磁控濺射硅靶材及邦定后硅靶材

1磁控濺射硅靶材及邦定后硅靶材本標準適用于提拉或鑄造工藝制造的半導體電子器件用的各類硅YS/T276（所有部分）銦化學分2002/95/EC歐盟關(guān)于在電氣電子設備中限制使用某些有害物質(zhì)指令I(lǐng)EC62321-5-2013電工電水平的測定（Electrotechnicalproducts-Determinationoflevelsofscadmium,hexavalentchromium,polybrominatedbiphenyls,polybrominateddiphenELECTROTECHICALPRODUCTS-Par測定聚合物和電子設備中的鎘、鉛和鉻以及金屬中的鎘和鉛（Determinationofcertainsubstancesinelectrotechnicalproducts-Part5:Cadmium,leadandchromiuminleadinmetalsbyAAS,ICP-OESandICP-MS）2度達百萬分之一級(μg/g）。硅與背板之間的實際接合面積占應結(jié)合面積4.1靶材材料34.2背板材質(zhì)的要求4.2.1平面靶材的背板為銅，銅板的牌號及化學成分應符合GB/T54.3邦定材料的要求5.1產(chǎn)品分類5.1.3產(chǎn)品按供貨狀態(tài)，分為未邦定硅靶材和邦定硅靶材。5.1.4產(chǎn)品按導電類型，分為P型硅靶材和N型硅靶5.2供貨狀態(tài)5.3牌號5.4供貨狀態(tài)磁控濺射硅靶材以加工后未邦定態(tài)供貨以及加工后邦定態(tài)4Al的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Cu的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Fe的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Pb的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Ni的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Sb的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Au的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Pd的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Mg的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）As的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Sn的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Cr的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）Mn的質(zhì)量分數(shù)(μg/g）平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材的幾何尺寸應按照需方的要求及技術(shù)±0.1±0.2±0.1±0.2±0.1±0.25磁控濺射硅靶材的表面粗糙度Ra值應不大于1.6μ——磁控濺射硅靶材表面應清潔光滑，無指痕，無油污和銹蝕。邦定后硅靶材與背板的搭接率應不小于95%，同時單個不良接觸區(qū)域的面積不大于應搭接面積的磁控濺射硅靶材的化學成分分析按GB/T24582-2009的磁控濺射硅靶材的幾何尺寸及允許偏差的檢驗按GB/T6093-20016磁控濺射硅靶材的表面粗糙度的檢驗按GB/T29505-2018.1.1產(chǎn)品應由供方質(zhì)量檢驗部門進行檢驗，產(chǎn)品質(zhì)量符合本標準（或訂貨合同）的規(guī)定，并填寫質(zhì)8.1.2需方應對收到的產(chǎn)品按本標準的規(guī)定進行復驗。復驗結(jié)果與本標準（或訂貨合同）的規(guī)定不符7錠上下表面任意部位每個尺寸的邊緣和中每個表面任意部位三處4.4.34.4.64.4.7每批一份（在一批的任意一塊坯料上選（整片邦定后的硅靶4.5.38.4.3表面粗糙度檢驗不合格時，判定該89標志、包裝、運輸、貯存9.1標志b)產(chǎn)品等級、純度；j)生產(chǎn)廠家地址、電