0.5um產(chǎn)品平坦化工藝研究-接觸電阻改善的綜述報告

0.5um產(chǎn)品平坦化工藝研究——接觸電阻改善的綜述報告在半導(dǎo)體工業(yè)中，平坦化處理是微電子制造過程中被廣泛采取的一種處理方式。通過平坦化工藝處理，半導(dǎo)體制造商可以使芯片表面平坦，從而提高芯片的制作效率，減少電路元器件尺寸，拓寬芯片應(yīng)用場景等多個方面的性能。本文將著重介紹0.5um產(chǎn)品平坦化工藝研究方面的內(nèi)容以及接觸電阻改善的綜述報告。一、0.5um產(chǎn)品平坦化工藝研究的發(fā)展歷程自20世紀(jì)90年代后期，半導(dǎo)體工業(yè)進入納米級制造時代，制造工藝的復(fù)雜性和結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性日益增加。在此背景下，需要采用新型的處理工藝，以彌補傳統(tǒng)平坦化技術(shù)的不足，以接近理想的平坦度要求。在0.5um產(chǎn)品平坦化工藝研究中，最早的基礎(chǔ)是機械加工。這種方法通過腐蝕、打磨等步驟，使表面變得平坦，但會嚴(yán)重影響芯片的工作特性。因此，針對這種情況，出現(xiàn)了一些新型的處理工藝，如氧化平坦化工藝等。1983年，美國AppliedMaterials公司為Chou教授研究組提供了第一臺氧化平坦化設(shè)備。接下來的幾年里，Applied公司和其他半導(dǎo)體廠商在這方面進行了大量的研究，并開發(fā)出了氧化平坦化處理的基礎(chǔ)技術(shù)。此外，還有其它平坦化工藝，如化學(xué)機械平坦化（CMP）方法等。CMP的作用是通過磨料在化學(xué)溶液中的反應(yīng)和磨損，使表面變得平滑，從而實現(xiàn)平坦化。在CMP方法的基礎(chǔ)上，還出現(xiàn)了新的處理工藝，如渦流磨（ECM）等。二、0.5um產(chǎn)品平坦化工藝改善接觸電阻的方法及效果對于半導(dǎo)體工業(yè)來說，接觸電阻是一個重要的參考指標(biāo)，通常需要在芯片的制造過程中對接觸電阻進行監(jiān)測和控制。在0.5um產(chǎn)品平坦化工藝中，如何改善接觸電阻的問題備受關(guān)注。下面介紹幾種方法及其效果。1.氧化鈍化法氧化鈍化法是一種形成硅質(zhì)薄層的方法，具有磨平棱角和降低表面粗糙度的效果。在這種方法中，針對主設(shè)備表面、插頭表面進行預(yù)處理。經(jīng)過預(yù)處理后，使用氧化鈍化法可以使芯片表面變得平坦，并且能夠有效地降低接觸電阻。事實上，由于接觸電阻與芯片表面的平坦程度有很大關(guān)系，因此使用氧化鈍化處理方法是一種相對簡單而實用的接觸電阻改善方法。2.導(dǎo)電填充法導(dǎo)電填充法是指在芯片電極中填充導(dǎo)電性材料，從而減小電阻值。一般來說，針對不同的材料，阻抗大小是不同的。通過填充導(dǎo)電材料，可以改善電極之間的接觸效果，進而降低接觸電阻。但是，導(dǎo)電填充法也存在著一定的局限性，會產(chǎn)生較大的問題，例如會降低半導(dǎo)體器件的工作效率。3.合金化改性法合金化改性法是對芯片金屬材料的合成進行改變，從而改善其性能。實驗中，研究人員將多種金屬材料經(jīng)過特殊處理，形成一種新的合金材料。由于合成后的合金材料更加均勻，因此在電極接觸處，接觸電阻自然會大大降低?？傮w來說，0.5um產(chǎn)品平坦化工藝研究及接觸電阻改善的方法現(xiàn)在已經(jīng)相當(dāng)成熟，在不斷完善。從氧化鈍化法到