半導(dǎo)體光學(xué)系統(tǒng)行業(yè)專(zhuān)題報(bào)告：國(guó)產(chǎn)超精密光學(xué)未來(lái)可期

半導(dǎo)體光學(xué)系統(tǒng)行業(yè)專(zhuān)題報(bào)告：國(guó)產(chǎn)超精密光學(xué)未來(lái)可期光學(xué)行業(yè)“掌上明珠”，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊光學(xué)行業(yè)“掌上明珠”，考驗(yàn)廠商結(jié)合制造能力工業(yè)級(jí)精密光學(xué)元器件制造難度高，應(yīng)用于高科技行業(yè)的關(guān)鍵配套器件。參考茂萊光學(xué)招股說(shuō)明書(shū)的定義，我們根據(jù)精度和用途的不同，可將光學(xué)元器件分為傳統(tǒng)光學(xué)元器件和精密光學(xué)元器件，其中精密光學(xué)元器件根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同可進(jìn)一步細(xì)分為消費(fèi)級(jí)精密光學(xué)元器件及工業(yè)級(jí)精密光學(xué)元器件。工業(yè)級(jí)精密光學(xué)元器件主要應(yīng)用于工業(yè)測(cè)量、半導(dǎo)體、生命科學(xué)、無(wú)人駕駛、生物識(shí)別、AR/VR檢測(cè)等高科技行業(yè)，對(duì)于工藝參數(shù)、技術(shù)性能、應(yīng)用環(huán)境、作用效果等方面要求較為苛刻，對(duì)制造提出了更高的要求。超精密光學(xué)元件加工技術(shù)考驗(yàn)制造與系統(tǒng)仿真的結(jié)合能力。生產(chǎn)制造高面形精度、高光潔度、低反射率的光學(xué)元件，廠商需要在光學(xué)設(shè)計(jì)、材料選擇、加工工藝和后處理方面具備優(yōu)秀的技術(shù)能力。光學(xué)設(shè)計(jì)需要將客戶的需求轉(zhuǎn)化為光學(xué)元件的幾何形狀和光學(xué)特性，并根據(jù)設(shè)計(jì)要求選擇適合的材料。在加工和后處理過(guò)程中，廠商需要將設(shè)計(jì)求轉(zhuǎn)化為加工和表面處理操作，從而達(dá)到面形精度、表面光潔度和反射率等技術(shù)參數(shù)。在原有的拋光技術(shù)、鍍膜技術(shù)、膠合技術(shù)和主動(dòng)裝調(diào)技術(shù)等制造技術(shù)的基礎(chǔ)上，根據(jù)蔡司官網(wǎng)信息，超精密光學(xué)加工還需要實(shí)現(xiàn)復(fù)雜儀器系統(tǒng)設(shè)計(jì)及仿真、高端鏡頭優(yōu)化設(shè)計(jì)及模擬分析、自動(dòng)控制及信號(hào)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)及快速實(shí)施、圖像形態(tài)學(xué)/融合/超分辨/頻率域處理等圖像算法等計(jì)算機(jī)技術(shù)，從而實(shí)現(xiàn)超精密光學(xué)元件與系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與制造。國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊，國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力超精密光學(xué)領(lǐng)域國(guó)內(nèi)超精密光學(xué)廠商設(shè)備依賴(lài)進(jìn)口，不利于國(guó)產(chǎn)光學(xué)廠商加工能力長(zhǎng)期提升。長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)超精密光學(xué)行業(yè)關(guān)鍵制造、檢測(cè)設(shè)備較依賴(lài)進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)相關(guān)設(shè)備可靠性較低。根據(jù)《關(guān)于南京茂萊光學(xué)科技股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市申請(qǐng)文件的審核問(wèn)詢函之回復(fù)》披露，茂萊光學(xué)在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中使用的關(guān)鍵進(jìn)口設(shè)備包括鍍膜機(jī)、干涉儀、拋光機(jī)、研磨機(jī)、測(cè)量?jī)x等，主要來(lái)源國(guó)家及地區(qū)包括德國(guó)、美國(guó)、日本、英國(guó)、新加坡、韓國(guó)、馬來(lái)西亞、泰國(guó)、中國(guó)香港及中國(guó)臺(tái)灣。雖然絕大多數(shù)制造、檢測(cè)設(shè)備已存在國(guó)產(chǎn)替代供應(yīng)商，但是部分鍍膜機(jī)、磁流變拋光機(jī)設(shè)備暫無(wú)國(guó)產(chǎn)替代選擇。短期看，進(jìn)口設(shè)備訂單履約較為順利，國(guó)內(nèi)超精密光學(xué)廠商可使用進(jìn)口設(shè)備進(jìn)行工藝研發(fā)生產(chǎn)。長(zhǎng)期看，如果國(guó)內(nèi)廠商逐步進(jìn)入高端光學(xué)領(lǐng)域、國(guó)際貿(mào)易摩擦升級(jí)，若國(guó)內(nèi)不能在關(guān)鍵制造、檢測(cè)設(shè)備形成自主可控，或影響國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體、生命科學(xué)領(lǐng)域光學(xué)系統(tǒng)發(fā)展。國(guó)產(chǎn)超精密光學(xué)加工設(shè)備與海外仍有較大差距。我國(guó)高端光學(xué)元件超精密制造技術(shù)及裝備，相比國(guó)際前沿存在階段性差距，成為制約高端裝備制造業(yè)發(fā)展的重大短板。根據(jù)《高端光學(xué)元件超精密加工技術(shù)與裝備發(fā)展研究（2023）》（作者：蔣莊德，李常勝，孫林等），超精密光學(xué)元件制造的基礎(chǔ)為高端光學(xué)加工機(jī)床，目前我國(guó)雖初步形成了超精密加工機(jī)床自主研發(fā)能力，產(chǎn)品品種基本滿足重點(diǎn)領(lǐng)域需求，但以04專(zhuān)項(xiàng)實(shí)施完畢后的狀態(tài)來(lái)判斷，我國(guó)機(jī)床行業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平仍有15年左右的差距，國(guó)內(nèi)光學(xué)廠商基本依賴(lài)進(jìn)口超精密光學(xué)加工、檢測(cè)設(shè)備及核心零部件。國(guó)內(nèi)已培育出一批在關(guān)鍵設(shè)備及加工領(lǐng)域具備巨大潛力的企業(yè)，我國(guó)有望逐步實(shí)現(xiàn)超精密光學(xué)元件自主可控。目前，包括4m及以上口徑光學(xué)元件毛坯制造基礎(chǔ)裝備、輕量化及超精密磨削裝備、亞納米級(jí)加工裝備、超大口徑光學(xué)元件超精密測(cè)量?jī)x器在內(nèi)的高端裝備處于國(guó)外禁運(yùn)狀態(tài)。國(guó)內(nèi)企業(yè)已在消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)光學(xué)元件領(lǐng)域成長(zhǎng)為龍頭企業(yè)，正圍繞超精密光學(xué)元件領(lǐng)域?qū)で笸黄?。?dāng)前國(guó)內(nèi)已培育了一批在高端設(shè)備領(lǐng)域基礎(chǔ)良好的企業(yè)，正重點(diǎn)突破全頻譜納米/亞納米級(jí)精度創(chuàng)成、近無(wú)缺陷高表面完整性加工、超精密機(jī)床正向設(shè)計(jì)與數(shù)據(jù)資源建構(gòu)、超精密智能機(jī)床制造等共性關(guān)鍵技術(shù)，我國(guó)有望逐步實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)光學(xué)元件超精密光學(xué)自主可控。2026年全球工業(yè)級(jí)精密光學(xué)市場(chǎng)有望達(dá)到268億元預(yù)計(jì)2026年全球工業(yè)級(jí)精密光學(xué)元器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到268億元。根據(jù)弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)（轉(zhuǎn)引自茂萊光學(xué)招股說(shuō)明書(shū)），2022年全球工業(yè)級(jí)精密光學(xué)市場(chǎng)規(guī)模為159億元，預(yù)計(jì)2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到268億元，對(duì)應(yīng)2022-2026年CAGR為14%。受益于生命科學(xué)、半導(dǎo)體、無(wú)人駕駛、生物識(shí)別、AR/VR檢測(cè)等下游領(lǐng)域的快速發(fā)展，下游客戶對(duì)于精密光學(xué)系統(tǒng)提出了更高要求，有望推動(dòng)精密光學(xué)元器件向工業(yè)級(jí)迭代，工業(yè)級(jí)精密光學(xué)市場(chǎng)規(guī)模有望持續(xù)增長(zhǎng)。半導(dǎo)體設(shè)備及生命科學(xué)為全球工業(yè)級(jí)精密光學(xué)重要細(xì)分應(yīng)用。受益于科研及先進(jìn)制造行業(yè)快速增長(zhǎng)、半導(dǎo)體及生命科學(xué)領(lǐng)域不斷提高精度以及輕量化要求，我們認(rèn)為工業(yè)級(jí)精密光學(xué)元器件的重要性有望持續(xù)提升。根據(jù)弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)（轉(zhuǎn)引自茂萊光學(xué)招股說(shuō)明書(shū)），在生命科學(xué)領(lǐng)域，工業(yè)級(jí)精密光學(xué)產(chǎn)品主要應(yīng)用在基因測(cè)序儀、口腔醫(yī)療器械等設(shè)備，且預(yù)計(jì)2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到53億元，對(duì)應(yīng)2022-2026年CAGR為11%；在半導(dǎo)體領(lǐng)域，工業(yè)級(jí)精密光學(xué)產(chǎn)品主要應(yīng)用在半導(dǎo)體檢測(cè)以及光刻機(jī)等高端設(shè)備，預(yù)計(jì)2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到56億元，對(duì)應(yīng)2022-2026年CAGR為12%。當(dāng)前德國(guó)及日本廠商主導(dǎo)工業(yè)級(jí)精密光學(xué)市場(chǎng)，2021年中國(guó)廠商在半導(dǎo)體市場(chǎng)份額為6%。憑借悠久的歷史傳承、完善的產(chǎn)業(yè)鏈體系以及領(lǐng)先的加工能力，德國(guó)及日本擁有一批享譽(yù)全球的光學(xué)元器件企業(yè)，包括蔡司、尼康、佳能、Jenoptik、徠卡、奧林巴斯等。作為光學(xué)元器件產(chǎn)業(yè)的“掌上明珠”，生產(chǎn)工業(yè)級(jí)精密光學(xué)元器件需要擁有最先進(jìn)的制造設(shè)備并掌握超精密光學(xué)加工技術(shù)。根據(jù)弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)（轉(zhuǎn)引自茂萊光學(xué)招股說(shuō)明書(shū)），2021年蔡司、尼康、佳能、Newport、Jenoptik、徠卡、奧林巴斯等國(guó)際巨頭占據(jù)了超過(guò)70%的市場(chǎng)份額，在半導(dǎo)體及生命科學(xué)領(lǐng)域的市場(chǎng)份額分別達(dá)到80%和70%以上。近年來(lái)，隨著國(guó)際精密光學(xué)企業(yè)大量在中國(guó)設(shè)廠并與國(guó)內(nèi)光學(xué)加工企業(yè)建立外協(xié)關(guān)系，國(guó)內(nèi)精密光學(xué)企業(yè)抓住了產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的機(jī)遇，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造、檢測(cè)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)技術(shù)水平逐步縮小與國(guó)際廠商的差距，根據(jù)茂萊光學(xué)測(cè)算，2021年在半導(dǎo)體和生命科學(xué)領(lǐng)域市場(chǎng)份額分別達(dá)到了6%和12%。貫穿半導(dǎo)體制造全流程，精密光學(xué)系統(tǒng)為“產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)”半導(dǎo)體制程持續(xù)升級(jí)，制造工序及投資均大幅增長(zhǎng)半導(dǎo)體制程進(jìn)步需開(kāi)發(fā)更高集成密度工藝，實(shí)現(xiàn)難度持續(xù)增大。半個(gè)世紀(jì)以來(lái)，半導(dǎo)體器件性能的增長(zhǎng)率遵循著名的摩爾定律，先進(jìn)半導(dǎo)體制程已從平面結(jié)構(gòu)發(fā)展至3D結(jié)構(gòu)，晶體管面積不斷縮小，集成電路可容納的晶體管數(shù)目保持約18個(gè)月翻倍的規(guī)律。根據(jù)MKS萬(wàn)機(jī)儀器手冊(cè)信息，我們可以看到3DNAND架構(gòu)將內(nèi)存單元堆疊以減少總體占用空間；FinFET晶體管使用3D方法制造以減少隧穿效應(yīng)。隨著半導(dǎo)體器件集成度提升，行業(yè)需要使用更為復(fù)雜的制造工藝，對(duì)于材料和設(shè)備均提出了更高的要求。4nm及以下節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體制程工序已增至近千道，每道工序良率需超過(guò)99.99%才能保證整體良率達(dá)到95%。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)（轉(zhuǎn)引自《中國(guó)集成電路檢測(cè)和測(cè)試產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新路線圖》（集成電路測(cè)試儀器與裝備產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟）），工藝節(jié)點(diǎn)每縮減一代，工藝中產(chǎn)生的致命缺陷數(shù)量會(huì)增加50%，每一道工序的良率都要保持在非常高的水平才能保證最終的良品率。根據(jù)中科飛測(cè)公告，28nm工藝節(jié)點(diǎn)的工藝步驟有數(shù)百道工序，由于采用多層套刻技術(shù)，14nm及以下節(jié)點(diǎn)工藝步驟增加至近千道工序。當(dāng)工序超過(guò)500道時(shí)，只有保證每一道工序的良品率都超過(guò)99.99%，最終的良品率方可超過(guò)95%；當(dāng)單道工序的良品率下降至99.98%時(shí)，最終的總良品率會(huì)下降至約90%。因此，制造過(guò)程中對(duì)工藝窗口的挑戰(zhàn)要求幾乎“零缺陷”。先進(jìn)制程芯片流片成本快速提升，IBS數(shù)據(jù)顯示每5萬(wàn)片3nm制程晶圓設(shè)備投資將達(dá)到215億元。在摩爾定律的推動(dòng)下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，導(dǎo)致生產(chǎn)技術(shù)與制造工序愈為復(fù)雜，制造成本呈指數(shù)級(jí)上升趨勢(shì)。根據(jù)IBS統(tǒng)計(jì)（轉(zhuǎn)引自中芯國(guó)際招股說(shuō)明書(shū)），隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，集成電路制造的設(shè)備投入呈大幅上升的趨勢(shì)。以5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)為例，其投資成本高達(dá)156億美元，是14nm的兩倍以上，28nm的四倍左右。因此，芯片廠流片成本也出現(xiàn)較大幅度增加，根據(jù)TheInformationNetwork數(shù)據(jù)，12nm工藝的流片成本大約在300-500萬(wàn)美元，5nm工藝流片的成本為4000-5000萬(wàn)美元；采用2nm工藝流片的成本高達(dá)1億美元。光學(xué)系統(tǒng)貫穿半導(dǎo)體制造全流程，光刻以及量/檢測(cè)為半導(dǎo)體設(shè)備重要組成光刻機(jī)和半導(dǎo)體量/檢測(cè)為半導(dǎo)體設(shè)備重要組成，設(shè)備升級(jí)推動(dòng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)步。半導(dǎo)體設(shè)備擁有十大類(lèi)設(shè)備，光刻機(jī)和量/檢測(cè)設(shè)備為半導(dǎo)體制造重要設(shè)備。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，光刻機(jī)和半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備占半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)比例分別為17%和12%。當(dāng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)向5nm及以下升級(jí)時(shí)，半導(dǎo)體制造工藝出現(xiàn)較大變化，微觀結(jié)構(gòu)及制造工序進(jìn)一步復(fù)雜帶動(dòng)工藝設(shè)備以及質(zhì)量控制設(shè)備持續(xù)升級(jí)。DUV光刻機(jī)受其波長(zhǎng)限制，其精度已無(wú)法滿足工藝要求，晶圓廠需要采購(gòu)更為昂貴的EUV光刻機(jī)，或采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實(shí)現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加，對(duì)于良率控制也提出了更高要求。因此，我們認(rèn)為未來(lái)晶圓廠需投入更多、更先進(jìn)的工藝設(shè)備及良率控制設(shè)備。精密光學(xué)系統(tǒng)為光刻機(jī)以及量/檢測(cè)設(shè)備重要組成，覆蓋半導(dǎo)體制造全流程。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，生產(chǎn)一個(gè)合格器件需要數(shù)百道處理步驟，每道工序均需要使用相關(guān)設(shè)備進(jìn)行制造以及良率控制。根據(jù)KLA（科天半導(dǎo)體），半導(dǎo)體量/檢測(cè)基本覆蓋半導(dǎo)體制造全流程，其中量/檢測(cè)設(shè)備原理以光學(xué)檢測(cè)為主，每道步驟都必須完美執(zhí)行，以避免產(chǎn)生致命缺陷產(chǎn)生。此外，對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，光刻為結(jié)構(gòu)形成的重要環(huán)節(jié)，光刻系統(tǒng)作為光刻機(jī)關(guān)鍵組成直接影響制程、速度以及良率。因此，我們認(rèn)為精密光學(xué)系統(tǒng)對(duì)于制造工藝以及良率控制有重大影響，為半導(dǎo)體設(shè)備的核心系統(tǒng)。光學(xué)系統(tǒng)為光刻機(jī)重要組成，蔡司為全球龍頭半導(dǎo)體工業(yè)“皇冠”，光刻機(jī)已升級(jí)至EUV光刻機(jī)為芯片生產(chǎn)的核心設(shè)備，直接影響制程工藝節(jié)點(diǎn)。芯片生產(chǎn)主要包括沉積、光刻、蝕刻等7個(gè)步驟，其中光刻為實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移功能的核心步驟：負(fù)責(zé)把芯片設(shè)計(jì)圖案通過(guò)光學(xué)顯影技術(shù)轉(zhuǎn)移到芯片表面，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體晶圓表面制造微小結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)生產(chǎn)具備高技術(shù)門(mén)檻，需要高度精密的物理設(shè)備和嚴(yán)格的控制流程，以達(dá)到所需的制造精度。先進(jìn)制程工藝需要先進(jìn)的、高分辨率的光刻機(jī)進(jìn)行適配，光刻機(jī)直接影響芯片的工藝制程與性能。相同制程下，EUV較DUV可實(shí)現(xiàn)降本增效。EUV單臺(tái)價(jià)格較高，約為ArFiDUV價(jià)格的2倍。根據(jù)ASML公告，當(dāng)前EUV單臺(tái)設(shè)備價(jià)格約為1.5億美元，而ArFiDUV價(jià)格約為0.7億美元。當(dāng)制程進(jìn)步至7nm以下時(shí)，EUV光刻機(jī)被引入半導(dǎo)體制造并簡(jiǎn)化了一些工藝步驟，為半導(dǎo)體制造成本和效率帶來(lái)了較大提升。若使用DUV光刻機(jī)，晶圓廠需要使用DUV進(jìn)行多次曝光才能完成7nm制程的圖形，而EUV僅需一次曝光即可完成，降低曝光次數(shù)可減少不可控畸變，提升芯片的一致性和良率。根據(jù)臺(tái)積電數(shù)據(jù)，臺(tái)積電首次使用EUV制造7nm芯片的工藝被命名為N7+，與初代N7工藝相比，電路密度可提升15%-20%；相同性能下，功耗可降低15%。光學(xué)系統(tǒng)為光刻機(jī)核心組成，光刻機(jī)迭代帶動(dòng)光學(xué)系統(tǒng)升級(jí)曝光系統(tǒng)為光刻機(jī)核心，光學(xué)元件廣泛應(yīng)用于各光刻機(jī)系統(tǒng)。根據(jù)中國(guó)工程院（轉(zhuǎn)引自前瞻產(chǎn)業(yè)研究院）信息，一臺(tái)EUV光刻機(jī)包含了超過(guò)10萬(wàn)個(gè)零部件，主要包括照明系統(tǒng)、工作臺(tái)系統(tǒng)、曝光系統(tǒng)等，全球供應(yīng)商超過(guò)5000家。從光刻機(jī)結(jié)構(gòu)看，工業(yè)級(jí)超精密光學(xué)元件被反應(yīng)用于光刻機(jī)各類(lèi)子系統(tǒng)，各類(lèi)反射鏡、透鏡、光柵構(gòu)成了光刻機(jī)復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)。其中，物鏡系統(tǒng)為光刻機(jī)核心組成，關(guān)系到光刻機(jī)分辨率以及良率?；仡櫣饪虣C(jī)發(fā)展歷史，光學(xué)系統(tǒng)跟隨光源迭代不斷升級(jí)。光刻機(jī)自誕生以來(lái)，光源主要經(jīng)歷了六次升級(jí)，波長(zhǎng)從436nm提升至13.5nm。蔡司作為全球超精密光學(xué)龍頭，不斷推出新光學(xué)系統(tǒng)以適配光刻機(jī)升級(jí)。根據(jù)瑞利公式，光刻機(jī)發(fā)展需要再降低波長(zhǎng)的同時(shí)提升數(shù)值孔徑，光學(xué)系統(tǒng)升級(jí)為光刻機(jī)提升分辨率的重要途徑，與光源系統(tǒng)一同影響光刻技術(shù)的發(fā)展。在發(fā)展至EUV之前，光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑不斷增大，導(dǎo)致光學(xué)系統(tǒng)的鏡片數(shù)量以及體積也持續(xù)增加。隨著光刻機(jī)發(fā)展至EUV，13.5nm的EUV光會(huì)被透鏡吸收的特點(diǎn)也導(dǎo)致光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)入“反射”時(shí)代，光學(xué)系統(tǒng)仍為光刻機(jī)最重要的組成之一。DUV光學(xué)系統(tǒng)為透鏡方案，紫外熔融二氧化硅或氟化鈣（CaF2）是DUV透射光學(xué)基板的首選材料。投影物鏡要將照明模組發(fā)射出的一階衍射光收進(jìn)物鏡內(nèi)，再把掩膜版上的電路圖案縮小，聚焦成像在晶圓上，并且還要補(bǔ)償光學(xué)誤差，所以投影物鏡主要由多枚透鏡組成。由于材料的典型透射率曲線會(huì)在200nm以下透射率急劇下降,DUV透鏡系統(tǒng)需要使用特殊材料紫外熔融二氧化硅或氟化鈣（CaF2）涂覆。同時(shí)，與DUV波長(zhǎng)兼容的拋光化合物和拋光工藝也需要被廣泛研究測(cè)試，一些拋光材料/化合物會(huì)吸收UV/DUV光，這會(huì)影響光學(xué)元件的可靠性和壽命；其他材料可能含有化合物，直接與DUV光反應(yīng)，導(dǎo)致系統(tǒng)損壞或故障。精密光學(xué)對(duì)表面拋光的要求更嚴(yán)格，光學(xué)加工是利用計(jì)算機(jī)數(shù)控（CNC）、磁流變計(jì)算（MRF）、傾斜度研磨（PL）和單點(diǎn)金剛石車(chē)削（SPDT）工藝完成。EUV光學(xué)系統(tǒng)升級(jí)為反射系統(tǒng)，掩膜版及物鏡系統(tǒng)均由特殊布拉格反射器構(gòu)成。EUV波長(zhǎng)為13.5nm，幾乎被一切材料（包括空氣）吸收，因此EUV光學(xué)系統(tǒng)必須在真空條件下運(yùn)行，且照明系統(tǒng)和投影物鏡系統(tǒng)僅使用反射光學(xué)元件即可使光從中間焦點(diǎn)傳輸?shù)焦怅嚒Ｆ渲?，反射鏡為布拉格反射器，是關(guān)鍵的系統(tǒng)組件，必須具有極低的表面粗糙度（幾個(gè)原子）和高精度平面度和曲率。EUV反射鏡表面鍍有Mo/Si多層膜結(jié)構(gòu)，最高有100層堆疊，通過(guò)多層膜實(shí)現(xiàn)更高的反射效率，ZEISS與FraunhoferIOF研究所共同研發(fā)獨(dú)特的鍍膜系統(tǒng)，使反射率達(dá)到70%。由于沒(méi)有光學(xué)材料對(duì)EUV透明，EUV光刻機(jī)使用的掩膜版也必須為反射元件。光學(xué)系統(tǒng)價(jià)值量提升，2025年光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到60億美元光學(xué)系統(tǒng)迭代，EUV鏡片較DUV鏡片價(jià)格差距達(dá)到8倍。EUV光學(xué)系統(tǒng)由特殊布拉格反射鏡組成，制造工藝復(fù)雜，價(jià)格較高。根據(jù)Edmund信息，EUV鏡片相較DUV鏡片單價(jià)較高，同等規(guī)格的EUV和DUV鏡片的價(jià)格差距達(dá)到8倍。隨著先進(jìn)制程進(jìn)入3nm時(shí)代，EUV光刻機(jī)已被頭部晶圓廠大范圍使用，下一代HighNAEUV光刻機(jī)有望在2025年推出，EUV光學(xué)系統(tǒng)成為趨勢(shì)或?qū)⑻嵘鈱W(xué)系統(tǒng)在光刻機(jī)當(dāng)中的重要程度。ASML光刻機(jī)包含超過(guò)10萬(wàn)個(gè)零部件，光學(xué)系統(tǒng)供應(yīng)商主要來(lái)自德國(guó)。根據(jù)中國(guó)工程院（轉(zhuǎn)引自前瞻產(chǎn)業(yè)研究院）信息，一臺(tái)EUV光刻機(jī)包含了超過(guò)10萬(wàn)個(gè)零部件，全球供應(yīng)商超過(guò)5000家。從光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)分析來(lái)看，美國(guó)光源占27%，荷蘭腔體和英國(guó)真空占32%，日本材料占27%，德國(guó)光學(xué)系統(tǒng)占14%。EUV升級(jí)帶動(dòng)光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模保持較快增長(zhǎng)，2022年光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模177億美元。光刻機(jī)市場(chǎng)前三大供應(yīng)商占據(jù)了絕大多數(shù)市場(chǎng)份額，2017-2022年，三大供應(yīng)商的光刻機(jī)營(yíng)收合計(jì)由80億美元增長(zhǎng)至177億美元，對(duì)應(yīng)CAGR為17%。展望未來(lái)，根據(jù)ASML信息，近年來(lái)光刻機(jī)市場(chǎng)在半導(dǎo)體總市場(chǎng)中的占比持續(xù)提升，且未來(lái)該趨勢(shì)有望得以延續(xù)，主要考慮到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年來(lái)快速發(fā)展，先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)帶來(lái)晶圓廠資本開(kāi)支爬升，設(shè)備支出占比提升有望為光刻機(jī)帶來(lái)持續(xù)增量，市場(chǎng)規(guī)模保持較快增長(zhǎng)。高端光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)價(jià)值量高，2025年全球光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到60億美元。隨著先進(jìn)制程發(fā)展，EUV光刻機(jī)在全球范圍內(nèi)出貨量持續(xù)增加，且下一代High-NAEUV有望在2025年出貨，EUV光刻機(jī)市場(chǎng)占有率有望保持增長(zhǎng)。由于EUV光學(xué)系統(tǒng)制造難度大，蔡司半導(dǎo)體事業(yè)部獨(dú)供的EUV光學(xué)系統(tǒng)價(jià)值量遠(yuǎn)超其他類(lèi)型光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)，光學(xué)系統(tǒng)重要性日益提升。根據(jù)我們對(duì)于全球光刻機(jī)出貨量、售價(jià)、光學(xué)系統(tǒng)價(jià)格占比等因素的預(yù)測(cè)，我們估算全球光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模有望在2025年達(dá)到60億美元，對(duì)應(yīng)2022-2025年CAGR為25%。1）2025年全球光刻機(jī)出貨量假設(shè)：根據(jù)ASML預(yù)測(cè)，2020-2030年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，期間CAGR為9%，半導(dǎo)體行業(yè)保持增長(zhǎng)將帶動(dòng)晶圓需求增加，其中，先進(jìn)制程和成熟制程年均復(fù)合增速較快，預(yù)計(jì)分別為12%和6%，晶圓廠需進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)以滿足需求增長(zhǎng)。因此，我們假設(shè)用于生產(chǎn)先進(jìn)制程的EUV光刻機(jī)以及輔助生產(chǎn)的ArF光刻機(jī)市場(chǎng)需求將快速增加，2025年出貨量有望分別達(dá)到80臺(tái)和280臺(tái)。2）2025年光刻機(jī)售價(jià)假設(shè)：根據(jù)ASML數(shù)據(jù)，High-NAEUV價(jià)格有望達(dá)到3.5億美元；通過(guò)分析ASML各類(lèi)型光刻機(jī)2018-2022年售價(jià)，除EUV光刻機(jī)售價(jià)保持小幅增長(zhǎng)外，其他型號(hào)光刻機(jī)價(jià)格保持穩(wěn)定。我們認(rèn)為全球光刻機(jī)行業(yè)為寡頭壟斷市場(chǎng)，價(jià)格波動(dòng)較小，預(yù)計(jì)2022-2025年EUV光刻機(jī)出貨量進(jìn)入小幅增長(zhǎng)區(qū)間，價(jià)格將保持穩(wěn)定，其他各類(lèi)型光刻機(jī)售價(jià)將持續(xù)穩(wěn)定。3）光學(xué)系統(tǒng)占光刻機(jī)售價(jià)比例假設(shè)：蔡司半導(dǎo)體事業(yè)部主要生產(chǎn)超精密半導(dǎo)體光學(xué)系統(tǒng)，其主要客戶為ASML。根據(jù)ASML以及蔡司公告，2015-2022年蔡司半導(dǎo)體事業(yè)部90%的營(yíng)收來(lái)自ASML，而蔡司半導(dǎo)體事業(yè)部為ASML光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)唯一供應(yīng)商。因此，通過(guò)對(duì)蔡司半導(dǎo)體事業(yè)部收入以及ASML各光刻機(jī)出貨量以及平均售價(jià)情況進(jìn)行分析，我們估算得到各類(lèi)型光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)占光刻機(jī)售價(jià)比例的假設(shè)。國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)任重道遠(yuǎn)，蔡司為全球光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)龍頭蔡司為全球光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)龍頭，2022年市場(chǎng)占有率達(dá)到90%。根據(jù)ASML公告，蔡司為ASML光刻機(jī)核心光學(xué)系統(tǒng)主要供應(yīng)商，尤其在EUV光刻機(jī)領(lǐng)域?yàn)槲ㄒ还?yīng)商。2016年，ASML直接以10億歐元投資獲得了蔡司半導(dǎo)體子公司ZeissSMT24.9%的股份，與蔡司半導(dǎo)體更是達(dá)成了“兩家公司，一項(xiàng)業(yè)務(wù)”的合作原則，共同推動(dòng)先進(jìn)光刻機(jī)的開(kāi)發(fā)。因此，在ASML成長(zhǎng)為光刻機(jī)市場(chǎng)絕對(duì)龍頭后，蔡司也成為光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)領(lǐng)先企業(yè)，基于ASML以及蔡司公告，2022年我們測(cè)算蔡司在全球市場(chǎng)占有率已達(dá)到90%。國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)光學(xué)元件參數(shù)與蔡司仍有較大差距，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)任重道遠(yuǎn)。我國(guó)在光學(xué)領(lǐng)域積累了豐富的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，在消費(fèi)級(jí)、激光以及光通信領(lǐng)域均具有良好的技術(shù)基礎(chǔ)，但在半導(dǎo)體等工業(yè)級(jí)超精密光學(xué)領(lǐng)域，我國(guó)距國(guó)際一流水平仍有較大差距。目前，長(zhǎng)春光機(jī)所為國(guó)內(nèi)超精密光學(xué)領(lǐng)域的佼佼者，在DUV透鏡系統(tǒng)以及EUV反射鏡系統(tǒng)均取得了一定進(jìn)展。根據(jù)蔡司、ASML、國(guó)科精密和長(zhǎng)春光機(jī)所官網(wǎng)，國(guó)科精密推出的DUV光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)已可滿足90nm工藝節(jié)點(diǎn)，與蔡司DUV光學(xué)系統(tǒng)仍有三代以上的差距；而長(zhǎng)春光機(jī)所承擔(dān)的國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”研制的EUV光學(xué)系統(tǒng)面型精度與蔡司仍有較大差距。我國(guó)在光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)領(lǐng)域與海外仍有較大差距，但近年來(lái)國(guó)內(nèi)各企業(yè)、研究所已加大半導(dǎo)體光學(xué)研發(fā)力度，技術(shù)能力有望快速提升。前道光學(xué)檢測(cè)設(shè)備為主流方案，光學(xué)系統(tǒng)為重要支撐良率控制為芯片制造關(guān)鍵，檢/量測(cè)貫穿制造全過(guò)程前道制程和先進(jìn)封裝的質(zhì)量控制可劃分為檢測(cè)（Inspection）和量測(cè)（Metrology）環(huán)節(jié)。檢測(cè)指在晶圓表面上或電路結(jié)構(gòu)中，檢測(cè)其是否出現(xiàn)異質(zhì)情況，如顆粒污染、表面劃傷、開(kāi)短路等對(duì)芯片工藝性能具有不良影響的特征性結(jié)構(gòu)缺陷；量測(cè)指對(duì)被觀測(cè)的晶圓電路上的結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關(guān)鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數(shù)的量測(cè)。根據(jù)檢測(cè)類(lèi)型的不同，半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備可分為檢測(cè)設(shè)備和量測(cè)設(shè)備。檢測(cè)+量測(cè)環(huán)節(jié)貫穿前道制程和先進(jìn)封裝全過(guò)程，光刻和刻蝕等工藝均需至少7種類(lèi)型量/檢測(cè)設(shè)備。量/檢測(cè)設(shè)備主要應(yīng)用于前道制程和先進(jìn)封裝，基本覆蓋了各子環(huán)節(jié)，是保證芯片生產(chǎn)良率的關(guān)鍵要素之一。根據(jù)VLSIResearch數(shù)據(jù)，檢測(cè)設(shè)備銷(xiāo)售占比較高，約為62.6%，其中納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備為銷(xiāo)售額占比最高的設(shè)備，2020年銷(xiāo)售額為18.9億美元；量測(cè)設(shè)備中關(guān)鍵尺寸量測(cè)設(shè)備銷(xiāo)售額占比最高，2020年銷(xiāo)售額為7.8億美元。在前道以及先進(jìn)封裝的具體工藝當(dāng)中，光刻、刻蝕以及CMP對(duì)于檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備需求較高，均需至少7種不同類(lèi)型的量/檢測(cè)設(shè)備。量/檢測(cè)包括三大技術(shù)路線，光學(xué)檢測(cè)技術(shù)市場(chǎng)占比超75%半導(dǎo)體量/檢測(cè)包括光學(xué)檢測(cè)、電子束檢測(cè)和X光量測(cè)等技術(shù)。光學(xué)檢測(cè)技術(shù)、電子束檢測(cè)技術(shù)和X光量測(cè)技術(shù)的差異包括檢測(cè)精度、檢測(cè)速度以及應(yīng)用場(chǎng)景等。光學(xué)檢測(cè)技術(shù)在檢測(cè)速度方面更具有優(yōu)勢(shì)，相同條件下速度可比電子束檢測(cè)技術(shù)快1000倍以上。因此，電子束檢測(cè)技術(shù)主要應(yīng)用在對(duì)吞吐量要求較低的場(chǎng)景，如納米量級(jí)尺度缺陷的復(fù)查，部分關(guān)鍵區(qū)域的表面尺度量測(cè)以及部分關(guān)鍵區(qū)域的抽檢等。與X光量測(cè)技術(shù)相比，光學(xué)檢測(cè)技術(shù)的適用范圍更廣，而X光量測(cè)技術(shù)主要應(yīng)用于特定金屬成分測(cè)量和超薄膜測(cè)量等特定的領(lǐng)域，適用場(chǎng)景相對(duì)較窄。應(yīng)用光學(xué)檢測(cè)技術(shù)的設(shè)備應(yīng)用場(chǎng)景廣泛，2020年市場(chǎng)占比超75%。應(yīng)用光學(xué)檢測(cè)技術(shù)的設(shè)備可以較好實(shí)現(xiàn)精度與速度之間的平衡，并能夠滿足其他技術(shù)所不能實(shí)現(xiàn)的功能，如三維形貌測(cè)量、光刻套刻測(cè)量和多層膜厚測(cè)量等應(yīng)用。根據(jù)VLSIResearch和QYResearch數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)中，應(yīng)用光學(xué)檢測(cè)技術(shù)、電子束檢測(cè)技術(shù)及X光量測(cè)技術(shù)的設(shè)備市場(chǎng)份額占比分別為75.2%、18.7%和2.2%，應(yīng)用光學(xué)檢測(cè)技術(shù)的設(shè)備占比最大。光學(xué)檢測(cè)技術(shù)被廣泛應(yīng)用在量/檢測(cè)環(huán)節(jié)，技術(shù)分類(lèi)豐富。半導(dǎo)體光學(xué)量/檢測(cè)設(shè)備適用場(chǎng)景豐富，在半導(dǎo)體先進(jìn)制程當(dāng)中應(yīng)用廣泛。在檢測(cè)環(huán)節(jié)，光學(xué)檢測(cè)技術(shù)可進(jìn)一步分為無(wú)圖形晶圓激光掃描檢測(cè)技術(shù)、圖形晶圓成像檢測(cè)技術(shù)和光刻掩膜板成像檢測(cè)技術(shù)。在量測(cè)環(huán)節(jié)，光學(xué)檢測(cè)技術(shù)基于光的波動(dòng)性和相干性實(shí)現(xiàn)測(cè)量遠(yuǎn)小于波長(zhǎng)的光學(xué)尺度，集成電路制造和先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)中的量測(cè)主要包括三維形貌量測(cè)、薄膜膜厚量測(cè)、套刻精度量測(cè)、關(guān)鍵尺寸量測(cè)等。半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備分辨率持續(xù)提升，2024年配套光學(xué)系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到13億美元半導(dǎo)體制程已向亞納米發(fā)展，推動(dòng)量/檢測(cè)技術(shù)發(fā)展。頭部半導(dǎo)體制造商已將制程提升至3nm工藝，三維FinFET晶體管、3DNAND等新技術(shù)已成為行業(yè)內(nèi)主流工藝技術(shù)。為滿足檢測(cè)和量測(cè)技術(shù)向高速度、高靈敏度、高準(zhǔn)確度、高重復(fù)性、高性價(jià)比的發(fā)展趨勢(shì)和要求，行業(yè)內(nèi)通過(guò)提升分辨率、提升算法和軟件性能、以及提升設(shè)備吞吐量等方式進(jìn)行改進(jìn)，例如增強(qiáng)照明的光強(qiáng)、光譜范圍延展至DUV波段、提高光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑、增加照明和采集的光學(xué)模式、擴(kuò)大光學(xué)算法和光學(xué)仿真在檢測(cè)和量測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用等。光學(xué)系統(tǒng)為半導(dǎo)體光學(xué)檢測(cè)設(shè)備重要組成，需滿足高NA低像差。半導(dǎo)體光學(xué)檢測(cè)設(shè)備光路設(shè)計(jì)較為復(fù)雜，且對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)質(zhì)量要求較高。以典型的明場(chǎng)光學(xué)缺陷檢測(cè)裝備為例，該設(shè)備采用柯勒照明光路將高亮寬譜等離子體光源光束調(diào)制成超均勻、特定光束截面形狀的偏振光束；之后利用高NA低像差的物鏡系統(tǒng)收集硅片結(jié)構(gòu)圖形缺陷引起的散射光，再通過(guò)折反混合透鏡組與變焦透鏡組相結(jié)合的成像光路將散射光成像至?xí)r間延遲積分（TDI）相機(jī)；最后利用基于片對(duì)片的圖像差分處理算法實(shí)現(xiàn)缺陷信號(hào)的準(zhǔn)確識(shí)別。進(jìn)入10nm制程以下時(shí)代，半導(dǎo)體光學(xué)檢測(cè)設(shè)備需升級(jí)光源至VUV光。目前，美國(guó)KLA公司所開(kāi)發(fā)的高端K39XX系列和K29XX系列明場(chǎng)光學(xué)缺陷檢測(cè)裝備能夠?qū)崿F(xiàn)亞30nm的缺陷檢測(cè)靈敏度，并且產(chǎn)率能夠維持1WPH（WaferPerHour）@36nm，適用于1Xnm及以下節(jié)點(diǎn)工藝生產(chǎn)線上的硅片結(jié)構(gòu)圖形缺陷檢測(cè)。為了實(shí)現(xiàn)先進(jìn)制程亞納米級(jí)缺陷檢測(cè)，行業(yè)內(nèi)需針對(duì)半導(dǎo)體材料的反射、透射特性對(duì)于光路系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)。根據(jù)KLAWorkshop信息，KLA采用LSP光源技術(shù)以達(dá)到納米級(jí)缺陷檢測(cè)，其中光學(xué)系統(tǒng)與EUV光刻機(jī)類(lèi)似，需使用超精密光學(xué)加工的反射鏡進(jìn)行光路設(shè)計(jì)。因此，我們認(rèn)為隨著納米級(jí)缺陷檢測(cè)需求增加，設(shè)備需采用超精密光學(xué)加工技術(shù)的反射鏡替代部分透鏡，光路系統(tǒng)設(shè)計(jì)也將更為復(fù)雜，總體看光學(xué)系統(tǒng)價(jià)值量占比有望提升。半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備光學(xué)系統(tǒng)價(jià)值量提升，我們預(yù)計(jì)2024年全球半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備光學(xué)系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到13億美元。隨著先進(jìn)制程發(fā)展，10nm以下制程節(jié)點(diǎn)快速發(fā)展，先進(jìn)制程所需的半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備對(duì)于精度以及吞吐量有較高要求。以全球半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備龍頭KLA為例，KLA為了適應(yīng)10nm以下工藝節(jié)點(diǎn)缺陷推出了寬光譜DUV連續(xù)激光光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)，其對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)提出了更高要求。根據(jù)我們對(duì)于全球半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模、光學(xué)系統(tǒng)價(jià)值量占比等因素的預(yù)測(cè)，我們認(rèn)為全球半導(dǎo)體量/檢測(cè)設(shè)備配套的光