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文檔簡介
浙江大學 實驗四:方差分析一、實驗?zāi)康暮鸵蠖?、實驗?nèi)容和原理某公司專業(yè)生產(chǎn)電腦顯示器,通過使用3種不同的芯片,得出顯示器的某個關(guān)鍵參數(shù)如下表,每種芯片取10個觀測值:試進行分析這三種芯片的檢測結(jié)果13456789中北大學某研究小組根據(jù)不同水平設(shè)置的射出壓力和模腔溫度試驗得出某成型品的關(guān)鍵尺寸如下表,用方差分析法分析兩種因素對成型品關(guān)鍵尺寸是否存在重要影響。 水平1水平2水平3因素B:水平1水平2水平3為了測定石油灰分中的釩,研究了三種溶樣方法,用三種方法分別溶解四種不同組成的試樣,試驗結(jié)果列于表中,試由這些分析數(shù)據(jù),評價這三種溶樣方法的效果。不同試樣中釩的含量IIⅢ三、主要儀器設(shè)備/實驗環(huán)境(使用的軟件等)四、操作方法與實驗步驟(必填,上機操作過程,可以插圖)(1)單因素方差分析寬度值列數(shù)值(N)80無無8右2數(shù)值(N)80無無8右度量(S)3芯片數(shù)值(N)80(1.花月A無8右名文(N)專心--專注---專業(yè)*來1件(F)編租(E)視圖M數(shù)據(jù)(D)韓換①*來1件(F)編租(E)視圖M數(shù)據(jù)(D)韓換①表()芯屏因率日因素A數(shù)值(N)數(shù)值(N)數(shù)值(N)數(shù)值(N)數(shù)值(N)8888際蓋值3456比較均值(M)一般城性模G)混合模型區(qū))氧付(R)時數(shù)線性程型(O)單樣本T驗驗(SL.由立樣本T檢驗(T).題配對拌本T檢驗(P)尺寸數(shù)值(N)87溶樣方法數(shù)值(N)88組成數(shù)值(N)89機含量數(shù)值(N)8 1231212121231231232值(U):1=芯片A”]固定和隨機效果(F)?方差同質(zhì)性檢驗(H)缺失值⑥按分析順序排除個案(A)◎按列表排除個案(L)t單2*ANOVAEDunati?p)Camas-HowaADyn8軌合量*晶芯片現(xiàn)測值射出壓力射出壓力11222333指定模型區(qū)觸壓加在權(quán)中包含數(shù)S%D窩因素8數(shù)值(N)80(1.水平1)無名義(N)輸入5因素A數(shù)值(M)80(1.水平1)無名義(N)y班入6數(shù)值(N)82度量(S)入更硝定取消幫助1=“水平12=“水平23=“水平3”國手F14t11因子鳥因子文草但□功效估計(E)□檢驗效施(B)參數(shù)估計①比較主效成②)?方蓮齊性檢驗心)□分有-水平圖P困定國子F)??販囟葍蓛杀容^(止)溶樣方法組成四更量Q只寸置信區(qū)同為95.0%時出壓力繼續(xù)取消幫助(3)雙因素有交互作用方差分析8數(shù)值(N)80(1,甲)無8名義(N)9數(shù)值(N)82無無8度量(S)1=甲*確定取消幫助單變量-模型區(qū)3536全因子(西設(shè)定(C)44413567333333862.69 5749542256U36503589回子與協(xié)變量F-構(gòu)課湯-資型巴/模型(M)平方和(Q)類犁田”¥在保型中包合數(shù)3E0}組成區(qū)區(qū)因子(F)R-E-G-WFHochbergsGT2(H)單變最選項單變最選項估計邊際均值溶樣方法比較主效應(yīng)(Q)區(qū)方基齊性檢驗(H)缺乏擬合優(yōu)度檢驗L)置信區(qū)問為95.0%區(qū)描述燒計(D)功效估計)□檢驗效能(②)參數(shù)估計D對比條數(shù)矩陣(Q)區(qū)(1)單因素方差分析N標準差標準誤均值的95%置信區(qū)問極小值極大值下限上限芯片B芯片C總數(shù)顯著性2觀測值平方和均方F顯著性組間2組內(nèi)總數(shù) 觀測值的均值觀測值的均值(1)芯片(J)芯片均值差(I-J)標準誤顯著性95%置信區(qū)間下限上限芯片B芯片C芯片C芯片C*.均值差的顯著性水平為0.05。N模腔溫度132333射出壓力132水平2333專心--專注--專業(yè) 因變量:尺寸模腔溫度射出壓力標準偏差N水平11水平31總計3水平2水平11水平21水平31總計3水平3水平11水平211總計3總計水平133水平33總計9因變量:尺寸源Ⅲ型平方和均方F校正模型截距模腔溫度射出壓力誤差總計校正的總計a.R方=.702(調(diào)整R方=.403)尺寸(I)模腔溫度(J)模腔溫度均值差值(I-J)標準誤差95%置信區(qū)間下限上限水平1水平2估算邊際均值估算邊際均值水平2水平3基于觀測到的均值。誤差項為均值方(錯誤)=.078。尺寸(I)射出壓力(J)射出壓力均值差值(I-J)標準誤差95%置信區(qū)間下限上限水平1水平2水平3水平2基于觀測到的均值:誤差項為均值方(錯誤)-.078。射出十與將N溶樣方法123組成1甲92乙93丙94丁9因變量:釩含量溶樣方法組成標準偏差N1甲3乙3丙3丁3總計2甲3乙3內(nèi)3J3總計3甲3乙3丙3丁3總計總計甲9乙9丙9丁9總計因變量:釩含量F精選優(yōu)質(zhì)文檔-----傾情為你奉上誤差方差等同性的Levene檢驗·因變量:釩含量F因變量:釩含量源Ⅲ型平方和F校正模型1溶樣方法2組成36誤差總計校正的總計a.R方-.996(調(diào)整R方-.994)(I)溶樣方法(J)溶樣方法均值差值(I-J)標準誤差95%置信區(qū)間下限上限123213312誤差項為均值方(錯誤)=2.936。*.均值差值在.05級別上較顯著。估算功除白值估算功除白值精選優(yōu)質(zhì)文檔-----傾情為你奉上(I)組成(J)組成均值差值(I-J)標準誤差95%置信區(qū)間下限上限甲乙丙丁乙甲丙丁丙甲乙丁丁甲乙丙基于觀測到的均值。誤差項為均值方(錯誤)=2.936。*.均值差值在.05級別上較顯著。(1)單因素方差分析1)進行方差齊性檢驗,知P=0.305>0.05,滿足方差齊性;2)在單因素方差分析表中,組間檢驗得P=0.000,所以組間差異顯著,不同芯片對觀測值有顯著不 4)由均值圖也可看出,芯片B的觀測值明顯高于芯片A與芯片C的觀測值,而芯片A與芯片C的1)進行主體間的效應(yīng)檢驗,知模腔溫度的P=0.717,射出壓力的P=0.099,均大于0.05,所以模腔溫2)對模腔溫度進行LSD多重比較,知水平1、2、3間的P值均大于0.05,三種水平兩兩間均沒有顯3)對射出壓力進行LSD多重比較,知水平1、2、3間的P值同樣均大于0.05,三種水平兩兩間也均1)由“主體間的效應(yīng)”表格知,溶樣方法、組成、溶樣方法*組成的檢驗P值均小于0.05,說明這
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