單片機第一章電力電子器件

第1章電力電子器件1.1電力電子器件概述1.2不可控器件——二極管1.3半控型器件——晶閘管1.4典型全控型器件1.5其他新型電力電子器件1.6電力電子器件的驅(qū)動1.7電力電子器件的維護1.8電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)運用

2024/1/7電子電路的根底———電子器件電力電子電路的根底———電力電子器件本章主要內(nèi)容：電力電子器件的概念、特點和分類等問題。電力電子器件的任務原理、根本特性、主要參數(shù)以及選擇和運用中應留意問題。第1章電力電子器件2024/1/71.1電力電子器件概述2024/1/71〕概念:電力電子器件〔PowerElectronicDevice〕——直接用于電能的變換或控制主電路。主電路〔MainPowerCircuit〕——直接承當電能的變換或控制義務的電路。1.1.1電力電子器件的概念和特征電力電子器件2024/1/7處置電功率的才干大。任務在開關(guān)形狀。需求信息電子電路控制。功率損耗大。1.1.1電力電子器件的概念和特征2〕電力電子器件普通特征：2024/1/7通態(tài)損耗是器件功率損耗的主要成因。開關(guān)頻率較高時，開關(guān)損耗能夠是功率損耗的主要要素。主要損耗通態(tài)損耗斷態(tài)損耗開關(guān)損耗關(guān)斷損耗開通損耗1.1.1電力電子器件的概念和特征電力電子器件的損耗2024/1/7電力電子系統(tǒng)：由控制電路(檢測電路、驅(qū)動電路、維護電路)和主電路組成。V(Valve閥)圖1-1電力電子系統(tǒng)組成控制電路檢測電路驅(qū)動電路RL主電路V1V2維護電路在主電路和控制電路中附加一些電路，以保證電力電子器件和整個系統(tǒng)正常可靠運轉(zhuǎn)1.1.2電力電子系統(tǒng)組成電氣隔離控制電路2024/1/7半控型器件〔Thyristor〕——控制信號可控制其導通不能控制其關(guān)斷。全控型器件〔IGBT,MOSFET，GTO)——控制信號既可控制其導通又可控制其關(guān)斷，又稱自關(guān)斷器件。不可控器件(PowerDiode)——控制信號不能控制其通斷。1.1.3電力電子器件的分類按器件被控程度，分為三類：2024/1/7電流驅(qū)動型——控制端注入或者抽出電流來實現(xiàn)導通或關(guān)斷。電壓驅(qū)動型——電壓信號實現(xiàn)導通或者關(guān)斷。1.1.3電力電子器件的分類按驅(qū)動信號性質(zhì)，分為兩類：2024/1/7單極型雙極型復合型

1.1.3電力電子器件的分類按參與導電的載流子，分為三類：2024/1/71.2不可控器件—電力二極管整流二極管及模塊PowerDiode。運用：整流SR〔SemiconductorRectifier)快恢復二極管。運用：中、高頻整流和逆變。肖特基二極管。運用：低壓高頻整流。2024/1/7由一個面積較大的PN結(jié)和兩端引線以及封裝組成的。從外形上看，主要有螺栓型和平板型兩種封裝。圖1-2電力二極管a)外形b)構(gòu)造c)符號1.2.1PN結(jié)與電力二極管的任務原理AKAKa)IKAPNJb)c)AKAnodeKathode2024/1/7狀態(tài)參數(shù)正向?qū)ǚ聪蚪刂狗聪驌舸╇娏髡虼髱缀鯙榱惴聪虼箅妷壕S持1V反向大反向大阻態(tài)低阻態(tài)高阻態(tài)——根本原理在于單導游電性。PN結(jié)的反向擊穿〔兩種方式)雪崩擊穿齊納擊穿1.2.1PN結(jié)與電力二極管的任務原理PN結(jié)的形狀2024/1/7PN結(jié)的電荷量隨外加電壓而變化，呈現(xiàn)電容效應，該效應影響PN結(jié)的任務頻率。1.2.1PN結(jié)與電力二極管的任務原理PN結(jié)電容效應：2024/1/7伏安特性門檻電壓UTO，正向電流IF開場明顯添加所對應的電壓。與IF對應的電力二極管兩端的電壓即為其正向電壓降UF。接受反向電壓時，只需微小而數(shù)值恒定的反向漏電流。圖1-4電力二極管的伏安特性1.2.2電力二極管的根本特性IOIFUTOUFU2024/1/7 額定電流——在指定的管殼溫度和散熱條件下，允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。運用時應按電流發(fā)熱效應有效值相等的原那么來選取電流定額，并應留有一定的裕量。1.2.3電力二極管的主要參數(shù)1)正向平均電流IF(AV)2024/1/71.2.3電力二極管的主要參數(shù) 器件電流額定的選擇： 工頻正弦半波電流: 額定值：IF(AV)=Im/π,有效值：If=Im/2波形系數(shù)：Kf=If/IF(AV)=π/2=1.57有效值與額定值關(guān)系式：If=1.57IF(AV)2024/1/72〕正向壓降UF在指定溫度下，流過某一指定的穩(wěn)態(tài)正向電流時對應的正向壓降。3〕反向反復峰值電壓URRM對電力二極管所能反復施加的反向最頂峰值電壓。運用時，該當留有兩倍的裕量。1.2.3電力二極管的主要參數(shù)2024/1/71)普通二極管〔GeneralPurposeDiode〕又稱整流二極管〔RectifierDiode〕多用于開關(guān)頻率不高〔1kHz以下〕的整流電路正向電流定額和反向電壓定額可以到達很高DATASHEET1.2.4電力二極管的主要類型2024/1/7 簡稱快速二極管trr在5μS以下快恢復外延二極管〔FastRecoveryEpitaxialDiodes——FRED〕，trr低于50ns，UF也很低〔0.9V左右〕，反向耐壓多在1200V以下。DATASHEET1231.2.4電力二極管的主要類型2)、快恢復二極管〔FastRecoveryDiode——FRD〕2024/1/71.2.4電力二極管的主要類型3)肖特基二極管(DATASHEET)以金屬和半導體接觸構(gòu)成勢壘〔SchottkyBarrierDiode——SBD〕。優(yōu)點：trr短〔10-40ns) URRM低，UF低 正向功耗小，動態(tài)功耗小缺陷：URRM提高，UF也增高 反向漏電流大，溫度敏感

2024/1/71.3半控器件—晶閘管 能接受的電壓和電流容量最高，任務可靠，在大功率的場所具有重要位置。晶閘管〔Thyristor),可控硅整流器〔SiliconControlledRectifier——SCR〕2024/1/7圖1-6晶閘管a)外形b)構(gòu)造c)電氣圖形符號1.3.1晶閘管的構(gòu)造與任務原理外形有螺栓型和平板型兩種封裝2024/1/71.3.1晶閘管的構(gòu)造與任務原理常用晶閘管的構(gòu)造螺栓型晶閘管晶閘管模塊平板型晶閘管外形及構(gòu)造2024/1/71.3.1晶閘管的構(gòu)造與任務原理圖1-7晶閘管a)雙晶體管模型b)任務原理2024/1/71.3.1晶閘管的構(gòu)造與任務原理阻斷形狀：IG=0，1+2很小。流過晶閘管的漏電流稍大于兩個晶體管漏電流之和。開通形狀：1+2趨近于1的，IA趨近于無窮大，實現(xiàn)飽和導通。IA實踐由外電路決議。2024/1/71.3.1晶閘管的構(gòu)造與任務原理其它能夠?qū)ǖ那闆r：陽極電壓升高呵斥雪崩效應陽極電壓上升率du/dt過高結(jié)溫較高光觸發(fā)稱為光控晶閘管〔LightTriggeredThyristor—LTT〕。2024/1/71.3.2晶閘管的根本特性晶閘管正常任務時的特性總結(jié)如下：接受反向電壓，不論門極能否有觸發(fā)電流，晶閘管不導通。接受正向電壓時，僅在門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才干開通。晶閘管一旦導通，門極就失去控制造用。要使晶閘管關(guān)斷，只能使晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下。DATASHEET2024/1/71.3.2晶閘管的根本特性〔1〕正向特性正向阻斷形狀。IG=0，器件陽陰兩極加正向電壓，有很小的正向漏電流。器件開通。正向電壓超越正向轉(zhuǎn)機電壓Ubo，陽極電流急劇增大，電壓減小。門極電流增大，正向轉(zhuǎn)機電壓降低。晶閘管正向壓降1V左右。正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM1〕靜態(tài)特性圖1-8晶閘管的伏安特性IG2>IG1>IG2024/1/71.3.2晶閘管的根本特性反向阻斷形狀時，只需極小的反向漏電。反向擊穿后，能夠?qū)е戮чl管發(fā)熱損壞。圖1-8晶閘管的伏安特性IG2>IG1>IG正向?qū)ㄑ┍罁舸㎡+UA-UA-IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM〔2〕反向特性2024/1/71.3.3晶閘管的主要參數(shù)1〕電壓定額斷態(tài)反復峰值電壓UDRM在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許反復加在器件上的正向峰值電壓。反向反復峰值電壓URRM在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許反復加在器件上的反向峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。選用時，普通取額定電壓為正常任務時晶閘管所接受峰值電壓2-3倍。運用留意：2024/1/71.3.3晶閘管的主要參數(shù)通態(tài)平均電流IT(AV〕在規(guī)定條件下允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。額定電流的參數(shù)。運用時應按有效值相等的原那么來選取晶閘管，裕度系數(shù)1.5-2。維持電流IH使晶閘管維持導通所必需的最小陽極電流。擎住電流IL晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導通所需的最小陽極電流。通常IL=〔2-4〕IH。2〕電流定額2024/1/71.3.3晶閘管的主要參數(shù)3〕動態(tài)參數(shù)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt指在額定結(jié)溫暖門極開路的情況下，不導致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率?？墒故咕чl管誤導通。通態(tài)電流臨界上升率di/dt指在規(guī)定條件下，晶閘管能接受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。能夠呵斥部分過熱使晶閘管損壞。2024/1/71.3.4晶閘管的派生器件1〕快速晶閘管〔FastSwitchingThyristor—FST)有快速晶閘管〔400Hz以上〕和高頻晶閘管〔10kHz以上〕。開關(guān)時間及du/dt和di/dt有明顯改善。高頻晶閘管電壓和電流定額都不易做高。任務頻率較高，不能忽略開關(guān)損耗。DATASHEET2024/1/71.3.4晶閘管的派生器件2〕雙向晶閘管〔TriodeACSwitch——TRIAC或BidirectionaltriodeThyristor〕圖1-10雙向晶閘管a)電氣圖形符號b)伏安特性a)b)IOUIG=0GT1T2可以為是一對反并聯(lián)聯(lián)接的普通晶閘管。有兩個主電極T1和T2，一個門極G。運用：交流調(diào)壓、固態(tài)繼電器SSR〔SolidStateRelay)、交流電機調(diào)速等有效值表示額定電流。DATASHEET2024/1/71.3.4晶閘管的派生器件逆導晶閘管〔ReverseConductingThyristor——RCT〕a)KGAb)UOIIG=0圖1-11逆導晶閘管a)電氣圖形符號b)伏安特性晶閘管反并聯(lián)一個二極控制造在同一管芯上。優(yōu)點：正向壓降小、關(guān)斷時間短、高溫特性好、額定結(jié)溫高等。2024/1/71.3.4晶閘管的派生器件光控晶閘管〔LightTriggeredThyristor—LTT〕AGKa)AK光強度強弱b)OUIA圖1-12光控晶閘管a)電氣圖形符號b)伏安特性特點：主電路與控制電路之間絕緣，可防止電磁干擾。運用：高壓大功率場所。2024/1/71.4典型全控型器件1.4.1門極可關(guān)斷晶閘管1.4.2電力晶體管1.4.3電力場效應晶體管1.4.4絕緣柵雙極晶體管2024/1/71.4典型全控型器件門極可關(guān)斷晶閘管——在晶閘管問世后不久出現(xiàn)。20世紀80年代以來，電力電子技術(shù)進入了一個嶄新時代。典型代表——門極可關(guān)斷晶閘管、電力晶體管、電力場效應晶體管、絕緣柵雙極晶體管。2024/1/71.4典型全控型器件常用的典型全控型器件電力MOSFETIGBT單管及模塊2024/1/71.4.1門極可關(guān)斷晶閘管晶閘管的一種派生器件?？梢越?jīng)過在門極施加負的脈沖電流使其關(guān)斷。GTO的電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，在兆瓦級以上的大功率場所仍有較多的運用。DATASHEET門極可關(guān)斷晶閘管〔Gate-Turn-OffThyristor—GTO〕2024/1/71.4.1門極可關(guān)斷晶閘管構(gòu)造： 和普通晶閘管的不同點：GTO是一種多元的功率集成器件(數(shù)十個—數(shù)百個小GTO并聯(lián)〕。圖1-13GTO的內(nèi)部構(gòu)造和電氣圖形符號a)各單元的陰極、門極間隔陳列的圖形b)并聯(lián)單元構(gòu)造斷面表示圖c)電氣圖形符號1〕GTO的構(gòu)造和任務原理2024/1/71.4.1門極可關(guān)斷晶閘管GTO門極關(guān)斷的緣由是：設計2較大，使晶體管V2控制靈敏，易于GTO。導通時1+2更接近1，臨界飽和，有利門極控制關(guān)斷。多元集成構(gòu)造，使得P2基區(qū)橫向電阻很小，能從門極抽出較大電流。圖1-7晶閘管的任務原理2024/1/71.4.1門極可關(guān)斷晶閘管結(jié)論：GTO導經(jīng)過程與普通晶閘管一樣，只是導通時飽和程度較淺。GTO關(guān)斷過程中有劇烈正反響使器件退出飽和而關(guān)斷。多元集成構(gòu)造使GTO比普通晶閘管開經(jīng)過程快，接受di/dt才干強。2024/1/71.4.1門極可關(guān)斷晶閘管GTO的主要參數(shù)許多參數(shù)和普通晶閘管相應的參數(shù)意義一樣，引見意義不同的參數(shù)。2024/1/71.4.1門極可關(guān)斷晶閘管〔1〕最大可關(guān)斷陽極電流IATO〔2〕電流關(guān)斷增益offoff普通很小，只需5左右，這是GTO的一個主要缺陷。——GTO額定電流。——最大可關(guān)斷陽極電流與門極負脈沖電流最大值IGM之比稱為電流關(guān)斷增益?！?-8〕2024/1/71.4.2電力晶體管電力晶體管〔GiantTransistor——GTR，直譯為巨型晶體管〕。耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管〔BipolarJunctionTransistor——BJT〕，也稱為PowerBJT。DATASHEET12 20世紀80年代以來，在中、小功率范圍內(nèi)取代晶 閘管，目前大多被IGBT和電力MOSFET取代。2024/1/7耐壓高、電流大、開關(guān)特性好。單管β通常為10左右，達林頓接法。1.4.2電力晶體管1〕GTR的構(gòu)造和任務原理2024/1/71.4.2電力晶體管(1)

靜態(tài)特性共發(fā)射極接法時的典型輸出特性：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。電力電子電路中GTR任務在開關(guān)形狀。在開關(guān)過程中，經(jīng)過放大區(qū)。截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)OIcib3ib2ib1ib1<ib2<ib3Uce圖1-16共發(fā)射極接法時GTR的輸出特性2〕GTR的根本特性2024/1/71.4.2電力晶體管開經(jīng)過程延遲時間td和上升時間tr，二者之和為開通時間ton。加快開經(jīng)過程的方法，增大ib并增大di/dt。ibIb1Ib2Icsic0090%Ib110%Ib190%Ics10%Icst0t1t2t3t4t5tttofftstftontrtd圖1-17GTR的開通和關(guān)斷過程電流波形(2)

動態(tài)特性2024/1/71.4.2電力晶體管關(guān)斷過程儲存時間ts和下降時間tf，二者之和為關(guān)斷時間toff。加快關(guān)斷速度的方法(減小飽和深度增大負電流ib〕。GTR的開關(guān)時間在幾微秒以內(nèi)，2024/1/71.4.2電力晶體管一次擊穿：集電極電壓升高至擊穿電壓時，Ic迅速增大。只需Ic不超越限制，GTR普通不會損壞。二次擊穿：一次擊穿發(fā)生時，Ic忽然急劇上升，電壓陡然下降。經(jīng)常立刻導致器件永久損壞，或任務特性明顯衰變。3〕GTR的二次擊穿景象與平安任務區(qū)2024/1/7平安任務區(qū)〔SafeOperatingArea——SOA〕最高電壓UceM、集電極最大電流IcM、最大耗散功率PcM二次擊穿臨界限PSB限定。SOAOIcIcMPSBPcMUceUceM圖1-18GTR的平安任務區(qū)1.4.2電力晶體管2024/1/71.4.3電力場效應晶體管通常主要指絕緣柵型中的MOS型〔MetalOxideSemiconductorFET〕，簡稱電力MOSFET〔PowerMOSFET〕結(jié)型電力場效應晶體管普通稱作靜電感應晶體管〔StaticInductionTransistor——SIT〕結(jié)型和絕緣柵型2024/1/71.4.3電力場效應晶體管電壓控制，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動功率小；開關(guān)速度快，任務頻率高；熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR；無二次擊穿；電流容量小，耐壓低，適用于功率不超越10kW的場所.特點：2024/1/71.4.3電力場效應晶體管導電機理與小功率MOS管一樣，構(gòu)造上區(qū)別較大;多元集成構(gòu)造。電力MOSFET的構(gòu)造

圖1-19電力MOSFET的構(gòu)造和電氣圖形符號2024/1/71.4.3電力場效應晶體管不存在少子儲存效應，關(guān)斷過程迅速；開關(guān)時間在10-100ns之間，任務頻率可達100kHz以上，是主要電力電子器件中最高的。場控器件，靜態(tài)時幾乎不需輸入電流。開關(guān)過程中需對輸入電容充放電，需一定的驅(qū)動功率。頻率越高，需求驅(qū)動功率越大。開關(guān)速度2024/1/71.4.4絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管〔Insulated-gateBipolarTransistor—IGBT〕(DATASHEET12)GTR和MOSFET復合，結(jié)合二者的優(yōu)點。1986年投入市場，是中小功率的主導器件。繼續(xù)提高電壓和電流容量，以期取代GTO的位置。GTR和GTO的特點——雙極型，有電導調(diào)制效應，通流才干強，開關(guān)速度較低，電流驅(qū)動，驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復雜。MOSFET的優(yōu)點——單極型，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，開關(guān)速度快，電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單。2024/1/71.4.4絕緣柵雙極晶體管1)IGBT的構(gòu)造和任務原理圖1-22IGBTa)內(nèi)部構(gòu)造斷面表示圖b)簡化等效電路c)電氣圖形符號2024/1/71.4.4絕緣柵雙極晶體管IGBT的特性和參數(shù)特點可以總結(jié)如下：開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小。平安任務區(qū)比GTR大，具有耐脈沖電流沖擊才干。通態(tài)壓降比MOSFET低。輸入特性與MOSFET類似。與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流才干可進一步提高，同時堅持開關(guān)頻率高的特點。2024/1/71.5其他新型電力電子器件1.5.1MOS控制晶閘管MCT1.5.2靜電感應晶體管SIT1.5.3靜電感應晶閘管SITH1.5.4集成門極換流晶閘管IGCT1.5.5功率模塊與功率集成電路2024/1/71.5.1MOS控制晶閘管MCTMCT結(jié)合了二者的優(yōu)點：接受極高di/dt和du/dt，快速的開關(guān)過程，開關(guān)損耗小。高電壓，大電流、高載流密度，低導通壓降。MCT〔MOSControlledThyristor〕——MOSFET與晶閘管的復合(DATASHEET)2024/1/71.5.2靜電感應晶體管SIT多子導電的器件，任務頻率與電力MOSFET相當，甚至更高，功率容量更大，因此適用于高頻大功率場所。在雷達通訊設備、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應加熱等領域獲得運用。SIT〔StaticInductionTransistor〕——結(jié)型場效應晶體管2024/1/71.5.3靜電感應晶閘管SITHSITH是兩種載流子導電的雙極型器件，具有電導調(diào)制效應，通態(tài)壓降低、通流才干強。其很多特性與GTO類似，但開關(guān)速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。SITH〔StaticInductionThyristor〕——場控晶閘管〔FieldControlledThyristor—FCT〕2024/1/71.5.4集成門極換流晶閘管IGCT20世紀90年代后期出現(xiàn)，結(jié)合了IGBT與GTO的優(yōu)點，容量與GTO相當，開關(guān)速度快10倍。目前正在與IGBT等新型器件猛烈競爭，試圖最終取代GTO在大功率場所的位置。DATASHEET12IGCT〔IntegratedGate-CommutatedThyristor〕—GCT〔Gate-CommutatedThyristor〕2024/1/71.5.5功率模塊與功率集成電路20世紀80年代中后期始，模塊化趨勢，多個器件封裝在一個模塊中，稱為功率模塊。減少安裝體積，降低本錢，提高可靠性。較高任務頻率的電路，減小了線路電感，簡化了維護和緩沖電路。將器件與邏輯、控制、維護、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制造在同一芯片上，稱為功率集成電路〔PowerIntegratedCircuit——PIC〕。DATASHEET根本概念2024/1/71.5.5功率模塊與功率集成電路高壓集成電路〔HighVoltageIC——HVIC〕普通指橫向高壓器件與邏輯或模擬控制電路的單片集成。智能功率集成電路〔SmartPowerIC——SPIC〕普通指縱向功率器件與邏輯或模擬控制電路的單片集成。智能功率模塊〔IntelligentPowerModule——IPM〕那么專指IGBT及其輔助器件與其維護和驅(qū)動電路的單片集成，也稱智能IGBT〔IntelligentIGBT〕。實踐運用電路2024/1/71.5.5功率模塊與功率集成電路功率集成電路的主要技術(shù)難點：絕緣問題以及溫升和散熱的處置。以前主要在中小功率運用場所，近幾年獲得了迅速開展。功率集成電路實現(xiàn)了電能和信息的集成，成為機電一體化的理想接口。開展現(xiàn)狀2024/1/71.6電力電子器件器件的驅(qū)動1.6.1電力電子器件驅(qū)動電路概述1.6.2晶閘管的觸發(fā)電路1.6.3典型全控型器件的驅(qū)動電路2024/1/71.6.1電力電子器件驅(qū)動電路概述使電力電子器件任務在較理想的開關(guān)形狀，縮短開關(guān)時間，減小開關(guān)損耗。維護措施往往設在驅(qū)動電路中，或經(jīng)過驅(qū)動電路實現(xiàn)。驅(qū)動電路的根本義務：按控制目的的要求向電力電子器件施加開通或關(guān)斷信號。驅(qū)動電路—主電路與控制電路之間的接口2024/1/71.6.1電力電子器件驅(qū)動電路概述驅(qū)動電路的功能。

隔離、功放、整形。光電隔離：光耦合器圖1-25光耦合器的類型及接法a)普通型b)高速型c)高傳輸比型2024/1/71.6.1電力電子器件驅(qū)動電路概述電流驅(qū)動型、電壓驅(qū)動型。分立元件型，公用集成型。雙列直插式集成電路將光耦隔離電路集成在內(nèi)的混合集成電路。為到達參數(shù)最正確配合，首選廠家公用集成驅(qū)動電路。驅(qū)動電路分類2024/1/71.6.2晶閘管的觸發(fā)電路作用：產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖。觸發(fā)電路應滿足以下要求：脈沖足夠?qū)捗}沖有足夠的幅度。不超越門極電壓、電流和功率定額，且在可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)。與主電路隔離。注：IGT——在規(guī)定的條件下，使Thyristor導通的最小門極電流。tIIMt1t2t3t4圖1-26理想的晶閘管觸發(fā)脈沖電流波形t1~t2脈沖前沿上升時間〔<1s〕t1~t3強脈寬度IM強脈沖幅值〔3IGT~5IGT〕t1~t4脈沖寬度I脈沖平頂幅值〔1.5IGT~2IGT〕晶閘管觸發(fā)電路2024/1/71.6.2晶閘管的觸發(fā)電路V1、V2構(gòu)成脈沖放大環(huán)節(jié)。脈沖變壓器TM和附屬電路構(gòu)成脈沖輸出環(huán)節(jié)。圖1-27常見的晶閘管觸發(fā)電路常見的晶閘管觸發(fā)電路2024/1/71.6.3全控型器件的驅(qū)動電路 (1)GTOGTO的開通控制與普通晶閘管類似。GTO關(guān)斷控制需施加負門極電流。GTO驅(qū)動電路通常包括開通驅(qū)動電路、關(guān)斷驅(qū)動電路和門極反偏電路三部分。圖1-28引薦的GTO門極電壓電流波形OttOuGiG1、電流驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路正的門極電流5V的負偏壓2024/1/71.6.3全控型器件的驅(qū)動電路圖1-29典型的直接耦合式GTO驅(qū)動電路-15v+15v2024/1/71.6.3全控型器件的驅(qū)動電路(2)GTR開通驅(qū)動電流應使GTR處于準飽和導通形狀。關(guān)斷時，施加一定的負基極電流，有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗。關(guān)斷后應在基射極之間施加一定幅值〔6V左右〕的負偏壓。tOib圖1-30理想的GTR基極驅(qū)動電流波形2024/1/71.6.3全控型器件的驅(qū)動電路GTR的一種驅(qū)動電路。圖1-31GTR的一種驅(qū)動電路2024/1/71.6.3全控型器件的驅(qū)動電路電力MOSFET和IGBT是電壓驅(qū)動型器件。為快速建立驅(qū)動電壓，要求驅(qū)動電路輸出電阻小。使MOSFET開通的驅(qū)動電壓普通10-15V，使IGBT開通的驅(qū)動電壓普通15-20V。關(guān)斷時施加一定幅值的負驅(qū)動電壓〔普通取-5-15V〕有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗。在柵極串入一只低值電阻可以減小寄生振蕩。2、電壓驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路2024/1/71.6.3全控型器件的驅(qū)動電路(1)電力MOSFET的一種驅(qū)動電路：圖1-32電力MOSFET的一種驅(qū)動電路2024/1/71.6.3全控型器件的驅(qū)動電路(2)IGBT的驅(qū)動多采用公用的混合集成驅(qū)動器。常用的有三菱公司的M579系列和富士公司的EXB系列。2024/1/71.7電力電子器件器件的維護1.7.1過電壓的產(chǎn)生及過電壓維護1.7.2過電流維護1.7.3緩沖電路2024/1/71.7.1過電壓的產(chǎn)生及過電壓維護外因過電壓：主要來自雷擊和系統(tǒng)操作過程等外因內(nèi)因過電壓：主要來自電力電子安裝器件的開關(guān)過程換相過電壓關(guān)斷過電壓過電壓——外因過電壓和內(nèi)因過電壓2024/1/71.7.1過電壓的產(chǎn)生