GB/Z 43510-2023集成電路TSV三維封裝可靠性試驗方法指南

ICS31200

CCSL.55

中華人民共和國國家標準化指導性技術(shù)文件

GB/Z43510—2023

集成電路TSV三維封裝可靠性

試驗方法指南

IntegratedcircuitTSV3Dpackagingreliabilitytestmethodsguideline

2023-12-28發(fā)布2024-04-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/Z43510—2023

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位中國電子技術(shù)標準化研究院電子科技大學華進半導體封裝先導技術(shù)研發(fā)中心

:、、

有限公司中國航天科技集團公司第九研究院第七七一研究所工業(yè)和信息化部電子第五研究所中國

、、、

科學院微電子研究所中國科學院半導體研究所

、。

本文件主要起草人李錕彭博肖克來提吳道偉周斌高見頭李文昌

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/Z43510—2023

集成電路TSV三維封裝可靠性

試驗方法指南

1范圍

本文件提供了硅通孔三維封裝的工藝開發(fā)驗證用可靠性試驗方法指南

(TSV)。

本文件適用于采用先通孔中通孔以及后通孔三種工藝流程制造的三維封裝的工藝驗證

、TSV

試驗

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

GB/T4937.44:(HAST)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分快速溫度變化雙液槽法

GB/T4937.1111:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊

GB/T4937.2020:

接熱綜合影響

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫工作壽命

GB/T4937.2323:

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分非密封表面安裝器件在可靠性

GB/T4937.3030:

試驗前的預處理

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分溫濕度貯存

GB/T4937.4242:

半導體器件集成電路第部分半導體集成電路分規(guī)范不包括混合電路

GB/T1275011:()

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分穩(wěn)態(tài)溫度濕度偏置壽命試驗

IEC60749-55:(Semi-

conductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part5:Steady-statetemperaturehumidity

biaslifetest)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫貯存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分無偏置強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

IEC60749-2424:

(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part24:Acceleratedmoistureresist-

ance—UnbiasedHAST)

半導體器件機械和氣候試驗方法第部分閂鎖試驗

IEC60749-2929:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part29:Latch-uptest)

半導體器件柵極介電層的時間相關(guān)電介質(zhì)擊穿試驗

IEC62374()(TDDB)[Semiconductorde-

vices—Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms]

半導體器件恒流電遷移試驗