《上游硅片生產(chǎn)自制》課件_第1頁
《上游硅片生產(chǎn)自制》課件_第2頁
《上游硅片生產(chǎn)自制》課件_第3頁
《上游硅片生產(chǎn)自制》課件_第4頁
《上游硅片生產(chǎn)自制》課件_第5頁
已閱讀5頁,還剩2頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

上游硅片生產(chǎn)自制本課件主要介紹如何自行生產(chǎn)上游硅片。內(nèi)容包括原料準(zhǔn)備、制備工藝、設(shè)備選型等方面。簡介上游硅片的自制可以降低成本,提高生產(chǎn)效率。但需要注意安全和細(xì)節(jié)控制。原料準(zhǔn)備多晶硅采購高純度多晶硅,確保質(zhì)量和穩(wěn)定性。氣相硅烷準(zhǔn)備氣相硅烷用于化學(xué)反應(yīng),確保反應(yīng)的順利進行。制備工藝1切割多晶硅使用切割機將多晶硅切割成薄片,控制厚度和尺寸。2清洗多晶硅使用清洗設(shè)備去除多晶硅表面的污染物,確保純凈。3傳輸多晶硅至反應(yīng)室將多晶硅從清洗設(shè)備傳輸至反應(yīng)室,避免二次污染。4加熱反應(yīng)室使用熱處理爐將反應(yīng)室加熱至適宜的溫度,促進反應(yīng)進行。5催化硅烷氣相化在適宜的壓力和溫度下,通過氣相反應(yīng)將硅烷轉(zhuǎn)化為硅膜。6沉積硅膜控制硅膜的厚度和均勻性,確保制備出高質(zhì)量的硅片。7收集硅片使用收集設(shè)備將制備好的硅片收集起來,便于后續(xù)加工。設(shè)備選型切割機選擇能夠精準(zhǔn)切割多晶硅的切割機,提高效率和質(zhì)量。清洗設(shè)備選擇能夠高效清洗多晶硅的設(shè)備,確保表面純凈。熱處理爐選用能夠穩(wěn)定加熱反應(yīng)室的熱處理爐,控制溫度的精度。氣相沉積裝置選擇適合硅膜沉積的氣相沉積裝置,提高沉積效果。注意事項安全生產(chǎn)第一嚴(yán)格控制工藝過程設(shè)備維護保養(yǎng)結(jié)論自制上游硅片

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論