半導(dǎo)體行業(yè)深度：市場(chǎng)回暖疊加HPC題材刺激封裝迎投資機(jī)遇

年有所下滑，。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)，年中國(guó)封裝市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到億元，同比增長(zhǎng)預(yù)測(cè)的全球水平，但年有望維持溫和復(fù)蘇，分別同比增長(zhǎng)、封裝位于集成電路制造末端，封測(cè)企業(yè)營(yíng)收與半導(dǎo)體銷售額強(qiáng)相關(guān)，半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇將帶動(dòng)封裝行業(yè)復(fù)蘇。刺激下，先進(jìn)封裝迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇隨著AI越多應(yīng)用場(chǎng)景以及芯片對(duì)高算力、高帶寬、低延遲、低功耗、更多內(nèi)存以及系統(tǒng)集成提出了要求全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模2022-2028達(dá)到9預(yù)測(cè)全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模有望從年的億美元，。對(duì)于不同的封裝技術(shù)，從市場(chǎng)份額看，、和將成為主要的先進(jìn)封裝，封裝的增速最快，預(yù)計(jì)將從億美元增長(zhǎng)至年的億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)。從出貨量看，、封裝則在出貨量上處于領(lǐng)先地位年全球封裝市場(chǎng)中先進(jìn)，明顯低于全球水平，也意味著中國(guó)市場(chǎng)中先進(jìn)封裝更具成長(zhǎng)空間。投資建議基于半導(dǎo)體市場(chǎng)回暖預(yù)期、后摩爾時(shí)代封裝的投資機(jī)遇、）長(zhǎng)電科技（，國(guó)內(nèi)封裝龍頭，規(guī)模大、技術(shù)全、服務(wù)范圍通富微電（Z，封測(cè)行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，與AMD深度合作。甬矽電子（，封裝新銳，業(yè)務(wù)聚焦以P為主的先進(jìn)封裝。同時(shí)也建議關(guān)注具有存儲(chǔ)芯片封測(cè)業(yè)務(wù)的太極實(shí)業(yè)（）和深科技（.Z。風(fēng)險(xiǎn)提示：半導(dǎo)體市場(chǎng)反彈不及預(yù)期制程芯片供應(yīng)鏈帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)內(nèi)容目錄封裝介紹 5封裝簡(jiǎn)介 5封裝工藝 5封裝發(fā)展趨勢(shì) 6主要先進(jìn)封裝技術(shù)介紹 8單芯片密度提升 8多芯片集成 行業(yè)現(xiàn)狀 行業(yè)集中度高 主要分布于亞太地區(qū) 向上下游發(fā)展 投資邏輯 16半導(dǎo)體市場(chǎng)迎來(lái)復(fù)蘇 2.1.12023年觸底反彈 2.1.22024年預(yù)期增長(zhǎng) 2.1.3半導(dǎo)體復(fù)蘇帶動(dòng)封裝增長(zhǎng) HPC/AI加速先進(jìn)封裝發(fā)展 重點(diǎn)公司 21長(zhǎng)電科技 通富微電 甬矽電子 風(fēng)險(xiǎn)提示 25圖表目錄圖1：集成電路生產(chǎn)流程 5圖2：塑料封裝組裝工藝 6圖3：封裝的主要作用 6圖4：成品芯片示意圖 6圖5：摩爾定律放緩 7圖6：摩爾定律止步于28nm 7圖7：半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì) 7圖8：BGA示意圖（宏觀） 9圖9：BGA示意圖（微觀） 9圖10：引線鍵合與倒片封裝 9圖倒片封裝示意圖 9圖12：傳統(tǒng)封裝與晶圓級(jí)封裝對(duì)比 10圖13：扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（FIWLCSP） 10圖14：扇出型晶圓級(jí)芯片封裝（FOWLCSP） 10圖15：硅通孔封裝工藝流程圖 圖16：2D與封裝差異 12圖示意圖 13圖示意圖 13圖與SoC之比 13圖20：2022年全球前大封測(cè)玩家營(yíng)收（百萬(wàn)美元） 14圖21：封測(cè)廠與上下游交叉 15圖22：2022年先進(jìn)封裝廠市場(chǎng)份額 16圖23：頭部企業(yè)2022年資本開支預(yù)測(cè) 16圖24：2022年封裝資本開支結(jié)構(gòu) 16圖25：全球半導(dǎo)體年度銷售額（10億美元） 17圖26：全球半導(dǎo)體月度銷售額（10億美元） 17圖27：中國(guó)半導(dǎo)體年度銷售額（10億美元） 17圖28：中國(guó)半導(dǎo)體月度銷售額（10億美元） 17圖29：全球封裝市場(chǎng)規(guī)模（億美元） 19圖30：中國(guó)封裝市場(chǎng)規(guī)模（億元） 19圖31：先進(jìn)封裝發(fā)展機(jī)遇與應(yīng)用場(chǎng)景 19圖32：全球封裝市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 20圖33：中國(guó)封裝市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 20圖34：封裝市場(chǎng)增長(zhǎng)情況與行業(yè)差異 20圖35：2022-2028年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模（十億美元） 21圖36：長(zhǎng)電科技營(yíng)收及同比增速 22圖37：長(zhǎng)電科技?xì)w母凈利潤(rùn)及同比增速 22圖38：長(zhǎng)電科技海外營(yíng)收占比 22圖39：長(zhǎng)電科技固定資產(chǎn)及同比增速 22圖40：長(zhǎng)電科技毛利率、凈利率 22圖41：長(zhǎng)電科技銷售、管理、研發(fā)及財(cái)務(wù)費(fèi)用率 22圖42：通富微電營(yíng)收及同比增速 23圖43：通富微電歸母凈利潤(rùn)及同比增速 23圖44：通富微電海外營(yíng)收占比 23圖45：通富微電固定資產(chǎn)及同比增速 23圖46：通富微電毛利率、凈利率情況 24圖47：通富微電銷售、管理、研發(fā)及財(cái)務(wù)費(fèi)用率 24圖48：甬矽電子營(yíng)收及同比增速 24圖49：甬矽電子歸母凈利潤(rùn)及同比增速 24圖50：甬矽電子營(yíng)收產(chǎn)品分布 25圖51：甬矽電子固定資產(chǎn)及同比增速 25圖52：甬矽電子毛利率、凈利率 25圖53：甬矽電子銷售、管理、研發(fā)及財(cái)務(wù)費(fèi)用率 25表1：集成電路封裝發(fā)展階段 8表2：2022年全球封測(cè)企業(yè)前十強(qiáng) 14表3：各機(jī)構(gòu)半導(dǎo)體市場(chǎng)增速預(yù)測(cè) 17表4：WSTS對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)（億美元） 18封裝介紹封裝簡(jiǎn)介封裝工藝2090封裝環(huán)節(jié)處于集成電路生產(chǎn)的末端，裸片在通過(guò)封裝測(cè)試后便得到成品芯片。DIPSOPQFPFC、、2.5D/3D等封裝。圖1：集成電路生產(chǎn)流程資料來(lái)源：甬矽電子招股說(shuō)明書，財(cái)信證券2所示為塑料封裝在引線框架封裝和基板封裝中的工藝流程首先要經(jīng)過(guò)背面研磨ckgrndng，以達(dá)到所需厚度；2）然后進(jìn)行晶圓切割（frSwng3）選擇質(zhì)量良好的芯片，通過(guò)芯片貼裝ettch）工藝將芯片連接到引線框架或基板上；4）之后通過(guò)引線鍵合的方式實(shí)現(xiàn)芯片與基板之間的電氣連接；圖2：塑料封裝組裝工藝資料來(lái)源：海力士，財(cái)信證券將芯片和器件密封在環(huán)氧樹脂模塑料（EMC）等封裝材料中，保護(hù)它們免受物理性和化學(xué)性損壞。機(jī)械連接，電氣連將半導(dǎo)體芯片和器件產(chǎn)生的熱量迅速散發(fā)出去，防止晶體管升溫過(guò)快而無(wú)法工作。圖3：封裝的主要作用 圖4：成品芯片示意圖 資料來(lái)源：海力士，財(cái)信證券 資料來(lái)源：CFM，財(cái)信證券封裝發(fā)展趨勢(shì)摩爾定律放緩，先進(jìn)封裝作用顯現(xiàn)。18-242023年S1.6證實(shí)了晶體管成本縮放規(guī)（0.7x28nm已經(jīng)停滯，晶體管成本在后續(xù)技術(shù)迭代中保持平穩(wěn)。后摩爾時(shí)代“morethanMoore”高速信號(hào)傳輸、散熱、小型化、低成本、高可靠性、堆疊等成為封裝的發(fā)展趨勢(shì)。圖5：摩爾定律放緩 圖6：摩爾定律止步于28nm資料來(lái)源：ThePlatform，財(cái)信證券 資料來(lái)源：IEDM23SC1.6，SemiDigest，財(cái)信證券圖7：半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)資料來(lái)源：海力士，財(cái)信證券SiP2.5D/3D等先進(jìn)封裝逐漸成為主流。全球集成電路封裝技術(shù)一共經(jīng)歷了五個(gè)發(fā)展階段。第一階段為20世紀(jì)70年代以前，采用通孔插20世紀(jì)80、芯片級(jí)封裝SP）為主的第三階段，并在逐步向3（SP（FumpngTSFn-utFn-n當(dāng)前全球封裝行業(yè)的主流技術(shù)處于以為主的第三階段（Si（（uming為代表的第四階段和第五階段封裝技術(shù)邁進(jìn)。階段 時(shí)間 封裝技階段 時(shí)間 封裝技術(shù) 具體典型的封裝形式第一階段

年代以前

通孔插裝型封裝 晶體管封裝（TO、陶瓷雙列直插封裝（CDIP塑料雙列直插封裝PDP塑料有引線片式載體封（PCC塑料四邊引線扁平封（PQFP小外形第二階段第三階段

年代以后年代

表面貼裝型封裝球柵陣列封裝（BGA）芯片級(jí)封裝（CSP）

（OP（PQFN（OT雙邊扁平無(wú)引腳封裝（DFN）塑料焊球陣列封裝（PBGA（CBGA列封裝（BGA、倒裝芯片焊球陣列封裝（FC-BGA）晶圓級(jí)封裝（WLP）引線框架CSP封裝、柔性插入板CSP封裝、剛性插入板CSP封裝、圓片級(jí)CSP封裝第四階段第五階段

世紀(jì)末開始世紀(jì)前10年開始

多芯片組封裝 多層陶瓷基（MCMC多層薄膜基（MCM-D多層印制（MCM-）系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）三維立體封裝（3D）芯片上制作凸點(diǎn)（Bumping）微電子機(jī)械系統(tǒng)封裝（MEMS）晶圓級(jí)系統(tǒng)封裝-硅通孔（TSV）倒裝焊封裝（FC）表面活化室溫連接（SAB）扇出型集成電路封裝（Fan-Out）扇入型集成電路封裝（Fan-in）資料來(lái)源：甬矽電子招股說(shuō)明書，財(cái)信證券主要先進(jìn)封裝技術(shù)介紹根據(jù)技術(shù)與功能差異，可大致將先進(jìn)封裝技術(shù)分為單芯片密度提升、多芯片系統(tǒng)集CSP、FC、2.5D/3D、。單芯片密度提升（allgidaay一種用于集成電路表面貼裝的封裝技術(shù)。A是PGA（引腳柵格陣列）的后代，BGA中的引腳被封裝底部的焊盤所取代。高密度，封裝中引腳可以在整個(gè)底部分布，而不僅僅是周邊，可以提供比雙列直插式或扁平封裝更多的引熱傳導(dǎo)，PCB低電感引線，封裝和PCBCSP（芯片尺寸封裝，chipsizepackage）是BGA進(jìn)一步向小型化、薄型化方向發(fā)展形成的一種封裝技術(shù)。CSP要求芯片占封裝面積的比例大于80%。圖8：示意圖（宏觀） 圖9：示意圖（微觀）資料來(lái)源：wikipedia，財(cái)信證券 資料來(lái)源：TI，財(cái)信證券（liphi一種將芯片貼裝到封裝載體上的電氣連接方式在引線鍵合1-5mm15-35um。在封裝中，（的導(dǎo)電金屬60-10080-125(CuP)凸塊的高度通常為40μm，并有錫銀焊帽。倒片封裝能夠縮小互連長(zhǎng)度，增加信號(hào)密度，縮小芯片尺寸以及縮小封裝面積。芯片貼裝和底部填充步驟是倒裝芯片互連的關(guān)鍵1目前常見的FC封/（98.2%1.8%銀焊料。底部填充。除貼裝與底部填充外，其余封裝結(jié)構(gòu)可以采用多種格式，例如FCBGA、FCCSP。圖10：引線鍵合與倒片封裝 圖11：倒片封裝示意圖 資料來(lái)源：SK財(cái)信證券 資料來(lái)源：Amkor，財(cái)信證券WPaferevelakage是對(duì)晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)。（FI）的引線、重布層封裝（RDL）的焊盤、倒片封裝（FC）的凸點(diǎn)。WLP的主要優(yōu)勢(shì)：晶圓級(jí)封裝提升了封裝效率、減小了封裝尺寸、提高了封裝可靠性，擁有更小的封裝尺寸，更快的信號(hào)傳輸速度。圖12：傳統(tǒng)封裝與晶圓級(jí)封裝對(duì)比資料來(lái)源：cadence，財(cái)信證券WP可分為IW（扇入型晶圓級(jí)封裝OW（扇出型晶圓級(jí)封裝FIPI/OI/O數(shù)量的要求不斷提升，是在芯片的范圍之外利用5G、醫(yī)療器件處理器等低耗高頻高速的設(shè)備中。圖13：扇入型晶圓級(jí)芯片封裝圖14：扇出型晶圓級(jí)芯片封裝（FOWLCSP）資料來(lái)源：海力士，財(cái)信證券 資料來(lái)源：海力士，財(cái)信證券TS（硅通孔圖15：硅通孔封裝工藝流程圖資料來(lái)源：海力士，財(cái)信證券2.5D/3D2.5D與3D封裝兩者的主要區(qū)別在于電封封裝的芯片倒扣在中介層之上，通過(guò)一系列的微凸塊和硅通孔實(shí)現(xiàn)不同功能裸片和基底之間3DTSV多層垂直堆疊直接實(shí)現(xiàn)高密度互連，提高了IC的性能；同時(shí)因?yàn)樗试S更加緊湊的布線設(shè)計(jì)，減少了信號(hào)傳輸?shù)淖枇?，降低了IC的功耗。圖16：2D與3D封裝差異資料來(lái)源：芯路電子，財(cái)信證券多芯片集成目前電路集成化的實(shí)現(xiàn)主要有系統(tǒng)級(jí)封裝（SysteminPackage，SiP）和系統(tǒng)級(jí)芯片（SystemonaChip，SoC）兩條技術(shù)路徑。SoCSoC一顆芯片即為一個(gè)等。SIP是將單顆功能復(fù)雜的SoChpt再采用interposerSystm-n-pckgSystmI，In-Package意味著構(gòu)成芯片的、SoM（Systemon）SIP相似。的關(guān)鍵技術(shù)，通過(guò)對(duì)系統(tǒng)級(jí)芯片的復(fù)雜功能進(jìn)行分解，將IP模塊芯片化，得到一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化功能的小芯片，便稱為技術(shù)通過(guò)調(diào)整不同功能模塊的制程工藝降低制造成本，通過(guò)降低面積提高良率。圖17：Chiplet示意圖資料來(lái)源：AMD，財(cái)信證券圖18：SiP示意圖 圖19：SiP與之比資料來(lái)源：Octavo，財(cái)信證券 資料來(lái)源：Octavo，財(cái)信證券行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)集中度高重資產(chǎn)疊加規(guī)模經(jīng)濟(jì)，行業(yè)集中度高。30大（通過(guò)封測(cè)業(yè)務(wù)53481049284%圖20：2022年全球前30大封測(cè)玩家營(yíng)收（百萬(wàn)美元）140001200014000120001000080006000400020000資料來(lái)源：YOLE，財(cái)信證券主要分布于亞太地區(qū)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)集中于亞太地區(qū)。2022年全球營(yíng)收前十的5424.5%114.1%。相較于芯片的設(shè)計(jì)與制造，大陸企業(yè)在封測(cè)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力相對(duì)更強(qiáng)。表2：2022年全球封測(cè)企業(yè)前十強(qiáng)21排名22排名公司所屬地區(qū)21營(yíng)收22營(yíng)收年增長(zhǎng)21市占率22市占率11日月光ASE中國(guó)臺(tái)灣77285510.7%26.9%27.1%22安靠Amkor美國(guó)38644415.0%13.4%14.1%33長(zhǎng)電科技JCET中國(guó)大陸30533810.7%10.6%10.7%54通富微電TFME中國(guó)大陸15820529.8%5.5%6.5%45力成科技PTI中國(guó)臺(tái)灣18919319.1%6.6%6.1%66華天科技HUATIAN中國(guó)大陸1211210.3%4.2%3.9%77智路封測(cè)WiseRoad中國(guó)大陸9111019.9%3.2%3.5%88京元電子KYEC中國(guó)臺(tái)灣78848.5%2.7%2.7%109頎邦Chipbond中國(guó)臺(tái)灣6255-11.7%2.2%1.8%910南茂ChipMOS中國(guó)臺(tái)灣6354-14.6%2.2%1.7%前十大公司合計(jì)2227245910.4%77.6%78.0%全球合計(jì)287131549.8%100.0%100.0%中國(guó)臺(tái)灣116512416.5%40.6%39.4%中國(guó)大陸67677414.6%23.5%24.5%美國(guó)38644415.0%13.4%14.1%資料來(lái)源：ChipInsights，財(cái)信證券向上下游發(fā)展IDM、Foundry廠商重IC向上游晶圓廠發(fā)展。上完成重布線并通過(guò)晶圓凸點(diǎn)工藝形成與外部互聯(lián)的金屬凸點(diǎn)。包含在晶圓上制造凸點(diǎn)（umpng(TS)(Fn-out)向下游模組廠發(fā)展PCB板上的多種功能芯片，包括處理器、存儲(chǔ)器等功能芯片以及電容、電阻等元器件集成為一顆芯片，壓縮模塊體SiPFC技術(shù)的系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品部分與模組廠交叉。圖21：封測(cè)廠與上下游交叉資料來(lái)源：甬矽電子招股說(shuō)明書，財(cái)信證券先進(jìn)封裝仍以O(shè)STIouny提供更多高性能封裝22E統(tǒng)2022委外封測(cè)廠）65.1%，F(xiàn)oundry（晶圓代工廠12.3%，IDM1025%12.4%，JCET8.8%FoundryIDM企業(yè)，TSMC12.3%、Samsung9.4%6.7%Sony6.5%提供更多高性能封裝。企業(yè)正加大封裝投入2022年頭部企業(yè)資本開支的預(yù)測(cè)foundryTSMCSamsung2022年均顯著增加了資本開支；PTIJCET212022年封裝資本開支占比中ntl占比28%TSC25%、Samsung、、JCET、PTI、Tongfu、合計(jì)占比33%，IDM、Foundry在封裝上的資本投入遠(yuǎn)高于OSAT。圖22：2022年先進(jìn)封裝廠市場(chǎng)份額資料來(lái)源：YOLE，財(cái)信證券圖23：頭部企業(yè)2022年資本開支預(yù)測(cè) 圖24：2022年封裝資本開支結(jié)構(gòu)資料來(lái)源：YOLE，財(cái)信證券 資料來(lái)源：YOLE，財(cái)信證券投資邏輯半導(dǎo)體市場(chǎng)迎來(lái)復(fù)蘇2023年觸底反彈2023年半導(dǎo)體銷售額同比下滑20232從全球范圍看，1-469913%392021從中國(guó)范圍看，136421%3至21中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷與全球相似幅度更大的波動(dòng)，未來(lái)有望迎來(lái)有力反彈。圖25：全球半導(dǎo)體年度銷售額（10億美元） 圖26：全球半導(dǎo)體月度銷售額（10億美元）0

全球銷售額 同比

30% 6025%20% 5015%10% 405%0% 30-5%-10% 20-15%-20% 100

全球銷售額 同比

40.0%30.0%20.0%10.0%0.0%-10.0%-20.0%-30.0%2016-012017-012018-012019-012020-012021-012022-012023-01資料來(lái)源：SIA，財(cái)信證券 資料來(lái)源：SIA，財(cái)信證券圖27：中國(guó)半導(dǎo)體年度銷售額（10億美元） 圖28：中國(guó)半導(dǎo)體月度銷售額（10億美元）806040200

中國(guó)銷售額 同比

2030% 1820% 1610% 140% 1210-10%8-20% 6-30% 420

中國(guó)銷售額 同比

40.0%30.0%20.0%10.0%0.0%-10.0%-20.0%-30.0%-40.0%2016-012017-012018-012019-012020-012021-012022-012023-01資料來(lái)源：SIA，財(cái)信證券 資料來(lái)源：SIA，財(cái)信證券2024年預(yù)期增長(zhǎng)223年行業(yè)經(jīng)歷衰退后已逐漸復(fù)蘇2024年有望迎來(lái)反彈根據(jù)各機(jī)構(gòu)發(fā)布數(shù)據(jù)，2024年半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在衰退過(guò)后實(shí)現(xiàn)較大反彈。各大機(jī)構(gòu)對(duì)2024年的反彈力度預(yù)期Insights9.6%；STS13.1%2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)有望出現(xiàn)較為樂觀的增長(zhǎng)。表3：各機(jī)構(gòu)半導(dǎo)體市場(chǎng)增速預(yù)測(cè)機(jī)構(gòu)2023E2024FWSTS-9.4%13.1%SC-IQ-9.5%16.0%IDC-12.0%20.0%TechInsights-9.5%9.6%Gartner-10.9%16.8%資料來(lái)源：WSTS，SC-IQ，IDC，TechInsights，Gartner，財(cái)信證券WSTS20232024588413.1%16225954934.4%317512%。美洲及亞太地區(qū)貢獻(xiàn)了主要的增長(zhǎng)，歐洲及日本整體規(guī)模更小、增長(zhǎng)偏緩。從產(chǎn)品看，反彈以集成電路為主。WSTS預(yù)計(jì)，2024年集成電路市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到48753754332014.2%1.7%3.7%80%，2024年成為推動(dòng)半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵動(dòng)力。STS2024年全球模擬電路8413.7%8191917129844.8%2022、2023年連續(xù)出現(xiàn)較大跌幅。表4：WSTS對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)（億美元）市場(chǎng)規(guī)模（億美元）同比增速（%）分地區(qū)2022A2023E2024F2022A2023E2024F美洲14111325162216.2-6.122.3歐洲53957059512.85.94.3日本48247249310.2-24.4亞太330928333175-3.5-14.412全球合計(jì)5741520158843.3-9.413.1分產(chǎn)品2022A2023E2024F2022A2023E2024F分立器件340360375125.84.2光電子4394264331.2-31.7傳感器21819420113.7-10.93.7集成電路4744422248752.5-1115.5模擬電路89081184120.1-8.93.7微電路791766819-1.4-3.27邏輯電路17661749191714-0.99.6存儲(chǔ)芯片12988961298-15.6-3144.8產(chǎn)品合計(jì)5741520158843.3-9.413.1資料來(lái)源：WSTS，財(cái)信證券半導(dǎo)體復(fù)蘇帶動(dòng)封裝增長(zhǎng)半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇帶動(dòng)封裝增長(zhǎng)2024年有望迎來(lái)反彈根據(jù)據(jù)，20248999.4%2025、20264.9%1.9%年中國(guó)封裝28913.0%預(yù)測(cè)的全球水平，但2025、20265.0%、7.0%。圖29：全球封裝市場(chǎng)規(guī)模（億美元） 圖30：中國(guó)封裝市場(chǎng)規(guī)模（億元）市場(chǎng)規(guī)模 同比增速 市場(chǎng)規(guī)模 同比增速120010000

20192020202120222023E2024E2025E2026E

25.0%20.0%15.0%10.0%5.0%0.0%

3500300025002000150010000

20192020202120222023E2024E2025E2026E

12.0%10.0%8.0%6.0%4.0%2.0%0.0%-2.0%-4.0%-6.0%-8.0%資料來(lái)源：YOLE，集微咨詢，財(cái)信證券 資料來(lái)源：中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，財(cái)信證券加速先進(jìn)封裝發(fā)展高速發(fā)展，先進(jìn)封裝迎發(fā)展機(jī)遇。近年來(lái)先進(jìn)封裝占比正不斷提升，中國(guó)目前顯著落后于世界水平。預(yù)測(cè)，2023年全球封裝市場(chǎng)中先進(jìn)封裝占比為48.8%比例在近年來(lái)不斷提高，但仍明顯低于全球水平，也意味著中國(guó)市場(chǎng)中先進(jìn)封裝更具成長(zhǎng)空間。圖31：先進(jìn)封裝發(fā)展機(jī)遇與應(yīng)用場(chǎng)景資料來(lái)源：YOLE，財(cái)信證券圖32：全球封裝市場(chǎng)結(jié)構(gòu) 圖33：中國(guó)封裝市場(chǎng)結(jié)構(gòu)100%20142015201420152016201720182019202020212022E2023E2024E2025E2026E

傳統(tǒng)封裝 先進(jìn)封裝

傳統(tǒng)封裝 先進(jìn)封裝100%80%60%40%20%0%資料來(lái)源集微咨詢，財(cái)信證券 資料來(lái)源：集微咨詢，財(cái)信證券封裝技術(shù)革新正溫和進(jìn)行年443年先進(jìn)封裝市場(chǎng)份額78658%電信基礎(chǔ)設(shè)施和汽車電子為先進(jìn)封裝主要E202270%20%6%61%27%、9%3%電信基礎(chǔ)設(shè)施及汽車電子領(lǐng)域封裝價(jià)值量占比出現(xiàn)大幅增長(zhǎng)先進(jìn)封裝增長(zhǎng)主戰(zhàn)場(chǎng)。圖34：封裝市場(chǎng)增長(zhǎng)情況與行業(yè)差異資料來(lái)源：YOLE，財(cái)信證券全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模2022-2028達(dá)到9%預(yù)測(cè)全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)20224292028786億美元，2022-2028將9%對(duì)于不同的封裝技術(shù)，從市場(chǎng)份額看，F(xiàn)CCSP2.5D/3D202294億美元增長(zhǎng)至202822515.6%從出貨量看，F(xiàn)CCSP封裝則在出貨量上處于領(lǐng)先地位。圖35：2022-2028年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模（十億美元）資料來(lái)源：YOLE，財(cái)信證券3重點(diǎn)公司主要推薦理由總結(jié)：1封裝行業(yè)景氣度與半導(dǎo)體銷售額高度相關(guān)，2024年半導(dǎo)體銷售額做出了樂觀預(yù)期。后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇。等熱點(diǎn)發(fā)酵有望帶來(lái)更多先后摩爾時(shí)代更有發(fā)展先進(jìn)封裝的必要性。封裝是中國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上的優(yōu)勢(shì)環(huán)節(jié)3.1長(zhǎng)電科技長(zhǎng)電科技是全球20因此公司營(yíng)收與下游需求基本面相關(guān)性高23Q1-Q320417.6%9.760.3%13.9%4.1個(gè)百分4.8%5.1個(gè)百分點(diǎn)。海外營(yíng)收占比高，為80.6%2022年以來(lái)，公司海外營(yíng)收占比持續(xù)升高，202171.2%，23H1達(dá)到80.6%。從固定資產(chǎn)看，長(zhǎng)電科技近年來(lái)固定資產(chǎn)穩(wěn)定增長(zhǎng)。圖36：長(zhǎng)電科技營(yíng)收及同比增速 圖37：長(zhǎng)電科技?xì)w母凈利潤(rùn)及同比增速總營(yíng)收 同比增速 歸母凈利潤(rùn) 同比500

2019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3

20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%

353025201510502019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3

1600%1400%1200%1000%800%600%400%200%0%-200%資料來(lái)源：iFinD，財(cái)信證券 資料來(lái)源：iFinD，財(cái)信證券圖38：長(zhǎng)電科技海外營(yíng)收占比 圖39：長(zhǎng)電科技固定資產(chǎn)及同比增速海外營(yíng)收占比 固定資產(chǎn) 同比增長(zhǎng)82%80%78%76%74%72%70%68%66%

2019 2020 2021 2022 2023H1

500

2018 2019 2020 2021

12%10%8%6%4%2%0%-2%資料來(lái)源：iFinD，財(cái)信證券 資料來(lái)源：iFinD，財(cái)信證券圖40：長(zhǎng)電科技毛利率、凈利率 圖41：長(zhǎng)電科技銷售、管理、研發(fā)及財(cái)務(wù)費(fèi)用率銷售毛利率 銷售凈利率201816141210864202019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3

6.0%5.0%4.0%3.0%2.0%1.0%0.0%

銷售費(fèi)用率 管理費(fèi)用率研發(fā)費(fèi)用率 財(cái)務(wù)費(fèi)用率2019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3資料來(lái)源：iFinD，財(cái)信證券 資料來(lái)源：iFinD，財(cái)信證券通富微電封測(cè)行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，攜手共同成長(zhǎng)。201629億元、3950%20231593.8%-0.6413%海外營(yíng)收占比高，為74%74%，圖42：通富微電營(yíng)收及同比增速 圖43：通富微電歸母凈利潤(rùn)及同比增速總營(yíng)收 同比增速 歸母凈利潤(rùn) 同比500

2019 2020 2021 2022 2023Q1-Q3

50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%

121086420(2)

1800%2019202020192020202120222023Q1-Q31400%1200%1000%800%600%400%200%0%-200%-400%資料來(lái)源：iFinD，財(cái)信證券 資料來(lái)源：iFinD，財(cái)信證券圖44：通富微電海外營(yíng)收占比 圖45：通富微電固定資產(chǎn)及同比增速海外營(yíng)收占比 固定資產(chǎn) 同比增長(zhǎng)82%80%78%76%74%72%70%68%66%64%62%60%

2019 2020 2021 2022 2023H1

806040200

2018 2019 2020 2021

50%45%40%35%3