2023-2028年IGBT功率半導(dǎo)體市場現(xiàn)狀與前景調(diào)研報(bào)告

盛世華研·2008-2010年鋼行業(yè)調(diào)研報(bào)告PAGE2服務(wù)熱線圳市盛世華研企業(yè)管理有限公司2028年IGBT功率半導(dǎo)體市場2023-2028年IGBT功率半導(dǎo)體市場現(xiàn)狀與前景調(diào)研報(bào)告報(bào)告目錄TOC\o"1-3"\u第1章IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)監(jiān)管情況及主要政策法規(guī) 41.1IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)分類 41.2行業(yè)主管部門及管理體制 51.3行業(yè)主要政策、法律法規(guī) 5第2章我國IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)入壁壘 82.1資金壁壘 82.2技術(shù)壁壘 92.3客戶壁壘 92.4人才壁壘 10第3章2022-2023年中國IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況分析 103.1功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況 103.2IGBT功率半導(dǎo)體器件總體市場規(guī)模 113.3傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)支撐IGBT市場穩(wěn)步發(fā)展 133.4新能源行業(yè)加速IGBT未來市場 143.5IGBT等功率半導(dǎo)體器件進(jìn)口替代空間巨大 163.6DC/DC電源轉(zhuǎn)換器等電源模組行業(yè)發(fā)展概況 17第4章2022-2023年我國IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)競爭格局分析 184.1競爭格局 184.2國外同行業(yè)主要企業(yè) 19（1）英飛凌 19（2）三菱電機(jī)株式會(huì)社 20（3）富士電機(jī)株式會(huì)社 20（4）賽米控 214.3國內(nèi)同行業(yè)可比公司 21（1）斯達(dá)半導(dǎo)（603290.SH） 21（2）士蘭微(600460.SH） 21（3）揚(yáng)杰科技(300373.SZ） 22（4）華微電子(600360.SH） 22（5）臺(tái)基股份 23第5章企業(yè)案例分析：宏微科技 235.1公司的市場地位 235.2公司的技術(shù)水平及特點(diǎn) 255.3公司的競爭優(yōu)勢 265.4公司的競爭劣勢 305.5宏微科技科技成果與產(chǎn)業(yè)融合情況 33第6章2023-2028年半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展分析及趨勢預(yù)測 356.1全球半導(dǎo)體行業(yè)概況 356.2中國半導(dǎo)體行業(yè)概況 36第7章2023-2028年我國IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn) 377.1行業(yè)發(fā)展勢態(tài)及面臨的新的機(jī)遇 37（1）國家政策大力扶持為中國半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造良好的發(fā)展環(huán)境 37（2）節(jié)能減排政策將推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場需求增長 38（3）新能源領(lǐng)域的應(yīng)用將推動(dòng)行業(yè)快速發(fā)展 38（4）新型功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用范圍日益廣泛 39（5）“進(jìn)口替代”政策支持 397.2行業(yè)發(fā)展面臨的挑戰(zhàn) 39（1）我國功率半導(dǎo)體企業(yè)的國際競爭力有待提升 39（2）高端人才儲(chǔ)備相對不足 40（3）行業(yè)基礎(chǔ)相對薄弱 40（4）芯片國產(chǎn)率較低 41第1章IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)監(jiān)管情況及主要政策法規(guī)1.1IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)分類根據(jù)中國證監(jiān)會(huì)《上市公司行業(yè)分類指引》（2012年修訂），IGBT功率半導(dǎo)體所屬行業(yè)為計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)，行業(yè)代碼為“C39”；根據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局發(fā)布的《國民經(jīng)濟(jì)行業(yè)分類（2017年修訂）》（GB/T4754-2017），IGBT功率半導(dǎo)體所屬行業(yè)為半導(dǎo)體分立器件制造，行業(yè)代碼為“C3972”；根據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局發(fā)布的《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)分類（2018）》，IGBT功率半導(dǎo)體所屬行業(yè)為“新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”之“電子核心產(chǎn)業(yè)”之“新型電子元器件及設(shè)備制造”。1.2行業(yè)主管部門及管理體制本行業(yè)宏觀管理部門為國家發(fā)改委，主要負(fù)責(zé)產(chǎn)業(yè)政策的制定，推進(jìn)可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，組織擬訂高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步的戰(zhàn)略、規(guī)劃和重大政策，協(xié)調(diào)解決重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用等。工業(yè)和信息化部是半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)的主管部門，其主要職責(zé)包括：提出新型工業(yè)化發(fā)展戰(zhàn)略和政策，協(xié)調(diào)解決新型工業(yè)化進(jìn)程中的重大問題，擬訂并組織實(shí)施工業(yè)、通信業(yè)、信息化的發(fā)展規(guī)劃，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)戰(zhàn)略性調(diào)整和優(yōu)化升級(jí)；制定并組織實(shí)施工業(yè)、通信業(yè)的行業(yè)規(guī)劃、計(jì)劃和產(chǎn)業(yè)政策；監(jiān)測分析工業(yè)、通信業(yè)運(yùn)行態(tài)勢，統(tǒng)計(jì)并發(fā)布相關(guān)信息，進(jìn)行預(yù)測預(yù)警和信息引導(dǎo)；指導(dǎo)行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步，以先進(jìn)適用技術(shù)改造提升傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)等。本行業(yè)的自律組織主要有中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)及中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì)。行業(yè)協(xié)會(huì)履行行業(yè)管理職責(zé)，主要負(fù)責(zé)貫徹落實(shí)政府有關(guān)的政策、法規(guī)，開展產(chǎn)業(yè)及市場研究，行業(yè)自律管理及代表會(huì)員單位向政府部門提出行業(yè)發(fā)展建議和意見等工作。半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)企業(yè)在主管部門的產(chǎn)業(yè)宏觀調(diào)控和行業(yè)協(xié)會(huì)自律規(guī)范的約束下，面向市場自主經(jīng)營，自主承擔(dān)市場風(fēng)險(xiǎn)?！秶壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、《國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十三個(gè)五年規(guī)劃綱要》等一系列政策法規(guī)的提出對大力發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了積極而又深遠(yuǎn)的影響。1.3行業(yè)主要政策、法律法規(guī)半導(dǎo)體行業(yè)是國民經(jīng)濟(jì)支柱性行業(yè)之一，是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，屬于國家高度重視和鼓勵(lì)發(fā)展的行業(yè)，其發(fā)展程度是衡量一個(gè)國家科技發(fā)展水平的核心指標(biāo)之一。近年來，國家相關(guān)部委出臺(tái)了一系列支持和引導(dǎo)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的政策法規(guī)，主要情況如下：序號(hào)主要法律法規(guī)名稱頒布日期頒布單位主要內(nèi)容1《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》2006年6月國務(wù)院綱要提出將“突破制約信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)，掌握集成電路及關(guān)鍵元器件、大型軟件、高性能計(jì)算、寬帶無線移動(dòng)通信、下一代網(wǎng)絡(luò)等核心技術(shù)，提高自主開發(fā)能力和整體技術(shù)水平”作為信息產(chǎn)重要的發(fā)展思路。綱要還將“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件”（01專項(xiàng)）、極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝（02專項(xiàng)）作為16個(gè)重大專項(xiàng)的前兩位，并在科技投入、稅收優(yōu)惠、金融支持、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)等方面提岀了政策和措施2《當(dāng)前優(yōu)先發(fā)展的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)領(lǐng)域指南（2011年度）》（2011年第10號(hào)）2011年10月國家發(fā)改委、科技部、工業(yè)和信息化部、商務(wù)部、知識(shí)產(chǎn)權(quán)局將集成電路電路、信息功能材料與器件、新型元器件等列入重點(diǎn)領(lǐng)域，其中包括“中大功率高壓絕緣柵雙極晶管（IGBT）、快恢復(fù)二極管（FRD）芯片和模塊，中小功率智能模塊；高電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）；大功率集成門極換流晶閘管（IGCT）； 6英寸大功率晶閘管。3《國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十三個(gè)五年規(guī)劃綱要》2016年3月十二屆全國人大四次會(huì)議大力推進(jìn)先進(jìn)半導(dǎo)體等新興前沿領(lǐng)域創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化，形成一批新增長點(diǎn)4《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》2016年7月中共中央辦公廳、國務(wù)院辦公廳制定國家信息領(lǐng)域核心技術(shù)設(shè)備發(fā)展戰(zhàn)略綱要，以體系化思維彌補(bǔ)單點(diǎn)弱勢，打造國際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動(dòng)集成電路、基礎(chǔ)軟件、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)根本性突破5《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》2016年12月國務(wù)院提出做強(qiáng)信息技術(shù)核心產(chǎn)業(yè)，提升核心基礎(chǔ)硬件供給能力，推動(dòng)電子器件變革性升級(jí)換代，加強(qiáng)低功耗高性能新原理硅基器件、硅基光電子、混合光電子、微波光電子等領(lǐng)域前沿技術(shù)和器件研發(fā)，包括IGBT在內(nèi)的功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)將迎來新的一輪高速發(fā)展期6《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)分類（2018）》2018年11月國家統(tǒng)計(jì)局將“新型電子元器件及設(shè)備制造”列為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，其中中大功率高壓絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、快恢復(fù)二極管（FRD）芯片和模塊為重點(diǎn)產(chǎn)品7《關(guān)于政協(xié)十三屆全國委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)（公交郵電類256號(hào)）提案答復(fù)的函》2019年8月工業(yè)和信息化部工信部及相關(guān)部門將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會(huì)等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同，促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣8《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2019年本）》2019年11月國家發(fā)改委鼓勵(lì)類中包括“新型電子元器件（片式元器件、頻率元器件、混合集成電路、電力電子器件、光電子器件、敏感元器件及傳感器、新型機(jī)電元件、高密度印刷電路板和柔性電路板等）制造與“半導(dǎo)體、光電子器件、新型電子元器件（片式元器件、電力電子器件、光電子器件、敏感元器件及傳感器、新型機(jī)電元件、高頻微波印制電路板、高速通信電路板、柔性電路板、高性能覆銅板等）等電子產(chǎn)品用材料''；新能源汽車關(guān)鍵零部件，大功率電子器件（IGBT,電壓等級(jí)2750V,電流＞300A）9《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長點(diǎn)增長極的指導(dǎo)意見》2020年9月國家發(fā)改委“聚焦新能源裝備制造'卡脖子'問題，加快IGBT、控制系統(tǒng)等核心技術(shù)部件研發(fā)10《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2021-2023年）》2021年1月工業(yè)和信息化部實(shí)施重點(diǎn)產(chǎn)品高端提升行動(dòng)，面向電路類元器件等重點(diǎn)產(chǎn)品，突破制約行業(yè)發(fā)展的專利、技術(shù)壁壘，補(bǔ)足電子元器件發(fā)展短板，保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定。重點(diǎn)產(chǎn)品包括“耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠半導(dǎo)體分立器件及模塊”11《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》2021年3月十三屆全國人大四次會(huì)議在事關(guān)國家安全和發(fā)展全局的基礎(chǔ)核心領(lǐng)域，制定實(shí)施戰(zhàn)略性科學(xué)計(jì)劃和科學(xué)工程。瞄準(zhǔn)人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學(xué)、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領(lǐng)域，實(shí)施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項(xiàng)目。其中集成電路行業(yè)包括：集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。國家相關(guān)政策已經(jīng)明確了公司的IGBT、FRED系列產(chǎn)品在國民經(jīng)濟(jì)中的戰(zhàn)略地位，上述政策和法規(guī)的發(fā)布和落實(shí)，為行業(yè)提供了財(cái)政、稅收、技術(shù)和人才等多方面的支持，將給公司主營業(yè)務(wù)的發(fā)展提供良好的政策環(huán)境。第2章我國IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)入壁壘2.1資金壁壘功率半導(dǎo)體行業(yè)屬于資金密集型的行業(yè)，廠房建設(shè)成本高，同時(shí)較大比例的生產(chǎn)和檢測設(shè)備需要進(jìn)口，加上產(chǎn)品配套化及生產(chǎn)規(guī)模化的要求，新進(jìn)入本行業(yè)的企業(yè)需要一次性投入大額的固定資產(chǎn)投資。此外，持續(xù)的新產(chǎn)品研發(fā)、試制、檢測等也需要雄厚的資金實(shí)力保障，而且近年來隨著部分原材料價(jià)格的上漲，企業(yè)運(yùn)營對流動(dòng)資金的需求量也越來越大，也對企業(yè)資金實(shí)力提出了更高的要求，從而進(jìn)一步增加了行業(yè)新進(jìn)入者的市場風(fēng)險(xiǎn)。2.2技術(shù)壁壘功率半導(dǎo)體行業(yè)同時(shí)也是技術(shù)密集型的行業(yè)，行業(yè)進(jìn)入的技術(shù)壁壘除了體現(xiàn)在設(shè)計(jì)技術(shù)方面外，更多的是體現(xiàn)在制造工藝上。功率半導(dǎo)體器件制造對工藝設(shè)計(jì)和工藝過程控制的要求非常高，很多關(guān)鍵技術(shù)都需要通過工藝過程來實(shí)現(xiàn)，功率半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新在很大程度上主要體現(xiàn)為產(chǎn)品生產(chǎn)工藝上的創(chuàng)新，技術(shù)水平也主要體現(xiàn)為產(chǎn)品加工的工藝水平。生產(chǎn)工藝的創(chuàng)新和技術(shù)水平主要來源于企業(yè)長時(shí)間、大規(guī)模的生產(chǎn)實(shí)踐，需要持續(xù)的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的積累，行業(yè)新進(jìn)入者很難在短期內(nèi)獲得。此外，功率半導(dǎo)體器件企業(yè)和下游企業(yè)在技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)上具有非常緊密的互動(dòng)關(guān)系，下游企業(yè)開發(fā)新產(chǎn)品往往需要所使用功率器件在工藝上進(jìn)行改進(jìn)或創(chuàng)新，甚至共同開發(fā)出新的工藝和技術(shù)。2.3客戶壁壘根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)的特性，產(chǎn)品在向下游企業(yè)供貨前，必須先經(jīng)過下游企業(yè)嚴(yán)格的合格供應(yīng)商認(rèn)證，而認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于國家或行業(yè)制定的標(biāo)準(zhǔn)，且認(rèn)證周期較長，一般在半年以上。嚴(yán)格的合格供應(yīng)商認(rèn)證制度使新企業(yè)進(jìn)入行業(yè)難度增大。此外，銷售網(wǎng)絡(luò)的建立、品牌基礎(chǔ)、用戶基礎(chǔ)、和下游企業(yè)良好的協(xié)作關(guān)系也是構(gòu)成行業(yè)壁壘的主要因素。2.4人才壁壘功率半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)含量較高，要求新進(jìn)入者必須要有充足的研發(fā)人才儲(chǔ)備，才能保證公司在技術(shù)方面的競爭力。同時(shí)，隨著生產(chǎn)能力的不斷擴(kuò)大以及生產(chǎn)工藝的不斷復(fù)雜化、精密化，對管理人才尤其是生產(chǎn)管理人才也提出了更高的要求，這形成了本行業(yè)的人才壁壘。第3章2022-2023年中國IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況分析3.1功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況功率半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體器件的重要組成部分，是電力電子應(yīng)用裝備的基礎(chǔ)和核心器件，主要用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、變頻等，具有應(yīng)用范圍廣、用量大等特點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品，其中晶體管是市場份額最大的種類，晶體管又可以分為IGBT、MOSFET和雙極型晶體管等。功率半導(dǎo)體器件作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電和電能質(zhì)量管理、汽車電子和汽車充電樁等領(lǐng)域，尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域起著無法替代的關(guān)鍵作用。根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù)，2018年工業(yè)應(yīng)用市場占全球功率半導(dǎo)體市場的35.08%，汽車領(lǐng)域占比23.55%。隨著對節(jié)能減排的需求日益迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域正逐步進(jìn)入新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通、變頻家電等市場。近年來，受益于國際電子制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，我國電力電子產(chǎn)品，尤其是新型電力電子器件如IGBT、FRED、MOSFET等功率半導(dǎo)體器件保持了較快的發(fā)展態(tài)勢。目前，我國已經(jīng)成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件消費(fèi)國，2018年市場需求規(guī)模達(dá)到138億美元，增速為9.5%，占全球需求比例超過35%。我國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的高速發(fā)展，離不開下游應(yīng)用產(chǎn)品的旺盛需求。從應(yīng)用領(lǐng)域來看，工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域是我國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域需求最大的幾個(gè)領(lǐng)域。根據(jù)IHSMarkit預(yù)測，MOSFET和IGBT是未來5年增長最強(qiáng)勁的半導(dǎo)體功率器件。隨著新能源車（電機(jī)控制器、車載空調(diào)、充電樁）、光伏等行業(yè)的快速發(fā)展，MOSFET.IGBT在功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模占比有望持續(xù)提升。3.2IGBT功率半導(dǎo)體器件總體市場規(guī)模IGBT是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號(hào)指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。IGBT核心技術(shù)包括IGBT芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)以及IGBT模塊的設(shè)計(jì)、封裝測試等。IGBT芯片由于其工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下，對芯片的可靠性要求較高，同時(shí)芯片設(shè)計(jì)需保證開通關(guān)斷、抗短路能力和導(dǎo)通壓降（控制熱量）三者處于均衡狀態(tài)，芯片設(shè)計(jì)與參數(shù)調(diào)整優(yōu)化十分特殊和復(fù)雜。IGBT芯片設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)鏈中對研發(fā)實(shí)力要求很高的環(huán)節(jié)，國內(nèi)已有少數(shù)企業(yè)的技術(shù)實(shí)力逐步趕上國際主流先進(jìn)企業(yè)水平。IGBT功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域，應(yīng)用前景十分廣闊。根據(jù)IHSMarkit報(bào)告，2018年全球IGBT市場規(guī)模約為62億美金，2012年-2018年年復(fù)合增長率達(dá)11.65%。?我國IGBT市場規(guī)模增速快于全球，2012年-2019年我國IGBT年復(fù)合增長率為14.52%。根據(jù)集邦咨詢預(yù)測，受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長，到2025年，中國IGBT市場規(guī)模將達(dá)到522億人民幣，2018-2025年復(fù)合增長率達(dá)19.96%。IGBT可分為單管、模塊和智能功率模塊（IPM）三類產(chǎn)品，根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù),2018年IGBT模塊、IGBT單管和IPM市場規(guī)模占比分別為52.08%、20.99%和26.92%，三者生產(chǎn)制造技術(shù)和下游應(yīng)用場景均有所差異：在生產(chǎn)制造技術(shù)方而，單管產(chǎn)品和IPM模塊采用環(huán)氧注塑工藝，標(biāo)準(zhǔn)模塊采用灌膠工藝；在下游應(yīng)用場景方而，單管主要應(yīng)用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器及小功率變頻器，標(biāo)準(zhǔn)模塊主要應(yīng)用于大功率工業(yè)變頻器、電焊機(jī)、新能源汽車（電機(jī)控制器、車裁空調(diào)、充電樁）等領(lǐng)域，IPM模塊主要應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等白色家電。受益于下游行業(yè)市場需求的推動(dòng)，特別是在新能源汽車（電機(jī)控制器、車載空調(diào)、充電樁）、新能源發(fā)電、“十三五”節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃等一系列國家政策措施的支持下，我國IGBT市場需求持續(xù)快速增長。3.3傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)支撐IGBT市場穩(wěn)步發(fā)展工業(yè)控制行業(yè)的發(fā)展是我國制造業(yè)從低端向中高端轉(zhuǎn)型升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)。一方面，我國不斷出臺(tái)政策支持和鼓勵(lì)先進(jìn)制造業(yè)發(fā)展，為工業(yè)控制行業(yè)發(fā)展提供了有力的政策支持。另一方面，隨著我國人口紅利遞減，人力成本逐漸上升，制造企業(yè)加快推進(jìn)自動(dòng)化進(jìn)程，作為智能制造裝備業(yè)重要組成部分，工業(yè)控制行業(yè)的市場規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)增長。根據(jù)賽迪顧問的數(shù)據(jù)，我國2018年包含產(chǎn)品及服務(wù)市場的工控市場規(guī)模達(dá)到1,797億元，同比增長8.5%，預(yù)計(jì)到2021年，市場規(guī)模將達(dá)到2,600億元，期間年復(fù)合增長率為13.10%。工業(yè)控制領(lǐng)域系功率半導(dǎo)體下游主要應(yīng)用行業(yè)之一，功率半導(dǎo)體對于工廠的進(jìn)一步自動(dòng)化至關(guān)重要，隨著制造業(yè)的不斷升級(jí)，工業(yè)的生產(chǎn)制造、物流等流程改造對具有較高效能的電機(jī)需求不斷增大，而功率半導(dǎo)體器件系電機(jī)控制的核心器件，對其性能起著關(guān)鍵影響，預(yù)計(jì)其需求未來將保持較快增速。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2019年全球工業(yè)功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為115億美元，同比增長8.60%。IGBT在工業(yè)控制領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，應(yīng)用場景包括變頻器、逆變焊機(jī)、電磁感應(yīng)加熱、工業(yè)電源等。根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2019年全球工業(yè)控制IGBT市場規(guī)模約為140億元，其中我國工業(yè)控制IGBT市場規(guī)模約為30億元,預(yù)計(jì)到2025年全球工業(yè)控制IGBT市場規(guī)模將達(dá)到170億元。近年來，我國變頻器行業(yè)的市場規(guī)?？傮w呈上升態(tài)勢。在一系列節(jié)能環(huán)保政策的支持下，變頻器在冶金、煤炭、石油化工等工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用規(guī)模保持穩(wěn)定增長，同時(shí)我國城市化進(jìn)程的加快也推動(dòng)變頻器在市政、軌道交通等公共事業(yè)領(lǐng)域的需求持續(xù)增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)，2019年我國變頻器市場規(guī)模達(dá)到495億元，預(yù)計(jì)到2025年市場規(guī)模將達(dá)到883億元，變頻器用IGBT模塊和單管需求也有望保持穩(wěn)定增長。隨著焊割設(shè)備應(yīng)用企業(yè)對焊割設(shè)備節(jié)能環(huán)保性能越來越重視，相對傳統(tǒng)電焊機(jī)，具有體積小、重量小、能耗低、可控性強(qiáng)、造價(jià)低等優(yōu)點(diǎn)的逆變焊割設(shè)備面臨較好的發(fā)展機(jī)遇，其中逆變焊機(jī)的核心部件IGBT模塊也有望快速發(fā)展。根據(jù)中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2019年我國電焊機(jī)產(chǎn)量為950.06萬臺(tái)，同比增加96.76萬臺(tái)，電焊機(jī)市場的持續(xù)升溫將進(jìn)一步推動(dòng)IGBT需求量的不斷增長。同時(shí)，逆變式弧焊電源憑借優(yōu)異的電源特性在電焊機(jī)市場持續(xù)滲透，推動(dòng)逆變式弧焊電源的應(yīng)用市場規(guī)模逐步擴(kuò)大。隨著變頻器、逆變焊機(jī)等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的發(fā)展，IGBT的市場規(guī)模有望持續(xù)增長。3.4新能源行業(yè)加速IGBT未來市場在國際節(jié)能環(huán)保的大趨勢下，IGBT下游的新能源汽車、新能源發(fā)電等領(lǐng)域發(fā)展迅速，對IGBT模塊需求逐步擴(kuò)大，新興行業(yè)的加速發(fā)展將持續(xù)推動(dòng)IGBT市場的快速增長。①新能源汽車行業(yè)IGBT模塊在新能源汽車領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是新能源汽車電機(jī)控制器、車載空調(diào)、充電樁等設(shè)備的核心元器件。新能源汽車中的功率半導(dǎo)體價(jià)值量提升十分顯著，根據(jù)英飛凌年報(bào)顯示，新能源汽車中功率半導(dǎo)體器件的價(jià)值量約為傳統(tǒng)燃油車的5倍以上。其中,IGBT約占新能源汽車電控系統(tǒng)成本的37%，是電控系統(tǒng)中最核心的電子器件之一，因此，未來新能源汽車市場的快速增長，有望帶動(dòng)以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件的價(jià)值量顯著提升，從而有力推動(dòng)IGBT市場的發(fā)展。②新能源發(fā)電行業(yè)IGBT是光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器的核心器件，根據(jù)中國電力化工網(wǎng)的數(shù)據(jù)，2020年全球光伏發(fā)電裝機(jī)容量將達(dá)736.62GW，同比增長20.48%，我國光伏發(fā)電裝機(jī)容量繼續(xù)保持快速增長，2020年累計(jì)裝機(jī)有望達(dá)516GW，同比增長50%，裝機(jī)容量位居世界第一。國家統(tǒng)計(jì)局預(yù)測，至2025年中國新能源發(fā)電通過柔性輸電并網(wǎng)比例將會(huì)提升至71%，中國新能源發(fā)電IGBT市場規(guī)模將會(huì)增加到14.4億元。?目前，以華為、陽光電源為主的本土廠商在光伏逆變器市場持續(xù)突破，根據(jù)SolarEdge統(tǒng)計(jì)，2018年，華為在全球逆變器帀場的份額達(dá)22%,帀占率位列全球第一。國內(nèi)光伏逆變器廠商的快速發(fā)展和突出的市場地位也為國產(chǎn)IGBT替代帶來了顯著的區(qū)位優(yōu)勢和協(xié)同效應(yīng)。公司現(xiàn)已成為華為技術(shù)光伏逆變器的的供應(yīng)商之一。2020年2月，公司與華為技術(shù)簽訂了《關(guān)于光伏IGBT產(chǎn)品的合作協(xié)議》，合同期限至2025年12月31日。經(jīng)過較長時(shí)間的技術(shù)開發(fā)與多維度可靠性驗(yàn)證，公司相關(guān)產(chǎn)品質(zhì)量技術(shù)指標(biāo)達(dá)到客戶要求。3.5IGBT等功率半導(dǎo)體器件進(jìn)口替代空間巨大我國功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)規(guī)模雖在近年來保持了較快的增長態(tài)勢，但功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)制造與自身消費(fèi)之間仍存在巨大缺口。作為全球最大的功率半導(dǎo)體器件市場，我國功率半導(dǎo)體器件的芯片等產(chǎn)品仍大量依賴于國外供應(yīng)商。在全球功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)地分布中，不同國家、地區(qū)的技術(shù)水平與市場地位也有著顯著的差距。我國處于功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)鏈的相對末端，產(chǎn)品以二極管、晶閘管、低壓MOSFET等低功率半導(dǎo)體器件為主，而在以新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET、IGBT、FRED、高壓MOSFET為代表的高技術(shù)、高附加值、市場份額更大的中高檔產(chǎn)品領(lǐng)域，國外企業(yè)擁有絕對的競爭優(yōu)勢，國內(nèi)市場所需產(chǎn)品大量依賴進(jìn)口，與國外企業(yè)存在較大差距。根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù)，2019年全球IGBT模塊市場份額前五位的企業(yè)分別為英飛凌(InfineonTechnologies）>三菱(MitsubishiElectricCorporation）>富士(FujiElectric）>賽米控(SEMIKRON）和威科電子(Vincotech）,占據(jù)了全球68.8%的市場份額。同時(shí)，3300V以上的高端IGBT市場，海外廠商的IGBT產(chǎn)品的市場優(yōu)勢地位均十分明顯。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，自2015年以來，我國IGBT自給率超過10%并逐漸增長，預(yù)計(jì)2024年我國IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到0.78億只，需求量約為1.96億只?？偟膩砜?，我國IGBT行業(yè)仍存在巨大供需缺口?；趪蚁嚓P(guān)政策中提出核心元器件國產(chǎn)化的要求，“國產(chǎn)替代”將會(huì)是未來IGBT行業(yè)發(fā)展的主旋律之一。在工業(yè)控制、新能源汽車和新能源發(fā)電等領(lǐng)域設(shè)備制造商崛起的同時(shí)，成本因素以及貿(mào)易摩擦等不確定性因素將促使國內(nèi)客戶更加重視進(jìn)口替代選項(xiàng)，這為國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)提供了機(jī)會(huì)。SolarEdge數(shù)據(jù)顯示，2018年，華為在全球光伏逆變器市場的份額達(dá)22%，位列全球第一，陽光電源的市場份額15%，位居全球第二位；匯川技術(shù)、中達(dá)電通、新時(shí)達(dá)等本土電機(jī)廠商也已在低壓變頻器市場打開局面，其中匯川技術(shù)2018年低壓變頻器占有率達(dá)14%，位列全球第二。本土下游廠商的優(yōu)勢地位疊加其供應(yīng)鏈分散化考慮有望助力我國功率半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)一步融入下游產(chǎn)業(yè)鏈，未來行業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。3.6DC/DC電源轉(zhuǎn)換器等電源模組行業(yè)發(fā)展概況電源模組是由功率半導(dǎo)體分立器件和多個(gè)有源及無源元件按照一定的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成的電能轉(zhuǎn)換裝置，通過軟件控制實(shí)現(xiàn)某種功能的整機(jī)產(chǎn)品。公司電源模組主要為車載DC/DC電源，系功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用市場之一。車載DC/DC電源轉(zhuǎn)換器系把高壓電池電壓變換成隔離的低壓直流電壓,為車上的低壓電氣設(shè)備進(jìn)行供電的電源轉(zhuǎn)換器，主要用在電動(dòng)專用車上，替代傳統(tǒng)燃油汽車中的發(fā)電機(jī)。公司的車載DC/DC電源轉(zhuǎn)換器等電源模組產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源客車空調(diào)系統(tǒng)領(lǐng)域。近幾年，新能源客車補(bǔ)貼政策出現(xiàn)了較大調(diào)整、市場競爭加劇，新能源客車補(bǔ)貼政策對國內(nèi)新能源客車市場需求影響較大。2016-2020年，新能源客車銷量跟隨補(bǔ)貼政策的退坡而持續(xù)下滑，新能源客車銷量年復(fù)合增長率為-14.60%。公司的電源模組產(chǎn)品作為新能源客車空調(diào)的重要部件之一，在下游整車市場需求下降背景下，經(jīng)產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)，2019年產(chǎn)品銷售收入亦大幅下滑。第4章2022-2023年我國IGBT功率半導(dǎo)體行業(yè)競爭格局分析4.1競爭格局我國IGBT、FRED市場需求增長迅速，但國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚，相關(guān)專業(yè)技術(shù)人才缺乏，設(shè)計(jì)及工藝基礎(chǔ)薄弱，主要生產(chǎn)測試設(shè)備及核心原材料主要依靠進(jìn)口，國內(nèi)企業(yè)自主生產(chǎn)的IGBT和FRED產(chǎn)品系列化程度、規(guī)模與國外先進(jìn)企業(yè)存在較大差距。國內(nèi)IGBT封裝企業(yè)除了少數(shù)幾家具有芯片設(shè)計(jì)和制造能力，大部分只能外購芯片，從事后道封裝。近年來，少數(shù)國內(nèi)企業(yè)掌握了IGBT芯片和FRED芯片在內(nèi)的功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化的設(shè)計(jì)、制造技術(shù)并已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，功率半導(dǎo)體芯片和模塊產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)打破了國外廠商在我國市場上的壟斷地位，迫使國外廠商相應(yīng)產(chǎn)品不斷降價(jià)，為國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件下游應(yīng)用企業(yè)參與國內(nèi)及國際市場競爭創(chuàng)造了有利條件。在IGBT模塊市場，2019年全球市場份額前五位的企業(yè)分別為英飛凌(InfineonTechnologies）、三菱(MitsubishiElectricCorporation）>富士(FujiElectric）>賽米控(SEMIKRON）和威科電子(Vincotech），占據(jù)了68.8%的市場份額。國內(nèi)IGBT模塊主要企業(yè)包括采用IDM模式的中車時(shí)代、比亞迪、士蘭微、華微電子等企業(yè)，以及具備設(shè)計(jì)和模塊封測的企業(yè)，比如斯達(dá)半導(dǎo)、宏微科技、臺(tái)基股份等。FRED模塊市場，國外主要企業(yè)包括英飛凌(InfineonTechnologies）>安森美(ONSemiconductor）>富士(FujiElectric）等，國內(nèi)企業(yè)主要為宏微科技、士蘭微等。4.2國外同行業(yè)主要企業(yè)在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，國外同行業(yè)企業(yè)主要包括英飛凌、三菱電機(jī)株式會(huì)社、富士電機(jī)株式會(huì)社、賽米控等。國內(nèi)同行業(yè)企業(yè)主要包括斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微、揚(yáng)杰科技、華微電子、臺(tái)基股份。（1）英飛凌英飛凌公司的前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，總部位于德國慕尼黑，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。英飛凌公司的主營業(yè)務(wù)涉及汽車、芯片卡與安全、工業(yè)電源控制和電源管理四個(gè)方面。根據(jù)英飛凌2019及2020年年報(bào)統(tǒng)計(jì)，英飛凌2019年度及2020年度營業(yè)收入分別為80.29億歐元、85.67億歐元。英飛凌公司作為行業(yè)龍頭，是IGBT技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù),2019年，英飛凌在全球IGBT模塊市場的份額達(dá)到35.6%,位列全球第1位，在低電壓、中電壓和高電壓IGBT領(lǐng)域，英飛凌均占據(jù)領(lǐng)先地位。（2）三菱電機(jī)株式會(huì)社三菱電機(jī)株式會(huì)社是三菱集團(tuán)的核心企業(yè)之一，成立于1921年。三菱電機(jī)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場占據(jù)著重要的地位。三菱電機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)品包括功率模塊（IGBT、IPM、MOSFET等）、微波/射頻和高頻光器件、光模塊等。作為全球領(lǐng)先的IGBT企業(yè)，三菱電機(jī)在中等電壓、高電壓IGBT領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù)，2019年其在全球IGBT模塊市場份額為11.90%，僅次于英飛凌。（3）富士電機(jī)株式會(huì)社富士電機(jī)株式會(huì)社成立于1923年，在全球生產(chǎn)和銷售IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體。富士電機(jī)IGBT芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)主要集中在本國進(jìn)行，在英國、日本和菲律賓設(shè)有功率器件生產(chǎn)工廠。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的IGBT企業(yè)，富士電機(jī)主要生產(chǎn)IGBT模塊和IPM,產(chǎn)品在工業(yè)控制和變頻家電中廣泛使用。根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù)，2019年其在全球IGBT模塊市場份額為10.5%，位列第三。（4）賽米控賽米控成立于1951年，總部位于德國紐倫堡。賽米控是全球領(lǐng)先的電力電子制造商，發(fā)明了全球第一款帶絕緣設(shè)計(jì)的功率模塊，主要生產(chǎn)中等功率輸出范圍（約2KW至10MW）中廣泛應(yīng)用的電力電子組件和系統(tǒng)，生產(chǎn)產(chǎn)品包括芯片、單管、二極管、晶閘管、IGBT功率模塊和系統(tǒng)功率組件。賽米控在低電壓消費(fèi)級(jí)IGBT領(lǐng)域具備一定優(yōu)勢，根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù)，2019年其在全球IGBT模塊市場份額為7.30%，位列第四。4.3國內(nèi)同行業(yè)可比公司（1）斯達(dá)半導(dǎo)（603290.SH）斯達(dá)半導(dǎo)主要從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)和生產(chǎn),并以IGBT模塊形式對外實(shí)現(xiàn)銷售，相關(guān)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制及電源、新能源、變頻白色家電等領(lǐng)域。根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù)，2019年斯達(dá)半導(dǎo)在全球IGBT模塊市場的份額約為2.5%，市占率排名位列全球第8位，國內(nèi)第1位，是世界排名前十中唯一一家中國企業(yè)。（2）士蘭微(600460.SH）士蘭微目前為國內(nèi)較大的以“設(shè)計(jì)制造一體”(IDM）模式為主要經(jīng)營模式的綜合性半導(dǎo)體產(chǎn)品公司，主要產(chǎn)品包括集成電路、半導(dǎo)體分立器件、LED(發(fā)光二極管）產(chǎn)品等三大類，相關(guān)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)、新能源汽車、新能源發(fā)電和家電等領(lǐng)域。士蘭微從功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)開始，逐步搭建了特色工藝的芯片制造平臺(tái)，形成IDM的經(jīng)營模式。士蘭微陸續(xù)完成大功率IGBT、多芯片高壓IGBT智能功率模塊、超結(jié)MOSFET、高壓集成電路等產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線不斷豐富。根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù)，2019年士蘭微在全球IGBT單管市場份額約為2.2%，市占率排名位列全球第10位；在全球IPM模塊市場份額約為1.1%，市占率排名位列全球第9位。（3）揚(yáng)杰科技(300373.SZ）揚(yáng)杰科技主要從事功率半導(dǎo)體芯片及器件制造以及集成電路封裝測試等業(yè)務(wù)。揚(yáng)杰科技主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，相關(guān)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等領(lǐng)域。（4）華微電子(600360.SH）華微電子成立于1999年，是集功率半導(dǎo)體分立器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營銷為一體的高新技術(shù)企業(yè)，擁有多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體分立器件及IC，應(yīng)用于消費(fèi)電子、節(jié)能照明、計(jì)算機(jī)、PC、汽車電子、通訊保護(hù)與工業(yè)控制等領(lǐng)域。華微電子目前已建立了從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產(chǎn)品到第六代IGBT功率器件的產(chǎn)品體系。根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù),2019年華微電子在全球IPM模塊市場份額約為0.8%，市占率排名位列全球第10位。（5）臺(tái)基股份臺(tái)基股份主要從事功率半導(dǎo)體芯片及器件的研發(fā)、制造、銷售服務(wù)，主要產(chǎn)品為功率晶閘管、整流管、IGBT、電力半導(dǎo)體模塊等功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)電氣控制和電源設(shè)備，包括冶金鑄造、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、大功率電源、輸變配電、軌道交通、新能源等行業(yè)和領(lǐng)域。臺(tái)基股份擁有技術(shù)和產(chǎn)能國內(nèi)領(lǐng)先的完整的大功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線，具有年生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件200萬只以上的能力，是國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件主要的提供者之一。第5章企業(yè)案例分析：宏微科技5.1公司的市場地位公司致力于功率半導(dǎo)體芯片、單管、模塊及電源模組研發(fā)與生產(chǎn)。公司曾榮獲“新型電力半導(dǎo)體器件領(lǐng)軍企業(yè)”、“蘇南國家自主創(chuàng)新示范區(qū)瞪羚企業(yè)”、“PSIC2019中國新能源汽車用IGBT最具發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)稱號(hào)”和“中國電氣節(jié)能30年杰出貢獻(xiàn)企業(yè)”等榮譽(yù)稱號(hào)。2011年，公司的“75-100A/1200-1700V”高壓大電流平面型“NPTIGBT”系列產(chǎn)品，經(jīng)江蘇省經(jīng)信委、常州市科技局等組織專家鑒定達(dá)到國際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平，其中1200V產(chǎn)品部分主要性能指標(biāo)超過國際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平；“2-200A/200-1200V”超快速軟恢復(fù)外延二極管(FRED）芯片性能指標(biāo)達(dá)到國際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。公司“超快軟恢復(fù)外延型二極管(FRED）系列產(chǎn)品”、“一種新型的NPTIGBT結(jié)構(gòu)”分別于2012年和2015年榮獲中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)等授予的“中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)”2015年，公司“高壓大電流高性能IGBT芯片及模塊的產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目獲得江蘇省人民政府“江蘇省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)”，“一種新型的NPTIGBT芯片和模塊的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目獲得中國電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。公司通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品外延等手段不斷延伸產(chǎn)品線，能夠滿足不同終端客戶對產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)和性能多樣性的需求，具有一定的市場占有率和較強(qiáng)的品牌影響力。公司憑借可靠的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與眾多知名企業(yè)客戶保持了良好的商業(yè)合作關(guān)系，同時(shí)依托龍頭客戶產(chǎn)生的市場效應(yīng)不斷向行業(yè)內(nèi)其他企業(yè)拓展。在工業(yè)控制領(lǐng)域，公司目前已經(jīng)成為臺(tái)達(dá)集團(tuán)、匯川技術(shù)、合康新能等多家變頻器行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，佳士科技、奧太集團(tuán)、上海滬工等多家知名電焊機(jī)行業(yè)企業(yè)。在新能源領(lǐng)域，公司主要客戶群有盛弘股份、科士達(dá)、英可瑞、華為技術(shù)等眾多優(yōu)秀企業(yè)，市場份額不斷擴(kuò)大；其中新能源汽車電控系統(tǒng)領(lǐng)域，公司車規(guī)級(jí)IGBT模塊GV系列已實(shí)現(xiàn)對臻驅(qū)科技（上海）有限公司小批量供貨，2019年度、2020年度分別實(shí)現(xiàn)銷售收入39.50萬元和122.76萬元，部分客戶匯川技術(shù)、蜂巢電驅(qū)動(dòng)科技河北有限公司（長城汽車子公司）和麥格米特尚在對GV系列產(chǎn)品進(jìn)行產(chǎn)品認(rèn)證。5.2公司的技術(shù)水平及特點(diǎn)自上世紀(jì)80年代IGBT產(chǎn)品開啟工業(yè)化應(yīng)用以來，一直為國外知名公司所壟斷，國外知名公司的產(chǎn)品布局全面，電壓、電流范圍較廣，其中英飛凌已實(shí)現(xiàn)各種電壓范圍IGBT全覆蓋，三菱、富士電機(jī)、安森美也涵蓋了多個(gè)電壓區(qū)間。近年來，IGBT技術(shù)經(jīng)歷了豐富的演變，涌現(xiàn)出不同的IGBT技術(shù)方案，這些方案主要由英飛凌、三菱電機(jī)和富士電機(jī)等海外廠商主導(dǎo)推動(dòng)。海外廠商IGBT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)仍在不斷突破和創(chuàng)新，先后推出了微細(xì)槽柵結(jié)構(gòu)、側(cè)柵結(jié)構(gòu)、鰭狀基區(qū)結(jié)構(gòu)等全新技術(shù)，推動(dòng)了IGBT應(yīng)用和市場的持續(xù)發(fā)展。同時(shí)IGBT的制造工藝也在持續(xù)革新，深溝槽、精準(zhǔn)摻雜、深度擴(kuò)散、超薄片加工以及質(zhì)子注入等多種工藝的引入形成了較高的技術(shù)壁壘，制造技術(shù)也成為實(shí)現(xiàn)IGBT自主創(chuàng)新的關(guān)鍵。近幾年來，國內(nèi)IGBT無論是在芯片設(shè)計(jì)方面還是在芯片制造和封裝方面雖有突破但與國外相比仍有一些差距。公司一直專注于功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊研發(fā)及應(yīng)用，在IGBT芯片及模塊方面進(jìn)行了大量的深入的研究和開發(fā)，積累了豐富的設(shè)計(jì)和制造經(jīng)驗(yàn)。公司目前已掌握功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的核心工藝技術(shù)，如IGBT溝槽結(jié)構(gòu)+場阻斷技術(shù)以及最新的微溝槽技術(shù)、FRED的超軟恢復(fù)以及壽命控制技術(shù)、模塊封裝的納米銀燒結(jié)工藝和低分布參數(shù)的布線技術(shù)等。公司IGBT芯片及封裝的1200VIGBT模塊系列產(chǎn)品，性能上匹配國外同規(guī)格產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速、電焊機(jī)、開關(guān)電源、光伏逆變器、風(fēng)電變流器、SVG（靜止無功補(bǔ)償器）等領(lǐng)域。公司FRED芯片能夠?qū)崿F(xiàn)極快的反向恢復(fù)時(shí)間，且保持恢復(fù)時(shí)超軟的特性。憑借領(lǐng)先的芯片技術(shù)和先進(jìn)的模塊封裝技術(shù)，公司形成了“芯片、單管、模塊和電源模組”產(chǎn)品鏈，掌握的核心技術(shù)全部用于主營業(yè)務(wù)，多項(xiàng)產(chǎn)品已通過諸多國內(nèi)外知名企業(yè)驗(yàn)證，在行業(yè)內(nèi)具有獨(dú)特的競爭優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用場景。5.3公司的競爭優(yōu)勢（1）技術(shù)優(yōu)勢公司始終堅(jiān)持以技術(shù)自主創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)，以持續(xù)研發(fā)投入為保障，建立了完善的研發(fā)體系和強(qiáng)大的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。公司目前已具備IGBT、FRED芯片和模塊設(shè)計(jì)、工藝開發(fā)、產(chǎn)品封裝測試的核心技術(shù)。公司被授予“國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程基地”、“江蘇省博士后創(chuàng)新實(shí)踐基地”，積極參與IGBT國家和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定、承擔(dān)國家和省部級(jí)科技重大項(xiàng)目等。公司作為主要起草單位之一，制定了已實(shí)施的1項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)和10項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，以及已發(fā)布即將實(shí)施的2項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)和尚未發(fā)布的5項(xiàng)IGBT相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。其次,公司承擔(dān)了多項(xiàng)國家級(jí)及省部級(jí)研發(fā)項(xiàng)目，包括5項(xiàng)國家02重大專項(xiàng)（《極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝》項(xiàng)目），2項(xiàng)國家科技部863科技計(jì)劃項(xiàng)目，以及國家發(fā)改委、科技部、工信部等多項(xiàng)科研項(xiàng)目。截至2020年12月31日，公司已擁有授權(quán)專利合計(jì)95項(xiàng)，其中發(fā)明專利35項(xiàng)。同行業(yè)可比公司斯達(dá)半導(dǎo)和公司均采用以英飛凌為代表的國際先進(jìn)的IGBT溝槽場阻斷技術(shù)，兩者技術(shù)水平相近。其他可比上市公司如士蘭微、揚(yáng)杰科技、華微電子、臺(tái)基股份等功率半導(dǎo)體器件公司以單管為主，功率較小，其中士蘭微、華微電子IGBT產(chǎn)品以小功率模塊為主，與公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)差異較大。（2）產(chǎn)品鏈優(yōu)勢目前，國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)大多以后道封裝和測試為主，在購買芯片經(jīng)封裝后向市場銷售成品。國內(nèi)可以自主研發(fā)IGBT、FRED芯片的公司較少。公司系集芯片、模塊設(shè)計(jì)、模塊封裝測試于一體，具備IGBT、FRED規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)。芯片作為單管產(chǎn)品和模塊產(chǎn)品的主要原材料，是單管及模塊中的核心元件，其成本控制能力及產(chǎn)品性能的優(yōu)劣將直接影響廠商的總體利潤水平。公司依靠自身工藝、人才、技術(shù)等基礎(chǔ)核心優(yōu)勢的長期積累，成熟運(yùn)用芯片的核心設(shè)計(jì)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品鏈延伸，形成芯片、單管、模塊和電源模組的多類型產(chǎn)品布局。同行業(yè)可比公司斯達(dá)半導(dǎo)和公司均具有IGBT芯片設(shè)計(jì)能力，并采用代工模式生產(chǎn)芯片，具備獨(dú)立的模塊自動(dòng)化封裝、測試等技術(shù)生產(chǎn)能力。除IGBT產(chǎn)品外，公司還自主設(shè)計(jì)與IGBT配套的FRED芯片。（3）多品種規(guī)?；?yīng)優(yōu)勢功率半導(dǎo)體器件作為一種最基礎(chǔ)的工業(yè)電子元器件，下游整機(jī)裝備客戶通常需要多種系列和規(guī)格的產(chǎn)品，為了確保整機(jī)產(chǎn)品的穩(wěn)定性，客戶傾向于選擇同一品牌的一站式服務(wù)。公司產(chǎn)品系列齊全，品種繁多，目前公司已開發(fā)出IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品100余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管及晶閘管等模塊產(chǎn)品400余種，電流范圍從3A到1000A，電壓范圍從60V到2000V，產(chǎn)品類型齊全。依托良好的技術(shù)優(yōu)勢及敏銳的市場洞悉能力，公司通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品外延等手段不斷延伸產(chǎn)品線。在產(chǎn)品種類上，公司形成了從芯片設(shè)計(jì)到模塊封裝，從功率二極管到MOSFET到IGBT，從低頻到高頻器件，從小功率產(chǎn)品到大功率模塊的全系列、多規(guī)格產(chǎn)品格局。在產(chǎn)品適用范圍上，公司產(chǎn)品適用于變頻器、電焊機(jī)、UPS電源、逆變電源、光伏、新能源大巴汽車空調(diào)、新能源汽車電控系統(tǒng)、新能源汽車充電樁等多元化領(lǐng)域。公司多品種、專業(yè)化、規(guī)?；漠a(chǎn)品供應(yīng)能力，使得公司具備突出的組合供應(yīng)能力，能夠?yàn)楦黝I(lǐng)域客戶提供多品種、多系列、專業(yè)化的一攬子產(chǎn)品解決方案。公司功率器件具有低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗和高可靠性等優(yōu)勢。公司功率器件產(chǎn)品的全面性及高性能確保了其能夠滿足不同客戶的廣泛應(yīng)用需求。同行業(yè)可比公司斯達(dá)半導(dǎo)以IGBT模塊為主，產(chǎn)品相對集中；公司除了IGBT產(chǎn)品外，還包括FRED芯片、單管和模塊，整流二極管及晶閘管等模塊產(chǎn)品，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)較為豐富，可為下游客戶提供多種解決方案。（4）品牌及市場優(yōu)勢經(jīng)過多年發(fā)展，公司目前已經(jīng)逐步形成以IGBT、FRED模塊為核心業(yè)務(wù)的科技型企業(yè)，IGBT模塊銷售額逐年增長，其中定制模塊增長較為顯著。公司產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域不斷升級(jí)和拓寬，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制（電焊機(jī)、變頻器、UPS電源等）、新能源發(fā)電（光伏逆變器、無功補(bǔ)償裝置、有源電力濾波器等）、新能源大巴汽車空調(diào)、新能源汽車電控系統(tǒng)、新能源汽車充電樁和家用電器等多元化領(lǐng)域。公司目前已積累了知名的國內(nèi)外客戶群，產(chǎn)品及方案被不同終端領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，市場認(rèn)可度高。公司與眾多國內(nèi)外優(yōu)秀客戶擁有多年的合作經(jīng)驗(yàn)，長期以來與之共同成長，與客戶積累了深厚且緊密的合作關(guān)系。公司依托龍頭客戶產(chǎn)生的市場效應(yīng)不斷向行業(yè)內(nèi)其他企業(yè)拓展。公司憑借可靠的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與客戶保持了良好的商業(yè)合作關(guān)系，培育了一大批忠實(shí)客戶并取得了較好的市場口碑，為公司不斷積累客戶資源、取得長遠(yuǎn)發(fā)展提供了有力的保障。公司亦被多家知名客戶企業(yè)如臺(tái)達(dá)集團(tuán)、匯川技術(shù)、奧太集團(tuán)等知名企業(yè)客戶評為“優(yōu)秀供應(yīng)商”或“重要供應(yīng)商”。中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)變頻器分會(huì)、中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)電焊機(jī)分會(huì)、中國電源學(xué)會(huì)電能質(zhì)量專委會(huì)分別出具證明：公司產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到國外同類產(chǎn)品水平,為我國功率器件下游應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)進(jìn)口替代作出了重要貢獻(xiàn)。公司未來將通過技術(shù)創(chuàng)新保持在業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先優(yōu)勢，同時(shí)深耕進(jìn)口替代的中國市場機(jī)會(huì)，不斷推出適應(yīng)市場需求的新技術(shù)、新產(chǎn)品，保持、鞏固并提升公司現(xiàn)有的市場地位和競爭優(yōu)勢。（5）人才優(yōu)勢人才是半導(dǎo)體行業(yè)的重要因素，是功率半導(dǎo)體企業(yè)求生存、謀發(fā)展的先決條件。公司是由一批長期在國內(nèi)外從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)，具有多種專項(xiàng)技術(shù)的科技專家組建的高科技企業(yè)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)的核心成員均為從事電力電子器件行業(yè)20余載的高級(jí)技術(shù)人才，曾參加過國家“八五”、“九五”、“十一五”、“十二五”IGBT芯片和模塊科技攻關(guān)，在國內(nèi)外知名企業(yè)曾長期從事IGBT、VDMOS和FRED芯片的研究與科技攻關(guān)工作，有著豐富的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。公司團(tuán)隊(duì)曾被國務(wù)院僑務(wù)辦授予“重點(diǎn)華僑華人創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)”稱號(hào)。公司實(shí)際控制人趙善麒先生是國家特聘專家、“國務(wù)院突出貢獻(xiàn)專家特殊津貼”獲得者、全國優(yōu)秀科技工作者；是公司承擔(dān)的國家重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”中“工業(yè)控制與風(fēng)機(jī)高壓芯片封裝和模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目001和004子課題的首席專家。經(jīng)過多年的實(shí)踐積累，公司不僅培養(yǎng)了一支專業(yè)的技術(shù)隊(duì)伍，還積累了大量的核心技術(shù)及豐富的項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，具備較強(qiáng)的技術(shù)儲(chǔ)備和自主創(chuàng)新能力，對相關(guān)技術(shù)有深刻的理解和扎實(shí)的技術(shù)積淀。未來，公司為保證研發(fā)實(shí)力的持續(xù)提升，還將繼續(xù)擴(kuò)大公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)規(guī)模，增加研發(fā)費(fèi)用支出，為項(xiàng)目產(chǎn)品的技術(shù)領(lǐng)先提供持續(xù)動(dòng)力。5.4公司的競爭劣勢（1）融資能力不足功率半導(dǎo)體行業(yè)亦屬于資本密集型行業(yè)，無論是技術(shù)研發(fā)還是產(chǎn)線建設(shè)都需要大量的資金投入。公司目前正面臨新能源汽車、新能源發(fā)電等下游新興產(chǎn)業(yè)帶來的市場機(jī)遇。公司在未來發(fā)展和爭取市場機(jī)遇過程中需投入大量的資金來進(jìn)行產(chǎn)品及工藝的研發(fā)、人才的引進(jìn)與產(chǎn)能的提升。公司的資金主要依賴于股東投入、間接融資和自有資金積累，融資手段有限，公司亟需拓展融資渠道，進(jìn)一步提高公司的綜合實(shí)力。（2）與國外龍頭企業(yè)和同行業(yè)可比公司尚存在一定差距全球前五位的IGBT模塊主要生產(chǎn)企業(yè)如英飛凌（InfineonTechnologies）＞三菱（MitsubishiElectricCorporation）＞富士（FujiElectric）＞賽米控（SEMIKRON）等，其占據(jù)了全球近70%的市場份額，且已經(jīng)實(shí)現(xiàn)國際化銷售布局。公司在技術(shù)能力、工藝積累、產(chǎn)品線豐富程度、企業(yè)規(guī)模、品牌知名度等各方面與英飛凌等國際知名企業(yè)相比尚存在一定差距，具體差異情況如下：1）技術(shù)能力、工藝積累方面國外龍頭企業(yè)一般都采用完整的IDM模式即芯片設(shè)計(jì)、制造與封裝一體化,具有深厚的技術(shù)積累，形成了比較高的技術(shù)壁壘和技術(shù)優(yōu)勢。如行業(yè)內(nèi)龍頭企業(yè)英飛凌公司于2010年推出英飛凌IGBT4系列和續(xù)流二極管芯片EmCon4系列產(chǎn)品，2014年底基于MPT技術(shù)推出了IGBT5系列，隨后逐步推出了EDT2系列的IGBT芯片以及模塊產(chǎn)品。公司芯片制造系委外代工，某些特殊的芯片制造工藝平臺(tái)需依托于芯片代工廠進(jìn)行開發(fā)，技術(shù)成熟的時(shí)間節(jié)點(diǎn)落后于國外龍頭企業(yè)，公司于2017年推出了自研IGBT第三代產(chǎn)品對標(biāo)英飛凌T4系列,2019年研發(fā)成功了自研第四代750VIGBT芯片對標(biāo)英飛凌的EDT2產(chǎn)品，對標(biāo)英飛凌IGBT5系列的芯片于2021年初完成了合格樣品的制備；續(xù)流二級(jí)管芯片方面，公司于2019年度推出了對標(biāo)英飛凌EmCon4的產(chǎn)品。由于續(xù)流二級(jí)管芯片的研發(fā)滯后，報(bào)告期內(nèi)公司IGBT模塊中所使用續(xù)流二極管芯片仍處于逐步進(jìn)口替代過程中，由于進(jìn)口續(xù)流二極管芯片單位成本相對自研芯片較高，綜合使得公司模塊產(chǎn)品毛利率水平較低。2）產(chǎn)品線豐富程度國外龍頭企業(yè)經(jīng)營歷史悠久，產(chǎn)品組合豐富，如英飛凌公司的產(chǎn)品線除涉及功率半導(dǎo)體中的MOSFET、IGBT、二極管及晶閘管等外，還涉及汽車系統(tǒng)芯片、電源管理芯片、高可靠性器件、微控制器等其他半導(dǎo)體芯片及器件，而公司涉及的產(chǎn)品種類數(shù)量相對較少，主要涉及功率半導(dǎo)體的IGBT、FRED等。3）經(jīng)營規(guī)模行業(yè)龍頭企業(yè)研發(fā)資源和技術(shù)人才充裕，營收規(guī)模較高，如英飛凌2019年度及2020年度營業(yè)收入分別為80.29億歐元、85.67億歐元，斯達(dá)半導(dǎo)2019年度及2020年度營業(yè)收入分別為77,943.97萬元、96,300.30萬元。公司2020年度營業(yè)收入為人民幣3.32億元，因公司企業(yè)規(guī)模尚小，采用Fabless模式生產(chǎn)的芯片成本相對較高，對進(jìn)口芯片采購的議價(jià)能力相對較低。同時(shí)，為拓寬市場份額，公司對部分潛在交易量較大的客戶采取了適度優(yōu)惠的定價(jià)策略，對部分行業(yè)龍頭企業(yè)客戶的產(chǎn)品議價(jià)能力相對較弱。4）品牌知名度根據(jù)IHSMarkit數(shù)據(jù)，2019年，英飛凌在全球IGBT模塊市場的份額達(dá)到35.6%，位列全球第1位，斯達(dá)半導(dǎo)在全球IGBT模塊市場的份額約為2.5%，市占率排名位列全球第8位，英飛凌品牌在全球具有較高的知名度，公司產(chǎn)品僅在國內(nèi)市場具有一定知名度。5）產(chǎn)品結(jié)構(gòu)報(bào)告期內(nèi)，公司模塊產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)控制及電源行業(yè)，各期對應(yīng)領(lǐng)域收入占模塊總收入比例分別為95.45%、95.73%和97.21%。公司的新能源汽車電控系統(tǒng)領(lǐng)域用產(chǎn)品收入比例很小，目前仍主要處于客戶端認(rèn)證階段，與斯達(dá)半導(dǎo)相比，公司在新能源汽車電控系統(tǒng)領(lǐng)域銷售規(guī)模和比例相對較小。5.5宏微科技科技成果與產(chǎn)業(yè)融合情況公司一直專注于功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊研發(fā)及應(yīng)用，在IGBT、FRED芯片及模塊方面進(jìn)行了大量的深入的設(shè)計(jì)和工藝研究及產(chǎn)品的開發(fā)，積累了豐富的設(shè)計(jì)和制造經(jīng)驗(yàn)。公司一直專注于功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊研發(fā)及應(yīng)用，在IGBT、FRED芯片及模塊方面進(jìn)行了大量的深入的設(shè)計(jì)和工藝研究及產(chǎn)品的開發(fā)，積累了豐富的設(shè)計(jì)和制造經(jīng)驗(yàn)。自成立以來，公司始終耕耘于功率半導(dǎo)體器件行業(yè)，已掌握了先進(jìn)的IGBT、FRED芯片和工藝設(shè)計(jì)能力、模塊的封裝設(shè)計(jì)與制造能力、特性分析與可靠性研究能力、器件的應(yīng)用研究與失效分析能力。經(jīng)過十余多年的技術(shù)沉淀和積累，公司已在IGBT、FRED等功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計(jì)、封裝和測試等方面積累了眾多優(yōu)秀核心技術(shù)，公司IGBT、FRED芯片等技術(shù)水平不斷提升，產(chǎn)品迭代速度較快，宏微第三代M3iIGBT和宏微第四代M4iIGBT、及FRED芯片技術(shù)產(chǎn)品，各項(xiàng)性能指標(biāo)與英飛凌同類產(chǎn)品接近，屬于國內(nèi)進(jìn)口主流產(chǎn)品的技術(shù)水平，同時(shí)，公司被授予“國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程基地”、“江蘇省博士后創(chuàng)新實(shí)踐基地”，并積極參與IGBT國家和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定，以及承擔(dān)國家和省部級(jí)科技重大項(xiàng)目。截至2020年12月31日，公司承擔(dān)了多項(xiàng)國家級(jí)及省部級(jí)研發(fā)項(xiàng)目，包括5項(xiàng)國家02重大專項(xiàng)（《極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝》項(xiàng)目），2項(xiàng)國家科技部863科技計(jì)劃項(xiàng)目。此外，公司已擁有授權(quán)專利合計(jì)95項(xiàng)，發(fā)明專利35項(xiàng)。公司憑借領(lǐng)先的研發(fā)能力、可靠的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)秀的客戶服務(wù)水平，在國內(nèi)外積累了良好的品牌認(rèn)知和優(yōu)質(zhì)的客戶資源。目前公司產(chǎn)品集中應(yīng)用于工業(yè)控制（電焊機(jī)、變頻器、UPS電源等），部分產(chǎn)品應(yīng)用于新能源發(fā)電（光伏逆變器、無功補(bǔ)償裝置、有源電力濾波器等）、新能源汽車（新能源大巴汽車空調(diào)、新能源汽車電控系統(tǒng)、新能源汽車充電樁）和家用電器等多元化領(lǐng)域，并積累了一大批優(yōu)秀的行業(yè)知名企業(yè)客戶群。第6章2023-2028年半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展分析及趨勢預(yù)測6.1全球半導(dǎo)體行業(yè)概況半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，已成為社會(huì)發(fā)展和國民經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是現(xiàn)代日常生活和未來科技進(jìn)步必不可少的重要組成部分，在推動(dòng)國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展、社會(huì)進(jìn)步、保障國家安全等方面發(fā)揮著廣泛而重要的作用，是當(dāng)前國際綜合國力競爭的焦點(diǎn)和衡量一個(gè)國家或地區(qū)綜合競爭力的重要標(biāo)志。伴隨著國內(nèi)經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展和國家對半導(dǎo)體行業(yè)的大力支持，我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大，技術(shù)水平不斷提升，極大地推動(dòng)了國家信息化發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈大致可以劃分為上游、中游和下游。上游包括半導(dǎo)體原材料、制造所需輔助材料和化學(xué)試劑及氣體、生產(chǎn)設(shè)備、計(jì)算機(jī)軟件等；中游包括設(shè)計(jì)、制造、封測三大環(huán)節(jié)；下游主要為半導(dǎo)體應(yīng)用，如工業(yè)控制、家用電器、交通、照明、新能源等等。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)環(huán)相扣，每一個(gè)單獨(dú)的產(chǎn)業(yè)都可以成為一個(gè)產(chǎn)業(yè)集群，輻射到國民經(jīng)濟(jì)各個(gè)角落。亞太地區(qū)半導(dǎo)體行業(yè)近年來發(fā)展迅速，已成為全球最大的半導(dǎo)體市場。全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體行業(yè)2018年市場規(guī)模達(dá)到4,688億美元，較2017年增長約13.73%。其中美國半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模約為1,030億美元，占全球市場的21.97%；歐洲半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模約為430億美元，約占全球市場的9.16%；亞太地區(qū)（除日本外）市場規(guī)模達(dá)2,829億美元，已占據(jù)全球市場60.34%的市場份額。2019年，受中美貿(mào)易摩擦影響，全球半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模為4,121億美元，相比2018年下降12.1%。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）預(yù)測，全球半導(dǎo)體市場2021年增速達(dá)到6.2%，市場規(guī)模達(dá)到4,522億美元，全球各地都將呈增長態(tài)勢。6.2中國半導(dǎo)體行業(yè)概況根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易組織（WSTS）統(tǒng)計(jì)，2013年至2019年中國半導(dǎo)體市場規(guī)模的復(fù)合年均增長率為9.91%。2013年我國半導(dǎo)體市場規(guī)模為817億美元,占全球半導(dǎo)體市場規(guī)模的26.73%，2019年我國的半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到1,441億美元，占全球半導(dǎo)體市場規(guī)模的34.95%。2019年，受全球宏觀環(huán)境及產(chǎn)業(yè)趨勢影響，全球半導(dǎo)體市場同比大幅下滑12.1%，中國市場同樣遭受影響，同比2018年下滑8.7%，下滑幅度小于全球整體下滑幅度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向中國轉(zhuǎn)移的趨勢仍在持續(xù)。?雖然我國半導(dǎo)體市場需求不斷增加，但半導(dǎo)體行業(yè)自給率仍然偏低。根據(jù)勾股大數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù),2010年我國半導(dǎo)體的自給率僅有4.5%,到2018年增長至13.0%，預(yù)計(jì)到2020年將達(dá)