzabB時(shí)變磁場(chǎng)中的矩形線圈67例2.5.2在時(shí)變磁場(chǎng)假定時(shí),則在時(shí)刻t時(shí),與y

軸的夾角(2)線圈繞x軸旋轉(zhuǎn)時(shí),的指向?qū)㈦S時(shí)間變化。68假定時(shí),則在時(shí)刻t時(shí),與y2.5.2位移電流一、安培環(huán)路定律的局限性如圖:以閉合路徑為邊界的曲面有無(wú)限多個(gè),取如圖所示的兩個(gè)曲面S1,S2。結(jié)論:恒定磁場(chǎng)中推導(dǎo)得到的安培環(huán)路定律不適用于時(shí)變場(chǎng)問(wèn)題對(duì)S2面:則對(duì)S1面:矛盾問(wèn)題:隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)要產(chǎn)生電場(chǎng),那么隨時(shí)間變化的電場(chǎng)是否會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)?692.5.2位移電流一、安培環(huán)路定律的局限性如圖:以閉安培環(huán)路定理的修正位移電流的引入由電流守恒定律,有安培環(huán)路定律的修正而在時(shí)變場(chǎng)情形下,即:,則全電流傳導(dǎo)電流位移電流用全電流來(lái)代替安培環(huán)路定律中的傳導(dǎo)電流,則可修正因時(shí)變條件下傳導(dǎo)電流不守恒而產(chǎn)生的矛盾。麥克斯韋提出了位移電流假說(shuō)。他認(rèn)為:在時(shí)變場(chǎng)空間中,存在著因變化的電場(chǎng)而形成的位移電流,位移電流與傳導(dǎo)電流共同形成全電流,全電流滿(mǎn)足電流守恒關(guān)系:電流守恒電流不守恒70安培環(huán)路定理的修正位移電流的引入由電流守恒定律,有位移電流3、引入位移電流后,用全電流代替安培環(huán)路定律中的傳導(dǎo)電流,則安培環(huán)路定律在時(shí)變場(chǎng)中仍然適用。2、在理想介質(zhì)中,無(wú)傳導(dǎo)電流,但可能有位移電流;在理想導(dǎo)體中,無(wú)位移電流,但可能有傳導(dǎo)電流;在導(dǎo)電介質(zhì)中,既可能有傳導(dǎo)電流,又可能有位移電流。1、位移電流決定于電場(chǎng)的變化率,與傳導(dǎo)電流不同,它不產(chǎn)生熱效應(yīng)。關(guān)于位移電流的幾點(diǎn)說(shuō)明71位移電流3、引入位移電流后,用全電流代替安培環(huán)路安培環(huán)路定律廣義形式一般時(shí)變場(chǎng)空間同時(shí)存在真實(shí)電流(傳導(dǎo)電流)和位移電流,則安培環(huán)路定律廣義形式(全電流定律)物理意義:當(dāng)電場(chǎng)發(fā)生變化時(shí),會(huì)形成磁場(chǎng)的旋渦源(位移電流),從而激發(fā)起磁場(chǎng)關(guān)于位移電流假說(shuō)位移電流是一種假想電流,在此假說(shuō)的基礎(chǔ)上,麥克斯韋預(yù)言了電磁波的存在,而赫茲通過(guò)試驗(yàn)證明了電磁波確實(shí)存在,從而反過(guò)來(lái)證明了位移電流理論的正確性。72安培環(huán)路定律廣義形式一般時(shí)變場(chǎng)空間同時(shí)存在真實(shí)電流(傳物理基礎(chǔ)庫(kù)侖定律電場(chǎng)強(qiáng)度與真空中的靜電場(chǎng)安培定律法拉第電感定律位移電流假說(shuō)電位移矢量與介質(zhì)中靜電場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度與真空中靜磁場(chǎng)磁場(chǎng)強(qiáng)度與介質(zhì)中的靜磁場(chǎng)高斯定理磁通連續(xù)電感定律全電流定律麥克斯韋方程組邊界條件73物庫(kù)侖定律電場(chǎng)強(qiáng)度安培定律法拉第電位移電流電位移矢磁感應(yīng)強(qiáng)磁2.6麥克斯韋方程組2.6.1麥克斯韋方程組的微分形式麥克斯韋方程組是描述時(shí)變電磁場(chǎng)的基本方程組,揭示了宏觀電磁現(xiàn)象所遵循的基本規(guī)律時(shí)變電磁場(chǎng)中,電場(chǎng)和磁場(chǎng)相互激勵(lì),形成統(tǒng)一不可分的整體(傳導(dǎo)電流和變化的電場(chǎng)都能產(chǎn)生磁場(chǎng))(變化的磁場(chǎng)產(chǎn)生電場(chǎng))(磁場(chǎng)是無(wú)源場(chǎng),磁感線總是閉合曲線)(電荷產(chǎn)生電場(chǎng))時(shí)變電磁場(chǎng)的源:1、真實(shí)源(時(shí)變的電流和電荷);2、時(shí)變的電場(chǎng)和時(shí)變的磁場(chǎng)。①②③④742.6麥克斯韋方程組2.6.1麥克斯韋方程組的微分形2.6.2麥克斯韋方程組的積分形式①②③④在媒質(zhì)中,場(chǎng)量之間必須滿(mǎn)足媒質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系。在線性、各向同性媒質(zhì)中:將本構(gòu)關(guān)系代入麥克斯韋方程組,則得2.6.3麥克斯韋方程組的限定形式752.6.2麥克斯韋方程組的積分形式①②③④在媒質(zhì)中,麥克斯韋方程組限定形式麥克斯韋方程組限定形式與媒質(zhì)特性相關(guān)。麥克斯韋方程組揭示的物理涵義時(shí)變電場(chǎng)的激發(fā)源除電荷以外,還有變化的磁場(chǎng);時(shí)變磁場(chǎng)的激發(fā)源除傳導(dǎo)電流以外,還有變化的電場(chǎng)。

電場(chǎng)和磁場(chǎng)互為激發(fā)源,相互激發(fā)76麥克斯韋方程組限定形式麥克斯韋方程組限定形式與媒質(zhì)特性相關(guān)。在無(wú)源空間中,兩個(gè)旋度方程分別為負(fù)號(hào)使得電場(chǎng)和磁場(chǎng)構(gòu)成一個(gè)相互激勵(lì)又相互制約的關(guān)系:當(dāng)磁場(chǎng)減小時(shí),電場(chǎng)的旋渦源為正,電場(chǎng)將增大;而當(dāng)電場(chǎng)增大時(shí),使磁場(chǎng)增大,磁場(chǎng)增大反過(guò)來(lái)又使電場(chǎng)減小。時(shí)變電磁場(chǎng)中,電場(chǎng)和磁場(chǎng)不再相互獨(dú)立,而是相互關(guān)聯(lián),構(gòu)成一個(gè)整體,電場(chǎng)和磁場(chǎng)分別為電磁場(chǎng)的兩個(gè)物理量在離開(kāi)輻射源(如天線)的無(wú)源空間中,電荷密度和電流密度矢量為零,電場(chǎng)和磁場(chǎng)相互激發(fā),從而在空間形成電磁振蕩并傳播,這就是電磁波。77在無(wú)源空間中,兩個(gè)旋度方程分別為負(fù)號(hào)使得電場(chǎng)和磁說(shuō)明:靜場(chǎng)只是時(shí)變場(chǎng)的一種特殊情況。78說(shuō)明:靜場(chǎng)只是時(shí)變場(chǎng)的一種特殊情況。78解:(1)導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流為忽略邊緣效應(yīng)時(shí),間距為d

的兩平行板之間的電場(chǎng)為E=u/d

,則

正弦交流電壓源連接到平行板電容器的兩個(gè)極板上,如圖所示。(1)證明電容器兩極板間的位移電流與連接導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流相等;(2)求導(dǎo)線附近距離連接導(dǎo)線為r

處的磁場(chǎng)強(qiáng)度。CPricu平行板電容器與交流電壓源相接79解:(1)導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流為忽略邊緣與閉合線鉸鏈的只有導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流,故得(2)以r

為半徑作閉合曲線C,由于連接導(dǎo)線本身的軸對(duì)稱(chēng)性,使得沿閉合線的磁場(chǎng)相等,故式中的S0為極板的面積,而為平行板電容器的電容。則極板間的位移電流為80與閉合線鉸鏈的只有導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流例

海水的電導(dǎo)率為4S/m,相對(duì)介電常數(shù)為81,求頻率為1MHz時(shí),位移電流振幅與傳導(dǎo)電流振幅的比值。解:設(shè)電場(chǎng)隨時(shí)間作正弦變化,表示為則位移電流密度為其振幅值為傳導(dǎo)電流的振幅值為故81例海水的電導(dǎo)率為4S/m,例

在無(wú)源的電介質(zhì)中,若已知電場(chǎng)強(qiáng)度矢量,式中的E0為振幅、ω為角頻率、k為相位常數(shù)。試確定k與ω之間所滿(mǎn)足的關(guān)系,并求出與相應(yīng)的其他場(chǎng)矢量。解:是電磁場(chǎng)的場(chǎng)矢量,應(yīng)滿(mǎn)足麥克斯韋方程組。因此,利用麥克斯韋方程組可以確定k與ω之間所滿(mǎn)足的關(guān)系,以及與相應(yīng)的其他場(chǎng)矢量。對(duì)時(shí)間

t積分,得82例在無(wú)源由以上各個(gè)場(chǎng)矢量都應(yīng)滿(mǎn)足麥克斯韋方程,將以上得到的H和D代入式83由以上各個(gè)場(chǎng)矢量都應(yīng)滿(mǎn)足麥克斯韋方程,將以上得到的H和例自由空間的磁場(chǎng)強(qiáng)度為式中的k為常數(shù)。試求:位移電流密度和電場(chǎng)強(qiáng)度。解自由空間的傳導(dǎo)電流密度為0,故由式,得84例自由空間的磁場(chǎng)強(qiáng)度為解物理基礎(chǔ)庫(kù)侖定律電場(chǎng)強(qiáng)度與真空中的靜電場(chǎng)安培定律法拉第電感定律位移電流假說(shuō)電位移矢量與介質(zhì)中靜電場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度與真空中靜磁場(chǎng)磁場(chǎng)強(qiáng)度與介質(zhì)中的靜磁場(chǎng)高斯定理磁通連續(xù)電感定律全電流定律麥克斯韋方程組邊界條件85物庫(kù)侖定律電場(chǎng)強(qiáng)度安培定律法拉第電位移電流電位移矢磁感應(yīng)強(qiáng)磁2.7電磁場(chǎng)的邊界條件

什么是電磁場(chǎng)的邊界條件?

為什么要研究邊界條件?媒質(zhì)1媒質(zhì)2

如何討論邊界條件?實(shí)際電磁場(chǎng)問(wèn)題都是在一定的物理空間內(nèi)發(fā)生的,該空間包含多種不同媒質(zhì)。邊界條件反映了不同媒質(zhì)的分界面兩邊的電磁場(chǎng)矢量滿(mǎn)足的關(guān)系,是在不同媒質(zhì)分界面上電磁場(chǎng)的基本屬性。物理:由于在分界面兩側(cè)介質(zhì)的特性參數(shù)發(fā)生突變,場(chǎng)在界面兩側(cè)也發(fā)生突變。麥克斯韋方程組的微分形式在分界面兩側(cè)失去意義,必須采用邊界條件。數(shù)學(xué):麥克斯韋方程組是微分方程組,其解是不確定的,邊界條件起定解的作用。麥克斯韋方程組的積分形式在不同媒質(zhì)的分界面上仍然適用,由此可導(dǎo)出電磁場(chǎng)矢量在不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件。1、電磁場(chǎng)邊界條件揭示了分界面兩邊電、磁場(chǎng)突變所遵循的規(guī)律2、推導(dǎo)邊界條件的依據(jù)是麥克斯韋方程組的積分形式862.7電磁場(chǎng)的邊界條件什么是電磁場(chǎng)的邊界條件?為什么2.7.1邊界條件的一般形式0磁場(chǎng)強(qiáng)度的邊界條件為表面?zhèn)鲗?dǎo)電流密度。式中:為由媒質(zhì)2->1的法向。結(jié)論:磁場(chǎng)強(qiáng)度在不同媒質(zhì)分界面兩側(cè)的切向分量不連續(xù),其差值恰好等于分界面上的電流面密度872.7.1邊界條件的一般形式0磁場(chǎng)強(qiáng)度的邊界條件電場(chǎng)強(qiáng)度的邊界條件結(jié)論:電場(chǎng)強(qiáng)度在不同媒質(zhì)分界面兩側(cè)的切向分量連續(xù)。088電場(chǎng)強(qiáng)度的邊界條件結(jié)論:電場(chǎng)強(qiáng)度在不同媒質(zhì)

電通密度的邊界條件磁感應(yīng)強(qiáng)度的邊界條件結(jié)論:磁感應(yīng)強(qiáng)度在不同媒質(zhì)分界面兩側(cè)的法向分量連續(xù)。結(jié)論:電通密度在不同媒質(zhì)分界面兩側(cè)的法向分量不連續(xù),其差值等于分界面上自由電荷面密度。89電通密度的邊界條件磁感應(yīng)強(qiáng)度的邊界條件結(jié)論:磁感理想介質(zhì)分界面上的邊界條件

理想介質(zhì)是無(wú)損耗媒質(zhì),其導(dǎo)電率為零,即:結(jié)論:在理想介質(zhì)分界面上,矢量切向連續(xù)在理想介質(zhì)分界面上,矢量法向連續(xù)2.7.2兩種特殊情況下的邊界條件

由電磁場(chǎng)邊界條件一般形式,可知理想介質(zhì)分界面邊界條件為:在理想介質(zhì)內(nèi)部和表面上,不存在自由電荷和傳導(dǎo)電流。90理想介質(zhì)分界面上的邊界條件理想介質(zhì)是無(wú)損耗媒質(zhì),其導(dǎo)電理想導(dǎo)體表面上的邊界條件理想導(dǎo)體是電導(dǎo)率為無(wú)窮大的導(dǎo)體理想導(dǎo)體內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度均為零導(dǎo)體表面上,一般存在自由電荷和傳導(dǎo)電流由電磁場(chǎng)邊界條件一般形式,設(shè)區(qū)域2為理想導(dǎo)體,區(qū)域1為介質(zhì),有D2n,E2t,B2n,H2t為零,得式中:為導(dǎo)體外法

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