2023屆新高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)學(xué)案

晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

素養(yǎng)目標(biāo)

1.證據(jù)推理與模型認(rèn)知：能舉例說明對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的認(rèn)識(shí)是不斷發(fā)展的，并能解釋原因。

2.宏觀辨識(shí)與微觀探析：能從原子結(jié)構(gòu)、分子、晶體層面推測(cè)晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，認(rèn)識(shí)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)之間的

關(guān)系。

3.科學(xué)態(tài)度與社會(huì)責(zé)任：能從微粒的空間排布及相互作用的角度分析物質(zhì)結(jié)構(gòu)，并能舉例說明配合物在

生物、化學(xué)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，氫鍵對(duì)于生命的重大意義。

考點(diǎn)考題

2021山東等級(jí)考16題

考點(diǎn)一：物質(zhì)的聚集狀態(tài)與晶體常識(shí)2021全國(guó)甲卷35題

2021河北選擇考17題

2021全國(guó)甲卷35題

2021全國(guó)乙卷35題

考點(diǎn)二：幾種簡(jiǎn)單的晶體結(jié)構(gòu)2021山東等級(jí)考16題

2021山東等級(jí)考9題

2021湖南選擇考18題

考點(diǎn)三：過渡晶體與混合型晶體液晶納米材料2019全國(guó)卷ΠI35題

2021全國(guó)乙卷35題

考點(diǎn)四：配合物與超分子2020山東等級(jí)考17題

2020江蘇高考21題

命題分析

分析近五年全國(guó)卷試題，高考命題在本講有以下規(guī)律：

1.從考查題型和內(nèi)容上看，高考命題以非選擇題呈現(xiàn)，考查內(nèi)容主要有以下兩個(gè)方面：

(1)晶體類型的判斷，晶體熔沸點(diǎn)大小的判斷。

(2)晶體的密度、晶胞參數(shù)、核間距計(jì)算、晶體中原子的空間位置判斷。

2.從命題思路上看，側(cè)重以陌生物質(zhì)的晶胞結(jié)構(gòu)為情境載體考查晶體的密度、晶胞參數(shù)計(jì)算、晶體中原

子的空間位置判斷等。

3.從考查學(xué)科素養(yǎng)的角度看，注重考查宏觀辨識(shí)與微觀辨析、證據(jù)推理與模型認(rèn)知、科學(xué)態(tài)度與社會(huì)責(zé)

任的學(xué)科素養(yǎng)。

備考策略

根據(jù)高考命題的特點(diǎn)和規(guī)律，復(fù)習(xí)時(shí)要注意以下幾個(gè)方面：

(1)晶胞中配位數(shù)、微粒間距離及原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)判斷。

(2)晶體化學(xué)式的計(jì)算及晶體密度的計(jì)算。

(3)晶體類型的判斷、熔點(diǎn)差異原因及熔沸點(diǎn)高低的比較等。

考點(diǎn)一：物質(zhì)的聚集狀態(tài)與晶體常識(shí)(基礎(chǔ)性考點(diǎn))

必備知識(shí),夯實(shí)

(一)從結(jié)構(gòu)角度區(qū)分晶體與非晶體…“’

1.晶體與非晶體

晶體ll√u'ι^

粒子在三維空間里

結(jié)構(gòu)特征粒子無序排列

呈周期性有序排列___________________

良葩性無

性質(zhì)

??___固定不固定

特征

異同表現(xiàn)各向異性無各向異性

外觀__________有規(guī)則的幾何外形無規(guī)則的幾何外形

間接方

區(qū)別有固定熔點(diǎn)無固定熔點(diǎn)

法

方法

科學(xué)方法對(duì)固體進(jìn)行X-射線衍射實(shí)驗(yàn)_____________

(1)熔融態(tài)物質(zhì)凝固

(2)氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)

(3)溶質(zhì)從溶液中析出

(二)晶胞

概念晶體結(jié)構(gòu)中基本的重復(fù)單元

形狀大小、形狀完全相同的平行六面體

晶體中晶胞的排列方式無隙并置一

某晶胞中的微粒，如果被“個(gè)晶胞所共有，則微粒的!屬于該晶

“切割法”計(jì)算rr~

_____________________________胞___________

［辨易錯(cuò)］

(1)有規(guī)則幾何外形的固體就是晶體。(X)

(2)晶體有固定的熔點(diǎn)，可以用此方法區(qū)分晶體與非晶體。N)

(3)同一物質(zhì)可能是晶體，也可能是無定型。N)

(4)缺角的NaCI晶體在飽和NaCl溶液中會(huì)慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊。N)

(5)已知晶胞的組成就可推知晶體的組成。N)

關(guān)鍵能力?進(jìn)階

S能力點(diǎn)一：晶體與非晶體的判斷

遷移應(yīng)用

1.下列關(guān)于晶體的說法正確的是()

A.粉末狀的硝酸鉀固體沒有多面體外形，故為非晶體

B.晶體呈現(xiàn)自范性的過程是非自發(fā)的過程

C.瑪瑙和水晶皆為晶體，二者都是熔融二氧化硅凝固所形成的

D.當(dāng)晶體生長(zhǎng)速率適當(dāng)時(shí)才可得到規(guī)則的多面體外形

【解析】選D。A項(xiàng)：有的固體粉末，肉眼看不到晶體外形。放到光學(xué)顯微鏡下才可以看到整齊規(guī)則的晶

體外形：B項(xiàng)：晶體自范性的呈現(xiàn)是一個(gè)自發(fā)的過程；C項(xiàng)：瑪瑙是熔融態(tài)SiCh快速冷卻形成的，而水晶

則是熱液緩慢冷卻形成的；D項(xiàng)：熔融態(tài)物質(zhì)冷卻凝固速率過快只能得到看不到規(guī)則外形的粉末或塊狀物,

瑪瑙的形成就是一個(gè)例子。

2.如圖是某固體的微觀結(jié)構(gòu)示意圖，認(rèn)真觀察兩圖，判斷下列說法正確的是()

B.I形成的固體物理性質(zhì)有各向異性

C.∏形成的固體一定有固定的熔、沸點(diǎn)

D.二者的X-射線圖譜是相同的

【解析】選B。觀察結(jié)構(gòu)圖知，I中微粒呈周期有序排列，II中微粒排布不規(guī)則，故I為晶體，II為非晶

體。晶體具有各向異性，具有固定熔點(diǎn)，非晶體沒有固定熔點(diǎn)，用X-射線檢驗(yàn)兩者，圖譜明顯不同。

r技法積累

請(qǐng)總結(jié)判斷固體是不是晶體最可靠的方法。

提示：X射線衍射實(shí)驗(yàn)

/能力點(diǎn)二：晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算

①長(zhǎng)方體(包括立方體)晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算

②非長(zhǎng)方體：如三棱柱

示例：

CaF2的晶胞如圖所示。該晶胞含Ca2+4個(gè)，F(xiàn)8個(gè)。

OCa2+F-

遷移應(yīng)用

1.(2021.廣東選擇考節(jié)選)理論計(jì)算預(yù)測(cè)，由汞(Hg)、楮(Ge)、睇(Sb)形成的一種新物質(zhì)X為潛在的拓?fù)浣^

緣體材料。X的晶體可視為Ge晶體(晶胞如圖a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。

①圖b為Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu)，它不是晶胞單元，理由是

②圖C為X的晶胞，X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為；該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比

Hg：Ge：Sb=<.

【解析】①對(duì)比圖b和圖C可得X晶體的晶胞中上下兩個(gè)單元內(nèi)的原子位置不完全相同，不符合晶胞是晶

體的最小重復(fù)單元要求。

②以晶胞上方立方體中右側(cè)面心中Hg原子為例，同一晶胞中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為2,晶胞右側(cè)

中有2個(gè)Sb原子與Hg原子距離最近，因此X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為4；該晶胞中Sb原

子均位于晶胞內(nèi)，因此1個(gè)晶胞中含有Sb原子數(shù)為8,Ge原子位于晶胞頂點(diǎn)、面心、體心，因此1個(gè)晶

胞中含有Ge原子數(shù)為1+8×∣+4×∣=4,Hg原子位于棱邊、面心,因此1個(gè)晶胞中含有Hg原子數(shù)為6×∣

+4×∣=4,則該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比Hg：Ge：Sb=4：4：8=1：1：2o

答案：①不符合晶胞是晶體的最小重復(fù)單元要求②41：1：2

2.(2021?湖南選擇考節(jié)選)如圖是Mg、Ge、O三種元素形成的某化合物的晶胞示意圖。

物的化學(xué)式為______________________________。

【解析】由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于頂點(diǎn)、面心、棱上和體內(nèi)的X原子為8×∣+6×∣+4×^+3=8,

位于體內(nèi)的Y原子和Z原子分別為4和16,由Ge和O原子的個(gè)數(shù)比為1：4可知，X為Mg原子、Y為

Ge原子、Z為O原子，則晶胞的化學(xué)式為MgzGeOs

答案：C)Mg2GeO4

考點(diǎn)二：幾種簡(jiǎn)單的晶體結(jié)構(gòu)(綜合性考點(diǎn))

必備知識(shí)?夯實(shí)

從微粒及其相互作用角度認(rèn)識(shí)四種晶體結(jié)構(gòu)

1.晶體結(jié)構(gòu)模型

(1)共價(jià)晶體

①金剛石

a.每個(gè)碳原子與相鄰4個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)。

o,

b.鍵角均為10928o

c.最小碳環(huán)由6個(gè)C組成且6個(gè)碳原子不在同一平面內(nèi)。

d.每個(gè)C參與4條C-C鍵的形成，C原子數(shù)與C-C鍵數(shù)之比為1：2。

②SiO2

a.每個(gè)Si與4個(gè)O以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)。

b.每個(gè)正四面體占有1個(gè)Si,4個(gè)TO"，MSi)：Mo)=I:2。

c.最小環(huán)上有12個(gè)原子，即6個(gè)0,6個(gè)Si。

（2）分子晶體

a.8個(gè)CO2分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)面心上各有1個(gè)CO2分子。

b.每個(gè)CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有12個(gè).

（3）離子晶體

①NaCl型（Li、Na、K和Rb的鹵化物、AgF.MgO等）

a.Na+、C「的配位數(shù)均為6。

b.每個(gè)Na+（C「）周圍緊鄰（距離最近且相等）的C「（Na+）構(gòu)成正八面體。

c.每個(gè)Na+（C1）周圍緊鄰的Na+（C個(gè)）有12個(gè)。

d.每個(gè)晶胞中含有4個(gè)Na+、4個(gè)Cl，

②CSCI型（CSBr、CsLNHQ等）

a.Cs?Cl的配位數(shù)均為8。

b.每個(gè)Cs"（C「）周圍緊鄰的Cl-（CS+）構(gòu)成正六面體。

c.每個(gè)Cs+（C廠）周圍緊鄰的Cs+（C「）有6個(gè)。

d.每個(gè)晶胞中含1個(gè)Cs+、1個(gè)CJ

③ZnS型（Be0、BeS等）

a.Zn2?S?-的配位數(shù)均為4。

b.每個(gè)Zn2+（S2一）周圍緊鄰的S2-（ZM+）構(gòu)成正四面體。

c.每個(gè)晶胞中有4個(gè)S2-、4個(gè)Zn2+。

d.Zr?+與S?-之間的最短距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的;。

（S）CaF2型

a.Ca?+的配位數(shù)為8,F一的配位數(shù)為4,二者的配位數(shù)之比等于二者電荷（絕對(duì)值）之比。

b.每個(gè)F周圍緊鄰的4個(gè)Ca?’構(gòu)成正四面體，每個(gè)Ca?'周圍緊鄰的8個(gè)F構(gòu)成立方體。

c.每個(gè)晶胞中有4個(gè)Ca2+、8個(gè)F,

d.Ca?+與F之間的最短距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的（。

（4）金屬晶體

原子空

每個(gè)晶胞包含原子

晶胞結(jié)構(gòu)舉例配位數(shù)間利用

數(shù)

率

Ca>AkCu>Ag、

O12474%

Pt>Au

O

Li>Na、K、Ba8268%

O

(I

PMg、Zn、Ti126(2)74%

(

7——(?

Po6152%

--?

2.晶體的性質(zhì)比較

金屬晶體分子晶體離子晶體共價(jià)晶體

構(gòu)成粒子≡H≡≡1Γ分子陰、陽(yáng)離子原子

由電壬

作用力一金屬鍵分子而作角力_離子鍵買價(jià)鍵一

物熔沸點(diǎn)有的很大,有的較高S________

理硬度很小較小g?____________?

性導(dǎo)電性、導(dǎo)一般不導(dǎo)電,溶

良好的導(dǎo)電性、固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)或

質(zhì)熱性、延展于水后有的導(dǎo)一般不具有導(dǎo)電性

導(dǎo)熱性、延展性水溶液中導(dǎo)電

性_________電_____________

【微點(diǎn)撥】不同晶體微粒間相互作用強(qiáng)弱的判斷

金屬晶體分子晶體離子晶體共價(jià)晶體

金屬陽(yáng)離子半徑越相對(duì)分子質(zhì)量越大、陰陽(yáng)離子的半徑越

原子半徑越小即鍵

作用力強(qiáng)弱小、所帶電荷數(shù)越形成氫鍵，分子間作小、所帶電荷數(shù)越

長(zhǎng)越短，鍵能越大

多，金屬鍵越強(qiáng)用力越強(qiáng)多，晶格能越大

3.晶格能

(1)概念：氣態(tài)離子形成Imol離子晶體釋放的能量，通常取正值，單位kJ?moir<.

(2)影響因素：

①離子半徑：半徑越小，晶格能越大

②離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越大。

(3)與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系：晶格能越大，熔沸點(diǎn)越高，硬度越大，晶體越穩(wěn)定。

【辨易錯(cuò)】

①分子晶體中都含有共價(jià)鍵。(X)

②常溫下，金屬單質(zhì)都是以金屬晶體的形式存在。(X)

③金屬晶體的熔點(diǎn)一定比分子晶體的熔點(diǎn)高。(X)

④Co2和Sio2是同主族元素的氧化物，它們的晶體結(jié)構(gòu)相似，性質(zhì)也非常相似?(X)

關(guān)鍵能力?進(jìn)階

V能力點(diǎn)一：晶體類型的判斷依據(jù)

(1)依據(jù)構(gòu)成晶體的粒子及粒子間的作用力

(2)依據(jù)物質(zhì)類別

(3)依據(jù)晶體的熔沸點(diǎn)

(4)依據(jù)導(dǎo)電性

(5)依據(jù)硬度大小

遷移應(yīng)用

1.(2021?全國(guó)甲卷節(jié)選)太陽(yáng)能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅。Si的價(jià)電子層的電子排布式為

單晶硅的晶體類型為。

【解析】基態(tài)Si原子的核外電子排布式為Is22s22p63s23p2,因此Si的價(jià)電子層的電子排布式為3s23p2;晶

體硅中Si原子與Si原子之間通過共價(jià)鍵相互結(jié)合，整塊晶體是一個(gè)三維的共價(jià)鍵網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，因此晶體硅

為共價(jià)晶體。

答案：3s23p2共價(jià)晶體

2.四乙醉鈦能增加橡膠在金屬表面的黏附性。Ti(OCH2CH3)4可溶于有機(jī)溶劑，常溫下為淡黃色透明液體,

其晶體類型為。

【解析】Ti(OCH2CH3)4可溶于有機(jī)溶劑，有機(jī)溶劑大多數(shù)都是分子晶體，根據(jù)相似相溶，Ti(OCH2CH3)4

是分子晶體。

答案：分子晶體

【加固訓(xùn)練】

(2022?青島模擬)HgCb稀溶液可用作外科手術(shù)刀消毒劑，HgCL晶體熔點(diǎn)較低，熔融狀態(tài)下不導(dǎo)電。HgCI2

屬于化合物(填“離子”或"共價(jià)

【解析】因?yàn)镠gCl2晶體熔點(diǎn)較低，熔融狀態(tài)下不導(dǎo)電，所以HgCl2屬于共價(jià)化合物。

答案：共價(jià)

一能力點(diǎn)二：晶體熔沸點(diǎn)高低的比較

(1)不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低規(guī)律。

一般為共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)有的很高(如鴇)，有的很低(如汞)。

(2)同屬于共價(jià)晶體。

一般組成晶體的原子半徑越小，熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn)：金剛石(C—C)>碳化硅(Si-C)>晶體硅(Si—Si)。

(3)同屬于離子晶體。

離子所帶電荷越多，離子半徑越小，則離子鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn)：MgO>NaCI>CsCL

(4)同屬于金屬晶體。

金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，半徑越小，金屬鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn)：Al>Mg>Na0

(5)同屬于分子晶體。

分子間作用力越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。

①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，一般相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn)：

I2>Br2>cl2>F20

②相對(duì)分子質(zhì)量相同或相近的物質(zhì)，分子的極性越大，熔、沸點(diǎn)越高。如沸點(diǎn)：CO>N2O

③同分異構(gòu)體之間：

A.一般是支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。如沸點(diǎn)：正戊烷>異戊烷>新戊烷。

B.結(jié)構(gòu)越對(duì)稱，熔、沸點(diǎn)越低。如沸點(diǎn)：鄰二甲苯>間二甲苯>對(duì)二甲苯。

④若分子間有氫鍵，則分子間作用力比結(jié)構(gòu)相似的同類晶體大，故熔、沸點(diǎn)較高，如沸點(diǎn)：HF>HI>HBr>HCU

⑤狀態(tài)不同的物質(zhì)在相同條件下，熔、沸點(diǎn)：固體>液體>氣體。例如：S>Hg>θ2o

遷移應(yīng)用

1.(l)(2021?全國(guó)甲卷節(jié)選)甲醇的沸點(diǎn)(64.7C)介于水(IOo℃)和甲硫醇(CH3SH,7.6℃)之間,其原因是

(2)(2021?廣東選擇考節(jié)選)H?S、CH4、H2O的沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)椤?/p>

【解析】(1)甲醇分子之間和水分子之間都存在氫鍵，因此沸點(diǎn)高于不含分子間氫鍵的甲硫醇，水分子之間

氫鍵的數(shù)目較多，因此甲醇的沸點(diǎn)介于水和甲硫醇之間。

(2)H2S>CH4、H2O均為分子晶體，比0分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)較高，H2S>CH4的分子間范德華力隨相對(duì)

分子質(zhì)量增大而增加，因此沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)镠2O>H2S>CH4O

答案：（1）甲硫醇不能形成分子間氫鍵，而水和甲醇均能，且水比甲醇的氫鍵多

（2）H2O>H2S>CH4

2.（2021?湖南選擇考）硅、錯(cuò)（Ge）及其化合物廣泛應(yīng)用于光電材料領(lǐng)域?；卮鹣铝袉栴}：

（1）基態(tài)硅原子最外層的電子排布圖為,晶體硅和碳化硅熔點(diǎn)較高的是

_______________________（填化學(xué)式）；

（2）硅和鹵素單質(zhì)反應(yīng)可以得到SiX4O

SiX4的熔沸點(diǎn)

SiFlSiCl4SiBr1SiI1

熔點(diǎn)/K183.0203.2278.6393.7

沸點(diǎn)/K187.2330.8427.2560.7

_（填化學(xué)式），沸點(diǎn)依次升高的原因是

（TC時(shí)，SiF4、SiCl4>SiBr4、SiI4呈液態(tài)的是____________________

_______________________,氣態(tài)SiX4分子的空間構(gòu)型是___________________________________O

3s,3p,

【解析】（1）硅元素的原子序數(shù)為14,價(jià)電子排布式為3s23p2,則最外層電子排布圖為附ItltlI；共價(jià)

晶體的熔點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的強(qiáng)弱，晶體硅和碳化硅都是共價(jià)晶體，碳原子的原子半徑小于硅原子，非金屬

性強(qiáng)于硅原子，碳硅鍵的鍵能大于硅硅鍵、鍵長(zhǎng)小于硅硅鍵，則碳硅鍵強(qiáng)于硅硅鍵，碳化硅的熔點(diǎn)高于晶

體硅；（2）由題給熔沸點(diǎn)數(shù)據(jù)可知，0℃時(shí)，四氟化硅為氣態(tài)，四氯化硅為液態(tài)，四淡化硅、四碘化硅為固

態(tài)；分子晶體的沸點(diǎn)取決于分子間作用力的大小，SiX4都是結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大,

分子間作用力依次增大，則SiX4的沸點(diǎn)依次升高；SiX4分子中硅原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,孤電子對(duì)數(shù)為

0,則分子的空間構(gòu)型為正四面體形。

3s3p

答案：（1）[∏]ISiC

（2）SiCl4SiX4都是結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增大正四面體形

考點(diǎn)三：過渡晶體與混合型晶體液晶納米材料（基礎(chǔ)性考點(diǎn)）

必備知識(shí)?夯實(shí)

（一）從微粒的相互作用認(rèn)識(shí)過渡晶體與混合型晶體

1.過渡晶體

（1）概念：有些晶體的化學(xué)鍵既不是純粹的離子鍵，也不是純粹的共價(jià)鍵，所以這些晶體既不是純粹的離子

晶體也不是純粹的共價(jià)晶體，只是離子晶體與共價(jià)晶體之間的過渡晶體。

⑵具體實(shí)例：

①偏向離子晶體的過渡晶體在許多性質(zhì)上與純粹的離子晶體接近，因而通常當(dāng)作離子晶體來處理，如NaaO

等。

②偏向共價(jià)晶體的過渡晶體則當(dāng)作共價(jià)晶體來處理，如SiCh等。

2.混合型晶體——石墨

（1）石墨晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

所有碳原子均采取近雜化，形成平面六元并環(huán)結(jié)構(gòu)，因而石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)。

①層內(nèi)每個(gè)碳原子以共價(jià)鍵與周圍的3個(gè)C原子結(jié)合，層內(nèi)最小環(huán)由6個(gè)C原子組成；每個(gè)C原子被3

個(gè)最小環(huán)所共用；每個(gè)最小環(huán)含有復(fù)個(gè)C原子；C原子與碳碳鍵個(gè)數(shù)比為2：3。

②層間沒有化學(xué)鍵相連，是靠范德不力結(jié)合的;所以石墨是混合型晶體。

（2）石墨晶體的導(dǎo)電性和潤(rùn)滑性

導(dǎo)電性潤(rùn)滑性

沒有參與雜化的2p電子形成離域式JL鍵，pl

層與層之間是范德華力結(jié)合，作用力弱，可以

原因子可以在整個(gè)碳原子平面中運(yùn)動(dòng)，所以石墨的

相對(duì)滑動(dòng)，所以具有潤(rùn)滑性

導(dǎo)電性只能沿石墨平面的方向

【微點(diǎn)撥】石墨的熔點(diǎn)比金剛石高。

（二）液晶納米材料

液晶納米材料

在一定溫度范圍內(nèi)既具有液體的

三維空間尺寸至少有一維處于納

定義可流動(dòng)性，又具有晶體各向異性

米尺度的、具有特定功能的材料

__________的聚集狀態(tài)__________

結(jié)構(gòu)納米顆粒內(nèi)部具有晶狀結(jié)構(gòu)，原

液晶內(nèi)部分子的排列沿分子長(zhǎng)軸

特點(diǎn)子排列有序;而界面則為無序結(jié)

方向呈現(xiàn)出有序的排列

_____________?_______________

液晶顯示器、電子表、計(jì)算器、化妝品、涂料、食品、化纖布料、

性質(zhì)與用途

___________數(shù)字儀表______________________隱形飛機(jī)___________

聯(lián)苯液晶、苯基環(huán)己烷液晶及酯

種類富勒烯、石墨烯、碳納米管

___________類液晶等___________

【辨易錯(cuò)】

①納米材料是一種非晶體。（X）

②納米材料具有丁達(dá)爾效應(yīng)。（X）

③液晶內(nèi)部分子沿分子長(zhǎng)軸方向有序排列，使液晶具有各向異性。（Y）

④納米材料包括納米顆粒與顆粒間的界面兩部分，兩部分中原子都排列有序。（X）

關(guān)鍵能力?進(jìn)階

遷移應(yīng)用

1.（2022?廣州模擬）下列說法不正確的是（）

A.液晶態(tài)介于晶體狀態(tài)和液態(tài)之間，液晶具有一定程度的晶體的有序性和液體的流動(dòng)性

B.常壓下，O℃時(shí)冰的密度比水的密度小，水在4°C時(shí)密度最大，這些都與分子間的氫鍵有關(guān)

C.金屬易導(dǎo)電、易導(dǎo)熱、有延展性、易銹蝕均能用金屬的電子氣理論解釋

D.石墨晶體中既有共價(jià)鍵，又有金屬鍵還有范德華力，是一種混合型晶體

【解析】選C。A.液晶態(tài)是指介于晶體和液體之間的物質(zhì)狀態(tài)，像液體具有流動(dòng)性，像固體具有晶體的有

序性，故A正確；B.冰中存在氫鍵，具有方向性和飽和性，其體積變大，則相同質(zhì)量時(shí)冰的密度比液態(tài)水

的密度小，故B正確；C金屬易銹蝕與金屬晶體結(jié)構(gòu)無關(guān)、與化學(xué)性質(zhì)有關(guān)，金屬的化學(xué)性質(zhì)比較活潑，

容易被空氣中的氧氣所氧化，故金屬易腐蝕不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋，故C錯(cuò)誤；D.石墨晶體層與層

之間是分子間作用力，所以石墨晶體中的作用力有共價(jià)鍵、分子間作用力，石墨中有像金屬一樣的金屬鍵,

故D正確。

2.（2022.煙臺(tái)模擬）下列關(guān)于物質(zhì)特殊聚集狀態(tài)結(jié)構(gòu)的敘述中，錯(cuò)誤的是（）

A.等離子體的基本構(gòu)成微粒是帶電的離子和電子及不帶電的分子或原子

B.非晶體基本構(gòu)成微粒的排列是長(zhǎng)程無序和短程有序的

C.液晶內(nèi)部分子沿分子長(zhǎng)軸方向有序排列，使液晶具有各向異性

D.納米材料包括納米顆粒和顆粒間的界面兩部分，兩部分都是長(zhǎng)程有序的

【解析】選D。A.等離子體是呈準(zhǔn)電中性的，其構(gòu)成微粒可以是帶電粒子或中性粒子，故A正確；B.非

晶體排列長(zhǎng)程無序和短程有序，故B正確；C.液晶分子沿分子長(zhǎng)軸方向有序排列，使液晶具有各向異性，

故C正確；D.納米顆粒是長(zhǎng)程有序的晶狀結(jié)構(gòu)，界面卻是長(zhǎng)程無序和短程無序的結(jié)構(gòu)，故D錯(cuò)誤。

【加固訓(xùn)練】有關(guān)液晶的敘述，不正確的是()

A.液晶既具有液體的流動(dòng)性，又具有晶體的各向異性

B.液晶最重要的用途是制造液晶顯示器

C.液晶不是物質(zhì)的一種聚集狀態(tài)

D.液晶分子聚集在一起時(shí)，其分子間相互作用很容易受溫度、壓力和電場(chǎng)的影響

【解析】選C。液晶是物質(zhì)的一種聚集狀態(tài)，故C選項(xiàng)錯(cuò)誤。

考點(diǎn)四：配合物與超分子(基礎(chǔ)性考點(diǎn))

必備知識(shí)?夯實(shí)

(一)從結(jié)構(gòu)角度認(rèn)識(shí)配合物

1.配位鍵

(I)定義：一方提供空軌道,另一方提供孤電子對(duì)而形成的共價(jià)鍵被稱為配位鍵。

(2)基本概念

①中心原子(離子)：提供空軌道。

②配位體：提供孤電子對(duì)

③配位數(shù)：提供孤電子對(duì)的離子或分子的數(shù)目。

(3)配位鍵具有飽和性和方向性。

(4)表示方法：電子對(duì)給予體T電子對(duì)接受體。

2.配合物

(1)定義：中心離子或原子與配體以膽位鍵結(jié)合形成的化合物稱為配位化合物，簡(jiǎn)稱配合物。

(2)組成:

[Cu(NH)]SO

lFV344

配

內(nèi)

位配配外

界

原體位界

(

子數(shù)

配

離

子

(3)形成條件:

中性分子

配體：有孤電子對(duì),

離子

I中心原子：有空軌道

(二)超分子

定義微粒間的作用力大小特征及其應(yīng)廣

由兩種或兩種以上非共價(jià)鍵(包括氫

的分子通過分子間鍵、靜電作用、疏分子識(shí)別如：分離

有的有限，有的無

超分子