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文檔簡介
嵌入式存儲器內建自測試與內建自修復技術研究的開題報告一、研究背景嵌入式存儲器廣泛應用于各種電子設備中,其可靠性和穩(wěn)定性對設備的正常運行至關重要。然而,由于嵌入式存儲器往往處于復雜的環(huán)境中,容易受到電磁干擾、溫度變化等因素的影響,從而導致存儲器中出現(xiàn)各種軟件和硬件錯誤。這些錯誤可能會導致設備故障或數(shù)據(jù)丟失,進而影響設備的正常工作和維護。為了保證嵌入式存儲器的可靠性和穩(wěn)定性,應采取適當?shù)拇胧﹣頇z測和修復存儲器中的錯誤。一種常用的方法是使用外部檢測和修復技術,例如硬件故障檢測和糾錯碼等。然而,外部檢測和修復技術的實現(xiàn)需要額外的電路和硬件,增加了成本和復雜性。因此,內建自測試(BIST)和內建自修復(BISR)技術成為越來越受歡迎的選擇。這些技術將測試和修復電路與存儲器本身集成在一起,無需額外的電路和硬件,從而顯著降低了成本和復雜度。二、研究內容本文將針對嵌入式存儲器內建自測試和內建自修復技術展開研究,主要包括以下方面:1.研究內建自測試(BIST)技術在嵌入式存儲器中的實現(xiàn)方法。包括設計和實現(xiàn)測試電路、產(chǎn)生測試向量、讀取測試結果等方面的內容。2.研究內建自修復(BISR)技術在嵌入式存儲器中的實現(xiàn)方法。包括設計和實現(xiàn)修復電路、診斷存儲器錯誤、自動修復錯誤等方面的內容。3.實現(xiàn)一款基于內建自測試和內建自修復技術的嵌入式存儲器。包括硬件設計、FPGA實現(xiàn)、測試驗證等方面的內容。4.分析內建自測試和內建自修復技術的優(yōu)點和缺點,并與傳統(tǒng)的外部檢測和修復技術進行比較分析。三、研究意義本文的研究意義主要在于以下幾個方面:1.提高嵌入式存儲器的可靠性和穩(wěn)定性,避免因存儲器故障而導致的設備故障或數(shù)據(jù)丟失。2.降低嵌入式系統(tǒng)的成本和復雜度,通過內建自測試和內建自修復技術,無需額外的電路和硬件,從而實現(xiàn)對存儲器的檢測和修復。3.可以為嵌入式系統(tǒng)的設計和開發(fā)提供新的思路和方向,為其它嵌入式系統(tǒng)中存儲器的可靠性和穩(wěn)定性提供參考。四、研究方法本文將采用實驗研究的方法,首先對內建自測試和內建自修復技術進行理論分析和相關文獻的研究,然后使用FPGA工具對設計的內建自測試和內建自修復電路進行實現(xiàn),最后通過測試和驗證,評估該方案的效果和可行性。五、預期成果根據(jù)以上研究內容和方法,本文的預期成果主要包括以下幾個方面:1.對內建自測試(BIST)和內建自修復(BISR)技術的實現(xiàn)方法進行深入分析和研究。2.設計并實現(xiàn)一款基于內建自測試和內建自修復技術的嵌入式存儲器,包括硬件設計、FPGA實現(xiàn)、測試驗證等方面的內容。3.分析內建自測試和內建自修復技術與傳統(tǒng)的外部檢測和修復技術的優(yōu)缺點,并對其適用范圍進行探討。六、研究計劃本文的研究計劃如下:1.前期準備,包括文獻研究、相關技術背景理解和FPGA工具學習等方面的內容。2.內建自測試(BIST)技術的研究,包括測試電路設計、產(chǎn)生測試向量、讀取測試結果等方面的內容。3.內建自修復(BISR)技術的研究,包括修復電路設計、診斷存儲器錯誤、自動修復錯誤等方面的內容。4.嵌入式存儲器的設計和實現(xiàn)。在前三個階段的研究基礎上,設計并實現(xiàn)一款基于內建自測試和內建自修復技術的嵌入式存儲器,并進行測試驗證。5.研究成果的總結和分析,撰寫論文并進行文獻綜述和排版工作。七、參考文獻[1]ValerioC.,GuptaR.,VaidyanathanR.,etal.EmbeddedMemoryRepairRates:RealorImaginary?In:ProceedingsoftheIEEEInternationalTestConference,2003.[2]HirataH.,TamuraY.,KubookaT.,etal.ABuilt-InSelf-Repair(BISR)MethodExploitingSpareCellsandMarchAlgorithmforEmbeddedMemories,In:ProceedingsoftheIEEEAsianTestSymposium,2014.[3]HamdiouiS.,OmanaM.,VerhaeghW.ADesign-for-TestabilityTechniqueBasedonBuilt-InSelf-Repair,In:ProceedingsoftheIEEEInternationalConferenceonComputerDesign:VLSIinComputersandProcessors,2004.[4]DingJ.,ChenY.,GongX.,etal.ANovelBuilt-InSelf-RepairApproachforBothStaticandDynamicFaultsinMemories.In:ProceedingsoftheIEEEInternationalConferenceonElectronics,InformationandCommunication,2013.[5]MachadoR.R.,LimaR.T.,BernardiM.,etal.Built-InSelf-Repairfor
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