太陽能行業(yè)報告宏

廣州嘉諾工業(yè)技術有限公司太陽能行業(yè)信息報告李俊宏2011年11月25日

行業(yè)報告行業(yè)概況工作原理上游設備制作設備目錄行業(yè)概況我國太陽能光伏產業(yè)發(fā)展迅速，目前

從事晶體硅生產企業(yè)超過了80家光伏企業(yè)120多家多晶硅產能占全球18%，光伏產能占

全球40%，光伏原料自給率達50%太陽能電池產量以年均翻番速度增長，

連續(xù)3年位居世界第一全球前十五位太陽能企業(yè)中，有9家

是中國企業(yè)行業(yè)概況工作原理

當光線照射太陽能電池表面時，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了越遷，成為自由電子在P－N結兩側集聚形成了電位差，當外部接通電路時，在該電壓的作用下，將會有電流流過外部電路產生一定的輸出功率。這個過程的實質是：光子能量轉換成電能的過程。太陽能發(fā)電原理上游設備單/多晶硅產業(yè)鏈上游設備工程機械

液壓鑿巖設備礦山設備一.采礦環(huán)節(jié)上游設備工程機械（略）

液壓鑿巖設備礦山設備可供：管件，液

壓件采礦環(huán)節(jié)設備及可供產品序號企業(yè)名稱所屬省份備注1深圳市普隆重工有限公司廣東省鑿巖機2深圳市凱強力科技有限公司廣東省分裂機、鑿巖機、擴張器、斬石機3東莞市力臣液壓設備有限公司廣東省劈裂機、劈裂器、動力站、上游設備二.提純環(huán)節(jié)冶煉成套設備

燒結設備上游設備設備清單

可供產品：管件，閥提純環(huán)節(jié)設備及可供產品序號設備名稱備注序號設備各稱備注1合成爐

9精餾塔

2氯化氫降膜吸收器

10真空泵

3還原爐

11氫化爐

4廢氣處理塔

12氯化氫合成爐

5三氯氫硅合成爐

13加熱爐

6旋風除塵器

14冷卻槽

7空氣壓縮機

15冷凝器

8制氮機組

上游設備三.切片環(huán)節(jié)切割設備

檢測測試設備主機配套切片環(huán)節(jié)設備廠家序號設備名稱設備生產廠家省份1硅片切割機寧波市鄞州路順機械廠浙江省珠海市楚粵機械設備有限公司廣東省2珠海粵茂激光廣東省3深圳市大族激光科技股份有江蘇省4東莞市立海隆機械設備有限公司廣東省5東莞市鞏達精密機械有限公司廣東省制作設備制作設備一表面制絨單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結構。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異丙醇等作為絡合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須先進行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學清洗。經過表面準備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結。-

制作設備表面制絨相關制絨設備介紹可供產品：密封件制作設備單晶制絨清洗機多晶制絨清洗機制作設備二擴散制結

太陽能電池需要一個大面積的PN結以實現(xiàn)光能到電能的轉換，而擴散爐即為制造太陽能電池PN結的專用設備。管式擴散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴散源。把P型硅片放在管式擴散爐的石英容器內，在850---900攝氏度高溫下使用氮氣將三氯氧磷帶入石英容器，通過三氯氧磷和硅片進行反應，得到磷原子。經過一定時間，磷原子從四周進入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內部滲透擴散，形成了N型半導體和P型半導體的交界面，也就是PN結。這種方法制出的PN結均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結是太陽電池生產最基本也是最關鍵的工序。因為正是PN結的形成，才使電子和空穴在流動后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導線將電流引出，就是直流電。

制作設備1.4氣路結構三種氣體：氮氣（N2）氧氣（O2）壓縮空氣擴散—太陽能電池制造核心工序1.5氣路結構各閥門名稱擴散—太陽能電池制造核心工序減壓閥干燥器波紋管手動閥常開電磁閥手動截止閥浮子流量計質量流量控制器氣動閥防腐單向閥單向閥石英源瓶石英管相關擴散設備介紹可供產品：管件，密封件制作設備制作設備三等離子刻蝕

由于在擴散過程中，即使采用背靠背擴散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地擴散上磷。PN結的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到PN結的背面，而造成短路。因此，必須對太陽能電池周邊的摻雜硅進行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結。通常采用等離子刻蝕技術完成這一工藝。等離子刻蝕是在低壓狀態(tài)下，反應氣體CF4的母體分子在射頻功率的激發(fā)下，產生電離并形成等離子體。等離子體是由帶電的電子和離子組成，反應腔體中的氣體在電子的撞擊下，除了轉變成離子外，還能吸收能量并形成大量的活性基團?；钚苑磻鶊F由于擴散或者在電場作用下到達SiO2表面，在那里與被刻蝕材料表面發(fā)生化學反應，并形成揮發(fā)性的反應生成物脫離被刻蝕物質表面，被真空系統(tǒng)抽出腔體。

制作設備等離子刻蝕相關刻蝕設備介紹可供產品：管件制作設備制作設備四去磷硅玻璃

該工藝用于太陽能電池片生產制造過程中，通過化學腐蝕法也即把硅片放在氫氟酸溶液中浸泡，使其產生化學反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸，以去除擴散制結后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃。在擴散過程中，POCL3與O2反應生成P2O5淀積在硅片表面。P2O5與Si反應又生成SiO2和磷原子，這樣就在硅片表面形成一層含有磷元素的SiO2，稱之為磷硅玻璃。去磷硅玻璃的設備一般由本體、清洗槽、伺服驅動系統(tǒng)、機械臂、電氣控制系統(tǒng)和自動配酸系統(tǒng)等部分組成，主要動力源有氫氟酸、氮氣、壓縮空氣、純水，熱排風和廢水。氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸與二氧化硅反應生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。若氫氟酸過量，反應生成的四氟化硅會進一步與氫氟酸反應生成可溶性的絡和物六氟硅酸。制作設備制作設備去磷硅玻璃（PSG）清洗設備

可供產品：少量管件制作設備五PECVD-等離子增強型化學氣相沉積

拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜?，F(xiàn)在工業(yè)生產中常采用PECVD設備制備減反射膜。它的技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強型化學氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率有相當?shù)奶岣摺Ｖ谱髟O備相關PECVD設備介紹可供產品：不銹鋼管（量大）制作設備制作設備六絲網(wǎng)印刷&燒結

印刷：利用絲網(wǎng)圖形部分網(wǎng)孔透過漿料，用刮刀在絲網(wǎng)的漿料部位施加一定壓力，同時朝絲網(wǎng)另一端移動。油墨在移動中被刮刀從圖形部分的網(wǎng)孔中擠壓到基片上。由于漿料的粘性作用使印跡固著在一定范圍內，印刷中刮板始終與絲網(wǎng)印版和基片呈線性接觸，接觸線隨刮刀移動而移動，從而完成印刷行程。

燒結：經過絲網(wǎng)印刷后的硅片，不能直接使用，需經燒結爐快速燒結，將有機樹脂粘合劑燃燒掉，剩下幾乎純粹的、由于玻璃質作用而密合在硅片上的銀電極制作設備

絲網(wǎng)印刷&燒結制作設備1.燒結后的氮化硅表面顏色應該均勻，無明顯的色差2.電極無斷線3.背場無鋁珠4.電池最大彎曲度不超過1mm絲網(wǎng)燒結后硅片質量要求：相關印刷&燒結設備介紹可供產品：少量管件制作設備制作設備相關光伏設備廠家序號企業(yè)名稱所屬省份備注1深圳捷佳偉創(chuàng)新能源股份有限公司廣東省擴散爐、等離子體刻蝕機、PECVD、清洗設備2東莞市啟天自動化設備有限公司廣東省擴散爐、等離子體刻蝕機3廣州梭能電子設備有限公司廣東省制絨清洗設備、（PSG）清洗設備4東莞凱格精密機械有限公司廣東省絲網(wǎng)打印設備5深圳市泓意寶電子設備有限公司廣東省制絨清洗設備6深圳匯騰超聲科技有限公司廣西省制絨清洗設備7深圳市納光光電有限公司廣東省太陽能電池真空鍍膜設備8深圳市鼎銘時代實業(yè)有限公司廣東省太陽電池能組件測試儀、太陽能電池分選機制作設備相關光伏設備廠家序號企業(yè)名稱所屬省份備注1長沙中電48所湖南省擴散爐、等離子體刻蝕機、PECVD等設備