絕緣放電基本原理 絕緣試驗(yàn) 介質(zhì)損耗正切值的測量

絕緣預(yù)防性試驗(yàn)概述第一章第二章第三章第四章第五章第六章絕緣電阻和吸收比測量介質(zhì)損耗正切值的測量局部放電的測量工頻交流耐壓試驗(yàn)直接泄露及直流耐壓試驗(yàn)絕緣油的氣相色譜分析西林電橋測量法的電磁干擾西林電橋測量法的基本原理介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的其它影響因素01介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的基本原理介質(zhì)損耗：電介質(zhì)在電壓作用下有能量損耗，電介質(zhì)的能量損耗簡稱介質(zhì)損耗。電介質(zhì)的等值電路：當(dāng)絕緣介質(zhì)劣化時(shí)，介質(zhì)損耗增加，但介質(zhì)損耗難以形成標(biāo)準(zhǔn)。介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的基本原理介質(zhì)損耗角δ為功率因數(shù)角的余角，其正切值tanδ又稱為介質(zhì)損耗因數(shù)，常用百分比(%)表示：介質(zhì)損耗角正切值只與介質(zhì)材料本身屬性有關(guān)，與電氣設(shè)備的尺寸和絕緣的結(jié)構(gòu)無關(guān)，所以對(duì)介質(zhì)損耗的測量主要是指測量介質(zhì)損耗角正切。tanδ的測量方法：西林電橋法。測量設(shè)備：（a）QS-1型西林電橋（b）智能型介質(zhì)損耗測量儀介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的基本原理QS-1型西林電橋原理接線圖介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的基本原理

西林電橋原理接線圖介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的基本原理

介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的基本原理由于絕大多數(shù)電氣設(shè)備的金屬外殼是直接放在接地底座上的，換言之，被試品的一極往往是固定接地的。這時(shí)就不能用上述正接線來測量它們的tanδ，而應(yīng)改用如圖所示的反接線法進(jìn)行測量。西林電橋反接線原理圖西林電橋測量法的電磁干擾西林電橋測量法的基本原理介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的其它影響因素01介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的電磁干擾在現(xiàn)場進(jìn)行測量時(shí)，試品和橋體往往處在周圍帶電部分的電場作用范圍之內(nèi)，雖然電橋本體及連接線都如前所述采取了屏蔽，但對(duì)試品通常無法做到全部屏蔽。這時(shí)等值干擾電源電壓就會(huì)通過對(duì)試品高壓電極的雜散電容產(chǎn)生干擾電流，影響測量。外接電源引起的電磁干擾介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的電磁干擾因?yàn)楸辉嚻返淖杩贡萊3和變壓器漏抗大得多，所以干擾電流流過R3和變壓器形成回路。（2）采用移相電源法移相電源消除干擾的接線圖介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的電磁干擾短接BD點(diǎn)，干擾電流I`和原電流Ix同時(shí)通過驗(yàn)流計(jì)G，設(shè)該電流為Ix。調(diào)節(jié)移相器，改變電源相位，使電流Ix最小，此時(shí)干擾電流與原電流相位相同，不影響介質(zhì)損耗角正切值的測量。撤消BD短接，再調(diào)節(jié)測量介質(zhì)損耗角正切值。介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的電磁干擾

介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的電磁干擾被試品實(shí)際介質(zhì)損耗角正切值為：介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的其它影響因素1.溫度的影響溫度對(duì)tanδ值的影響很大，具體的影響程度隨絕緣材料和結(jié)構(gòu)的不同而異。一般來說，tanδ隨溫度的增高而增大?，F(xiàn)場試驗(yàn)時(shí)的絕緣溫度是不一定的，所以為了便于比較，應(yīng)將在各種溫度下測得的tanδ值換算到20℃時(shí)的值。

2.試驗(yàn)電壓的影響與試驗(yàn)電壓的典型關(guān)系曲線1良好的絕緣2絕緣中存在氣隙3受潮絕緣介質(zhì)損耗正切值的測量西林電橋測量法的其它影響因素3.試品電容量的影響對(duì)于電容量較小的試品(例如套管、互感器等)，測量tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性缺陷和整體分布性缺陷。但對(duì)電容量較大的試品(例如大中型發(fā)電機(jī)、變壓器、電力電纜、電力電容器等)測量tanδ只能發(fā)現(xiàn)整體分