bruker初級培訓(xùn)探針選擇

（Probe）。當(dāng)今商用的掃描探針顯微鏡一般配備反饋系統(tǒng)（FeedbackSystem），Probe）。當(dāng)今商用的掃描探針顯微鏡一般配備反饋系統(tǒng)（FeedbackSystem），選取形貌成像：原子力顯微鏡（AFM）：非接觸模式（Non-contactMode），接觸模式（ContactMode）,輕敲模式（TappingMode），峰值力輕敲模式（PFTmode）形貌成像：原子力顯微鏡（AFM）：非接觸模式（Non-contactMode），接觸模式（ContactMode）,輕敲模式（TappingMode），峰值力輕敲模式（PFTmode）相位成像模式（PhaseImaging），定量力學(xué)測量（PFQNM），高次諧波成像CP/Innova???Bruker是唯一一家同時專注于探針和AFM?Bruker是唯一一家同時專注于探針和AFM探針由三部分組成,基片、懸臂梁、針尖。一般的來說針尖會泛指AFM探針由三部分組成,基片、懸臂梁、針尖。一般的來說針尖會泛指AFMAFM懸臂長度L，懸臂寬度w，懸臂厚度t，針尖高度H，共振頻率

懸臂梁的幾個尺寸影響懸臂梁的彈性系數(shù)kAFM探針的重

??0彈性系數(shù)k是表征探針的重要指標(biāo),k越大，一般 (Front(FrontAngle),后角(BackAngle),TipSetBack,針尖高度(TipHeight),側(cè)角(SideAngle)彈性系數(shù)k是表征探針的重要指標(biāo),k越大，一般 ??0 (FrontAngle),后角(BackAngle),TipSetBack,針尖高度(TipHeight),側(cè)角(SideAngle)探針材料一般是單晶硅(Silicon)或氮化硅探針材料一般是單晶硅(Silicon)或氮化硅 BrukerBrukerAFM BrukerBrukerAFM121

BrukerBruker（MPP探針MPP????????????MPP????????????A:(Tappinglineof–中等(Multilineof(ContactlineofB:(Tap300,Multi75,(Tap150,Multi40,(Tap525,Multi190,Contact40)C:針尖對稱性Rotated對稱NotRotated非對稱

D02E:03已安裝到CP/InnovaZ10–10-packW–Wafer BrukerBrukerAFM BrukerBrukerAFM 接觸模式？輕敲模式？MPPMetrologyPointProbeA:懸臂長度(Tappinglineof–中等(Multilineof(Contactlineofprobes)B:懸臂厚度C:針尖對稱性Rotated對稱NotRotated非對稱

0203已安裝到CP/InnovaZ10–10-packW–WaferBioscopeCatalyst上AFM與光學(xué)聯(lián)用。該類別探針的曲率半徑一般為7nm。BioscopeCatalyst上AFM與光學(xué)聯(lián)用。該類別探針的曲率半徑一般為7nm。這類探針用于ScanAsyst智能掃描模式。ScanAsyst-Air這類探針用于ScanAsyst智能掃描模式。ScanAsyst-AirBioscopeCatalyst上AFM與光學(xué)聯(lián)用。該類別探針的曲率半徑一般為7nm。一般為LC35nm，HM80nm，LM一般為LC35nm，HM80nm，LM10nm這種探針用于超高分辨輕敲模式成像。曲率半徑DLCS1nm，IMPSC這種探針用于超高分辨輕敲模式成像。曲率半徑DLCS1nm，IMPSC這種探針用于超高分辨接觸模式成像。曲率半徑2nm這種探針用于超高分辨接觸模式成像。曲率半徑2nm這種探針用于超高分辨接觸模式成像。曲率半徑2nm這種探針用于超高分辨接觸模式成像。曲率半徑2nm這種探針用于基于峰值力輕敲模式的電學(xué)測量模式。PFTUNA用于TUNA模式，PFQNE用于PeakForceKPFM模式。曲率半徑PFTUNA25nm，PFQNE這種探針用于基于峰值力輕敲模式的電學(xué)測量模式。PFTUNA用于硬樣品表面的電學(xué)測量。曲率半徑DDESP35nm，SSRM電學(xué)分辨率可達(dá)1nm曲率半徑OSCM15nm，SCM，RMN曲率半徑OSCM15nm，SCM，RMN這種探針用于輕敲模式下測量超高或超深的表面形貌。長徑比超過5:1半徑10nm這種探針用于輕敲模式下測量超高或超深的表面形貌。長徑比超過5:110:1。曲率半徑1010:1。曲率半徑10nm。這種探針用于輕敲模式下測量超高或超深的表面形貌。曲率半徑10這種探針用于輕敲模式下測量超高或超深的表面形貌。曲率半徑10nm這種探針前段有電阻，可以加熱到350°C，這種探針前段有電阻，可以加熱到350°C，一般為LC35nm，HM80nm，LM這種探針用于超高分辨輕敲模式成像。曲率半徑DLCS1nm，IMPSC8nm，TESP-SS2nm。這種探針用于超高分辨接觸模式成像。曲率半徑2nm這種探針用于超高分辨接觸模式成像。曲率半徑2nmTUNA模式，PFQNE用于PeakForceKPFM模式。曲率半徑PFTUNA25nm，PFQNE硬樣品表