硅基晶圓制造單位產(chǎn)品能源消耗限額

1硅基晶圓制造單位產(chǎn)品能源消耗限額本文件規(guī)定了硅基晶圓制造單位產(chǎn)品能源消耗限額的能源限額等級、技術(shù)要求、統(tǒng)計(jì)范圍和方法、計(jì)算方法。本文件適用于硅基晶圓制造單位產(chǎn)品能耗的計(jì)算、考核，以及對新（改、擴(kuò)）建項(xiàng)目的能耗控制。本文件不適用于太陽能硅基晶圓制造，也不適用于直徑12吋以上、工藝制程28nm以下的硅基晶圓制造。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T2589綜合能耗計(jì)算方法GB/T12723單位產(chǎn)品能源消耗限額編制通則GB17167用能單位能源計(jì)量器具配備和管理通則3術(shù)語和定義GB/T2589和GB/T12723界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1硅基晶圓制造產(chǎn)品綜合能耗comprehensiveenergyconsumptionforoutputofsiliconwaferfabrication統(tǒng)計(jì)期內(nèi)，用于生產(chǎn)合格硅基晶圓制造所消耗的各種能源，按照規(guī)定的計(jì)算方法和單位分別折算后的總和。3.2硅基晶圓制造單位產(chǎn)品綜合能耗comprehensiveenergyconsumptionforunitoutputofsiliconwaferfabrication統(tǒng)計(jì)期內(nèi)，硅基晶圓制造產(chǎn)品綜合能耗與合格產(chǎn)品產(chǎn)量的比值。3.3產(chǎn)能利用率capacityutilization企業(yè)生產(chǎn)線實(shí)際年合格晶圓產(chǎn)品的產(chǎn)出與生產(chǎn)線具備的的年產(chǎn)能力的百分比。4能耗限額等級硅基晶圓制造單位產(chǎn)品能耗限額等級見表1，其中1級能耗最低。表1硅基晶圓制造單位產(chǎn)品能耗限額等級單位為kWh/cm25技術(shù)要求5.1能耗限定值現(xiàn)有硅基晶圓制造企業(yè)單位產(chǎn)品能耗限定值應(yīng)不大于表1中3級。5.2能耗準(zhǔn)入值新（改、擴(kuò)）建硅基晶圓制造企業(yè)單位產(chǎn)品能耗準(zhǔn)入值應(yīng)不大于表1中2級。5.3能耗先進(jìn)值現(xiàn)有和新（改、擴(kuò)）建硅基晶圓制造企業(yè)宜采用先進(jìn)技術(shù)，使單位產(chǎn)品能耗達(dá)到先進(jìn)水平，不大于表1中1級。6統(tǒng)計(jì)范圍和方法6.1統(tǒng)計(jì)范圍6.1.1硅基晶圓制造能耗統(tǒng)計(jì)范圍包括生產(chǎn)系統(tǒng)、輔助生產(chǎn)系統(tǒng)、附屬生產(chǎn)系統(tǒng)的各種能源消耗量，不包括外延工序和氮?dú)?、氧氣、氫氣、氬氣、氦氣等大宗氣體能耗,不包括基建、技改等項(xiàng)目建設(shè)消耗和生產(chǎn)界區(qū)向外輸出的能源量。6.1.2生產(chǎn)系統(tǒng)是指從硅基圓片和能源進(jìn)入生產(chǎn)界區(qū)開始，到制造成為合格硅基晶圓產(chǎn)品并進(jìn)入成品庫為止的整個(gè)工藝加工過程。注：硅基晶圓制造工藝加工過程主要包括：以硅基圓片襯底，管等元器件圖形結(jié)構(gòu)，并通過金屬化連接以構(gòu)成某種預(yù)期的電氣功能，通過測試最終形成6.1.3輔助生產(chǎn)系統(tǒng)是指為生產(chǎn)系統(tǒng)服務(wù)的過程、設(shè)施和設(shè)備，包括供水、供電、供氣、供熱、制冷、維修、照明、庫房和廠內(nèi)原料場所以及安全、環(huán)保、節(jié)能等裝置及設(shè)施。6.1.4附屬生產(chǎn)系統(tǒng)能耗是指為生產(chǎn)系統(tǒng)配置的生產(chǎn)指揮系統(tǒng)和為生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)的職能部門和單位的設(shè)施和設(shè)備，包括各類辦公室、操作室、休息室、更衣室、原料檢驗(yàn)、成品檢測等設(shè)施和設(shè)備。6.2統(tǒng)計(jì)方法6.2.1采用能源計(jì)量器具對統(tǒng)計(jì)期內(nèi)的能耗數(shù)量進(jìn)行計(jì)量、統(tǒng)計(jì)，不得重計(jì)和漏計(jì)，能源計(jì)量器具應(yīng)符合GB17167中的相關(guān)規(guī)定。6.2.2各種能源應(yīng)按熱值統(tǒng)一折算為電（當(dāng)量值），有實(shí)測條件的，以企業(yè)在統(tǒng)計(jì)期內(nèi)實(shí)測的熱值為準(zhǔn)，沒有實(shí)測條件的，采用GB/T2589表A.1、表A.2、表B.1中給定的能源折標(biāo)準(zhǔn)煤系數(shù)折算。6.2.3統(tǒng)計(jì)期為一個(gè)自然年。6.2.4對確屬無法分開計(jì)算的共用能源，應(yīng)按GB/T2589的規(guī)定按產(chǎn)量與能耗量的比例進(jìn)行分?jǐn)傆?jì)算。6.2.5當(dāng)產(chǎn)能利用率小于80%時(shí)，設(shè)立晶圓制造產(chǎn)能利用率能耗修正系數(shù)，見表2。表2產(chǎn)能利用率能耗修正系數(shù)能耗指標(biāo)修正系數(shù)α3能耗指標(biāo)修正系數(shù)α注：當(dāng)產(chǎn)能利用率不為整十?dāng)?shù)時(shí)，應(yīng)采用內(nèi)插法確定修正系數(shù)，如產(chǎn)能利用率75%時(shí)修正系數(shù)為1.05。6.2.6以8層光刻層為基數(shù)，設(shè)立晶圓制造光刻層數(shù)能耗修正系數(shù)，見表3。表3光刻層數(shù)能耗修正系數(shù)能耗指標(biāo)修正系數(shù)β3456789注2：以8層為基數(shù)1.0，每增（減）1層，修正系數(shù)增7計(jì)算方法7.1.1原則硅基晶圓制造產(chǎn)品綜合能耗計(jì)算應(yīng)符合GB/T2589中對計(jì)算原則和計(jì)算范圍的規(guī)定。7.1.2硅基晶圓制造產(chǎn)品綜合能耗硅基晶圓制造產(chǎn)品綜合能耗按公式(1)計(jì)算：式中：E----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅基晶圓制造產(chǎn)品綜合能耗，單位為千瓦時(shí)（kWh）；n----消耗的能源種類數(shù)；ei----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅基晶圓制造產(chǎn)品生產(chǎn)所消耗的第i類能源實(shí)物量，單位為實(shí)物量單位；ki----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅基晶圓制造所消耗的第i類能源折電能系數(shù)（參見GB/T2589表A.1、表A.2、表B.1折標(biāo)煤系數(shù)，并按0.1229千克標(biāo)準(zhǔn)煤/千瓦時(shí)(kgce/kWh)轉(zhuǎn)換為折電系數(shù)）。7.1.3硅基晶圓制造單位產(chǎn)品能耗硅基晶圓制造單位產(chǎn)品綜合能耗按公式(2)計(jì)算：4式中：e----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅基晶圓制造單位產(chǎn)品綜合能耗，單位為千瓦時(shí)每平方厘米（kWh/㎝2E----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅基晶圓制造產(chǎn)品綜合能耗，單位為千瓦時(shí)（kWh）；P----統(tǒng)計(jì)期內(nèi)生產(chǎn)合格